JPH05109480A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH05109480A JPH05109480A JP3266064A JP26606491A JPH05109480A JP H05109480 A JPH05109480 A JP H05109480A JP 3266064 A JP3266064 A JP 3266064A JP 26606491 A JP26606491 A JP 26606491A JP H05109480 A JPH05109480 A JP H05109480A
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- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板１上にストライプ状の透明電極２と、下
部絶縁層３と、発光層４と、上部絶縁層４と、Ａl膜６
とＮi膜７とからなり上記透明電極２に交差するストラ
イプ状の背面電極８を順に設けて薄膜ＥＬ素子を製造す
る場合に、生産性を向上させ、しかも背面電極の材料に
起因するリークを無くして特性を向上させる。 【構成】 発光層４を覆う上部絶縁層５上にＡl膜６と
Ｎi膜７とを順に蒸着した後、このＮi膜７上にフォトリ
ソグラフィによりストライプ状にレジスト１０を形成す
る。硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未
満となる割合で混合してなるエッチング液を用いて、レ
ジスト１０をマスクとして選択的にＮi膜７とＡl膜６を
連続エッチングして背面電極８を形成する。
部絶縁層３と、発光層４と、上部絶縁層４と、Ａl膜６
とＮi膜７とからなり上記透明電極２に交差するストラ
イプ状の背面電極８を順に設けて薄膜ＥＬ素子を製造す
る場合に、生産性を向上させ、しかも背面電極の材料に
起因するリークを無くして特性を向上させる。 【構成】 発光層４を覆う上部絶縁層５上にＡl膜６と
Ｎi膜７とを順に蒸着した後、このＮi膜７上にフォトリ
ソグラフィによりストライプ状にレジスト１０を形成す
る。硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未
満となる割合で混合してなるエッチング液を用いて、レ
ジスト１０をマスクとして選択的にＮi膜７とＡl膜６を
連続エッチングして背面電極８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜ＥＬ素子の製造
方法に関し、より詳しくは、薄膜ＥＬ素子の背面電極を
形成する方法に関する。
方法に関し、より詳しくは、薄膜ＥＬ素子の背面電極を
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子の多くは、図５に示すよう
に、ガラス基板１上にＩＴＯ(錫添加酸化インジウム)か
らなるストライプ状の透明電極２と、ＳiＯ2,Ｓi3Ｎ4な
どからなる下部絶縁層３と、ＺnＳ：Ｍnからなる発光層
４と、Ｓi3Ｎ4,Ａl2Ｏ3などからなる上部絶縁層５と、
Ａl膜６とＮi膜７とからなるストライプ状の背面電極８
を備えている。上記透明電極２の端部には、上記背面電
極８と同様にＡl膜６とＮi膜７とからなる端子電極９が
設けられている。上記透明電極２と背面電極８とは互い
に垂直に交差しており、各交差箇所が絵素となってい
る。
に、ガラス基板１上にＩＴＯ(錫添加酸化インジウム)か
らなるストライプ状の透明電極２と、ＳiＯ2,Ｓi3Ｎ4な
どからなる下部絶縁層３と、ＺnＳ：Ｍnからなる発光層
４と、Ｓi3Ｎ4,Ａl2Ｏ3などからなる上部絶縁層５と、
Ａl膜６とＮi膜７とからなるストライプ状の背面電極８
を備えている。上記透明電極２の端部には、上記背面電
極８と同様にＡl膜６とＮi膜７とからなる端子電極９が
設けられている。上記透明電極２と背面電極８とは互い
に垂直に交差しており、各交差箇所が絵素となってい
る。
【０００３】従来、この種の薄膜ＥＬ素子を製造する場
合、まず図３(a)に示すように、スパッタ法により、ガ
ラス基板１上にＩＴＯ膜を堆積し、フォトリソグラフィ
によってパターン加工して透明電極２を形成する。続い
て、この上に、スパッタ法により下部絶縁層３と、発光
層４と、上部絶縁層５を順に形成した後、さらにＡｌ膜
６とＮｉ膜７を蒸着する(Ａl膜６とＮi膜７の膜厚はい
ずれも２０００〜６０００Åである。)。この上に、フ
ォトリソグラフィにより、ストライプ状にレジスト１０
を形成する。次に、同図(b)に示すように、所定のエッ
チング液、例えば硝酸と酢酸とアセトンとを１:１:１の
割合で混合したものを用いて、上記レジスト１０をマス
クとして選択的にＮi膜７をエッチングして除去する。
続いて、同図(c)に示すように、所定のエッチング液、
例えばリン酸と硝酸と酢酸と水とを１６:１:２:１の割
合で混合したものを用いて、上記レジスト１０をマスク
として選択的にＡl膜６をエッチングして除去する。こ
れにより、上記ストライプ状の背面電極８を形成する
(同時に、図５に示した端子電極９を形成する。)。最後
に、図３(d)に示すように、レジスト１０を除去する。
合、まず図３(a)に示すように、スパッタ法により、ガ
ラス基板１上にＩＴＯ膜を堆積し、フォトリソグラフィ
によってパターン加工して透明電極２を形成する。続い
て、この上に、スパッタ法により下部絶縁層３と、発光
層４と、上部絶縁層５を順に形成した後、さらにＡｌ膜
６とＮｉ膜７を蒸着する(Ａl膜６とＮi膜７の膜厚はい
ずれも２０００〜６０００Åである。)。この上に、フ
ォトリソグラフィにより、ストライプ状にレジスト１０
を形成する。次に、同図(b)に示すように、所定のエッ
チング液、例えば硝酸と酢酸とアセトンとを１:１:１の
割合で混合したものを用いて、上記レジスト１０をマス
クとして選択的にＮi膜７をエッチングして除去する。
続いて、同図(c)に示すように、所定のエッチング液、
例えばリン酸と硝酸と酢酸と水とを１６:１:２:１の割
合で混合したものを用いて、上記レジスト１０をマスク
として選択的にＡl膜６をエッチングして除去する。こ
れにより、上記ストライプ状の背面電極８を形成する
(同時に、図５に示した端子電極９を形成する。)。最後
に、図３(d)に示すように、レジスト１０を除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜ＥＬ素子の製造方法では、Ａl膜６とＮi膜７と
を異なるエッチング液を用いて、別々にエッチングして
いるため、エッチング設備が複雑になる点を含めて生産
性が良くないという問題がある。また、図４に示すよう
に、Ａl膜６がオーバーエッチになったとき、すなわち
Ａl膜６がレジスト１０の内側までエッチングされたと
き、オーバーハングとなっているＮi膜７の端部７aがは
がれる。このため、はがれたＮi膜７が電極間に付着し
てリークを生じ、特性を損なうという問題がある。
来の薄膜ＥＬ素子の製造方法では、Ａl膜６とＮi膜７と
を異なるエッチング液を用いて、別々にエッチングして
いるため、エッチング設備が複雑になる点を含めて生産
性が良くないという問題がある。また、図４に示すよう
に、Ａl膜６がオーバーエッチになったとき、すなわち
Ａl膜６がレジスト１０の内側までエッチングされたと
き、オーバーハングとなっているＮi膜７の端部７aがは
がれる。このため、はがれたＮi膜７が電極間に付着し
てリークを生じ、特性を損なうという問題がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、生産性を向上
でき、しかも背面電極の材料に起因するリークを無くし
て特性を向上できる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供する
ことにある。
でき、しかも背面電極の材料に起因するリークを無くし
て特性を向上できる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、発光層を覆
う上部絶縁層上にＡl膜とＮi膜とを順に蒸着した後、こ
のＮi膜上にフォトリソグラフィによりストライプ状に
レジストを形成し、硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体
積比が１／３未満となる割合で混合してなるエッチング
液を用いて、上記レジストをマスクとして選択的に上記
Ｎi膜とＡl膜を連続エッチングして背面電極を形成する
ことを特徴としている。
め、この発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、発光層を覆
う上部絶縁層上にＡl膜とＮi膜とを順に蒸着した後、こ
のＮi膜上にフォトリソグラフィによりストライプ状に
レジストを形成し、硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体
積比が１／３未満となる割合で混合してなるエッチング
液を用いて、上記レジストをマスクとして選択的に上記
Ｎi膜とＡl膜を連続エッチングして背面電極を形成する
ことを特徴としている。
【０００７】
【作用】この発明によれば、背面電極を構成するＡl膜
とＮi膜とが、同一のエッチング液を用いて連続エッチ
ングされる。したがって、エッチング設備が簡単になる
とともに、生産性が向上する。また、エッチング液は硝
酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未満とな
る割合で混合してなるので、温度４０〜５０℃という通
常の条件下では、Ａl膜(下側)よりもＮi膜(上側)のエッ
チングレートが高くなる。この結果、Ｎi膜がオーバー
ハングとなってはがれるような不具合が生じなくなる。
したがって、背面電極の材料に起因するリークが生じな
くなり、薄膜ＥＬ素子の特性が向上する。
とＮi膜とが、同一のエッチング液を用いて連続エッチ
ングされる。したがって、エッチング設備が簡単になる
とともに、生産性が向上する。また、エッチング液は硝
酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未満とな
る割合で混合してなるので、温度４０〜５０℃という通
常の条件下では、Ａl膜(下側)よりもＮi膜(上側)のエッ
チングレートが高くなる。この結果、Ｎi膜がオーバー
ハングとなってはがれるような不具合が生じなくなる。
したがって、背面電極の材料に起因するリークが生じな
くなり、薄膜ＥＬ素子の特性が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法を
実施例により詳細に説明する。なお、図５に示した薄膜
ＥＬ素子と同一の物を製造するものとする。
実施例により詳細に説明する。なお、図５に示した薄膜
ＥＬ素子と同一の物を製造するものとする。
【０００９】まず、図１(a)に示すように、従来と同様
に、スパッタ法により、ガラス基板１上にＩＴＯ膜を堆
積し、フォトリソグラフィによってパターン加工して透
明電極２を形成する。続いて、この上に、スパッタ法に
よりＳiＯ2,Ｓi3Ｎ4などからなる下部絶縁層３と、Ｚn
Ｓ：Ｍnからなる発光層４と、上部絶縁層５を順に形成
する。なお、発光層４を蒸着した時点で温度５７０〜６
３０℃の熱処理を施す。この後、さらにＡl膜６とＮi膜
７を蒸着する(Ａl膜６とＮi膜７の膜厚はいずれも２０
００〜６０００Åとする。)。この上に、フォトリソグ
ラフィにより、ストライプ状にポジ型レジスト１０を形
成する。次に、同図(b)に示すように、硝酸とリン酸と
水とを上記硝酸の体積比が１／３未満となる割合で混合
してなるエッチング液を用いて、温度４０〜５０℃の条
件下で、上記レジスト１０をマスクとして選択的にＮi
膜７とＡl膜６を連続エッチングして除去する。これに
より、上記ストライプ状の背面電極８を形成する(同時
に、図５に示した端子電極９を形成する。)。最後に、
図１(c)に示すように、レジスト１０を除去する。この
ように、背面電極８を構成するＡl膜６とＮi膜７とを、
同一のエッチング液を用いて連続エッチングしているの
で、エッチング設備が簡単なものにでき、生産性を向上
させることができる。
に、スパッタ法により、ガラス基板１上にＩＴＯ膜を堆
積し、フォトリソグラフィによってパターン加工して透
明電極２を形成する。続いて、この上に、スパッタ法に
よりＳiＯ2,Ｓi3Ｎ4などからなる下部絶縁層３と、Ｚn
Ｓ：Ｍnからなる発光層４と、上部絶縁層５を順に形成
する。なお、発光層４を蒸着した時点で温度５７０〜６
３０℃の熱処理を施す。この後、さらにＡl膜６とＮi膜
７を蒸着する(Ａl膜６とＮi膜７の膜厚はいずれも２０
００〜６０００Åとする。)。この上に、フォトリソグ
ラフィにより、ストライプ状にポジ型レジスト１０を形
成する。次に、同図(b)に示すように、硝酸とリン酸と
水とを上記硝酸の体積比が１／３未満となる割合で混合
してなるエッチング液を用いて、温度４０〜５０℃の条
件下で、上記レジスト１０をマスクとして選択的にＮi
膜７とＡl膜６を連続エッチングして除去する。これに
より、上記ストライプ状の背面電極８を形成する(同時
に、図５に示した端子電極９を形成する。)。最後に、
図１(c)に示すように、レジスト１０を除去する。この
ように、背面電極８を構成するＡl膜６とＮi膜７とを、
同一のエッチング液を用いて連続エッチングしているの
で、エッチング設備が簡単なものにでき、生産性を向上
させることができる。
【００１０】上記背面電極８を形成するためのエッチン
グ液としては、例えば(硝酸):(リン酸):(水)＝１:２:
２,１:３:３,１:４:４または２:３:２の割合で混合した
ものが適している。これらのエッチング液は、いずれも
温度４０〜５０℃という条件下では、Ａl膜(下側)６よ
りもＮi膜(上側)７のエッチングレートが高くなる。具
体的には、(硝酸):(リン酸):(水)＝１:２:２のエッチン
グ液で、温度５０℃のとき、エッチングレートはＡlが
３０００Å／min、Ｎiが５８００Å／minとなる。した
がって、エッチング後には、図２に示すようにＡl膜６
の端部６aよりもＮi膜７の端部７aの方が多くエッチン
グされた状態に仕上がる。すなわち、Ｎi膜７がオーバ
ーハングとなってはがれるような不具合が生じない。し
たがって、背面電極８の材料に起因するリークを防止で
き、薄膜ＥＬ素子の特性を向上させることができる。
グ液としては、例えば(硝酸):(リン酸):(水)＝１:２:
２,１:３:３,１:４:４または２:３:２の割合で混合した
ものが適している。これらのエッチング液は、いずれも
温度４０〜５０℃という条件下では、Ａl膜(下側)６よ
りもＮi膜(上側)７のエッチングレートが高くなる。具
体的には、(硝酸):(リン酸):(水)＝１:２:２のエッチン
グ液で、温度５０℃のとき、エッチングレートはＡlが
３０００Å／min、Ｎiが５８００Å／minとなる。した
がって、エッチング後には、図２に示すようにＡl膜６
の端部６aよりもＮi膜７の端部７aの方が多くエッチン
グされた状態に仕上がる。すなわち、Ｎi膜７がオーバ
ーハングとなってはがれるような不具合が生じない。し
たがって、背面電極８の材料に起因するリークを防止で
き、薄膜ＥＬ素子の特性を向上させることができる。
【００１１】また、上記エッチング液中の硝酸の混合比
を１／３未満としているため、Ａl膜(下側)６をエッチ
ングしている時に、エッチング液によって上部絶縁層５
のピンホールを通して発光層４が侵されるのを防止でき
る。これに対して、エッチング液中の硝酸の混合比が１
／３以上である場合、Ａl膜(下側)６をエッチングして
いる時に、エッチング液によって上部絶縁層５のピンホ
ールを通して発光層４が著しく侵されるという不具合が
生ずる。例えば、(硝酸):(リン酸):(水)＝１:１:１のエ
ッチング液は、温度５０℃のとき、Ａlのエッチングレ
ートが３３００Å／min、Ｎiのエッチングレートが８４
００Å／minであって、Ｎi膜７がオーバーハングとなる
のを防止できる。しかし、発光層４を著しく侵すため、
採用することができない。
を１／３未満としているため、Ａl膜(下側)６をエッチ
ングしている時に、エッチング液によって上部絶縁層５
のピンホールを通して発光層４が侵されるのを防止でき
る。これに対して、エッチング液中の硝酸の混合比が１
／３以上である場合、Ａl膜(下側)６をエッチングして
いる時に、エッチング液によって上部絶縁層５のピンホ
ールを通して発光層４が著しく侵されるという不具合が
生ずる。例えば、(硝酸):(リン酸):(水)＝１:１:１のエ
ッチング液は、温度５０℃のとき、Ａlのエッチングレ
ートが３３００Å／min、Ｎiのエッチングレートが８４
００Å／minであって、Ｎi膜７がオーバーハングとなる
のを防止できる。しかし、発光層４を著しく侵すため、
採用することができない。
【００１２】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の薄
膜ＥＬ素子の製造方法は、発光層を覆う上部絶縁層上に
Ａl膜とＮi膜とを順に蒸着した後、このＮi膜上にフォ
トリソグラフィによりストライプ状にレジストを形成
し、硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未
満となる割合で混合してなるエッチング液を用いて、上
記レジストをマスクとして選択的に上記Ｎi膜とＡl膜を
連続エッチングして背面電極を形成しているので、エッ
チング設備が簡単なものにでき、生産性を向上させるこ
とができる。しかも、上記エッチング液によれば、Ａl
膜(下側)よりもＮi膜(上側)のエッチングレートを高く
できるので、上記Ｎi膜がオーバーハングとなってはが
れるような不具合が生じない。したがって、背面電極の
材料に起因するリークを防止でき、薄膜ＥＬ素子の特性
を向上させることができる。
膜ＥＬ素子の製造方法は、発光層を覆う上部絶縁層上に
Ａl膜とＮi膜とを順に蒸着した後、このＮi膜上にフォ
トリソグラフィによりストライプ状にレジストを形成
し、硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未
満となる割合で混合してなるエッチング液を用いて、上
記レジストをマスクとして選択的に上記Ｎi膜とＡl膜を
連続エッチングして背面電極を形成しているので、エッ
チング設備が簡単なものにでき、生産性を向上させるこ
とができる。しかも、上記エッチング液によれば、Ａl
膜(下側)よりもＮi膜(上側)のエッチングレートを高く
できるので、上記Ｎi膜がオーバーハングとなってはが
れるような不具合が生じない。したがって、背面電極の
材料に起因するリークを防止でき、薄膜ＥＬ素子の特性
を向上させることができる。
【図１】 この発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子の製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図２】 上記製造方法による背面電極の仕上がり状態
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明する図
である。
である。
【図４】 上記従来の製造方法による背面電極の仕上が
り状態を示す図である。
り状態を示す図である。
【図５】 作製すべき薄膜ＥＬ素子を示す斜視図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 下部絶縁層 ４ 発光層 ５ 上部絶縁層 ６ Ａl膜 ７ Ｎi膜 ８ 背面電極 ９ 端子電極 １０ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 発光層を覆う上部絶縁層上にＡl膜とＮi
膜とを順に蒸着した後、このＮi膜上にフォトリソグラ
フィによりストライプ状にレジストを形成し、 硝酸とリン酸と水とを上記硝酸の体積比が１／３未満と
なる割合で混合してなるエッチング液を用いて、上記レ
ジストをマスクとして選択的に上記Ｎi膜とＡl膜を連続
エッチングして背面電極を形成することを特徴とする薄
膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266064A JPH05109480A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266064A JPH05109480A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109480A true JPH05109480A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17425871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3266064A Pending JPH05109480A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669667B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전자발광소자의 제조방법 |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3266064A patent/JPH05109480A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669667B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전자발광소자의 제조방법 |
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