JP6023404B2 - 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法 - Google Patents
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Description
無アルカリ硝子板(板厚0.7mm、直径4インチ)を基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記表1に示すように希土類元素の種類および含有量(単位は原子%であり、残部:Alおよび不可避的不純物)が異なるAl合金膜(膜厚はいずれも約600nm)を形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:1×10-6Torrにしてから、各Al合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用い、表1に示すように成膜温度およびArガス圧(表1にはAr圧力と記載)を種々変化させて行なった。これら以外のスパッタリング条件は以下のとおりである。次に、成膜後のAl合金について、窒素雰囲気中、表1に記載の種々のアニール温度にて30分間熱処理を行なった。表1中、「−」とは加熱なし(すなわち室温)を意味する。尚、形成されたAl合金膜の組成は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)質量分析法で確認した。
(スパッタリング条件)
・Arガス流量:30sccm
・スパッタパワー:260W
・成膜温度:室温
2 TFT
3 パシベーション膜
4 平坦化層
5 コンタクトホール
6 Al合金膜(反射膜)
8 有機発光層
9 カソード電極
Claims (3)
- 基板上に、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を構成するAl合金膜、および発光層を含む有機層を有する配線構造であって、前記Al合金膜は、希土類元素を0.05〜5原子%含有し、残部:Alおよび不可避的不純物であり、且つ、ヤング率は80〜200GPaであり、結晶粒の定方向接線径(Feret径)の最大値が100〜350nmであり、前記Al合金膜の上に前記有機層が直接接続している配線構造の製造方法であって、
スパッタリング時の成膜温度を230℃以下、Arガス圧を20mTorr以下に制御してスパッタリングした後、150〜230℃でアニールしてAl合金膜を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。 - 前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である請求項1に記載の配線構造の製造方法。
- 前記Al合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に電気的に接続されている請求項1または2に記載の配線構造の製造方法。
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