WO2015037582A1 - 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015037582A1 WO2015037582A1 PCT/JP2014/073805 JP2014073805W WO2015037582A1 WO 2015037582 A1 WO2015037582 A1 WO 2015037582A1 JP 2014073805 W JP2014073805 W JP 2014073805W WO 2015037582 A1 WO2015037582 A1 WO 2015037582A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- reflective electrode
- electrode film
- organic
- film
- less
- Prior art date
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 91
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene vinylenes Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Abstract
本発明の有機ＥＬ用反射電極膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる。
Description
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に用いられる有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに関する。
本願は、２０１３年９月１３日に、日本に出願された特願２０１３－１９０８４６号、及び２０１４年８月６日に、日本に出願された特願２０１４－１６０６１１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１３年９月１３日に、日本に出願された特願２０１３－１９０８４６号、及び２０１４年８月６日に、日本に出願された特願２０１４－１６０６１１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
一般に、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子が各画素領域に形成された構造を備える。この有機ＥＬ素子においては、透明基板にスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が配置されたＴＦＴアクティブマトリックス基板上に、有機ＥＬ層を含む電界発光層が配設されている。電界発光層のうち透明基板側の面にはアノード（陽極）が形成され、アノードが形成された面と反対側の面にはカソード（陰極）が形成されている。
有機ＥＬ素子の光の取り出し方式として、透明基板側から光を取り出すボトムエミッション方式と、透明基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション方式とが知られている。トップエミッション方式は、ボトムエミッション方式と比較して開口率が高いため、高輝度化に有利である。
トップエミッション方式の有機ＥＬ素子においては、上述のアノードが、有機ＥＬ用反射電極膜と透明導電膜とからなる積層反射電極膜で構成されている。
透明導電膜は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｃｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｃｉｄｅ：アルミニウム添加酸化亜鉛）などから構成される（特許文献１参照）。
透明導電膜は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｃｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｃｉｄｅ：アルミニウム添加酸化亜鉛）などから構成される（特許文献１参照）。
有機ＥＬ用反射電極膜には、有機ＥＬ層で発光した光を効率よく反射するために、高い反射率が求められている。また、有機ＥＬディスプレイの大型化が進んでおり、有機ＥＬ用反射電極膜として、一層抵抗が低いことも求められる。したがって、有機ＥＬ用反射電極膜として、高反射率、及び低抵抗を有するＡｇ又はＡｇ合金などが使用されている。
ところで、有機ＥＬディスプレイの製造工程においては、製造工程の雰囲気中に含まれる硫黄によってＡｇ又はＡｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜が硫化するため、抵抗が増加したり、反射率が低下したりする問題がある。そこで、耐硫化性を改善した有機ＥＬ用反射電極膜として、例えば特許文献２には、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を０．１～１．５ａｔ％含有し、さらにＳｂを０．１～３．５ａｔ％含有するＡｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜が開示されている。
ところで、有機ＥＬディスプレイの製造工程では、熱処理が複数回実施されるため、有機ＥＬ用反射電極膜の反射率が低下してしまうといった問題がある。したがって、有機ＥＬ用反射電極膜には、上述の熱処理においても反射率が低下しないことが要求されている。
また、近年、有機ＥＬディスプレイが大型化されているため、有機ＥＬ用反射電極膜には、抵抗をより一層低減することも求められている。しかしながら、特許文献２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜は、添加元素の含有量が多いことから要求される水準まで抵抗を十分に低減することができない。したがって、特許文献２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜を用いて、有機ＥＬディスプレイの大型化に対応することは困難である。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れるとともに、高反射率及び低抵抗を有する有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
前述の課題を解決するために、本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ用反射電極膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる。
本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ用反射電極膜は、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上含有しているので、耐硫化性を向上させることができる。また、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の含有量が合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満とされており、添加元素量が比較的少ないことから、反射率を高く、かつ抵抗を低くすることができる。
さらに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
さらに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
また、上述の有機ＥＬ用反射電極膜において、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされているので、抵抗（シート抵抗）をさらに低くすることができる。したがって、この有機ＥＬ用反射電極膜は、大型の有機ＥＬディスプレイの電極膜として好適である。また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜においては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率の低下を招く場合がある。しかしながら、上述の有機ＥＬ用反射電極膜においては、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
この場合、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされているので、抵抗（シート抵抗）をさらに低くすることができる。したがって、この有機ＥＬ用反射電極膜は、大型の有機ＥＬディスプレイの電極膜として好適である。また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜においては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率の低下を招く場合がある。しかしながら、上述の有機ＥＬ用反射電極膜においては、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
本発明の第二の態様に係る積層反射電極膜は、上述の有機ＥＬ用反射電極膜と、この有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に積層された透明導電膜と、を備える。
本発明の第二の態様に係る積層反射電極膜には、上述の有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層されている。そのため、上述の積層反射電極膜には、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れた積層反射電極膜を構成させることができ、上述したアノードとして好適である。
本発明の第二の態様に係る積層反射電極膜には、上述の有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層されている。そのため、上述の積層反射電極膜には、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れた積層反射電極膜を構成させることができ、上述したアノードとして好適である。
本発明の第三の態様に係る反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、前述の有機ＥＬ用反射電極膜を成膜する際に用いられる。
本発明の第三の態様に係る反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることが好ましい。
本発明の第三の態様に係る反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなることが好ましい。
本発明によれば、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れるとともに、高反射率及び低抵抗を有する有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供することができる。
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。図１に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを備えた有機ＥＬ素子１の概略説明図を示す。
有機ＥＬ素子１は、成膜基板１１と、この成膜基板１１上に形成されたアノード１２（積層反射電極膜）と、このアノード１２上に形成された電界発光層１３と、この電界発光層１３上に形成されたカソード１４とを備えている。
この有機ＥＬ素子１は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、カソード１４側（図１において上側）から光が取り出されるようになっている。
有機ＥＬ素子１は、成膜基板１１と、この成膜基板１１上に形成されたアノード１２（積層反射電極膜）と、このアノード１２上に形成された電界発光層１３と、この電界発光層１３上に形成されたカソード１４とを備えている。
この有機ＥＬ素子１は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、カソード１４側（図１において上側）から光が取り出されるようになっている。
成膜基板１１は、例えばＴＦＴ回路を形成したガラス基板上に、アクリル樹脂等の有機物からなる平坦化層が形成された基板が用いられる。
電界発光層１３は、有機ＥＬ層１３Ａと、アノード１２側に形成されたホール（正孔）輸送層１３Ｂと、カソード１４側に形成された電子輸送層１３Ｃとを備えており、これら３つの層からなる３層構造を備える。電界発光層１３の厚さは、例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされている。
有機ＥＬ層１３Ａに用いる発光材料としては、例えばオレフィン系発光材料、アントラセン系発光材料、スピロ系発光材料、カルバゾール系発光材料、及びピレン系発光材料等の低分子発光材料、並びに、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、及びポリビニルカルバゾール類等の高分子発光材料等が挙げられる。なお、有機ＥＬ層１３Ａには、蛍光色素をドーピングしてもよく、燐光色素をドーピングしてもよい。
ホール輸送層１３Ｂを構成する有機高分子材料（正孔注入・輸送材料）は、正孔を輸送する能力と、アノード１２からの正孔注入効果、及び有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた正孔注入効果と、を有することが好ましい。さらに、上述のホール輸送層１３Ｂを構成する有機高分子材料は、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の電子輸送層１３Ｃへの移動を防止し、かつ薄膜形成能力に優れた化合物であることが好ましい。具体的には、例えばフタロシアニン誘導体、又はオキサゾール等の高分子材料が挙げられる。
電子輸送層１３Ｃに用いる電子注入・輸送材料は、電子を輸送する能力を持ち、カソード１４からの電子注入効果、有機ＥＬ層１３Ａ又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有することが好ましい。さらに、上述の電子輸送層１３Ｃに用いる電子注入・輸送材料は、有機ＥＬ層１３Ａで生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、例えばフルオレノン、又はアントラキノジメタン等が挙げられる。
カソード１４は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、高透過率が求められる。また、カソード１４は、面内で均一に発光させるために、均一に電流を流す必要があることから、低抵抗も求められる。このような材料として、一般にＭｇＡｇ合金などが用いられる。
アノード１２（積層反射電極膜）は、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａと、この有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面（図１において上面）に形成された透明導電膜１２ｂと、を備えている。
透明導電膜１２ｂは、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＡＺＯ（アルミニウム添加酸化亜鉛）、又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などが用いられる。
この透明導電膜１２ｂの厚さは、例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とされている。
この透明導電膜１２ｂの厚さは、例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とされている。
有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、電界発光層１３から発光された光を反射するための金属膜である。この有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１・５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有している。
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの組成を上述のように規定した理由について説明する。
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの組成を上述のように規定した理由について説明する。
（Ｉｎ及びＳｎ：いずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満）
Ｉｎ及びＳｎは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含有することによって、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの耐硫化性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％未満の場合、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいて耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が１．５ａｔ％以上の場合、反射率が低下するとともに、抵抗が上昇してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の好ましい合計含有量は、０．３ａｔ％以上１．１ａｔ％以下とされている。
Ｉｎ及びＳｎは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含有することによって、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの耐硫化性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％未満の場合、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいて耐硫化性の向上の効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が１．５ａｔ％以上の場合、反射率が低下するとともに、抵抗が上昇してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の合計含有量が０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の好ましい合計含有量は、０．３ａｔ％以上１．１ａｔ％以下とされている。
（Ｓｂ：０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満）
Ｓｂは、０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有することによって、熱処理後の反射率の低下を防ぐ作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％未満では、熱処理後の反射率が低下してしまう。一方、Ｓｂの含有量が０．１ａｔ％以上であっても、熱処理後の反射率が低下してしまう。
このような理由から、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｓｂの好ましい含有量は、０．０１５ａｔ％以上０．０７ａｔ％以下とされている。
Ｓｂは、０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有することによって、熱処理後の反射率の低下を防ぐ作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％未満では、熱処理後の反射率が低下してしまう。一方、Ｓｂの含有量が０．１ａｔ％以上であっても、熱処理後の反射率が低下してしまう。
このような理由から、Ｓｂの含有量が０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満の範囲内に設定されている。ここで、Ｓｂの好ましい含有量は、０．０１５ａｔ％以上０．０７ａｔ％以下とされている。
本実施形態において、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの膜厚は、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされている。ここで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの好ましい膜厚は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましい膜厚は、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である。
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａ、及びアノード１２（積層反射電極膜）の製造方法について説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有したＡｇ合金で構成された反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜される。
本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成を有したＡｇ合金で構成された反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜される。
なお、スパッタリング時において、スパッタリング条件によっては、Ｓｂの一部は成膜された膜内に取り込まれにくくなることがあるが、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットの組成及びスパッタリング条件を調整することによって有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの組成を調節することができる。
例えば、以下の工程によって本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａが製造される。
例えば、以下の工程によって本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａが製造される。
まず、原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを所定の組成となるように秤量する。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを添加する。その後、Ｉｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満含有するとともに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方とＳｂとを添加することが、Ａｇと、Ｉｎ及びＳｎの少なくとも一方と，Ｓｂとの組成比率を安定に得る観点から好ましい。さらに、Ｉｎ，Ｓｎ，及びＳｂは予め作製したＡｇＩｎ，ＡｇＳｎ，ＡｇＳｂ，ＡｇＩｎＳｂ，ＡｇＳｎＳｂまたはＡｇＩｎＳｎＳｂの母合金の形で添加してもよい。
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、所定寸法の反射電極膜形成用スパッタリングターゲット（Ａｇ合金ターゲット）を作製する。すなわち、この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットは、Ａｇ合金の溶解鋳造インゴットを塑性加工し、さらに熱処理して作製される。
この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着する。さらに、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂを積層させるために、透明導電膜ターゲット（市販品）を同じ装置チャンバー内に装着する。
この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着する。さらに、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂを積層させるために、透明導電膜ターゲット（市販品）を同じ装置チャンバー内に装着する。
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０－５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して所定のスパッタガス圧とし、続いて直流電源にて反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに例えば２５０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。
さらに、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに対向し、かつ所定の間隔を設けて平行に配置された成膜基板１１と前述のターゲットとの間にプラズマを発生させることで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを成膜基板１１上に成膜する。
さらに、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットに対向し、かつ所定の間隔を設けて平行に配置された成膜基板１１と前述のターゲットとの間にプラズマを発生させることで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを成膜基板１１上に成膜する。
次に、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを形成した後に、Ａｒガスに加えて酸素ガスも導入して所定のスパッタガス圧とし、直流電源にて透明導電膜ターゲットに例えば６０Ｗの直流スパッタ電力を印加する。そして、成膜基板１１と透明導電膜ターゲットの間にプラズマを発生させることで、有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂを積層する。
このようにして、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａ、及びアノード１２（積層反射電極膜）が製造される。
このようにして、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａ、及びアノード１２（積層反射電極膜）が製造される。
以上のような構成とされた本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａによれば、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上含有しているので、耐硫化性を向上させることができる。また、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の含有量が合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満とされており、添加量が比較的少ないことから、反射率を高く、かつ抵抗を低くすることができる。
また、本実施形態に係る有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、さらに、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
また、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいて、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下とされているので、抵抗（シート抵抗）を低くすることができる。したがって、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａは、大型の有機ＥＬディスプレイの電極膜として好適に用いることができる。
また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率が低下する場合がある。しかしながら、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
また、Ａｇ合金からなる有機ＥＬ用反射電極膜１２ａにおいては、膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のように比較的厚く形成されると、熱処理後の反射率が低下する場合がある。しかしながら、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有しているので、熱処理後の反射率の低下を抑制することができる。
本実施形態に係るアノード１２（積層反射電極膜）によれば、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａの一方の面に透明導電膜１２ｂが積層されているので、熱処理後の反射率が低下することなく、耐硫化性に優れたアノード１２を構成することができる。したがって、このアノード１２は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子１に好適に用いられる。
本実施形態に係る反射電極膜形成用スパッタリングターゲットによれば、上述の有機ＥＬ用反射電極膜１２ａを成膜することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
なお、上記の実施形態では、有機ＥＬ用反射電極膜の一方の面に透明導電膜が形成されている場合について説明したが、有機ＥＬ用反射電極膜の両方の面に透明導電膜を形成した３層構造としても良い。
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
まず、原料粉末として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂと、を所定の組成となるように秤量した。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを添加した。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製した。
まず、原料粉末として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂと、を所定の組成となるように秤量した。次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを添加した。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなるＡｇ合金の溶解鋳造インゴットを作製した。
ここで、Ａｇの溶解は、溶解炉内部の雰囲気を一度真空にした後、Ａｒで置換した雰囲気で行い、溶解後、Ａｒ雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｓｂとを添加した。
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの寸法を有する円板状に作製した。
得られたインゴットを冷間圧延した後、大気中で例えば６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで機械加工することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの寸法を有する円板状に作製した。
以上のようにして、本発明例１～１９、及び比較例１～８のＡｇ合金膜を製造するための反射電極膜形成用スパッタリングターゲット（Ａｇ合金ターゲット）を製造した。この反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに半田付けし、これを直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。
さらに、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯの３層積層膜の評価を行うため、上記反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同サイズの市販のＩＴＯターゲットを、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同じ装置チャンバー内に装着した。
さらに、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯの３層積層膜の評価を行うため、上記反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同サイズの市販のＩＴＯターゲットを、反射電極膜形成用スパッタリングターゲットと同じ装置チャンバー内に装着した。
次に、真空排気装置にて直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０－５Ｐａ以下まで排気した。その後、上記ターゲットと平行に配置した５０ｍｍ角の洗浄済みのガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）に対し、表１に示すスパッタ条件にて、ＩＴＯターゲット、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット、及びＩＴＯターゲットをこの順番で、真空を維持したまま連続で成膜を行い、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜（３層積層膜）をガラス基板上に成膜した。ここで、Ａｇ合金膜は、表２に示す組成に成膜した。なお、ＩＴＯ膜の膜厚については、１層目、３層目ともに１０ｎｍとした。
また、耐硫化性を評価するために、Ａｇ合金の単層膜の試料も別途成膜した。Ａｇ合金の単層膜の成膜条件は、３層積層膜の場合と同じ条件とした。
また、耐硫化性を評価するために、Ａｇ合金の単層膜の試料も別途成膜した。Ａｇ合金の単層膜の成膜条件は、３層積層膜の場合と同じ条件とした。
以上のようにして、表２に示す組成を有する本発明例１～１９、及び比較例１～８のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜を製造した。
なお、本発明例及び比較例のＡｇ合金膜の組成は、同じ反射電極膜形成用スパッタリングターゲットを用いて別途直径４インチのＳｉ基板上に膜厚３μｍの厚膜を成膜し、その膜を全量溶解してＩＣＰ発光分光分析法により分析することで求めた。
以上のようにして製造された本発明例１～１９、及び比較例１～８のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して、シート抵抗測定及び反射率測定を行った。また、本発明例１～１９、及び比較例１～８のＡｇ合金単層膜に対して、反射率測定を行った。
なお、シート抵抗測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。
反射率測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。また、反射率測定は、成膜直後及び耐硫化試験後のＡｇ合金単層膜に対しても行った。
以下に各測定方法及び各試験方法の詳細を説明する。
なお、シート抵抗測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。
反射率測定は、成膜直後及び熱処理試験後のＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜に対して行った。また、反射率測定は、成膜直後及び耐硫化試験後のＡｇ合金単層膜に対しても行った。
以下に各測定方法及び各試験方法の詳細を説明する。
（シート抵抗測定）
表面抵抗測定器（三菱油化社製、Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣＰ－Ｔ４００）を用いて、四探針法により、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜のシート抵抗を測定した。
表面抵抗測定器（三菱油化社製、Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣＰ－Ｔ４００）を用いて、四探針法により、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜のシート抵抗を測定した。
（反射率測定）
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｕ－４１００）により、波長３８０ｎｍ～８００ｎｍの範囲でＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜の反射率を測定した。ここで、可視光（３８０ｎｍ～８００ｎｍ）の代表的な波長として波長５５０ｎｍを選択し、この波長５５０ｎｍにおける反射率を表３に記載した。
分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｕ－４１００）により、波長３８０ｎｍ～８００ｎｍの範囲でＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜の反射率を測定した。ここで、可視光（３８０ｎｍ～８００ｎｍ）の代表的な波長として波長５５０ｎｍを選択し、この波長５５０ｎｍにおける反射率を表３に記載した。
（熱処理試験）
熱処理試験は、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜を大気中において２５０℃で２時間の熱処理をすることにより行った。
（耐硫化試験）
耐硫化試験は、Ａｇ合金単層膜をＮａ２Ｓ（硫化ナトリウム）０．０１ｗｔ％水溶液に１時間浸漬することにより行った。
上記の評価の結果を表３に示す。
熱処理試験は、ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ積層膜、及びＡｇ合金単層膜を大気中において２５０℃で２時間の熱処理をすることにより行った。
（耐硫化試験）
耐硫化試験は、Ａｇ合金単層膜をＮａ２Ｓ（硫化ナトリウム）０．０１ｗｔ％水溶液に１時間浸漬することにより行った。
上記の評価の結果を表３に示す。
本発明例１～１９は、表３に示すように、熱処理後の反射率の低下がなく、耐硫化性に優れ、高反射率かつ低抵抗であることが確認された。
一方、比較例１及び３は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の反射率が著しく低下した。
比較例２及び４は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
比較例５は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の透過率が著しく低下した。
比較例６は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
一方、比較例１及び３は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の反射率が著しく低下した。
比較例２及び４は、Ｉｎ又はＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
比較例５は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、耐硫化試験後の透過率が著しく低下した。
比較例６は、Ｉｎ及びＳｎの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、シート抵抗が大きくなるとともに、反射率が低くなった。
比較例７は、Ｓｂの含有量が少なすぎるために、本発明例と比較して、熱処理試験後の反射率が低下した。
比較例８は、Ｓｂの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、熱処理試験後の反射率が低下した。
比較例８は、Ｓｂの含有量が多すぎるために、本発明例と比較して、熱処理試験後の反射率が低下した。
本発明の有機ＥＬ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び反射電極膜形成用スパッタリングターゲットによれば、熱処理後の反射率の低下をなくし、耐硫化性を向上するとともに、反射率を向上し、抵抗を低下させることができる。本発明の有機ＥＬ用反射電極膜は、大型の有機ＥＬディスプレイの電極膜として好適である。
１ 有機ＥＬ素子
１２ アノード（積層反射電極膜）
１２ａ 有機ＥＬ用反射電極膜
１２ｂ 透明導電膜
１２ アノード（積層反射電極膜）
１２ａ 有機ＥＬ用反射電極膜
１２ｂ 透明導電膜
Claims (5)
- Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％未満、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上０．１ａｔ％未満含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる有機ＥＬ用反射電極膜。
- 膜厚が１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされている請求項１に記載の有機ＥＬ用反射電極膜。
- 請求項１又は請求項２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜と、この有機ＥＬ用反射電極膜の少なくとも一方の面に積層された透明導電膜と、を備える積層反射電極膜。
- 請求項１又は請求項２に記載された有機ＥＬ用反射電極膜を成膜する際に用いられる反射電極膜形成用スパッタリングターゲット。
- Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方を合計で０．１ａｔ％以上１．５ａｔ％以下、Ｓｂを０．０１ａｔ％以上２．０ａｔ％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる請求項４に記載の反射電極膜形成用スパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-190846 | 2013-09-13 | ||
| JP2013190846 | 2013-09-13 | ||
| JP2014160611A JP2015079739A (ja) | 2013-09-13 | 2014-08-06 | 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2014-160611 | 2014-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2015037582A1 true WO2015037582A1 (ja) | 2015-03-19 |
Family
ID=52665685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2014/073805 WO2015037582A1 (ja) | 2013-09-13 | 2014-09-09 | 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2015079739A (ja) |
| TW (1) | TW201524265A (ja) |
| WO (1) | WO2015037582A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11545541B2 (en) | 2017-09-28 | 2023-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device including light emitting element including reflection electrode on which multiple metallic conductive layers are stacked and method for manufacturing same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234193A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 有機発光素子およびその製造方法そして有機発光素子の陽極を有する基材 |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008108533A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2013077547A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜及びその製造方法並びに導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2013142163A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013144823A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013165053A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-08-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット |
-
2014
- 2014-08-06 JP JP2014160611A patent/JP2015079739A/ja active Pending
- 2014-09-09 WO PCT/JP2014/073805 patent/WO2015037582A1/ja active Application Filing
- 2014-09-11 TW TW103131364A patent/TW201524265A/zh unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234193A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 有機発光素子およびその製造方法そして有機発光素子の陽極を有する基材 |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008108533A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2013165053A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-08-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット |
| JP2013077547A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-25 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜及びその製造方法並びに導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2013142163A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013144823A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015079739A (ja) | 2015-04-23 |
| TW201524265A (zh) | 2015-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101745290B1 (ko) | 반사 전극용 Ag 합금막 및 반사 전극 | |
| JP5488849B2 (ja) | 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット | |
| EP2937444B1 (en) | Ag-in alloy sputtering target | |
| TW202043496A (zh) | 反射陽極電極、薄膜電晶體、有機el顯示器及濺鍍靶材 | |
| WO2015037582A1 (ja) | 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP5720816B2 (ja) | 導電性膜 | |
| JP2013077547A (ja) | 導電性膜及びその製造方法並びに導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2014196562A (ja) | Ａｇ合金スパッタリングターゲット | |
| TW201420794A (zh) | 有機電激發元件之陽極電極用Ａｌ合金膜，有機電激發元件及Ａｌ合金濺鍍靶材 | |
| JP6384147B2 (ja) | 半透明Ａｇ合金膜 | |
| JP2012059470A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極 | |
| WO2021025040A1 (ja) | 積層膜 | |
| JP5742615B2 (ja) | 導電性膜及びその製造方法並びに導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2021027039A (ja) | 積層膜 | |
| WO2010131481A1 (ja) | 上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜 | |
| JP5141912B2 (ja) | 上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲット | |
| WO2018038067A1 (ja) | 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット | |
| WO2014038560A1 (ja) | 有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の反射電極の製造方法、および有機ＥＬ素子の反射電極形成用Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14843463 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14843463 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |