JP2019204967A - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 352
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 189
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 273
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 44
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
次に、図1Aに示される有機EL表示装置が、具体的に説明される。図1A〜1Cに、一実施形態の有機EL表示装置の一画素(厳密には、一画素中の赤、緑、青のサブ画素であるが、本明細書では、これらのサブ画素も含めて一画素ということもある)分の概略の断面図が示されている。
(実施例1)
次に、図1Aに示される有機EL表示装置の製造方法が、図4A〜4Bのフローチャート及び図5A〜5Gの製造工程の図を参照しながら説明される。
図4A〜4B及び図5A〜5Gに示される実施例1の製造方法は、平坦化膜30が無機絶縁膜31と有機絶縁膜32が連続して形成され、一括してコンタクト孔30aが形成されたが、有機絶縁膜32として、光重合開始剤を含む感光性の有機材料からなる有機絶縁膜32が形成され、無機絶縁膜31が形成された後に、第1コンタクト孔30a1が形成され、その後に感光性の有機絶縁膜32が形成され、露光と現像によって第2コンタクト孔30a2が形成され、コンタクト孔30aとされてもよい。その例が、図6A〜6Bに示されている。
本発明の態様1に係る有機EL表示装置は、薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜の表面上に形成され、前記駆動回路と接続された第1電極、前記第1電極の上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層の上に形成された第2電極を有する有機発光素子と、を備え、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、及び前記薄膜トランジスタのチャネルとなる領域を含み、所定方向に沿って延びる半導体層を有し、前記ドレイン電極を構成する第1導体膜と、前記ソース電極を構成する第2導体膜とのそれぞれの一部が、前記所定方向に沿って交互に並ぶように前記第1導体膜及び前記第2導体膜が配置されており、前記チャネルは、隣接する前記第1導体膜の一部と前記第2導体膜の一部との間に挟まれる前記半導体層であり、前記駆動回路と前記第1電極との接続が、前記平坦化膜に形成されたコンタクト孔の内部に埋め込まれた導体層を介して行われ、前記導体層が、チタン層及び銅層又は銅合金層を含み、前記平坦化膜の表面が、算術平均粗さRaで50nm以下に形成されている。
20 TFT(薄膜トランジスタ)
21 半導体層
21c チャネル
23 ゲート電極
25 ソース電極
25a 第2導体膜
26 ドレイン電極
26a 第1導体膜
30 平坦化膜
30a コンタクト孔
31 無機絶縁膜
32 有機絶縁膜
40 OLED(有機発光素子)
41 第1電極(陽極)
43 有機発光層
44 第2電極(陰極)
410 導体層
413 Ag膜
414 ITO膜
Claims (8)
- 薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された基板と、
前記駆動回路を覆うことによって前記基板の表面を平坦化する平坦化膜と、
前記平坦化膜の表面上に形成され、前記駆動回路と接続された第1電極、前記第1電極の上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層の上に形成された第2電極を有する有機発光素子と、
を備え、
前記薄膜トランジスタは前記有機発光素子を駆動する駆動用薄膜トランジスタを含み、前記駆動用薄膜トランジスタは、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、及びチャネルとなる領域を含み、所定方向に沿って延びる半導体層を有し、
前記ドレイン電極を構成する第1導体膜と、前記ソース電極を構成する第2導体膜とのそれぞれの一部が、前記所定方向に沿って交互に並ぶように前記第1導体膜及び前記第2導体膜が配置されており、
前記チャネルが前記有機発光素子の発光領域のほぼ全面に亘って形成されており、
隣接する前記第1導体膜の一部と前記第2導体膜の一部とで挟まれる領域が複数個あり、前記半導体層がアモルファス半導体からなり、前記複数個の隣接する前記第1導体膜の一部と前記第2導体膜の一部との対向する部分の長さの前記複数個の和をW、前記対向する部分の間隔をLとするとき、W/Lが50以上で、500以下である、有機EL表示装置。 - 前記平坦化膜の表面が、算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下に形成されている、請求項1記載の有機EL表示装置。
- 前記第1導体膜及び前記第2導体膜が、それぞれ平面形状で櫛型に形成されると共に、前記第1導体膜及び前記第2導体膜のそれぞれの櫛歯部分が噛み合うように形成されている、請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記櫛型の第1導体膜及び第2導体膜のそれぞれの櫛歯部分の先端部と前記第2導体膜又は前記第1導体膜との対向する部分の間隔が、噛み合っている前記櫛歯部分の間隔と等しく形成されることによって、前記チャネルの一部とされている、請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1導体膜が九十九折に形成されており、前記第2導体膜の一部が前記第1導体膜の前記九十九折の対向する部分に挿入するように形成されている、請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記発光素子の発光領域が矩形形状に形成され、かつ、前記薄膜トランジスタが前記発光領域の下層に形成されており、前記第1導体膜の一部及び前記第2導体膜の一部の対向する部分が、前記矩形形状の長辺に沿って形成されている、請求項3〜5のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 基板の上に、有機発光素子を駆動する駆動用薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路の表面に、平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜の表面に第1電極、有機発光層、及び第2電極を順次形成することによって前記有機発光素子を形成する工程と、
を含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネルとする領域を含み、所定方向に沿って延びるアモルファス半導体層、及び前記アモルファス半導体層と接続して形成されるドレイン電極とする第1導体膜とソース電極とする第2導体膜との積層構造によって形成され、
前記第1導体膜と、前記第2導体膜とは、それぞれの一部が、前記所定方向に沿って交互に並んで配置されるように形成されると共に、前記チャネルが前記有機発光素子の発光領域のほぼ全面に亘って形成されており、
前記チャネルは、隣接する前記第1導体膜の一部と前記第2導体膜の一部との間に挟まれる前記アモルファス半導体層である、有機EL表示装置の製造方法。 - 前記平坦化膜の表面を算術平均粗さRaで20nm以上、50nm以下に研磨した後に、前記有機発光素子を形成する、請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019138835A JP6802887B2 (ja) | 2019-07-29 | 2019-07-29 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204967A true JP2019204967A (ja) | 2019-11-28 |
JP6802887B2 JP6802887B2 (ja) | 2020-12-23 |
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Family Applications (1)
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