JP2006236839A - 有機電界発光型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上にTFTと、少なくともアノード16、電界発光層18そしてカソード19がこの順に積層された有機EL素子とが表示領域の各画素に形成されているとともに、アノード16はAlに少なくとも8族3d遷移金属の1種以上を不純物として含むAl合金膜16aと、その上層に透光性導電酸化膜であるアモルファスITO膜16bとを積層した少なくとも二層膜であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1における有機電界発光型表示装置を構成するTFT基板とその上部に形成されている有機EL素子とを示す画素部の断面図である。図1において、絶縁性基板1上に形成された透過性絶縁膜であるSiN膜2、SiO2膜3上にチャネル領域7a、ソース領域7b、ドレイン領域7cを有するポリシリコン膜7が設けられている。SiO2膜3やポリシリコン膜7を覆うようにしてゲート絶縁膜5が形成され、その上層にゲート電極6と、SiO2等からなる第1層間絶縁膜8とが形成されている。ソース電極11とドレイン電極12とは第1層間絶縁膜8上にあって、おのおのコンタクトホール9、10を介してソース領域7b、ドレイン領域7cと接続されており、以上の構成をもって薄膜トランジスタが形成される。さらに、その上層にはSiNやSiO2等からなる第2層間絶縁膜13、および表面を平坦化するために有機樹脂からなる平坦化膜15が形成されている。
4 アモルファスシリコン膜、5 ゲート絶縁膜、6 ゲート電極、
7 ポリシリコン膜、7a チャネル領域、7b ソース領域、7c ドレイン領域、
8 第1層間絶縁膜、
9、10 コンタクトホール、
11 ソース電極、12 ドレイン電極、13 第2層間絶縁膜、
14 コンタクトホール、15 平坦化膜、
16 アノード、16a Al合金膜、16b アモルファスITO膜、17 分離膜、
18 電界発光層、18a ホール輸送層、18b 有機EL層、18c 電子輸送層、
19 カソード、20 接着層、21 対向ガラス基板
Claims (10)
- 薄膜トランジスタ(TFT)と、有機樹脂からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上に少なくともアノード、電界発光層そしてカソードがこの順に積層された有機EL素子とが基板上の表示領域の各画素に形成されているとともに、前記アノードはアルミニウム(Al)に少なくとも8族3d遷移金属の1種以上を不純物として添加したAl合金膜と、その上層に透光性導電酸化膜を積層した少なくとも二層膜からなることを特徴とするトップエミッション型の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜に含まれる8族3d遷移金属の組成比が0.5at%以上15at%以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光型表示装置。
- 薄膜トランジスタ(TFT)と、有機樹脂からなる平坦化膜と、該平坦化膜の上に少なくともアノード、電界発光層そしてカソードがこの順に積層された有機EL素子とが基板上の表示領域の各画素に形成されているとともに、前記アノードはAlに少なくとも窒素(N)原子を不純物として添加したAl合金膜と、その上層に透光性導電酸化膜を積層した少なくとも二層膜であることを特徴とするトップエミッション型の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜に含まれるN原子の組成比が5at%以上26at%以下であることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜に、さらにSi、Cu、Y、およびNdから選ばれる少なくとも1種以上の不純物を含んでいることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記Al合金膜厚が10nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記透光性導電酸化膜が酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、あるいはこれらの酸化物を混合した材料のいずれかからなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記透光性導電酸化膜が酸化インジウム(In2O3)と酸化スズ(SnO2)と酸化亜鉛(ZnO)とを混合した酸化物(ITZO)からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機電界発光型表示装置。
- 前記透光性導電酸化膜の膜厚が3.5nm以上であることを特徴とする請求項7または8に記載の有機電界発光型表示装置。
- 少なくとも前記Al合金膜と前記透光性導電酸化膜からなる前記アノードのパターンのエッヂ部の断面形状が、概略直線状、または順階段状であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の有機電界発光型表示装置。
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---|---|---|---|
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EP05027682A EP1696488A1 (en) | 2005-02-25 | 2005-12-16 | Organic electroluminescence type display apparatus |
KR1020060012453A KR100764673B1 (ko) | 2005-02-25 | 2006-02-09 | 유기 전계발광형 표시장치 |
CNB2006100088075A CN100479179C (zh) | 2005-02-25 | 2006-02-14 | 有机电致发光型显示装置 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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CN (1) | CN100479179C (ja) |
TW (1) | TWI296902B (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009181836A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
WO2010053184A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
JP2010278010A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
US7910053B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and active matrix display device |
WO2011059098A1 (ja) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
JP2011119246A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子の作製方法、発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器 |
US8159749B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Antireflection coating and display device |
DE112011102793T5 (de) | 2010-08-24 | 2013-08-08 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positiv arbeitende lichtempfindliche Siloxanzusammensetzung |
US8575598B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
WO2014030617A1 (ja) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | 株式会社神戸製鋼所 | フラットパネルディスプレイの半透過電極用Al合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極 |
WO2014038560A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機EL素子、有機EL素子の反射電極の製造方法、および有機EL素子の反射電極形成用Al合金スパッタリングターゲット |
WO2014097961A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag-In合金スパッタリングターゲット |
KR20140103131A (ko) | 2011-11-29 | 2014-08-25 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
KR20140104355A (ko) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
KR101437808B1 (ko) | 2011-06-10 | 2014-10-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 유기 el용 투명 도전막 및 이 투명 도전막을 사용한 유기 el 소자 |
KR20140144275A (ko) | 2012-04-06 | 2014-12-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
KR20140144274A (ko) | 2012-04-06 | 2014-12-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
US8993214B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-03-31 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive photosensitive siloxane composition |
CN104733644A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示器件及其制造方法 |
KR20150087392A (ko) | 2012-11-22 | 2015-07-29 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 포지티브형 감광성 실록산 조성물 |
JPWO2015001785A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-02-23 | 株式会社Joled | 発光素子、表示装置及び発光素子の製造方法 |
WO2017162831A1 (en) | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Photosensitive siloxane composition |
JP2020194758A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007093686A (ja) | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007123672A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 導電体構造、導電体構造の製造方法、素子基板および素子基板の製造方法 |
WO2008099697A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Mitsubishi Electric Corporation | 表示装置およびその製造方法 |
KR100899426B1 (ko) | 2007-09-14 | 2009-05-27 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 제조방법 |
KR101692954B1 (ko) * | 2010-05-17 | 2017-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR20120003216A (ko) | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102960069B (zh) * | 2010-07-27 | 2015-09-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板及其制造方法 |
JP6237279B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-11-29 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 保護膜を具備する薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2018032601A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット |
CN108023031A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有空穴传输功能的阳极及有机发光显示器件 |
WO2019186807A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
CN109003989B (zh) * | 2018-07-27 | 2020-08-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
CN110165070B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-04-23 | 合肥视涯显示科技有限公司 | Oled阳极的制作方法及oled显示装置的制作方法 |
CN109920925B (zh) * | 2019-01-23 | 2020-12-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种oled阳极材料处理方法和装置及oled结构 |
KR20220033650A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01183091A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-20 | Sharp Corp | 透過型薄膜el素子の製造方法 |
JPH09134788A (ja) * | 1994-12-08 | 1997-05-20 | Denso Corp | El素子 |
JPH10162960A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
JPH10275683A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜積層型導電体 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2001004993A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 電極基板 |
JP2001291595A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003059660A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置の製造方法 |
JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
JP2003273109A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Advanced Display Inc | Al配線用薄膜及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
JP2004003005A (ja) * | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液及びエッチング方法 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
JP2004363556A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体素子 |
JP2005322633A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器、およびテレビジョン装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999039393A1 (en) | 1998-02-02 | 1999-08-05 | International Business Machines Corporation | Anode modification for organic light emitting diodes |
JP4190118B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2008-12-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法 |
JP4581187B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2002246185A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
WO2003019598A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | Northwestern University | High work function transparent conducting oxides as anodes for organic light-emitting diodes |
KR100437533B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP3724732B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2005-12-07 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機el発光素子 |
KR100477746B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
JP2004294630A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型電極基板及びその製造方法、並びにその製造方法に用いるエッチング組成物 |
KR100546662B1 (ko) * | 2003-08-05 | 2006-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 |
US7002293B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-02-21 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode |
TWI367686B (en) * | 2004-04-07 | 2012-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, electronic device, and television device |
KR100590269B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US7648861B2 (en) * | 2004-08-03 | 2010-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device including separately forming a second semiconductor film containing an impurity element over the first semiconductor region |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005051262A patent/JP2006236839A/ja active Pending
- 2005-12-13 US US11/299,906 patent/US20060192481A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-13 TW TW094144039A patent/TWI296902B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-16 EP EP05027682A patent/EP1696488A1/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-02-09 KR KR1020060012453A patent/KR100764673B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-02-14 CN CNB2006100088075A patent/CN100479179C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01183091A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-20 | Sharp Corp | 透過型薄膜el素子の製造方法 |
JPH09134788A (ja) * | 1994-12-08 | 1997-05-20 | Denso Corp | El素子 |
JPH10162960A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
JPH10275683A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜積層型導電体 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2001004993A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 電極基板 |
JP2001291595A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003059660A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置の製造方法 |
JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
JP2003273109A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Advanced Display Inc | Al配線用薄膜及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
JP2004003005A (ja) * | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液及びエッチング方法 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
JP2004363556A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体素子 |
JP2005322633A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器、およびテレビジョン装置 |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910053B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and active matrix display device |
JP2009181836A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置及びその製造方法 |
US8159749B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Antireflection coating and display device |
JP2010135300A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-06-17 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
WO2010053184A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
JP2010278010A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
US8575598B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
US8803188B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, Light-emitting device, lighting device, and electronic appliance |
JP2011119246A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子の作製方法、発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器 |
WO2011059098A1 (ja) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
JP2011108459A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
DE112011102793T5 (de) | 2010-08-24 | 2013-08-08 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positiv arbeitende lichtempfindliche Siloxanzusammensetzung |
DE112011102793B4 (de) | 2010-08-24 | 2023-01-12 | Merck Patent Gmbh | Positiv arbeitende lichtempfindliche Siloxanzusammensetzung, daraus gebildeter gehärteter Film und Element mit diesem |
US8993214B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-03-31 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive photosensitive siloxane composition |
KR101437808B1 (ko) | 2011-06-10 | 2014-10-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 유기 el용 투명 도전막 및 이 투명 도전막을 사용한 유기 el 소자 |
KR20140103131A (ko) | 2011-11-29 | 2014-08-25 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
KR20140144275A (ko) | 2012-04-06 | 2014-12-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
US9684240B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-06-20 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Negative-working photosensitive siloxane composition |
KR20140144274A (ko) | 2012-04-06 | 2014-12-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 네거티브형 감광성 실록산 조성물 |
US9164386B2 (en) | 2012-04-06 | 2015-10-20 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Negative-working photosensitive siloxane composition |
WO2014030617A1 (ja) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | 株式会社神戸製鋼所 | フラットパネルディスプレイの半透過電極用Al合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極 |
WO2014038560A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機EL素子、有機EL素子の反射電極の製造方法、および有機EL素子の反射電極形成用Al合金スパッタリングターゲット |
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US9580567B2 (en) | 2012-11-22 | 2017-02-28 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Positive-type photosensitive siloxane composition |
WO2014097961A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag-In合金スパッタリングターゲット |
KR20200003287A (ko) | 2012-12-21 | 2020-01-08 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Ag-In 합금 스퍼터링 타겟 |
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JPWO2015001785A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-02-23 | 株式会社Joled | 発光素子、表示装置及び発光素子の製造方法 |
CN104733644A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光显示器件及其制造方法 |
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JP2020194758A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極 |
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