JP5235011B2 - 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 223
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 62
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 59
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 26
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 18
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
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Description
基板温度:25℃以上、200℃以下(より好ましくは150℃以下)
Al合金膜の膜厚:50nm以上(より好ましくは100nm以上)、300nm以下(より好ましくは200nm以下)
基板温度:25℃以上、150℃以下(より好ましくは100℃以下)
酸化物導電膜の膜厚:5nm以上(より好ましくは10nm以上)、30nm以下(より好ましくは20nm以下)
(ア)Al合金膜→酸化物導電膜を順次成膜する(後記する表1のグループ分類Aを参照)。
(イ)Al合金膜→真空または不活性ガス(例えば窒素)雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理→酸化物導電膜を成膜する。本明細書では、酸化物導電膜の成膜前にAl合金膜を熱処理することを「プレアニール」と呼ぶ場合がある。なお、プレアニール後であって酸化物導電膜の成膜前に、Al合金膜をアルカリ溶液と接触させても良い(後記する表3のグループ分類Cを参照)。
(ウ)Al合金膜→酸化物導電膜を順次成膜した後に、真空または不活性ガス(例えば窒素)雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理する(後記する表2のグループ分類Bを参照)。本明細書では、酸化物導電膜形成後に、反射アノード電極(Al合金膜+酸化物導電膜)を熱処理することを「ポストアニール」と呼ぶ場合がある。
(エ)Al合金膜→上記の「プレアニール」→酸化物導電膜→上記の「ポストアニール」を行なう。ここでも、上記(イ)と同様に、プレアニール後であって酸化物導電膜の成膜前に、Al合金膜をアルカリ溶液と接触させても良い(後記する表4のグループ分類Dを参照)。
(イ)プレアニール・・・電気抵抗率の低減化、反射率の増加
(ウ)ポストアニール・・・電気抵抗率の低減化、反射率の増加
ポストアニール+アルカリ溶液処理・・・コンタクト抵抗の低減化
(エ)プレアニールおよびポストアニール・・・ポストアニールによる電気抵抗率の低減化、反射率の増加
プレアニール+アルカリ溶液処理・・・コンタクト抵抗の低減化
本実施例では、種々のAl合金反射膜を用い、熱処理なし(グループ分類A、表1)またはポストアニールを行なったとき(グループ分類B、表2)における、仕事関数、反射率、および電気抵抗率に及ぼす影響、更には好ましい特性である耐熱性に及ぼす影響を検討した。
ITO膜表面の仕事関数は、理研計器製AC−2を用いて測定した。なお、表面の仕事関関数はその表面状態(大気中の有機物汚染など)に敏感であるため、AC−2で測定する直前にUVオゾン照射を行った。比較のため、量産されている代表的なAg基合金であるAg−0.7原子%Pd−1原子%Cuを用い、同様に仕事関数を測定した。
○:4.9eV以上
×:4.9eV未満
反射率は、日本分光株式会社製の可視・紫外分光光度計「V−570」を用い、測定波長:1000〜250nmの範囲における分光反射率を測定した。具体的には、基準ミラーの反射光強度に対して、試料の反射光強度を測定した値を「反射率」とした。ここでは、ITO膜が成膜された状態での反射率を測定しており、Bグループはポストアニール後の反射率である。
○:87%以上
△:80%以上87%未満
×:80%未満
4端子法により、Al合金の電気抵抗率を測定した。本実施例では下記基準に基づいて電気抵抗率を評価し、○または△を合格と判定した。
○:5μΩcm未満
△:5μΩcm以上7μΩcm未満
×:7μΩcm以上
耐熱性は、反射アノード電極の表面を光学顕微鏡(倍率500倍)で観察し、黒点として観察されるものをヒロックとした。本実施例では、1×109個/m2を基準として以下のように耐熱性を評価し、○を合格と判定した。
○:ヒロック密度<1×109個/m2
×:ヒロック密度≧1×109個/m2
本実施例では、実施例1と同じ組成のAl合金反射膜を用い、プレアニールとアルカリ溶液処理を行なったとき(グループ分類C、表3)またはプレアニールとアルカリ溶液処理とポストアニールを行なったとき(グループ分類D、表4)における、仕事関数、反射率、電気抵抗率、およびコンタクト抵抗に及ぼす影響、更には好ましい特性である耐熱性および耐アルカリ腐食性に及ぼす影響を検討した。
上記のようにしてCグループまたはDグループの熱処理を施した試料を用意し、これをエッチングして接触抵抗測定パターン(接触エリア:20、40、80μm□)を形成した。このようにして作製した試料の接触抵抗値を、四端子ケルビン法で測定した。コンタクト抵抗は、これら3つの平均値を算出し、コンタクト面積10μm□に換算した。本実施例では下記基準でコンタクト抵抗を評価し、○を合格と判定した。
○:コンタクト抵抗<1kΩ
×:コンタクト抵抗≧1kΩ
耐アルカリ腐食性は、上記アルカリ溶液処理をAl合金膜(反射膜)に対して行った直後の、Al合金膜表面を光学顕微鏡(倍率1000倍)で観察し、黒点として観察されるものを析出物起点の腐食点とした。この光学顕微鏡観察で確認できる当該腐食点の最小大きさ(円相当直径)は、SEM観察で観察した結果130nmであった。この光学顕微鏡観察において、合計10視野(1視野は140μm×100μm)中に観察される全ての腐食点の10μm□あたりの個数の平均を算出したとき、下記基準に基づいて耐アルカリ腐食性を評価し、○を合格と判定した。
○:1個未満
×:1個以下
本実施例では、ITO膜の膜厚が反射率に及ぼす影響を調べた。
2 TFT
3 パシベーション膜
4 平坦化層
5 コンタクトホール
6 Al合金(反射膜)
7 酸化物導電膜
8 有機発光層
9 カソード電極
Claims (11)
- 基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、
前記反射アノード電極は、Agを0.1〜6原子%、並びにLa、Ce、Sm、Ge、およびGdよりなるX群から選択される少なくとも1種のX元素を合計で、0.1〜2原子%とを含有するAl−Ag−X合金膜と、前記Al−Ag−X合金膜の上に直接接触する酸化物導電膜との積層構造であることを特徴とする有機ELディスプレイ用の反射アノード電極。 - 前記Al−Ag−X合金膜と前記酸化物導電膜との界面に、Agを含有する析出物または濃化層が形成されている請求項1に記載の反射アノード電極。
- 前記X元素の合計量が1原子%以上のときは、前記X元素は析出物として存在している請求項1または2に記載の反射アノード電極。
- 前記積層構造は、
前記Al−Ag−X合金膜を成膜し、真空または不活性ガス雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理した後、前記酸化物導電膜を成膜するか、または
前記Al−Ag−X合金膜、および前記酸化物導電膜を順次成膜した後に、真空または不活性ガス雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理するか、または
前記Al−Ag−X合金膜を成膜し、真空または不活性ガス雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理した後、前記酸化物導電膜を成膜し、真空または不活性ガス雰囲気下、150℃以上の温度で熱処理することによって得られるものである請求項1〜3のいずれかに記載の反射アノード電極。 - 前記酸化物導電膜が酸化インジウム錫(ITO)である請求項1〜4のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記酸化物導電膜の膜厚が5〜30nmである請求項1〜5のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Al−Ag−X合金膜がスパッタリング法または真空蒸着法で形成される請求項1〜6のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Al−Ag−X合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に電気的に接続されている請求項1〜7のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の反射アノード電極を備えた薄膜トランジスタ基板。
- 請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた有機ELディスプレイ。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のAl−Ag−X合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Agを0.1〜6原子%含有し、且つ、La、Ce、Sm、Ge、およびGdよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で、0.1〜2原子%含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009261281A JP5235011B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
PCT/JP2010/070394 WO2011059098A1 (ja) | 2009-11-16 | 2010-11-16 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
TW099139375A TW201132230A (en) | 2009-11-16 | 2010-11-16 | Reflective anode electrode for organic el display |
US13/502,849 US20120199866A1 (en) | 2009-11-16 | 2010-11-16 | Reflective anode electrode for organic el display |
KR1020127012462A KR20120081215A (ko) | 2009-11-16 | 2010-11-16 | 유기 el 디스플레이용의 반사 애노드 전극 |
CN2010800518434A CN102612859A (zh) | 2009-11-16 | 2010-11-16 | 有机el显示器用的反射阳极电极 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009261281A JP5235011B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011108459A JP2011108459A (ja) | 2011-06-02 |
JP5235011B2 true JP5235011B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=43991751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009261281A Expired - Fee Related JP5235011B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120199866A1 (ja) |
JP (1) | JP5235011B2 (ja) |
KR (1) | KR20120081215A (ja) |
CN (1) | CN102612859A (ja) |
TW (1) | TW201132230A (ja) |
WO (1) | WO2011059098A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6023404B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2016-11-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法 |
CN103548420B (zh) * | 2011-05-24 | 2016-08-17 | 株式会社神户制钢所 | 含有有机el显示器用的反射阳极电极的配线结构 |
JP2012243742A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造 |
JP2012243740A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造 |
JP5141794B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2013-02-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 有機el用透明導電膜およびこの透明導電膜を用いた有機el素子 |
JP5906159B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-04-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機EL素子のアノード電極用Al合金膜、有機EL素子およびAl合金スパッタリングターゲット |
KR101433589B1 (ko) * | 2012-12-19 | 2014-08-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP6231281B2 (ja) | 2013-01-23 | 2017-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN103258966B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-05-18 | 上海和辉光电有限公司 | 用于有机发光装置的反射阳极电极及其制造方法 |
JP6159981B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-07-12 | 株式会社Joled | 発光素子、表示装置及び発光素子の製造方法 |
TWI514628B (zh) * | 2013-10-24 | 2015-12-21 | Lextar Electronics Corp | 電極結構與具有電極結構的發光二極體結構 |
CN103811677B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-05-18 | 上海和辉光电有限公司 | 发光二极管阳极反射层以及用于所述反射层的合金材料 |
CN105810842B (zh) * | 2014-12-29 | 2019-01-11 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光二极管的阳极结构 |
KR20170031620A (ko) * | 2015-09-11 | 2017-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP2018032601A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット |
JP7053290B2 (ja) | 2018-02-05 | 2022-04-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
CN110408887B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-11-30 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 晶圆级硅基铝表面的ito透明导电层的制备方法 |
JP2019203194A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層膜、及び、Ag合金スパッタリングターゲット |
CN109295349A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-02-01 | 广东迪奥应用材料科技有限公司 | 一种用于制备高导电率薄膜的铝基合金 |
JP7231487B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-03-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射アノード電極及びその製造方法、薄膜トランジスタ基板、有機elディスプレイ、並びにスパッタリングターゲット |
EP4131396A4 (en) * | 2020-03-27 | 2023-05-24 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND ELECTRONIC DEVICE |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4254668B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2009-04-15 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP4117001B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
JP4117002B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009261281A patent/JP5235011B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-16 US US13/502,849 patent/US20120199866A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-16 CN CN2010800518434A patent/CN102612859A/zh active Pending
- 2010-11-16 KR KR1020127012462A patent/KR20120081215A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-16 WO PCT/JP2010/070394 patent/WO2011059098A1/ja active Application Filing
- 2010-11-16 TW TW099139375A patent/TW201132230A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120081215A (ko) | 2012-07-18 |
WO2011059098A1 (ja) | 2011-05-19 |
JP2011108459A (ja) | 2011-06-02 |
TW201132230A (en) | 2011-09-16 |
US20120199866A1 (en) | 2012-08-09 |
CN102612859A (zh) | 2012-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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