JPH02924A - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
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- JPH02924A JPH02924A JP63135926A JP13592688A JPH02924A JP H02924 A JPH02924 A JP H02924A JP 63135926 A JP63135926 A JP 63135926A JP 13592688 A JP13592688 A JP 13592688A JP H02924 A JPH02924 A JP H02924A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成す
る非線形抵抗素子の製造方法に関する。
る非線形抵抗素子の製造方法に関する。
本発明は、非線形抵抗素子の製造方法において、非線形
抵抗膜積層後、ピンホールにて露出した画素電極を除去
する事によって、画素欠陥の発生を抑制し、歩留まり向
上に寄与するものである。
抵抗膜積層後、ピンホールにて露出した画素電極を除去
する事によって、画素欠陥の発生を抑制し、歩留まり向
上に寄与するものである。
従来の非線形抵抗素子の要部の平面を第２図（ａ）に示
し、第２図（ｂ）にそのｘ−ｘ′線断面図を示す、ガラ
ス、石英等の透明絶縁基板１上に、ＩＴＯ等の透明導電
膜からなる画素電極２を１回目のフォトエツチングにて
形成し、非線形抵抗膜３を積層して２回目のフォトエツ
チングにて形成する１次に、行または列電極となるＣｒ
、Ａ１等の金属膜４をスパッタ等で積層して、３回目の
フォトエツチングにて形成している。
し、第２図（ｂ）にそのｘ−ｘ′線断面図を示す、ガラ
ス、石英等の透明絶縁基板１上に、ＩＴＯ等の透明導電
膜からなる画素電極２を１回目のフォトエツチングにて
形成し、非線形抵抗膜３を積層して２回目のフォトエツ
チングにて形成する１次に、行または列電極となるＣｒ
、Ａ１等の金属膜４をスパッタ等で積層して、３回目の
フォトエツチングにて形成している。
このような従来の非線形抵抗素子の製造方法においては
、非線形抵抗膜３の形成時にゴミ等の付着に起因するピ
ンホールが発生する不都合がしばしばある。すなわち、
第２図（ｂ）に示すように、非線形抵抗膜３を貫通する
ピンホール５が形成されると、非線形抵抗膜３下の画素
電極２が露出してしまい、非線形抵抗膜３上に形成され
る行または列電極となるＣｒ、、６４１等の金属膜４が
露出した画素型、Ｉ２と短絡して、欠陥となる可能性が
あった。
、非線形抵抗膜３の形成時にゴミ等の付着に起因するピ
ンホールが発生する不都合がしばしばある。すなわち、
第２図（ｂ）に示すように、非線形抵抗膜３を貫通する
ピンホール５が形成されると、非線形抵抗膜３下の画素
電極２が露出してしまい、非線形抵抗膜３上に形成され
る行または列電極となるＣｒ、、６４１等の金属膜４が
露出した画素型、Ｉ２と短絡して、欠陥となる可能性が
あった。
以上述べた様に、非線形抵抗膜形成時のピンホール等の
欠陥の発生を完全に防止することは非常に困難であるた
め、従来の非線形抵抗素子の製造方法に於ては、前記欠
陥に起因する画素電極と行または列電極との短絡を、完
全に防止することができなかった。
欠陥の発生を完全に防止することは非常に困難であるた
め、従来の非線形抵抗素子の製造方法に於ては、前記欠
陥に起因する画素電極と行または列電極との短絡を、完
全に防止することができなかった。
又、前記非線形抵抗素子は、液晶表示素子と組み合わさ
れ、画像表示装置等として応用されるものであり、通常
、基板上に多数の非線形抵抗素子が構成されるものであ
り、上記課題から、非線形抵抗素子群を有する基板の製
造歩留りを向上することができなかった。
れ、画像表示装置等として応用されるものであり、通常
、基板上に多数の非線形抵抗素子が構成されるものであ
り、上記課題から、非線形抵抗素子群を有する基板の製
造歩留りを向上することができなかった。
上記課題を解決するために本発明は、非線形抵抗膜積層
後、画素電極がエツチングされるエッチャントに浸漬し
た後、行または列電極となる金属膜を形成するものであ
る。
後、画素電極がエツチングされるエッチャントに浸漬し
た後、行または列電極となる金属膜を形成するものであ
る。
上記のように、非線形抵抗膜積層後、画素電極がエツチ
ングされるエッチャントに浸漬することによって、非線
形抵抗膜形成時に生じたピンホールに起因する欠陥を抑
制することができ、プロセス歩留まりが向上して、製造
コストの低減と信頼性の高い非線形抵抗素子を実現する
ものである。
ングされるエッチャントに浸漬することによって、非線
形抵抗膜形成時に生じたピンホールに起因する欠陥を抑
制することができ、プロセス歩留まりが向上して、製造
コストの低減と信頼性の高い非線形抵抗素子を実現する
ものである。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す非線形抵抗素子の製
造工程順断面図である。
造工程順断面図である。
ガラス・石英等の透明絶縁体からなる基板１上に、ＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を形成し、エツチングにより、画素電
極２を形成する。更に、Ｓ ｉ Ｈ＜とＮ２との混合ガ
スを用いプラズマＣＶＤ等により非線形抵抗膜３を積層
する（第１図（ａ））。
Ｏ等の透明導電膜を形成し、エツチングにより、画素電
極２を形成する。更に、Ｓ ｉ Ｈ＜とＮ２との混合ガ
スを用いプラズマＣＶＤ等により非線形抵抗膜３を積層
する（第１図（ａ））。
この非線形抵抗膜３の形成時に、ゴミ等によりピンホー
ル５が発生することがある。
ル５が発生することがある。
次に、基板１を画素電極２がエツチングされるエッチャ
ントに浸漬し、ピンホール５下の画素電極２の領域をエ
ツチングする。第１図（ｂ）に示す様に、ピンホール５
に対応する非線形抵抗膜３下の画素電極２の領域がエツ
チングされている。
ントに浸漬し、ピンホール５下の画素電極２の領域をエ
ツチングする。第１図（ｂ）に示す様に、ピンホール５
に対応する非線形抵抗膜３下の画素電極２の領域がエツ
チングされている。
本実施例では、画素電極２としてＩＴＯ膜を使用してお
り、エッチャントとしては、塩化第二鉄と塩酸の混合液
を使用した。
り、エッチャントとしては、塩化第二鉄と塩酸の混合液
を使用した。
次に、非線形抵抗ＷＡ３を所望形状にパターニングする
（第１図（ｃ））。
（第１図（ｃ））。
更に、Ｃｒ−ｋｌ等の金属膜４を、スパッタ等により積
層し、バターニングにより行あるいは列電極を形成する
（第１図（ｄ））。
層し、バターニングにより行あるいは列電極を形成する
（第１図（ｄ））。
本発明の非線形抵抗素子の製造方法によれは、第１図（
ｄ）に示す様に、行あるいは列を極を形成する金属膜４
は、非線形抵抗膜３のピンホール５を通して、基板１ま
で達していても、画素電極２との短絡は防止されている
。
ｄ）に示す様に、行あるいは列を極を形成する金属膜４
は、非線形抵抗膜３のピンホール５を通して、基板１ま
で達していても、画素電極２との短絡は防止されている
。
なお、非線形抵抗膜３は、プラズマＣＶＤ装置等で形成
され、化学蓋論比よりもシリコン含有量の多いシリコン
酸化膜・シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であ
る。例えは、酸素とシリコンの原子組成比０ ／ Ｓ
ｉが、およそ０．１〜１゜５の範囲、窒素とシリコンの
原子組成比Ｎ／Ｓｔが、およそ０．１〜１．０の範囲の
膜を使用する。
され、化学蓋論比よりもシリコン含有量の多いシリコン
酸化膜・シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であ
る。例えは、酸素とシリコンの原子組成比０ ／ Ｓ
ｉが、およそ０．１〜１゜５の範囲、窒素とシリコンの
原子組成比Ｎ／Ｓｔが、およそ０．１〜１．０の範囲の
膜を使用する。
上述の説明から明らかなように、本発明の非線形抵抗素
子の製造方法では、非線形抵抗膜作成時に生じたピンホ
ールに起因する欠陥をなくすことができ、歩留まりの高
い非線形抵抗素子を実現する上で非常に有効である。
子の製造方法では、非線形抵抗膜作成時に生じたピンホ
ールに起因する欠陥をなくすことができ、歩留まりの高
い非線形抵抗素子を実現する上で非常に有効である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による非線形抵抗素子の
製造工程順を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は、それ
ぞれ従来の非線形抵抗素子の平面図と断面図の一例を示
す。 基板 画素電極 非線形抵抗膜 金属膜 ピンホール 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助非韓形抵抗素千
の製造工程順ば１面図 第１図
製造工程順を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は、それ
ぞれ従来の非線形抵抗素子の平面図と断面図の一例を示
す。 基板 画素電極 非線形抵抗膜 金属膜 ピンホール 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助非韓形抵抗素千
の製造工程順ば１面図 第１図
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、透明導電性被膜からなる画素電極と、
非線形抵抗膜と、金属膜とを積層構造とする非線形抵抗
素子の製造方法において、少なくとも、透明導電性被膜
からなる画素電極を形成する工程と、非線形抵抗膜を積
層する工程と、前記非線形抵抗膜の形成時に発生する前
記非線形抵抗膜の欠陥下の前記画素電極を除去する工程
と、行または列電極としての金属膜を積層する工程とを
含んだことを特徴とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135926A JPH02924A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135926A JPH02924A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02924A true JPH02924A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=15163085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135926A Pending JPH02924A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02924A (ja) |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP63135926A patent/JPH02924A/ja active Pending
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