CN205828441U - 具有三明治结构阳极的底发光式oled膜层 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层，由下到上依次包括衬底、阳极氧化物导电层一、高导电薄金属层、阳极氧化物导电层二、有机发光材料层、高导电阴极厚金属层和阴极阻隔保护层。本实用新型的底发射OLED组件结构在阳极中使用三明治结构薄膜，两层薄的TCO中夹入超薄的高导电的金属层三明治结构与发光材料接触的接口，大幅降低阳极到电洞传输层之间的能障，促使电洞能更容易注入组件，同时有较佳的表面平坦度并阻挡氧化铟锡薄膜的铟扩散，而使OLED驱动电压下降并提高发光亮度；且三明治阳极整体厚度下降50％，减少材料消耗提高稼动率，大幅降低镀膜成本，有利OLED的量产及市场的推广。
Description
技术领域
本实用新型属于有机发光二极管领域，具体涉及一种具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层。
背景技术
近年来随着显示器、个人穿戴产品以及各类车用、医用、照明等等需求，全球中小尺寸显示面板整体需求量大增，也连带激励中小尺寸供应链。这当中，有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)显示器因具有自发光、高亮度、高对比度、广视角、高反应速率、低耗电、轻薄和制程简单等优势，市场需求逐年增长。受到穿戴式装置、车载电子、虚拟现实和透明显示器市场所激励，有机发光二极管(OLED)成为近年最受关注的平面显示器技术。
在OLED显示器上，透明电极将会直接影响到组件光取出量、电性以及电光转换效率，是影响组件质量的重要关键。适用于OLED的阴阳极材料需要符合某些基本要求。在阳极方面，材料必须具有高导电率和出色的光穿透率，同时也需要较高的功函数才能有效的降低阳极与有机电洞传输层间的位能障，提供阳极电洞注入效率，同时降低组件的起始电压，提升组件电性及发光效率。另一方面，阳极层的表面粗糙度也是一个重要的议题，为了避免表面粗度导致镀制的有机膜层和结构不良，一般希望RMS表面粗糙度能小于2nm。因此，发展高穿透低电阻的阳极材料是OLED显示技术的发展趋势。
在阴极方面，由于阴极位在整个OLED组件最上方，制程温度过高将会伤害到OLED的有机膜层，如ITO(氧化铟锡)等高温结晶材料将不适用，而溅镀所带来的离子轰击同样可能伤害OLED主体，因此发展出各种不同保护层材料以降低溅镀时造成组件的损害。
OLED用TCO之中，以ITO(氧化铟锡)的使用率最高，ITO具有极低的电阻率且技术相当成熟。经由最近的研究显示，ITO薄膜中的铟会有扩散至有机层的情形而导致有机材料的破坏，进而降低有机发光二极管的光电特性。在现今所运用的透明导电膜中，ITO是表面平整度最差的，所以导致有机发光二极管单位画素出现严重的黑点现象，引发组件特性的衰变。
就ZnO(氧化锌)系列来说，IZO(氧化锌铟)是除了ITO之外最常用于OLED 的TCO，其特色在于较ITO更高的功函数(5.2eV)以及较低的表面粗度(～0.6nm)，但电性表现较ITO略差，可以低温制程。除了IZO以外，AZO(氧化锌铝)、GZO(氧化锌镓)和GAZO(氧化锌铝镓)也可以达到80～90％的穿透度，且因不含贵重之铟成分，在成本上具有优势。但室温下沉积AZO、GZO和GAZO之导电性较ITO和IZO差，若要提高其电性需提高制程温度或增加后退火处理，单独使用在OLED中又有导电性不佳的问题。另外，底发光的OLED目前在阴极大都采用蒸镀Al、AlLi、MgAg等低功函数金属，但金属耐候性较差，对温度、湿度及氧化等抗性较差，将来封装必须做好适当防护处里。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层，有效的降低了OLED驱动电压并提高发光亮度，降低阳极到电洞传输层之间的能障，促使电洞能更容易注入组件里，同时有较佳的表面平坦度并阻挡氧化铟锡薄膜的铟扩散，同时膜层大幅减薄50％以上，提高稼动率﹑良率及降低生产制造成本,有利于OLED产品的量产及市场的普及。
本实用新型的技术方案如下：
一种具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层，包括衬底、阳极氧化物导电层一、高导电薄金属层、阳极氧化物导电层二、有机发光材料层、高导电阴极厚金属层和阴极阻隔保护层；所述衬底、阳极氧化物导电层一、高导电薄金属层、阳极氧化物导电层二、有机发光材料层、高导电阴极厚金属层和阴极阻隔保护层由下到上依次连接。
进一步地，所述衬底为玻璃、PI或PET；所述阳极氧化物导电层一和阳极氧化物导电层二均为单层透明导电氧化物薄膜；所述高导电薄金属层为银、银合金、铝、铝合金、铜或铜合金；所述有机发光材料层为POLED结构(HIL/IL/EML)或SMOLED结构(HIL/HTL/EML/ETL/EIL)；所述高导电阴极厚金属层为MgAg合金薄膜、银薄膜、银合金薄膜、铜薄膜、铜合金薄膜、铝薄膜、铝合金薄膜中的一种或几种；所述阴极阻隔保护层为硅化合物、氧化铝、镍合金、铜合金、钛薄膜中的一种或几种。
进一步地，所述阳极氧化物导电层一的单层透明导电氧化物薄膜选自ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、GAZO薄膜、IZO薄膜、IZTO薄膜。
进一步地，所述阳极氧化物导电层二的单层透明导电氧化物薄膜选自AZO薄膜、GZO薄膜、GAZO薄膜、IZO薄膜、IZTO薄膜。
进一步地，所述阳极氧化物导电层一中所述ITO薄膜厚度为25-75nm，折射率为2.0-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-4Ωcm；所述AZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.0-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GAZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述IZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm；所述IZTO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm。
进一步地，所述高导电薄金属层中银或银合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm；所述铝或铝合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm；或者铜或铜合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm。
进一步地，所述阳极氧化物导电层二中所述AZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GAZO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述IZO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上,电阻率<8x10-4Ωcm；所述IZTO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm。
进一步地，所述SMOLED是由空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层由下而上堆栈而成；所述空穴注入层为CuPc或HAT-CN，厚度为5-50nm；所述空穴传输层为芳香胺类(TPD,TAPC,NPB等)，厚度为25-75nm；所述有机发光材料层与电子传输层为金属配位化合物体系(如Alq3)，厚度为35-100nm；所述电子注入层为LiF、LiO或LiBq，厚度为0.3-5nm。
进一步地，所述高导电阴极厚金属层中MgAg合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于5x10-5Ωcm；所述银薄膜或银合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm；所述铝薄膜、铝合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm； 所述铜薄膜或铜合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm。
进一步地，所述阴极阻隔保护层中硅化合物(SiOx,SiNx)的镀膜厚为50-150nm；所述氧化铝(Al2O3)的镀膜厚度为50-150nm；所述镍合金(NiCr)镀膜厚度为50-150nm；所述铜合金(CuNi)的镀膜厚度为50-150nm；所述钛(Ti)的镀膜厚度为50-150nm。它包括衬底、阳极氧化物导电层一、高导电薄金属层、阳极氧化物导电层二、有机发光材料层、高导电阴极厚金属层、阴极阻隔保护层，其特征在于，衬底、阳极氧化物导电层一、高导电薄金属层、阳极氧化物导电层二、有机发光材料层、高导电阴极厚金属层和阴极阻隔保护层、从下到上依次连接。
AZO是锌铝氧化物的英文缩写，化学表达为ZnAlOx,是利用氧化锌、氧化铝混合烧结而成。
GZO是锌镓氧化物的英文缩写，化学表达为ZnGaOx,是利用氧化锌、氧化镓混合烧结而成。
GAZO是锌铝镓氧化物的英文缩写，化学表达为ZnAlGaOx,是利用氧化锌、氧化铝、氧化镓混合烧结而成。
IZO是铟锌氧化物的英文缩写，化学表达为InZnOx,是利用氧化铟、氧化锌混合烧结而成。
IZTO是铟锡锌氧化物的英文缩写，化学表达为InZnSnOx,是利用氧化铟、氧化锌、氧化锡混合烧结而成。
PI塑胶原料，中文俗称聚酰亚胺，是分子结构含有酰亚胺基链节的芳杂环高分子化合物，英文名Polyimide(简称PI)
PET聚对苯二甲酸乙二酯化学式为-OCH2-CH2OCOC6H4CO-英文名：polyethyleneterephthalate，简称PET，结晶定型后的制品、纤维和织物在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能，长期使用温度可达120℃，广泛应用于包装业、电子电器、医疗卫生、建筑、汽车等领域。
ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。
POLED：polymer organic light-emitting diode聚合物有机发光二极管。
SMOLED:small molecular organic light-emitting diode低分子有机发光二极管。
空穴注入层为HIL、空穴传输层为HTL、有机发光层为EML、电子传输层 为ETL、电子注入层为EIL。
有益效果：
(1)本实用新型使用玻璃或者可挠性基材(PI/PET)为衬底，底发射OLED组件结构在阳极中使用三明治结构薄膜，两层薄的TCO中夹入超薄的高导电的金属层，TCO以高功函数氧化物为主如ITO﹑AZO、GZO、GAZO、IZO或者IZTO(氧化锌锡铟)等为主，中间薄金属主要以Ag、Ag合金Al、Al合金、Cu、Cu合金为主。
(2)本实用新型中三明治结构与发光材料接触的接口，其功函数可高达5ev，整体穿透度约大于80％，电阻率在小于5x10-5Ω·cm的范围，且表面RMS粗糙度可达0.5nm，大幅降低阳极到电洞传输层之间的能障，促使电洞能更容易注入组件里，同时有较佳的表面平坦度并阻挡氧化铟锡薄膜的铟扩散，而使OLED驱动电压下降并提高发光亮度。
(3)本实用新型中三明治阳极整体厚度下降50％，减少材料消耗提高稼动率，大幅降低镀膜成本，有利OLED的量产及市场的推广。
附图说明
图1为本实用新型的具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层结构示意图。其中1-衬底，2-阳极氧化物导电层一，3-高导电薄金属层，4-阳极氧化物导电层二，5-有机发光材料层，6-高导电阴极厚金属层，7-阴极阻隔保护层。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型的实施例。
实施例1
如图1所示，本实施例的具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层包括衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7；所述衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7由下到上依次连接。
所述衬底1为玻璃，阳极氧化物导电层一2为ITO薄膜，厚度在25nm，折射率为2.0，可见光透光性为90％，电阻率4x10-4Ωcm；高导电薄金属层3为银合金，厚度在10nm，可见光透光性为80％,电阻率0.8x10-5Ωcm；阳极氧化物导电层二4为AZO薄膜，厚度在50nm，折射率为1.95，可见光透光性为85％， 电阻率4.5x10-3Ωcm；有机发光材料层5为POLED结构(HIL/IL/EML)，高导电阴极厚金属层6为MgAg合金薄膜，厚度为100nm，电阻4x10-5Ωcm；阴极阻隔保护层7为硅氧化物薄膜，厚度为100nm。
实施例2
如图1所示，本实施例的具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层包括衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7；所述衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7由下到上依次连接。
所述衬底1为聚酰亚胺，阳极氧化物导电层一2为GAZO薄膜，厚度50nm，折射率为2.0，可见光透光性为95％，电阻率4.5x10-3Ωcm；高导电薄金属层3为铝合金，厚度在5-15nm，可见光透光性为85％，电阻率0.9x10-5Ωcm；阳极氧化物导电层二4为IZTO薄膜，厚度在30nm，折射率为2.0，可见光透光性为90％，电阻率7x10-4Ωcm；有机发光材料层5为SMOLED结构(HIL/HTL/EML/ETL/EIL)，SMOLED是将空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层由下而上堆栈而成，空穴注入层为CuPc，厚度为20nm、空穴传输层为芳香胺类TPD，厚度为50nm、有机发光材料层与电子传输层为Alq3，厚度为60nm、电子注入层为LiF，厚度为2nm；高导电阴极厚金属层6为Ag合金薄膜，厚度为150nm，电阻0.9x10-5Ωcm；阴极阻隔保护层7为氧化铝薄膜，厚度为60nm。
实施例3
如图1所示，本实施例的具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层包括衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7；所述衬底1、阳极氧化物导电层一2、高导电薄金属层3、阳极氧化物导电层二4、有机发光材料层5、高导电阴极厚金属层6和阴极阻隔保护层7由下到上依次连接。
所述衬底1为聚对苯二甲酸乙二酯，阳极氧化物导电层一2为IZTO薄膜，厚度在75nm，折射率为2.0，可见光透光性为85％，电阻率7x10-4Ωcm；高导电薄金属层3为铜合金，度在5-15nm，可见光透光性为80％，电阻率0.8x10-5Ωcm；阳极氧化物导电层二4为GZO薄膜，厚度在60nm，折射率为1.5，可见 光透光性为85％，电阻率4.8x10-3Ωcm；有机发光材料层5为SMOLED结构(HIL/HTL/EML/ETL/EIL)，SMOLED是将空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层由下而上堆栈而成，空穴注入层为HAT-CN，厚度为5-50nm；空穴传输层为芳香胺类NPB，厚度为30nm、有机发光材料层与电子传输层为Alq3，厚度为80nm、电子注入层为LiBq，厚度为3nm；高导电阴极厚金属层6为银合金薄膜和铜薄膜，银合金薄膜厚度50nm，铜薄膜厚度50nm；阴极阻隔保护层7为铜合金和钛薄膜，铜合金厚度50nm，钛薄膜厚度50nm。
实施例4
本申请的具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层的制备工艺：
在镀膜前，衬底1需要进行预处理，包括除静电、离子束轰击、加热脱气处理等。
阳极氧化物导电层一2的镀制，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为5×10-3torr，利用高纯ITO、AZO、GZO、GAZO、IZO或者IZTO靶材(纯度99.95％)以脉冲直流电源在阳极氧化物导电层一(2)上溅镀一层25-75nm厚的ITO、AZO、GZO、GAZO、IZO或者IZTO薄膜层,从而完成了阳极透明氧化物导电层一的镀制。
高导电薄金属层3的镀制，在蒸镀机中，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为5×10-3torr，利用高纯Ag/Ag合金、Cu/Cu合金、Al/Al合金等靶材(纯度99.95％)放入溅镀机中，在阳极氧化物导电层一2上，镀一层5-15nm厚的Ag/Ag合金薄膜层、Cu/Cu合金薄膜层、或者Al/Al合金薄膜层，从而完成了高导薄金属层的镀制。
阳极氧化物导电层二4的镀制，以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为5×10-3torr，利用高纯AZO、GZO、GAZO、IZO或者IZTO靶材(纯度99.95％)以脉冲直流电源在高导电薄金属层上(3)上溅镀一层25-75nm厚的AZO、GZO、GAZO、IZO或者IZTO薄膜层,从而完成了阳极透明氧化物导电层二的镀制。
所述有机发光材料层5SMOLED结构是在蒸镀机中，以不锈钢为坩埚以真 空抽气系统将腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，将有机材料空穴注入层(HIL)材料如CuPc,HAT-CN,2-TNATA2，镀5-50nm厚、空穴传输层(HTL)材料如TPD，,TAPC,NPB等,镀25-75nm厚、有机发光层(EML)与电子传输层(ETL)材料Alq3，35-100nm厚及电子注入层(EIL)材料如LiF,LiO,LiBq等，镀0.3-5nm厚，依顺序由下而上堆栈在阳极氧化物导电层二3上而成。
高导电阴极厚金属层6的镀制，在蒸镀机中，以真空抽气系统将腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，以蒸镀法制备高导电阴极厚金属层5，利用高纯MgAg合金、Ag/Ag合金、Cu/Cu合金、Al/Al合金等材料(纯度99.95％)放入PBN制坩锅中，在有机发光材料层上，镀一层50-200nm厚的Ag/Ag合金薄膜层、Cu/Cu合金薄膜层、MgAg合金薄膜层或者Al/Al合金薄膜层，从而完成了高导电阴极厚金属层的镀制。
所述阴极阻隔保护层7的镀制，在溅镀机中，以真空抽气系统将腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为5×10-3torr，利用高纯硅化合物(SiOx,SiNx)、氧化铝(Al2O3)、以射频电源在高导电阴极厚金属层5上溅镀一层50-150nm厚的硅化合物(SiOx,SiNx)、氧化铝(Al2O3)薄膜，从而完成了所述阴极阻隔保护层6的镀制。或者使用脉冲直流电源，以镍合金(NiCr)、铜合金(CuNi)或者及钛(Ti)为靶材(纯度99.95％)在高导电阴极厚金属层5上溅镀一层50-150nm厚的镍合金(NiCr)、铜合金(CuNi)或者及钛(Ti)为薄膜层，从而完成了所述阴极阻隔保护层6的镀制，阴极阻隔保护层7为上述单种薄膜或两种以上的薄膜所组成。
完成以上的制程即完成底发光有机发光二极管膜层的制作，经由适当的玻璃或者可挠性材质(PI/PET)等透明材质、干燥材料及接着剂等,进行封装即可以完成成品的制作。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本实用新型并不限制于以上描述具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本实用新型进行的等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作的均等变换和修改，都涵盖在本实用新型范围内。
Claims (10)
1.一种具有三明治结构阳极的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述底发光式OLED膜层包括衬底(1)、阳极氧化物导电层一(2)、高导电薄金属层(3)、阳极氧化物导电层二(4)、有机发光材料层(5)、高导电阴极厚金属层(6)和阴极阻隔保护层(7)；所述衬底(1)、阳极氧化物导电层一(2)、高导电薄金属层(3)、阳极氧化物导电层二(4)、有机发光材料层(5)、高导电阴极厚金属层(6)和阴极阻隔保护层(7)由下到上依次连接。
2.根据权利要求1所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述衬底(1)为玻璃、PI或PET；所述阳极氧化物导电层一(2)和阳极氧化物导电层二(4)均为单层透明导电氧化物薄膜；所述高导电薄金属层(3)为银、银合金、铝、铝合金、铜或铜合金；所述有机发光材料层(5)为POLED结构或SMOLED结构；所述高导电阴极厚金属层(6)为MgAg合金薄膜、银薄膜、银合金薄膜、铜薄膜、铜合金薄膜、铝薄膜、铝合金薄膜中的一种或几种；所述阴极阻隔保护层(7)为硅化合物、氧化铝、镍合金、铜合金、钛薄膜中的一种或几种。
3.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述阳极氧化物导电层一(2)的单层透明导电氧化物薄膜选自ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、GAZO薄膜、IZO薄膜、IZTO薄膜。
4.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述阳极氧化物导电层二(4)的单层透明导电氧化物薄膜选自AZO薄膜、GZO薄膜、GAZO薄膜、IZO薄膜、IZTO薄膜。
5.根据权利要求3所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述阳极氧化物导电层一(2)中所述ITO薄膜厚度为25-75nm，折射率为2.0-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-4Ωcm；所述AZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.0-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GAZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述IZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm；所述IZTO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm。
6.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述高导电薄金属层(3)中银或银合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm；所述铝或铝合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm；或者铜或铜合金厚度为5-15nm，可见光透光性为75％以上，电阻率<1x10-5Ωcm。
7.根据权利要求4所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述阳极氧化物导电层二(4)中所述AZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GZO薄膜厚度为25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述GAZO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性为85％以上，电阻率<5x10-3Ωcm；所述IZO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上,电阻率<8x10-4Ωcm；所述IZTO薄膜厚度在25-75nm，折射率为1.9-2.1，可见光透光性为85％以上，电阻率<8x10-4Ωcm。
8.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述SMOLED是由空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层由下而上堆栈而成；所述空穴注入层为CuPc或HAT-CN，厚度为5-50nm；所述空穴传输层为芳香胺类，厚度为25-75nm；所述有机发光材料层与电子传输层为金属配位化合物体系，厚度为35-100nm；所述电子注入层为LiF、LiO或LiBq，厚度为0.3-5nm。
9.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述高导电阴极厚金属层(6)中MgAg合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于5x10-5Ωcm；所述银薄膜或银合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm；所述铝薄膜或铝合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm；所述铜薄膜或铜合金薄膜的厚度为50-200nm，电阻小于1x10-5Ωcm。
10.根据权利要求2所述的底发光式OLED膜层，其特征在于，所述阴极阻隔保护层(7)中硅化合物的镀膜厚为50-150nm；所述氧化铝的镀膜厚度为50-150nm；所述镍合金镀膜厚度为50-150nm；所述铜合金的镀膜厚度为50-150nm；所述钛的镀膜厚度为50-150nm。
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