TW201417373A - 有機ｅｌ（電致發光）元件，有機ｅｌ元件之反射電極之製造方法及有機ｅｌ元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶 - Google Patents

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Abstract

依序包含基板、反射電極與有機層之層積構造之有機EL(電致發光)元件。前述反射電極，係從前述基板側依序以由純鋁或鋁合金構成之第1薄膜、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成之第2薄膜之鋁層積膜所構成，並且，前述第2薄膜係與前述有機層直接接續著。

Description

有機EL(電致發光)元件，有機EL元件之反射電極之製造方法及有機EL元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶
本發明係有關有機EL(電致發光)元件、有機EL元件之反射電極之製造方法，及有機EL元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶，例如，有關在有機EL顯示裝置或有機EL照明所使用之有機EL元件、與構成該有機EL元件之反射電極之製造方法，再者，有機EL元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶。
又，於以下，以有機EL顯示裝置為例加以說明，但本發明並不以此為限。
自發光型平板面板顯示裝置之一之有機電致發光(以下，記載為「有機EL」)顯示裝置，係在玻璃板等基板上將有機EL元件矩陣狀地配列而形成之全固體型平板面板顯示裝置。有機EL顯示裝置，係讓陽極(anode)與陰極(cathode)條紋狀地被形成著，而該等交叉之部分正是畫素(有機EL元件)。藉由對此有機EL 元件從外部施加數V電壓讓電流流過，把有機分子激發至激態，讓這激態之有機分子返回原基底狀態(安定狀態)時所產生之能量被放出成為光。此發光色係有機材料所固有之發光色。
有機EL元件係自發光型且電流驅動型之元件，其驅動方式係有被動型與主動型。被動型之構造較簡單，而全彩化困難。另一方面，主動型係可以大型化、也適於全彩化，而TFT基板為必要。在此TFT基板係使用低溫多晶質矽(p-Si)或者非結晶矽(a-Si)等之TFT。
在這主動型有機EL顯示裝置之場合，複數之TFT或配線會成為障礙，使有機EL畫素所能使用之面積縮小。驅動電路變複雜而TFT的數量增加時，進而使其影響變大。於是，最近，藉由做成並不從玻璃基板將光取出、而是從上面側將光取出之構造(頂部發光；top emission)，以改善開口率之方法受到注目。
此類之主動型頂部發光有機EL顯示裝置，係在有機層的下面(TFT基板側)的陽極(anode電極)，採用正孔注入特性優良之代表ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)之透明氧化物導電膜。此外，上述陽極電極，係兼顧將從發光層被放射之光予以反射之目的，做成上述透明氧化物導電膜與反射膜之層積構造。作為該反射膜，大多採用鉬(Mo)、鉻(Cr)、鋁(Al)或銀(Ag)等反射性金屬膜。例如，在已經被量產中之頂部發光方式的有機EL顯示裝置的反射陽極電極，係採用ITO 與銀合金膜之層積構造。
如考慮反射率，含銀或者以銀為主體之銀合金膜，由於反射率較高而較有助益。銀合金膜，係具有所謂耐蝕性差之特有課題，而藉由利用被層積在其上之ITO膜覆蓋該銀合金膜，就可以消除上述課題。但是，問題在於銀的材料成本高，加上成膜上必要的濺鍍靶的大型化較難。因而，在例如大型電視等等之類的、大型主動矩陣型的頂部發光有機EL顯示裝置的上述反射膜，適用銀合金膜較為困難。
另一方面，如僅僅考慮反射率，鋁作為反射膜也是良好的。例如在專利文獻1揭示，作為構成反射電極(反射膜)之金屬膜，提出含有0.1~2原子%之鎳之鋁-鎳合金膜，而該鋁-鎳合金膜，具有和純鋁不相上下的高反射率，而且，即使上述鋁-鎳合金膜與ITO膜或IZO膜等氧化物導電膜直接接續，也能實現低的接觸電阻。
上述專利文獻1的技術方面，如上述，在反射電極的構成上上述ITO等氧化物導電膜是必要的。對此，專利文獻2方面，係提出藉由在反射陽極電極與一般的層積構造的有機層之間，進而追加插入另一有機層，即使在反射陽極電極不用氧化物導電膜之鋁合金單層之場合下，也可以實現充分的正孔注入特性。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利特開2008-122941號公報
〔專利文獻2〕日本專利特開2006-79836號公報
然而，上述專利文獻2的技術方面，有機層的蒸鍍步驟便增加1階段。因而，從生產性的觀點而言，利用並不追加上述額外的有機層以從前的有機層之構成，而尋求做成不必要氧化物導電膜也可顯示充分的正孔注入特性，並且可以實現作為反射電極所必要的高反射率之、鋁反射電極。
本發明著眼於上述之類的情事，其目的在於可以採用從前的有機層構成，且不用從前的反射電極(特別是反射陽極電極)所使用的氧化物導電膜，而實現包含顯示高的正孔注入特性與高反射率之反射電極之、有機EL元件。
本發明係提供以下之有機EL元件、有機EL元件之反射電極之製造方法、有機EL元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶、有機EL顯示裝置及有機EL照明。
(1)一種依序含有基板、反射電極與有機層的層積構造之有機EL元件，其特徵為前述反射電極係從前述基板側起依序以由純鋁或鋁合金構成之第1薄膜、與由含氮 鋁或含氮鋁合金構成之第2薄膜之鋁層積膜所構成，並且，前述第2薄膜係與前述有機層直接接續著。
(2)如(1)記載之有機EL元件，其中，前述第2薄膜之含氮量係30原子%以上50原子%以下。
(3)如(1)或(2)記載之有機EL元件，其中，前述第2薄膜的厚度係0.5nm以上10nm以下。
(4)如(1)~(3)任一項記載之有機EL元件，其中，前述第1薄膜及前述第2薄膜之至少一方，作為合金元素，而含有0.05~5原子%稀土類元素。
(5)如(4)記載之有機EL元件，其中，前述稀土類元素係從釹(Nd)、釓(Gd)、鑭(La)、釔(Y)、鈰(Ce)、鐠(Pr)及鏑(Dy)所形成的群被選擇出之1種類以上的元素。
(6)一種如(1)~(5)任一項記載之有機EL元件之反射電極之製造方法，其特徵係包含在非活性氣體中用濺鍍法形成前述第1薄膜之步驟，以及，在非活性氣體與氮氣之混合氣體中用濺鍍法形成前述第2薄膜之步驟。
(7)一種如(1)~(5)任一項記載之有機EL元件之反射電極之製造方法，其特徵係包含在非活性氣體中用濺鍍法形成前述第1薄膜之步驟，以及，在前述第1薄膜的表面進行氮氣電漿處理而形成前述第2薄膜之步驟。
(8)一種如(1)~(5)任一項記載之有機 EL元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶，其特徵係設定含有0.05~5原子%之稀土類元素。
(9)如(8)記載之鋁合金濺鍍靶，其中，前述稀土類元素係從釹、釓、鑭、釔、鈰、鐠及鏑所形成的群被選擇出之1種類以上的元素。
(10)一種有機EL顯示裝置，其特徵係具備如(1)~(5)任一項記載之有機EL元件。
(11)一種有機EL照明，其特徵係具備如(1)~(5)任一項記載之有機EL元件。
根據本發明，以由純鋁或鋁合金構成的第1薄膜、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成的第2薄膜之鋁層積膜所構成之反射電極，由於顯示高反射率同時顯示高的正孔注入特性，所以能夠取代從前一直所採用的含氧化物導電膜之反射電極，而適用於有機EL元件之反射電極。
結果，在關於本發明之反射電極之製造方法，因為不以從前的反射電極(氧化物導電膜與金屬膜之層積膜)之方式使異質材料層積，而能用同一組成的材料形成，所以能夠生產性良好地製造出發光亮度特性優良之有機EL顯示裝置或有機EL照明等。
以下，單稱「純鋁或鋁合金(膜)」時，係指「不含有氮的純鋁或鋁合金(膜)」。
1‧‧‧基板
2‧‧‧TFT
3‧‧‧鈍化膜
4‧‧‧平坦化層
5‧‧‧接觸孔
6‧‧‧第1薄膜(Al膜)
7‧‧‧第2薄膜(含氮Al膜)
8‧‧‧有機層(有機發光層)
9‧‧‧陰極電極
〔圖1〕圖1係顯示具備本發明的反射電極之有機EL顯示裝置之概略圖。
本發明人等，欲解決前述課題而重複銳意研究之結果發現，在從基板側依序包含反射電極與有機層的層積構造之有機EL元件，特別是將反射電極從前述基板側起依序做成由純鋁或鋁合金構成之第1薄膜(以下簡稱「鋁膜」)、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成之第2薄膜(與前述有機層直接接續著。以下簡稱「含氮鋁膜」)之鋁層積膜即可。
藉由做成上述構成之鋁層積膜，能夠利用構成該鋁層積膜之第1薄膜而確保高反射率。具體而言，可以將從有機層(有機發光層)被放射之光有效率地予以反射。此外，構成前述鋁層積膜的第2薄膜之功函數，由於程度相當於廣泛使用之反射電極(氧化物導電膜與銀合金膜的層積構造)之、和有機層直接接續之氧化物導電膜的高，所以，能夠在有機層(有機發光層)有效率地注入正孔(發揮優良的正孔注入特性)。
根據本發明，能夠省略廣泛使用的反射電極所用之氧化物導電膜。亦即，沒有必要以廣泛使用的反射電極之方式、使銀合金膜與氧化物導電膜等所謂的異質材 料層積，而可以用同一組成的材料、僅變更成膜氣體的種類而形成。因而，前述第1薄膜與前述第2薄膜之形成，係可以於濺鍍步驟下連續進行。結果，本發明係能生產性良好地形成反射電極，進而，能夠生產性良好地製造發光亮度特性優良之有機EL顯示裝置或有機EL照明。
對於充分提高前述第2薄膜的正孔注入特性，亦即，充分提高前述第2薄膜的功函數，最好是將該第2薄膜中的含氮量，具體而言，氮原子佔構成第2薄膜的氮原子與金屬原子兩者合計之比例，亦即，N/〔N+(鋁或鋁合金)〕，設為30原子%以上。前述含氮量為35原子%以上較佳。另一方面，氮化鋁或氮化鋁合金之場合，因為鋁與氮的組成比為1：1，所以前述含氮量的上限約為50原子%。
(第1薄膜的成分組成與第2薄膜的金屬成分組成)
在本發明，第1薄膜的成分組成與第2薄膜的金屬成分組成(指除去氮之組成，以下相同)，為純鋁或鋁合金即可，可以採用從前所用之組成。第1薄膜的成分組成及第2薄膜的金屬成分組成之至少一方，最好是含有稀土類元素0.05~5原子%(在第2薄膜係指佔除去氮的金屬元素之比例，以下相同)，殘部為鋁及不可避的不純物。作為不可避不純物，可舉例鐵、矽等，容許各自被包含0.1原子%以下。
稀土類元素，係有助於第1薄膜或第2薄膜 的耐熱性提升之元素。本發明方面，最好是如上述、包含0.05原子%以上(較好為0.1原子%以上，更好是0.2原子%以上，而稀土類元素是由複數元素所構成之場合下係指合計量)。從耐熱性提升之觀點而言，稀土類元素的含有量雖是愈高愈好，但該量過多時，特別容易使第1薄膜(鋁膜)的反射率降低。因而，稀土類元素的含有量，最好為5原子%以下(較好為3.0原子%以下，更好是1.0原子%以下)。
上述稀土類元素，係在鑭系元素(週期表上原子序57之鑭起直到原子序71之鎦(Lu)為止合計15個元素)外加上Sc(鈧)、Y(釔)之元素群。本發明所用之稀土類元素最好是從釹、釓、鑭、釔、鈰、鐠及鏑所構成之群被選擇之至少1種(稀土類元素為釹、鑭較佳)。這些元素可以單獨添加，也可以併用二種以上。
此外，第1薄膜及第2薄膜之至少一方，係添加上述稀土類元素，進而也可以包含有助於耐熱性提升之鎳、或有助於耐鹼腐蝕性提升之鍺或銅，作為合金元素。
上述含有鎳之場合，可以藉由設定鎳量最好是0.1原子%以上(更好為0.3原子%以上)而使耐熱性提升。另一方面，鎳量過剩時，第1薄膜的反射率變得容易降低，因而最好是2.0原子%以下(更好為1.5原子%以下)。
上述含有鍺或銅之場合，可以藉由設定鍺及 銅之至少一方的含有量合計最好是0.1原子%以上(更好為0.3原子%以上)而確保優良的耐鹼腐蝕性。另一方面，鍺及銅之至少一方的含有量過剩時，反射率反而容易降低，因而，合計最好是在2.0原子%以下(更好為1.5原子%以下)。
前述第1薄膜的組成、與前述第2薄膜的金屬成分組成，為同一或者相異之組成。從製作程序簡略化之觀點而言最好是同一組成。此外，從鋁層積膜的特性的觀點而言，第1薄膜的組成與第2薄膜的金屬成分組成之、添加元素(合金元素)的種類或量也可以是相異的。
(第1薄膜的膜厚)
第1薄膜(鋁膜)，係負責作為反射電極之反射膜之角色。欲確保高的反射率，第1薄膜的膜厚最好設在50nm以上，更好為100nm以上，前述膜厚最好是設在600nm以下，更好為500nm以下。
(第2薄膜的膜厚)
第2薄膜(含氮鋁膜)的膜厚，最好是在0.5nm以上10nm以下。藉由將第2薄膜的膜厚設為0.5nm以上，可以確實地達成優良的正孔注入特性。更佳者為1nm以上。另一方面，第2薄膜的膜厚太厚時，反射電極的反射率會降低，因而最好是10nm以下。較佳者為5nm以下，更佳者為3nm以下，特佳者為2nm以下。
(第1薄膜的形成方法)
作為構成反射電極之第1薄膜(鋁膜)之形成方法，例如，可舉例濺鍍法或真空蒸鍍法等。本發明，從可以謀求細線化或膜內的合金成分的均一化、且可以容易地控制添加元素量等等之觀點而言，最好是用濺鍍法形成第1薄膜。
前述濺鍍法的較佳條件(成膜條件)係如以下。
‧基板溫度：25℃以上、200℃以下(更好者為150℃以下)
‧成膜氣體：非活性氣體(例如，氬氣)
‧成膜時的氣壓：0.5~10mTorr
由於上述氣壓太低時放電會變得不安定，所以，氣壓最好如上述設為0.5mTorr以上。此外，上述氣壓過高時，會使被形成的膜變得容易產生表面龜裂，因而，氣壓最好如上述設在10mTorr以下。
用上述濺鍍法形成反射電極，亦即，用上述濺鍍法形成第1薄膜，或者，用後述之(A)方法形成第2薄膜，或者兩者都進行，作為該濺鍍法所用之濺鍍靶，可以採用含稀土類元素(更好者從釹、釓、鑭、釔、鈰、鐠及鏑所形成之群被選擇之一種類以上的元素)0.05~5原子%、殘部為鋁及不可避不純物之，與所期待的鋁合金組成同一組成之鋁合金濺鍍靶。如果採用該鋁合金濺鍍 靶，便沒有組成偏差之疑慮，可以形成所期待的成分組成之第1薄膜或第2薄膜。
上述鋁合金濺鍍靶之形狀，係因應於濺鍍裝置之形狀或構造包含加工為任意形狀者(角型板狀、圓形板狀、甜甜圈形的板狀等)。
作為上述鋁合金濺鍍靶之製造方法，可以舉出用溶解鑄造法或粉末燒結法、噴塗形成法、製造由鋁基合金所構成之金屬錠而得的方法、或製造由鋁基合金所構成的預製體(得到最終的緻密體之前的中間體)之後，藉由緻密化手段使該預製體更為緻密化而得之方法等。
(第2薄膜的形成方法)
構成反射電極之第2薄膜(含氮鋁膜)，係被形成在緊接前述第1薄膜的上面。作為此第2薄膜的形成方法，最好是採用下述(A)或(B)之方法。
(A)在將第1薄膜如上述於非活性氣體用濺鍍法形成後，然後將第2薄膜用濺鍍法(最好按下述條件)形成。
較佳的實施型態，例舉將前述第2薄膜的形成，採用與第1薄膜的形成所用之鋁合金濺鍍靶相同之鋁合金濺鍍靶而進行，金屬成分組成，便形成與第1薄膜的組成相同的膜。
‧基板溫度：25℃以上、150℃以下(更好者為100℃ 以下)
‧成膜氣體：非活性氣體(例如，氬氣)與氮氣之混合氣體
‧氮氣流量比率：20~30%
‧成膜時的氣壓：0.5~10mTorr
由於上述氣壓太低時放電會變得不安定，所以，氣壓最好如上述設為0.5mTorr以上。此外，上述氣壓過高時，會使被形成的膜變得容易產生表面龜裂，因而，氣壓最好如上述設在10mTorr以下。
(B)在將第1薄膜如上述於非活性氣體中用濺鍍法形成後，在該第1薄膜的表面進行氮氣電漿處理(最好按下述條件)形成第2薄膜。
於濺鍍裝置，不對靶側施加電壓，而對基板側用RF電源施加電壓，使離子在基板側衝突，稱此為「逆濺鍍」。下述條件，係與4吋靶相對向地設置4吋基板，利用逆濺鍍進行氮氣電漿處理之場合之條件。
‧功率：100W以上300W以下
上述功率太低時氮氣電漿處理不能充分進行，使第2薄膜不易形成，因而，設定100W以上較佳。另一方面，上述功率過高時會使表面龜裂產生、反射率降低，因而設定300W以下較佳。更佳者為250W以下。
‧處理時間：1分鐘以上10分鐘以下
上述處理時間太短時氮氣電漿處理不能充分進行，使第2薄膜不易形成，因而，設定1分鐘以上較佳。更好者為2分鐘以上。另一方面，處理時間過長時會使製程成本提高，因而設定10分鐘以下較佳。更好者為8分鐘以下，最佳者為5分鐘以下。
‧基板溫度：25℃以上、150℃以下(更好者為100℃以下)
‧處理所用之氣體：氮氣
‧處理時的氣壓：0.5~10mTorr
由於上述氣壓太低時放電會變得不安定，所以，氣壓最好如上述設為0.5mTorr以上。此外，上述氣壓過高時，會使薄膜表面的龜裂變得容易產生，因而，氣壓最好如上述設在10mTorr以下。
以上，針對本發明的特徵部分之反射電極加以說明。以下，則針對包含這反射電極的有機EL元件之構造加以說明。
採用圖1所示之有機EL顯示裝置為例，說明包含本發明的反射電極之層積構造。下述，係針對將本發明的有機EL元件適用在有機EL顯示裝置之場合加以說明，但是，本發明之有機EL元件並不受限其適用於有機EL顯示裝置，也可以適用在有機EL照明等。此外，圖1係顯示有機EL顯示裝置之一例。本發明，其特徵點在於反射電極是由前述第1薄膜與第2薄膜所構成、且與有機 層直接接續之膜為第2薄膜(含氮鋁合金膜)，這以外的構成則不受限定於圖1，可以採用有機EL顯示裝置之領域通常被採用的習知之構成。再者，關於本發明之反射電極，不受限定用於上述反射陽極電極，也得以使用在其他反射電極。
首先，如圖1所示，在基板1上形成TFT2及鈍化膜3，再者，在其上形成平坦化層4。在TFT2上形成接觸孔5，中介接觸孔5而讓TFT2的源極‧汲極電極(未圖示)、與構成關於本發明的反射電極之第1薄膜(鋁膜)6電性地接續著。
再者，在緊接第1薄膜6的上面形成第2薄膜(含氮鋁膜)7。上述第1薄膜6與第2薄膜7的形成，係能以上述方法進行。
其次，在第2薄膜7之上，形成有機層8。在上述有機層8，包含有機發光層之外還有例如正孔輸送層或電子輸送層等。再者，在有機層8之上形成陰極電極9。此圖1之場合，針對構成陰極電極9之材料並不特別限制，可以使用自從前被採用之材料。
上述有機EL顯示裝置，由於有機層8中從有機發光層被放射的光藉本發明的反射陽極電極(特別是第1薄膜6)有效率地被反射，所以能實現優良的發光亮度。又，反射電極(第1薄膜6+第2薄膜7)的反射率愈高愈好，一般上要求反射率為85%以上，最好是87%以上。
此外，反射陽極電極之往有機層的正孔注入特性愈高愈好，表面的功函數最好是4.9~5.0eV以上。
〔實施例〕
以下，舉出實施例更具體說明本發明，但本發明並不受限於以下之實施例，在適合上、下述的要旨之範圍當然可以加上適當的變更而實施，這些也都包含於本發明的技術範圍。
〔實施例1〕
本實施例，係於種種條件下將模擬反射電極之試料加以形成，進行功函數與反射率的評價。
首先，具體而言，以無鹼玻璃板(板厚：0.7mm)作為基板，在該表面利用電漿CVD裝置將鈍化膜之SiN膜(膜厚：300nm)予以成膜。其成膜條件，係基板溫度：280℃、氣體比：SiH4/NH3/N2=125/6/185、壓力：137Pa、RF功率：100W。
再者，在該表面，作為第1薄膜而用濺鍍法將表1的組成的鋁膜(膜厚：約100nm)予以成膜。之後，以上述(A)方法，接著用濺鍍法將第2薄膜(含氮鋁膜)予以成膜。前述第1薄膜與第2薄膜的成膜條件，除了成膜氣體的種類，都設為基板溫度：25℃、成膜時的氣壓(壓力)：2mTorr、(DC)功率：200W。成膜氣體方面，第1薄膜係採用氬氣，第2薄膜則採用氬氣與氮氣 (氮氣流量比率為5%~30%)。在第1薄膜的形成，係採用與表1所示之各鋁合金組成相同組成的鋁合金濺鍍靶(尺寸為直徑4吋之濺鍍靶)。此外，在第2薄膜的形成，係採用與前述第1薄膜形成相同的濺鍍靶。所得到之第1薄膜的組成(=第2薄膜的金屬成分組成)、與第2薄膜的氮氣量係如表1所示。
此外，作為比較例，將鋁-0.2原子%釹膜、鋁-0.6原子%鎳-0.5原子%銅-0.3原子%鑭膜、或鋁-0.6原子%釹膜(任一膜厚：約100nm)，與上述同樣地用濺鍍法予以成膜，且也準備不形成第2薄膜之試料。
第1薄膜的組成(=第2薄膜的金屬成分組成)，係以ICP發光分析加以鑑定。此外，第2薄膜的氮氣量，係用裝置名稱為「HiRUPE」(High-energy Reflection EELS/UPS/Plasmon loss/ESCA)之裝置，以XPS分析加以鑑定。XPS分析，係針對按照氮氣流量比率10%成膜之試料與按照氮氣流量比率20%成膜之試料加以實施。結果，第2薄膜(含氮鋁膜)之氮氣量，分別為25原子%、40原子%。此外，由前述氮氣流量比率與第2薄膜的氮氣量兩者之關係，求出氮氣流量比率為10%與20%以外之場合之、第2薄膜的氮氣量。又，第2薄膜含有鋁合金與氮以外得以含有氧，但是，本發明並未考慮此氧，而是將氮原子佔構成第2薄膜的氮原子與金屬原子的合計之比例，當作第2薄膜的氮量。
針對以上述方式製作出的各試料(反射電 極)，將(1)功函數、及(2)反射率，如以下進行測定並評價。將此結果顯示於表1。
(1)功函數
第2薄膜表面(第2薄膜之暴露於外氣的面)的功函數，係用理研計器公司製造之AC-2加以測定。又，功函數，由於對第2薄膜的表面狀態(大氣中的有機物污染等)較敏感，所以在要用上述AC-2加以測定之前會進行UV臭氧照射。接著，如下述以5.0eV作為基準，將5.0eV以上之場合評價為○(功函數高、正孔注入特性優良)。
○：5.0eV以上
×：低於5.0eV
(2)反射率
反射率，係使用日本分光(股)製造之可見‧紫外分光光度計「V-570」，於測定波長：850~250nm的範圍測定分光反射率。具體而言，對基準反射鏡之反射光強度，測定試料的反射光強度之值為「反射率」。接著，本實施例，係以λ=450nm之反射率作為基準以以下之方式予以評價，將○或△判定為合格。
○：87%以上
△：85%以上、低於87%
×：低於85%
由表1可如下述般考察。No.1、9及17，僅有相當於本發明的第1薄膜之鋁合金膜，並沒有第2薄膜(含氮鋁合金膜)，因而功函數小。
此外，由No.7、8、14~16及22的結果可知，為確保高的功函數，並不在於第1薄膜或第2薄膜的合金組成，而最好是將第2薄膜的氮量設在一定數值以上。再者，由No.5及20的結果可知，為得到高的反射率，最好是將第2薄膜的膜厚設在10nm以下。
對此，No.2~4、6、10~13、18、19及21，係形成規定的第1薄膜與第2薄膜，且第2薄膜的氮量與第2薄膜的膜厚也滿足較佳的範圍，因而，可以得到充分高的功函數與反射率。
〔實施例2〕
本實施例，係與實施例1同樣地作法到第1薄膜為止加以形成。其次，對第1薄膜的表面(被暴露於外氣的面)，依照以下所示的條件進行氮氣電漿處理而形成第2薄膜。氮氣電漿處理，係用濺鍍裝置的逆濺鍍功能，在緊接著將第1薄膜予以成膜之後以相同濺鍍裝置連續實施。處理條件，係設為基板溫度：25℃、氣體：氮氣、壓力：2mTorr、表2所示之功率與處理時間。
接著，用所得到的試料，與實施例1同樣地作法將(1)功函數、及(2)反射率進行測定並評價。將此結果顯示於表2。
又，將表2之No.4的第2薄膜的膜厚，用理研計器公司製造之AC-2作成檢量線而算出之後，最薄處成為0.8nm。其他試料的第2薄膜的厚度也在0.5nm以上10nm以下的範圍內。此外，本實施例的任一例，第2薄膜的氮量也在30~50原子%的範圍。
由表2可如下述般進行考察。No.1，僅有相當於本發明的第1薄膜之鋁合金膜，並沒有第2薄膜(含氮鋁合金膜)，因而功函數小。相對於此，No.2~8係進行氮氣電漿處理形成第2薄膜者，但是都得到所期望的功函數與反射率。
以上參照特定的實施樣態詳細說明本申請案，但對於熟悉該項技藝者而言明顯可以在不逸脫本發明的精神與範圍的情況下再施以種種變更或修正，此亦應是為落入本發明之範圍。
本申請案係根據於2012年9月7日提出申請之日本申請案(特願2012-197510)而提出者，在本說明書參照其內容而將其納入。
〔產業上利用可能性〕
根據本發明，以由純鋁或鋁合金構成的第1薄膜、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成的第2薄膜之鋁層積膜所構成之反射電極，由於顯示高反射率同時顯示高的正孔注入特性，所以能夠取代從前一直所採用的含氧化物導電膜之反射電極，而適用於有機EL元件之反射電極。
結果，在關於本發明之反射電極之製造方法，因為不以從前的反射電極(氧化物導電膜與金屬膜之層積膜)之方式使異質材料層積，而能用同一組成的材料形成，所以能夠生產性良好地製造出發光亮度特性優良之有機EL顯示裝置或有機EL照明等。

Claims (11)

  1. 一種有機電致發光(EL)元件，依序含有基板、反射電極與有機層的層積構造，其特徵為：前述反射電極係從前述基板側起依序以由純鋁或鋁合金構成之第1薄膜、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成之第2薄膜之鋁系層積膜所構成，並且，前述第2薄膜係與前述有機層直接接續著。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之有機EL元件，其中，前述第2薄膜之含氮量係30原子百分比(原子%)以上50原子%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之有機EL元件，其中，前述第2薄膜的厚度係0.5nm以上10nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之有機EL元件，其中，前述第1薄膜及前述第2薄膜之至少一方，作為合金元素，而含有0.05~5原子%稀土類元素。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之有機EL元件，其中，前述稀土類元素係從釹(Nd)、釓(Gd)、鑭(La)、釔(Y)、鈰(Ce)、鐠(Pr)及鏑(Dy)所形成的群被選擇出之1種類以上的元素。
  6. 一種有機電致發光(EL)元件之反射電極之製造 方法，其特徵係製造申請專利範圍第1~5項任一項記載之有機電致發光元件之反射電極之方法，包含在非活性氣體中用濺鍍法形成前述第1薄膜之步驟，以及，在非活性氣體與氮氣之混合氣體中用濺鍍法形成前述第2薄膜之步驟。
  7. 一種有機電致發光(EL)元件之反射電極之製造方法，其特徵係製造申請專利範圍第1~5項任一項記載之有機電致發光元件之反射電極之方法，包含在非活性氣體中用濺鍍法形成前述第1薄膜之步驟，以及，在前述第1薄膜的表面進行氮氣電漿處理而形成前述第2薄膜之步驟。
  8. 一種鋁合金濺鍍靶，其特徵係形成申請專利範圍第1~5項任一項記載之有機電致發光(EL)元件之反射電極形成用，含有0.05~5原子%之稀土類元素。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之鋁合金濺鍍靶，其中，前述稀土類元素係從釹、釓、鑭、釔、鈰、鐠及鏑所形成的群被選擇出之1種類以上的元素。
  10. 一種有機電致發光(EL)顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第1~5項任一項記載之有機EL元件。
  11. 一種有機電致發光(EL)照明，其特徵係具備如申請專利範圍第1~5項任一項記載之有機EL元件。
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