JPH01183091A - 透過型薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
透過型薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH01183091A JPH01183091A JP63002989A JP298988A JPH01183091A JP H01183091 A JPH01183091 A JP H01183091A JP 63002989 A JP63002989 A JP 63002989A JP 298988 A JP298988 A JP 298988A JP H01183091 A JPH01183091 A JP H01183091A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は交流電界の印加により発光する薄膜ＥＬ素子
、特に、背面電極月利としてＴＴＯ膜を用いた透過型薄
膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
、特に、背面電極月利としてＴＴＯ膜を用いた透過型薄
膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
（〔Ｊ）従来の技術
たとえば、第２図に示ずような薄膜ＥＬ素子を製造する
場合には、ガラス基板１の」二にＩＴＯ膜からなるスト
ライプ状の透明電極を形成し、その上に絶縁層３と発光
層４と絶縁層５を積層し、更にその−１−にビＩ゛０か
らなるストライプ状背面電極６を形成して、ハンダ接続
が可能なｌとＮｉの積層膜からなる電極端子７を形成す
る。ところで従来の製造方法では、電極６用のビｒ Ｏ
膜を絶縁膜５の上に形成した後、フォトエツチングによ
ってそれをストライプ状状に加工し、その工程の終了後
に、電極２及び６の端部にＡｇとＮｉの積層膜を蒸着形
成し、フォトエツチングよって電極端子７を形成するよ
うにしている。
場合には、ガラス基板１の」二にＩＴＯ膜からなるスト
ライプ状の透明電極を形成し、その上に絶縁層３と発光
層４と絶縁層５を積層し、更にその−１−にビＩ゛０か
らなるストライプ状背面電極６を形成して、ハンダ接続
が可能なｌとＮｉの積層膜からなる電極端子７を形成す
る。ところで従来の製造方法では、電極６用のビｒ Ｏ
膜を絶縁膜５の上に形成した後、フォトエツチングによ
ってそれをストライプ状状に加工し、その工程の終了後
に、電極２及び６の端部にＡｇとＮｉの積層膜を蒸着形
成し、フォトエツチングよって電極端子７を形成するよ
うにしている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
従−１で、従来の製造方法では、ｌ ｉ’ ０膜からス
トライプ状の電極６を得る工程と電極２及び６の端部に
Δａ層とＮｉ層との積層膜からなる電極７を得る上程に
おいて、それぞれにフォトエッヂング工程が必要であり
、その」１、電極端子７を形成するに際して電極２と電
極６の両方に位置合わせをずろ必要があるので、生産に
多くの工数を必要とオろばかりでなく高精度のフ１トエ
ッヂング作業が必要とされろ。さらに、ｒＴＯ膜からス
トライプ状の背面電極６をエツチングで形成する場合に
、塩酸を含むエツチング族を使用するので、それに含ま
れるＣａイオンによってＡｌ層とＮｉ層の界面が腐食さ
れて、素子の信頼性が低下するという問題点がある。
トライプ状の電極６を得る工程と電極２及び６の端部に
Δａ層とＮｉ層との積層膜からなる電極７を得る上程に
おいて、それぞれにフォトエッヂング工程が必要であり
、その」１、電極端子７を形成するに際して電極２と電
極６の両方に位置合わせをずろ必要があるので、生産に
多くの工数を必要とオろばかりでなく高精度のフ１トエ
ッヂング作業が必要とされろ。さらに、ｒＴＯ膜からス
トライプ状の背面電極６をエツチングで形成する場合に
、塩酸を含むエツチング族を使用するので、それに含ま
れるＣａイオンによってＡｌ層とＮｉ層の界面が腐食さ
れて、素子の信頼性が低下するという問題点がある。
この発明はこのような事情を考慮してなされもので、製
作工数の低減を（Ｊかろと共に信頼性の高い素子を得ろ
ことが可能な透過型薄膜Ｅ Ｌ素子の製造方法を提ＩＪ
ｌニオろムのであろ１゜（ニ）課題を解決するための手
段 ごの発明は、ガラス−基板上に、（１）第１のビｌ゛Ｏ
膜を蒸着し、この股上に所定のストライプ状のパターン
を有するレジスト膜を覆ってエツチングしてストライプ
状の第１透明電極を形成し、（２）この第１透明電極上
に所定長の端部を残して、第１絶縁膜、発光層および第
２絶縁膜を順次積層すると共に、その−１１こ第１透明
電極のストライプ方向と直交する方向に延出する第２の
Ｉ ’Ｊ’ Ｏ膜を積層し、（３）第１透明電極の前記
端部及び第２のＩＴｏ膜の前記延出部を覆うｌ膜とＮｉ
膜とを形成し、（４）第１透明電極に直交するストライ
プ状パターンと端子状パターンを有するレジスト膜でそ
の上を覆い、その状態で、Ｎｉ膜、Ａｌ唖を順次エツチ
ングし、さらに、第２のｒ ’ｒ ｏ膜をシュウ酸でエ
ツチングして、第２のＦｒＯ股からなるストライプ状状
の第２透明電極と、第１，１ｊよび第２透明電極の端部
に接続されるＡ（１−Ｎｉ膜端子とを形成することを特
徴とする透過型薄膜ＥＬ素子の製造方法である。
作工数の低減を（Ｊかろと共に信頼性の高い素子を得ろ
ことが可能な透過型薄膜Ｅ Ｌ素子の製造方法を提ＩＪ
ｌニオろムのであろ１゜（ニ）課題を解決するための手
段 ごの発明は、ガラス−基板上に、（１）第１のビｌ゛Ｏ
膜を蒸着し、この股上に所定のストライプ状のパターン
を有するレジスト膜を覆ってエツチングしてストライプ
状の第１透明電極を形成し、（２）この第１透明電極上
に所定長の端部を残して、第１絶縁膜、発光層および第
２絶縁膜を順次積層すると共に、その−１１こ第１透明
電極のストライプ方向と直交する方向に延出する第２の
Ｉ ’Ｊ’ Ｏ膜を積層し、（３）第１透明電極の前記
端部及び第２のＩＴｏ膜の前記延出部を覆うｌ膜とＮｉ
膜とを形成し、（４）第１透明電極に直交するストライ
プ状パターンと端子状パターンを有するレジスト膜でそ
の上を覆い、その状態で、Ｎｉ膜、Ａｌ唖を順次エツチ
ングし、さらに、第２のｒ ’ｒ ｏ膜をシュウ酸でエ
ツチングして、第２のＦｒＯ股からなるストライプ状状
の第２透明電極と、第１，１ｊよび第２透明電極の端部
に接続されるＡ（１−Ｎｉ膜端子とを形成することを特
徴とする透過型薄膜ＥＬ素子の製造方法である。
（ホ）作用
Ｎ１膜とΔＱ膜と第２のＩ ｉ” ０膜を順次連続して
エツチングすることにｊ；す、ストライプ状の第２透明
電極と第１及び第２透明電極端部に接続される電極端子
とが同一のレジスト膜によって形成されるので、レジス
トパターンを形成するフォトエツチング工程が短縮され
る。その上、位置合わせは第１透明電極に対してのみ行
えばよいので、フォｉ・エツチング時の位置合Ｕ゛作業
簡単になり、更に第２のＩ Ｔ Ｏ膜のエツチングには
シュウ酸を使用するため、電極端子を形成するＡ（ｊ−
Ｎｉ膜の界面が腐食されることがなく、素子の信頼性が
向上する。
エツチングすることにｊ；す、ストライプ状の第２透明
電極と第１及び第２透明電極端部に接続される電極端子
とが同一のレジスト膜によって形成されるので、レジス
トパターンを形成するフォトエツチング工程が短縮され
る。その上、位置合わせは第１透明電極に対してのみ行
えばよいので、フォｉ・エツチング時の位置合Ｕ゛作業
簡単になり、更に第２のＩ Ｔ Ｏ膜のエツチングには
シュウ酸を使用するため、電極端子を形成するＡ（ｊ−
Ｎｉ膜の界面が腐食されることがなく、素子の信頼性が
向上する。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいて、この発明を詳述す
る。これによって、この発明が限定されるものではない
。
る。これによって、この発明が限定されるものではない
。
第１図はこの発明の一実施例を示す」二面図である。同
図において、まず、ポウケイ酸ガラスからなる厚さ１．
Ｏ〜２．釦肩のガラス基板ｌＩ上に、ＩＴ又けＩＴＯタ
ーゲットを使用したスパッタリング法によって、厚さ１
５００人のＩＴＯ＋２を形成し、その後、エツチング法
によってそれをストライプ状に形成する。
図において、まず、ポウケイ酸ガラスからなる厚さ１．
Ｏ〜２．釦肩のガラス基板ｌＩ上に、ＩＴ又けＩＴＯタ
ーゲットを使用したスパッタリング法によって、厚さ１
５００人のＩＴＯ＋２を形成し、その後、エツチング法
によってそれをストライプ状に形成する。
この−ヒにスパッタ法または真空蒸着法によって５ｉＯ
ｚおよび３ｉ３Ｎ＋からなる厚さ２５００人の第１絶縁
膜１３を形成する。
ｚおよび３ｉ３Ｎ＋からなる厚さ２５００人の第１絶縁
膜１３を形成する。
次に、ＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットを用いて、電子ビーム
蒸着法により厚さ８０００人の発光層１４を形成し、５
７０〜６５０℃でアニールする。
蒸着法により厚さ８０００人の発光層１４を形成し、５
７０〜６５０℃でアニールする。
次に、’ ５ｉｑＮ４および順、０．からなる厚さ２０
００人の第２絶縁膜１５を第１絶縁膜１３と同様に形成
する。
００人の第２絶縁膜１５を第１絶縁膜１３と同様に形成
する。
次に、ＩＴ又はｌ’ｌ”Ｏターゲットを（Ａｒ＋０、）
内でスパッタリングすることにより、厚さ２０００人の
背面透明電極１６を形成する。
内でスパッタリングすることにより、厚さ２０００人の
背面透明電極１６を形成する。
その後、電極２とＩＴＯ膜６の各端部にＡ（膜とＮ１膜
との積層膜１７ａ、１７ｂをそれぞれ形成する。
との積層膜１７ａ、１７ｂをそれぞれ形成する。
次に、フＡトレジストを用いてストライプ形状と端子形
状を有するレノストパターンを形成し、Ｎｉ膜、へ〇膜
、ＩＴＯ膜の順でエツチングを行う。Ｎ ｉ Ｉ））の
」−ツヂンク（」弗硝酸系のエツチング液を用いて室温
で行い、Ａｌ膜のエツチングには４０〜６０℃に加熱し
たリン酸−硝酸混合液からなるエツチング液を用いる。
状を有するレノストパターンを形成し、Ｎｉ膜、へ〇膜
、ＩＴＯ膜の順でエツチングを行う。Ｎ ｉ Ｉ））の
」−ツヂンク（」弗硝酸系のエツチング液を用いて室温
で行い、Ａｌ膜のエツチングには４０〜６０℃に加熱し
たリン酸−硝酸混合液からなるエツチング液を用いる。
また、ＴＴＯのエツチング液どしては４０〜８０℃に加
熱したシュウ酸（ｌ１２ｃ、０４）の水溶液を使用する
。
熱したシュウ酸（ｌ１２ｃ、０４）の水溶液を使用する
。
これらの連続したエツチング工程が終了した後、レジス
トを剥離すれば透明型薄膜ＥＬ素子が得られろ。
トを剥離すれば透明型薄膜ＥＬ素子が得られろ。
（１・）発明の効果
この発明によれば、背面電極と電極端子とのフォトエッ
ヂング工程が短縮されて生産性が向−にすると共に、」
−ツチング液によって電極端子が腐食されることがない
ので素子の信頼性が向１−７１−る。
ヂング工程が短縮されて生産性が向−にすると共に、」
−ツチング液によって電極端子が腐食されることがない
ので素子の信頼性が向１−７１−る。
第１図けこの発明の一実施例の工程を示す説明図、第２
図は一般的な透過型薄膜ＥＬ素子の構成を示す斜視図で
ある。
図は一般的な透過型薄膜ＥＬ素子の構成を示す斜視図で
ある。
Claims (3)
- １． ガラス基板上に、 （１） 第１のＩＴＯ膜を蒸着し、この膜上に所定のス
トライプ状のパターンを有するレジスト膜を覆ってエッ
チングしてストライプ状の第１透明電極を形成し、 - （２） この第１透明電極上に所定長の端部を残して、
第１絶縁膜、発光層および第２絶縁膜を順次積層すると
共に、その上に第１透明電極のストライプ方向と直交す
る方向に延出する第２のＩＴＯ膜を積層し、 - （３） 第１透明電極の前記端部及び第２のＩＴＯ膜の
前記延出部を覆うＡｌ膜とＮｉ膜とを形成し、（４）
第１透明電極に直交するストライプ状パターンと端子状
パターンを有するレジスト膜でその上を覆い、その状態
で、Ｎｉ膜、Ａｌ膜を順次エッチングし、さらに、第２
のＩＴＯ膜をシュウ酸でエッチングして、第２のＩＴＯ
膜からなるストライプ状の第２透明電極と、第１および
第２透明電極の端部に接続されるＡｌ−Ｎｉ膜端子とを
形成することを特徴とする透過型薄膜ＥＬ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002989A JPH01183091A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 透過型薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002989A JPH01183091A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 透過型薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183091A true JPH01183091A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11544786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002989A Pending JPH01183091A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 透過型薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183091A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592050A1 (en) * | 2003-02-05 | 2005-11-02 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP63002989A patent/JPH01183091A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592050A1 (en) * | 2003-02-05 | 2005-11-02 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| EP1592050A4 (en) * | 2003-02-05 | 2007-10-17 | Idemitsu Kosan Co | PROCESS FOR PRODUCING SEMI-TRANSPARENT AND SEMI-REFLECTIVE ELECTRODE SUBSTRATE, SUBSTRATE FOR REFLECTIVE MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ETCHING COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD OF MANUFACTURING REFLECTING ELECTRODE SUBSTRATE |
| JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
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