JPS59119611A - 透明導電膜のパタ−ン形成方法 - Google Patents
透明導電膜のパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59119611A JPS59119611A JP23154282A JP23154282A JPS59119611A JP S59119611 A JPS59119611 A JP S59119611A JP 23154282 A JP23154282 A JP 23154282A JP 23154282 A JP23154282 A JP 23154282A JP S59119611 A JPS59119611 A JP S59119611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- conductive film
- etching
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電変換デバイスに用いる透明導電膜のパター
ン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
透明導電膜はエレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置
や液晶表示装置、撮像管などの変換デバイスに用いられ
ている。これらのなかでドツトマトリックス型薄膜ＥＬ
素子においては、発光層や絶縁層は互いに交差するスト
ライプ状の透明導電膜と反射電極により電界が印加され
る。丑だ撮像管では、光導電膜はストライプ状の透明導
電膜と光導電膜表面を走査する電子ビームによって電界
が印加されている。このだめ、透明導電膜のストライプ
の断面形状が矩形に近いと、そのエツジ部分に高電界が
印加され、絶縁破壊を生じて、ストライプ状電極の断線
や画質の劣化といつだ重大な問題が起こる。これは透明
導電膜の膜厚が大きい程顕著である。
や液晶表示装置、撮像管などの変換デバイスに用いられ
ている。これらのなかでドツトマトリックス型薄膜ＥＬ
素子においては、発光層や絶縁層は互いに交差するスト
ライプ状の透明導電膜と反射電極により電界が印加され
る。丑だ撮像管では、光導電膜はストライプ状の透明導
電膜と光導電膜表面を走査する電子ビームによって電界
が印加されている。このだめ、透明導電膜のストライプ
の断面形状が矩形に近いと、そのエツジ部分に高電界が
印加され、絶縁破壊を生じて、ストライプ状電極の断線
や画質の劣化といつだ重大な問題が起こる。これは透明
導電膜の膜厚が大きい程顕著である。
断面形状にゆるやかなテーパがついていれば、絶縁破壊
の問題は解決できる。断面が円孤状のホトレジスト ッチし、パターンのエツジをゆるやかなテーパ状に加工
する方法が提案されている（「真空」第２４巻第１２号
，第６５３〜６６９頁（１ ９８１ ） ）。
の問題は解決できる。断面が円孤状のホトレジスト ッチし、パターンのエツジをゆるやかなテーパ状に加工
する方法が提案されている（「真空」第２４巻第１２号
，第６５３〜６６９頁（１ ９８１ ） ）。
この方法では、ストライプブの幅が２０〜３０μｍ以上
であるときには、ホト１／シストの断面形状が円孤状に
ならないので、スパッタエッチによってテーパが形成で
きなかった。また、スパッタエッチの方法の場合には試
料を陰極の上に並べて置く必要があり、一度に多数の素
子をエッチすることができなかった。！１寺にドツトマ
トリックス型ＫＬ素子のように試料一つ一つの大きさが
太きいとこの問題は大きなものとなる。さらには、スパ
ッタエッチにおいてエツチングレイトを」二げるためス
パッタリングの放電電力を増すと、フォトレジストめ、
エツチングレイトを大きくできなかった。以１−のよう
にスパッタエツチング法には非常に生産１／１が低いと
いう問題点もあった。
であるときには、ホト１／シストの断面形状が円孤状に
ならないので、スパッタエッチによってテーパが形成で
きなかった。また、スパッタエッチの方法の場合には試
料を陰極の上に並べて置く必要があり、一度に多数の素
子をエッチすることができなかった。！１寺にドツトマ
トリックス型ＫＬ素子のように試料一つ一つの大きさが
太きいとこの問題は大きなものとなる。さらには、スパ
ッタエッチにおいてエツチングレイトを」二げるためス
パッタリングの放電電力を増すと、フォトレジストめ、
エツチングレイトを大きくできなかった。以１−のよう
にスパッタエツチング法には非常に生産１／１が低いと
いう問題点もあった。
発明の１］的
本発明は、ｉ方間導電膜の生産性の高いエツチング方法
であって、幅の広いパターンにおいてもゆるやかなテー
パ状にケミカルエッチする方法を提供することを目的と
するものである。
であって、幅の広いパターンにおいてもゆるやかなテー
パ状にケミカルエッチする方法を提供することを目的と
するものである。
発明の構成
上記の目的を達成するだめに、本発明は以下の三工程に
よって透明導電膜のパターンを形成する。
よって透明導電膜のパターンを形成する。
（ａｌ 透明導電嘆上にエツチング液への溶解速度が
透明導電膜より大きな膜（以下膜Ａと記す）を形成する
工程 （ｂ） ホトレジスト等の、エツチング液への溶解速
度が透明導電膜より小さな膜（以下膜Ｂと記す）の、ス
トライプ等の必要とするパターンを形成する工程 ｔｃ＋ エツチング液により各膜を同時にケミカルエ
ッチする工程 工程（Ｃｌにおいて膜Ｂにおおわれていない膜Ａがはじ
めにエッチされる。その下の透明導電膜はその次にエッ
チされ始める。と同時に、膜への膜Ｂ６ ζ におおわＪ′ｌている部分も、膜の主面内方向にエツチ
ングされて行く。これにより膜Ｂにおおわれている透明
導電膜が露出して、エツチング液にさらされるコニうに
なり、徐々にエッチされる。
透明導電膜より大きな膜（以下膜Ａと記す）を形成する
工程 （ｂ） ホトレジスト等の、エツチング液への溶解速
度が透明導電膜より小さな膜（以下膜Ｂと記す）の、ス
トライプ等の必要とするパターンを形成する工程 ｔｃ＋ エツチング液により各膜を同時にケミカルエ
ッチする工程 工程（Ｃｌにおいて膜Ｂにおおわれていない膜Ａがはじ
めにエッチされる。その下の透明導電膜はその次にエッ
チされ始める。と同時に、膜への膜Ｂ６ ζ におおわＪ′ｌている部分も、膜の主面内方向にエツチ
ングされて行く。これにより膜Ｂにおおわれている透明
導電膜が露出して、エツチング液にさらされるコニうに
なり、徐々にエッチされる。
透明導電膜が厚み方向に全厚み分エッチされた時点にお
いて、膜へのエッチされた端部から膜Ｂの端部捷での間
で透明導電膜がテーパ状と外っている。テーパのゆるや
かさは、膜Ａと透明導電膜とのエツチング速度の比に依
存し、比が大きいほどテーパばゆるやかになる。テーパ
形成後、ホトレジストなどで形成されている膜Ｂが不要
となる場合には、そわを除去する。膜Ａも不要であるな
らばそれも除去すれげ」：いが、膜Ａの抵抗が十分低く
、光透過率も高ければ、膜Ａを透明導電膜としてそのま
ま素子に用いることができる。
いて、膜へのエッチされた端部から膜Ｂの端部捷での間
で透明導電膜がテーパ状と外っている。テーパのゆるや
かさは、膜Ａと透明導電膜とのエツチング速度の比に依
存し、比が大きいほどテーパばゆるやかになる。テーパ
形成後、ホトレジストなどで形成されている膜Ｂが不要
となる場合には、そわを除去する。膜Ａも不要であるな
らばそれも除去すれげ」：いが、膜Ａの抵抗が十分低く
、光透過率も高ければ、膜Ａを透明導電膜としてそのま
ま素子に用いることができる。
実施例の説明
以下、本発明の方法ので実施例について、図を用いて説
明する。
明する。
第１図は上記工程ｆａｌに相当し、図に示すように、ガ
ラス基板１上に、酸化錫を添加した酸化インジウムから
なる透明導電膜２を形成し、さらにその上に、酸化亜鉛
と酸化錫よりなる膜Ａ３を形成する。透明導電膜２の厚
さは０．３μｍで、電子ヒーム蒸着法により形成されて
いる。膜Ａ３は、酸化亜鉛と酸化錫を混合した夕〜ゲッ
トを用い、Ａｒ雰囲気中で高周波スパッタリング法によ
り０．０４μｍの厚さに形成したものである。第２図は
工程（ｂ）に相当し、図に示すようにポジティブタイプ
のホトレジスト膜Ｂ４を透明導電膜２上に形成し、これ
に幅１７０μｍ，ピンチ２００μｍのストライプパター
ンを形成している。その膜厚は１．７μｍである。第３
図から第６図までは上記工程（Ｑ）に相当する。エツチ
ング液には塩化第２鉄と塩酸の混液を用いておシ、その
温度は４０°Ｃとした。第３図は膜Ａ３が透明導電膜２
との界面までエッチさねだときの図である。この時点よ
り透明導電膜２が（ソチされ始める。第４図は透明導電
膜２が途中までエッチされた状態を示す図であり、膜Ａ
３はフォトレジスト膜Ｂ４の丁丑でエッチされ、これに
応じて透明導電膜２がテーパ状にエッチされる。第５図
は透明導電膜２がちょうど膜厚外だけエッチされた状態
を示す図である。透明導電膜２のエツチング速度は４
ｉｓ ｎｍ７分である。膜Ａ３のエツチング速度はその
組成によってかわる。
ラス基板１上に、酸化錫を添加した酸化インジウムから
なる透明導電膜２を形成し、さらにその上に、酸化亜鉛
と酸化錫よりなる膜Ａ３を形成する。透明導電膜２の厚
さは０．３μｍで、電子ヒーム蒸着法により形成されて
いる。膜Ａ３は、酸化亜鉛と酸化錫を混合した夕〜ゲッ
トを用い、Ａｒ雰囲気中で高周波スパッタリング法によ
り０．０４μｍの厚さに形成したものである。第２図は
工程（ｂ）に相当し、図に示すようにポジティブタイプ
のホトレジスト膜Ｂ４を透明導電膜２上に形成し、これ
に幅１７０μｍ，ピンチ２００μｍのストライプパター
ンを形成している。その膜厚は１．７μｍである。第３
図から第６図までは上記工程（Ｑ）に相当する。エツチ
ング液には塩化第２鉄と塩酸の混液を用いておシ、その
温度は４０°Ｃとした。第３図は膜Ａ３が透明導電膜２
との界面までエッチさねだときの図である。この時点よ
り透明導電膜２が（ソチされ始める。第４図は透明導電
膜２が途中までエッチされた状態を示す図であり、膜Ａ
３はフォトレジスト膜Ｂ４の丁丑でエッチされ、これに
応じて透明導電膜２がテーパ状にエッチされる。第５図
は透明導電膜２がちょうど膜厚外だけエッチされた状態
を示す図である。透明導電膜２のエツチング速度は４
ｉｓ ｎｍ７分である。膜Ａ３のエツチング速度はその
組成によってかわる。
下表にエツチング速度と透明導電膜２のテーパの角度を
示す。
示す。
」１表の結果から明らかなように、透明導電膜２におけ
る酸化亜鉛と酸化錫の組成比を選ぶことによって、テー
パの角度を自由に制御でき、希望するなめらかなテーパ
が得られる。
る酸化亜鉛と酸化錫の組成比を選ぶことによって、テー
パの角度を自由に制御でき、希望するなめらかなテーパ
が得られる。
膜Ａ３に用いる物質としては、酸化亜鉛系に限定される
ことはなく、たとえば酸化インジウムと酸化硼素との混
合物や、酸化インジウムと希土類酸化物との混合物がそ
のエツチング速度を適当外値に選べるので好ましい。た
だし、これらの系では、光透過性が悪かったり、抵抗が
高かったり、耐湿性に劣るなど化学的安定性に欠けたり
する場合もあるので、必要に応じて透明電極２にテーパ
を形成した後、これらの系で作られた膜Ａ３を除去する
。酸化亜鉛は低抵抗で、光透過性も高く、化学的にも安
定な物質であるので、膜Ａ３をそのｉｔ透明導電膜とし
て用いることができるという大きな利点をもつ。特に酸
化亜鉛と酸化錫、酸化インジウム、酸化チタンの系は、
これらの性質がすぐれていて、好ましいものである。な
お、実施例のエツチング条件で９°という適当なテーパ
角度になる約３００ｎｍ／分のエツチング速度が得られ
るのは、酸化亜鉛と酸化インジウムとの系ではモル比で
２０： ８０、酸化亜鉛と酸化チタンとの系では３０
： ７０である。
ことはなく、たとえば酸化インジウムと酸化硼素との混
合物や、酸化インジウムと希土類酸化物との混合物がそ
のエツチング速度を適当外値に選べるので好ましい。た
だし、これらの系では、光透過性が悪かったり、抵抗が
高かったり、耐湿性に劣るなど化学的安定性に欠けたり
する場合もあるので、必要に応じて透明電極２にテーパ
を形成した後、これらの系で作られた膜Ａ３を除去する
。酸化亜鉛は低抵抗で、光透過性も高く、化学的にも安
定な物質であるので、膜Ａ３をそのｉｔ透明導電膜とし
て用いることができるという大きな利点をもつ。特に酸
化亜鉛と酸化錫、酸化インジウム、酸化チタンの系は、
これらの性質がすぐれていて、好ましいものである。な
お、実施例のエツチング条件で９°という適当なテーパ
角度になる約３００ｎｍ／分のエツチング速度が得られ
るのは、酸化亜鉛と酸化インジウムとの系ではモル比で
２０： ８０、酸化亜鉛と酸化チタンとの系では３０
： ７０である。
発明の効果
以上のように本発明によって、幅の広いパター９べ−・
ンにおいても透明導電１１りの断面形状がゆるやかなテ
ーパ状をなすよう形成でき、かつその生産性が高い方法
を提供できるものである。
ーパ状をなすよう形成でき、かつその生産性が高い方法
を提供できるものである。
第１図ないし第５図は本発明の透明電極のバタン形成方
法の一実施例における工程図である。 １ ・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜、３・
・・・・・酸化Ｍト鉛−酸化錫膜（エツチング速度の大
きいハ釦、４・・・・・ホトレジスト膜（エツチング速
度の小さい膜）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
法の一実施例における工程図である。 １ ・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電膜、３・
・・・・・酸化Ｍト鉛−酸化錫膜（エツチング速度の大
きいハ釦、４・・・・・ホトレジスト膜（エツチング速
度の小さい膜）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (3)
- （１）透明導電膜上にエツチング液への溶解速度が前記
透明導電膜より太き々第１の膜を形成する工程と、前記
エツチング液への溶解速度が前記透明導電膜より小さな
第２の膜を前記第１の膜亭 」二に設け、この第２の膜を所定のパターン形成する工
程と、前記エツチング液により前記第１の膜および前記
透明導電膜を同時にエッチする工程とを有することを特
徴とする透明導電膜のパターン形成方法。 - （２）第１の膜が少なくとも酸化亜鉛を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の透明導電膜
のパターン形成方法。 - （３）第１の膜が酸化亜鉛と、酸化錫、酸化インジウム
ならびに酸化チタンのうち少なくとも一つとを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の透明導電膜
のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23154282A JPS59119611A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23154282A JPS59119611A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119611A true JPS59119611A (ja) | 1984-07-10 |
| JPH0147844B2 JPH0147844B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=16925125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23154282A Granted JPS59119611A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| JP2016177556A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル部材、タッチパネル及びタッチパネル表示装置 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP23154282A patent/JPS59119611A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| JP2016177556A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル部材、タッチパネル及びタッチパネル表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147844B2 (ja) | 1989-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2637079B2 (ja) | 能動マトリクス液晶表示装置内の薄膜電界効果トランジスタを製造する方法 | |
| EP0211370A2 (en) | Deposition and hardening of titanium gate electrode material for use in inverted thin film field effect transistors | |
| US5366588A (en) | Method of manufacturing an electrically conductive pattern of tin-doped indium oxide (ITO) on a substrate | |
| JP2814155B2 (ja) | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 | |
| US4277517A (en) | Method of forming transparent conductor pattern | |
| JPH01102434A (ja) | マトリックス型液晶表示パネル | |
| JPS59119611A (ja) | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 | |
| JP2556550B2 (ja) | Ｎ▲上＋▼非晶質シリコンに対する高歩留りの電気的コンタクトを形成するための方法 | |
| JPS601704A (ja) | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 | |
| JPH0784274A (ja) | 優先配向を有するｉｔｏ薄膜作成方法 | |
| JPH06308539A (ja) | マトリクスアレイ基板の製造方法 | |
| KR100713878B1 (ko) | 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 | |
| JP2721076B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH05224220A (ja) | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 | |
| JP2773111B2 (ja) | 二層配線基板の製造方法 | |
| JPH07146480A (ja) | 透明導電膜付きカラーフィルター基板の製造方法 | |
| JPS61243613A (ja) | 透明導電層の形成方法 | |
| JPH05198814A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2651940B2 (ja) | 透明導電膜付基板 | |
| JPS6243012A (ja) | 透明導電膜のエツチング方法 | |
| JP2003222894A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0346630A (ja) | 薄膜ダイオードの製造方法 | |
| JPS63136491A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6364081A (ja) | 配線電極の形成方法 | |
| JPH02924A (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 |