JPH0690954B2 - エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 - Google Patents
エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法Info
- Publication number
- JPH0690954B2 JPH0690954B2 JP60182294A JP18229485A JPH0690954B2 JP H0690954 B2 JPH0690954 B2 JP H0690954B2 JP 60182294 A JP60182294 A JP 60182294A JP 18229485 A JP18229485 A JP 18229485A JP H0690954 B2 JPH0690954 B2 JP H0690954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- transparent
- transparent electrode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 本発明はエレクトロルミネッセント（以下ELと記す）デ
ィスプレイ用の透明電極の形成方法に関するもので，ス
トライプ状に形成される透明電極にテーパを付加するた
めに透明電極膜形成後に透明電極のエッチャントより大
きなエッチングレートを有する膜を形成し，レジストパ
ターンを該膜上に形成してサイドエッチングによってテ
ーパ状電極を形成した後に上記膜を溶解する液に浸漬
し，上記レジストパターンを含む膜を除去するようにし
てテーパデット透明電極を形成するようにしたものであ
る。
ィスプレイ用の透明電極の形成方法に関するもので，ス
トライプ状に形成される透明電極にテーパを付加するた
めに透明電極膜形成後に透明電極のエッチャントより大
きなエッチングレートを有する膜を形成し，レジストパ
ターンを該膜上に形成してサイドエッチングによってテ
ーパ状電極を形成した後に上記膜を溶解する液に浸漬
し，上記レジストパターンを含む膜を除去するようにし
てテーパデット透明電極を形成するようにしたものであ
る。
本発明はELディスプレイ用の透明電極の形成方法に係
り，特にテーパ透明電極を形成するために電極用透明膜
上に形成した膜を除去して電極形成工程時間を短縮化し
たELディスプレイ用透明電極の形成方法に関する。
り，特にテーパ透明電極を形成するために電極用透明膜
上に形成した膜を除去して電極形成工程時間を短縮化し
たELディスプレイ用透明電極の形成方法に関する。
従来一般にELディスプレイはフラット化が出来るだけで
なく，消費電力が少なくフリッカやジッタがなく，更に
Ｘ−Ｙマトリックスであるため画面のゆがみ等もCRT
（陰極線管）に比べて少ない。その構成は第３図に示す
ようになされている。即ちガラス基板１上にストライプ
状の透明電極２を形成する。この透明電極２は絶縁層３
の絶縁耐圧を増すためにテーパデット化させ，表面は平
滑に仕上げなければならない。絶縁層３の上には硫化亜
鉛（ZnS）を母材とし発光源とし動作するマンガン（M
n）等を添加した発光層４を形成し，更に該発光層上に
絶縁層５を形成して該絶縁層５の上に上記ストライプ状
の透明電極１と直行してマトリックス状に金層の背面電
極６を形成し，該背面電極６と透明電極２間に交流電圧
等を印加して黄橙色の光を発光するようになされ，発光
色としては希土類のフッ化物を発光源として用いると種
々の色のものが得られることが知られている。このよう
な構成のELディスプレイに於いてガラス基板１上にテー
パデット化した透明電極を得るための工程を第２図
（ａ）〜（ｃ）について説明する。第２図（ａ）に於い
てガラス基板１上に先ず透明電極として酸化錫（SnO3）
又は酸化チタン（TiO2）等の第１の透明薄膜層2aをスパ
ッタして500℃前後の熱処理を行う。次に熱処理を行っ
た第１の透明薄膜層2a上に第２の透明薄膜層2bを低温反
応性Dcスパッタでスパッタリングした後にストライプ状
のレジストパターン７をフオトリソ法で形成し，熱濃塩
酸でエッチング８を行うと矢印で示すように第１及び第
２の透明薄膜層の2a,2bの厚み方向バーティカルエッチ
ング並びに面方向へのサイドエッチングが行われる。こ
の際，第１の透明薄膜層2aは完全に熱処理で多結晶化し
ているのに対し，第２透明薄膜層2bはアモルファス状態
であるためにエッチングレートが異なるため第２図
（ｂ）に示すようにレジストパターンの真下にもより多
くのサイドエッチングがなされ，テーパデットされた透
明電極２が形成される。次にレジストパターン７を除去
する。第２の透明薄膜層2b上に絶縁層を形成する際に30
0℃前後の温度が加えられるためにアモルファス状態の
第２の透明薄膜層2bが熱反応を起こして絶縁層に影響を
与え目的に合った膜が得にくいために第２図（ｃ）に示
すようにレジストパターンを除去した後に第２の透明薄
膜層2bを更に熱処理するようになされていた。
なく，消費電力が少なくフリッカやジッタがなく，更に
Ｘ−Ｙマトリックスであるため画面のゆがみ等もCRT
（陰極線管）に比べて少ない。その構成は第３図に示す
ようになされている。即ちガラス基板１上にストライプ
状の透明電極２を形成する。この透明電極２は絶縁層３
の絶縁耐圧を増すためにテーパデット化させ，表面は平
滑に仕上げなければならない。絶縁層３の上には硫化亜
鉛（ZnS）を母材とし発光源とし動作するマンガン（M
n）等を添加した発光層４を形成し，更に該発光層上に
絶縁層５を形成して該絶縁層５の上に上記ストライプ状
の透明電極１と直行してマトリックス状に金層の背面電
極６を形成し，該背面電極６と透明電極２間に交流電圧
等を印加して黄橙色の光を発光するようになされ，発光
色としては希土類のフッ化物を発光源として用いると種
々の色のものが得られることが知られている。このよう
な構成のELディスプレイに於いてガラス基板１上にテー
パデット化した透明電極を得るための工程を第２図
（ａ）〜（ｃ）について説明する。第２図（ａ）に於い
てガラス基板１上に先ず透明電極として酸化錫（SnO3）
又は酸化チタン（TiO2）等の第１の透明薄膜層2aをスパ
ッタして500℃前後の熱処理を行う。次に熱処理を行っ
た第１の透明薄膜層2a上に第２の透明薄膜層2bを低温反
応性Dcスパッタでスパッタリングした後にストライプ状
のレジストパターン７をフオトリソ法で形成し，熱濃塩
酸でエッチング８を行うと矢印で示すように第１及び第
２の透明薄膜層の2a,2bの厚み方向バーティカルエッチ
ング並びに面方向へのサイドエッチングが行われる。こ
の際，第１の透明薄膜層2aは完全に熱処理で多結晶化し
ているのに対し，第２透明薄膜層2bはアモルファス状態
であるためにエッチングレートが異なるため第２図
（ｂ）に示すようにレジストパターンの真下にもより多
くのサイドエッチングがなされ，テーパデットされた透
明電極２が形成される。次にレジストパターン７を除去
する。第２の透明薄膜層2b上に絶縁層を形成する際に30
0℃前後の温度が加えられるためにアモルファス状態の
第２の透明薄膜層2bが熱反応を起こして絶縁層に影響を
与え目的に合った膜が得にくいために第２図（ｃ）に示
すようにレジストパターンを除去した後に第２の透明薄
膜層2bを更に熱処理するようになされていた。
上記の従来構成によると第２の透明薄膜層2bを熱処理す
るための時間が通常１時間乃至２時間程度と長時間化す
るだけでなく，透明薄膜層2a,2bからテーパデット透明
電極を得るためにエッチング条件，膜抵抗，膜厚等の相
互の依存性要因を考慮しなければならない欠点があっ
た。
るための時間が通常１時間乃至２時間程度と長時間化す
るだけでなく，透明薄膜層2a,2bからテーパデット透明
電極を得るためにエッチング条件，膜抵抗，膜厚等の相
互の依存性要因を考慮しなければならない欠点があっ
た。
本発明は上記欠点に鑑みなされたもので，その目的とす
るところは第２の透明薄膜層の熱処理工程を省き熱処理
工程時間の掛からない透明電極の形成方法を得るにあ
り，その手段はガラス基板上に透明薄膜層を形成して熱
処理する工程と，該透明薄膜層上にこの透明薄膜層のエ
ッチャントより大きなエッチングレートを有する第２層
目膜を形成する工程と，該第２層目膜上にストライプ状
のレジストパターンを形成してサイドエッチングによっ
て上記透明薄膜層と第２層目膜で形成されるテーパ状の
電極を構成する工程と，該第２層目膜を容易に溶解する
が透明薄膜層を侵蝕しない液に浸漬して２層目膜を除去
する工程とよりなることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセントディスプレイ用透明電極の形成方法によって達
成される。
るところは第２の透明薄膜層の熱処理工程を省き熱処理
工程時間の掛からない透明電極の形成方法を得るにあ
り，その手段はガラス基板上に透明薄膜層を形成して熱
処理する工程と，該透明薄膜層上にこの透明薄膜層のエ
ッチャントより大きなエッチングレートを有する第２層
目膜を形成する工程と，該第２層目膜上にストライプ状
のレジストパターンを形成してサイドエッチングによっ
て上記透明薄膜層と第２層目膜で形成されるテーパ状の
電極を構成する工程と，該第２層目膜を容易に溶解する
が透明薄膜層を侵蝕しない液に浸漬して２層目膜を除去
する工程とよりなることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセントディスプレイ用透明電極の形成方法によって達
成される。
本発明はEL素子の透明電極形成時に該電極をテーパデッ
ト化する場合に熱処理された透明薄膜層上に熱処理され
ないアモルファス状の薄膜層をスパッタリングするが，
この薄膜層は透明である必要はなく，上記透明薄膜層に
より形成される電極のエッチャントに対し，より大きな
エッチングレートを持つ薄膜層を選択し，上記電極の表
面を侵蝕しない除去液によって上記薄膜層を溶解させる
ことでレジストパターン除去後にも薄膜層を除去するよ
うにしたものである。
ト化する場合に熱処理された透明薄膜層上に熱処理され
ないアモルファス状の薄膜層をスパッタリングするが，
この薄膜層は透明である必要はなく，上記透明薄膜層に
より形成される電極のエッチャントに対し，より大きな
エッチングレートを持つ薄膜層を選択し，上記電極の表
面を侵蝕しない除去液によって上記薄膜層を溶解させる
ことでレジストパターン除去後にも薄膜層を除去するよ
うにしたものである。
以下，本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｃ）につい
て詳記する。第１図（ａ）においてガラス基板上に所定
の電極高さとなるように透明薄膜層2a（ITO）をスパッ
タリングして，次の工程で透明薄膜層2aを500℃程度で
熱処理することで多結晶化した透明薄膜層2aの上に例え
ばアルミニウム膜等の上記透明薄膜のエッチャントであ
る熱濃塩酸（40℃）よりエッチングレートの大きい第２
層目膜2b′をスパッタリングして，更に次の工程でフォ
トリソ法でレジストパターン７を上記第２層目膜2b′上
に形成し，エッチャントである熱濃塩酸によってエッチ
ングを行うことでレジストパターンの形成されていない
部分から浸透した熱濃塩酸は矢印に示すようにアルミ膜
である第２層目膜2b′の厚み方向並びに面方向をサイド
エッチングする。その結果，第１図（ｂ）の如きθ＝10
°〜15°程度のテーパの付いた電極2a,2b′が得られ
る。次に第１図（ｃ）に示すようにレジストパターン７
を剥離後に更に透明薄膜層2aを侵さないリン酸に浸して
第２層目膜2b′のアルミ膜を除去して透明薄膜層2aだけ
を残すと所定高さの透明電極２がテーパ化されて形成さ
れる。
て詳記する。第１図（ａ）においてガラス基板上に所定
の電極高さとなるように透明薄膜層2a（ITO）をスパッ
タリングして，次の工程で透明薄膜層2aを500℃程度で
熱処理することで多結晶化した透明薄膜層2aの上に例え
ばアルミニウム膜等の上記透明薄膜のエッチャントであ
る熱濃塩酸（40℃）よりエッチングレートの大きい第２
層目膜2b′をスパッタリングして，更に次の工程でフォ
トリソ法でレジストパターン７を上記第２層目膜2b′上
に形成し，エッチャントである熱濃塩酸によってエッチ
ングを行うことでレジストパターンの形成されていない
部分から浸透した熱濃塩酸は矢印に示すようにアルミ膜
である第２層目膜2b′の厚み方向並びに面方向をサイド
エッチングする。その結果，第１図（ｂ）の如きθ＝10
°〜15°程度のテーパの付いた電極2a,2b′が得られ
る。次に第１図（ｃ）に示すようにレジストパターン７
を剥離後に更に透明薄膜層2aを侵さないリン酸に浸して
第２層目膜2b′のアルミ膜を除去して透明薄膜層2aだけ
を残すと所定高さの透明電極２がテーパ化されて形成さ
れる。
上記実施例では第２層目膜2b′にアルミ膜を更に透明薄
膜層を侵さず第２層目膜2b′だけを溶解させるエッチャ
ントにリン酸を用いたが必ずしも，これに限ることはな
く例えば第２層は透明膜であってもよく，次の条件を満
足する第２層目膜並びにエッチャントを選択すればよ
い。
膜層を侵さず第２層目膜2b′だけを溶解させるエッチャ
ントにリン酸を用いたが必ずしも，これに限ることはな
く例えば第２層は透明膜であってもよく，次の条件を満
足する第２層目膜並びにエッチャントを選択すればよ
い。
（１）透明電極となる透明薄膜層2aのエッチャントに対
して，これより大きなエッチングレートを持つ第２層目
膜となるような材質を選択する。
して，これより大きなエッチングレートを持つ第２層目
膜となるような材質を選択する。
（２）透明電極の表面を少しも侵食しないで第２層目膜
だけを完全に溶解するエッチャントを選択する。このよ
うな膜とエッチャントであれば何でもよいことは明らか
である。
だけを完全に溶解するエッチャントを選択する。このよ
うな膜とエッチャントであれば何でもよいことは明らか
である。
本発明は上述の如く構成させ，かつそのプロセスを選択
したので従来のノーンアニールITOを２層目膜として再
びアニールする場合に比べてパターンニング後の熱処理
工程が省ける。本発明ではこの熱処理工程の代わりにエ
ッチング工程が増加するが，従来の熱処理工程では真空
中で１時間〜２時間の時間をかけて熱処理を行うのに対
し，本発明のエッチング工程では通常の雰囲気中でエッ
チング液に浸すだけで時間も10分程度で工程時間は大幅
に短縮される。又透明電極も２層膜でないので設計が簡
単で透明電極上に形成する絶縁膜に影響を与えることも
ない透明電極を形成できる特徴を有する。
したので従来のノーンアニールITOを２層目膜として再
びアニールする場合に比べてパターンニング後の熱処理
工程が省ける。本発明ではこの熱処理工程の代わりにエ
ッチング工程が増加するが，従来の熱処理工程では真空
中で１時間〜２時間の時間をかけて熱処理を行うのに対
し，本発明のエッチング工程では通常の雰囲気中でエッ
チング液に浸すだけで時間も10分程度で工程時間は大幅
に短縮される。又透明電極も２層膜でないので設計が簡
単で透明電極上に形成する絶縁膜に影響を与えることも
ない透明電極を形成できる特徴を有する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明のELディスプレイ用透明
電極の形成工程を示すEL素子の側断面図，第２図は従来
のELディスプレイ用透明電極の形成工程を示すEL素子の
側断面図，第３図は従来のELディスプレイ構成を示す斜
視図である。 １……ガラス基板， ２……透明電極， 2a……第１の透明薄膜層， 2b……第２の透明薄膜層， 2b′……第２層目膜， 3,5……絶縁層， ４……発光層， ６……背面電極， ７……レジストパターン， ８……エッチング．
電極の形成工程を示すEL素子の側断面図，第２図は従来
のELディスプレイ用透明電極の形成工程を示すEL素子の
側断面図，第３図は従来のELディスプレイ構成を示す斜
視図である。 １……ガラス基板， ２……透明電極， 2a……第１の透明薄膜層， 2b……第２の透明薄膜層， 2b′……第２層目膜， 3,5……絶縁層， ４……発光層， ６……背面電極， ７……レジストパターン， ８……エッチング．
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス基板上に透明薄膜層を形成して熱処
理する工程と， 該透明薄膜層上にこの透明薄膜層より大きなエッチング
レートを有する第２層目膜を形成する工程と， 該第２層目膜上にストライプ状のレジストパターンを形
成してサイドエッチングによって上記透明薄膜層と第２
層目膜で形成されるテーパ状の電極を構成する工程と， 該第２層目膜を容易に溶解するが透明薄膜層を侵蝕しな
い液に浸漬して２層目膜を除去する工程とよりなること
を特徴とするエレクトロルミネッセントディスプレイ用
透明電極の形成方法。 - 【請求項２】前記２層目膜としてアルミニウム膜を選択
してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
エレクトロルミネッセントディスプレイ用透明電極の形
成方法。 - 【請求項３】前記液としてリン酸液を選択してなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエレクトロル
ミネッセントディスプレイ用透明電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182294A JPH0690954B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182294A JPH0690954B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243098A JPS6243098A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0690954B2 true JPH0690954B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16115768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182294A Expired - Lifetime JPH0690954B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690954B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4439260B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP5767789B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-08-19 | シャープ株式会社 | 面発光素子および浄化装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182294A patent/JPH0690954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243098A (ja) | 1987-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5559399A (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
| JPH0690954B2 (ja) | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 | |
| JPH0515037B2 (ja) | ||
| JP2844964B2 (ja) | Ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JPH056793A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH088498A (ja) | 配線構造、その製造方法および該配線構造を用いた画像形成装置 | |
| JP3614182B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS61151996A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| US5601467A (en) | Method for manufacturing a low resistant electroluminescent display device | |
| JP4872155B2 (ja) | Ｉｔｏパターン付き基板の製造方法 | |
| JPH0580797B2 (ja) | ||
| EP0450077A1 (en) | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same | |
| JPH056141A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP2773111B2 (ja) | 二層配線基板の製造方法 | |
| JPH0834125B2 (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63136491A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61203591A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2605720B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2760121B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS63298990A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04242099A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH02207487A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の形成方法 | |
| JPH02230691A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05198376A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS6344684A (ja) | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |