JPH04242099A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器の表示装置と
して用いられる薄膜ＥＬパネルの製造方法に関するもの
である。
して用いられる薄膜ＥＬパネルの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の薄膜ＥＬ素子とては、
例えば図２に示すような３層構造のものが知られている
。
例えば図２に示すような３層構造のものが知られている
。
【０００３】この薄膜ＥＬ素子は、ガラスからなる透明
基板上にＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）からなる帯状
の透明電極２を間隔をおいて平行にパターン形成し、こ
の上に酸化物Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ３もしくはＴｉＯ２ま
たは窒化物Ｓｉ３Ｎ４からなる第１絶縁膜３を形成して
いる。
基板上にＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）からなる帯状
の透明電極２を間隔をおいて平行にパターン形成し、こ
の上に酸化物Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ３もしくはＴｉＯ２ま
たは窒化物Ｓｉ３Ｎ４からなる第１絶縁膜３を形成して
いる。
【０００４】この上に、ＺｎＳまたはＺｎＳｅなどから
なる母材に発光中心としてＭｎを微量添加した組成を有
する発光層（膜厚０．８μｍ程度）４と、上記酸化物ま
たは窒化物からなる第２絶縁膜５とを順に形成し、さら
にこの上に、上記透明電極２と直交する方向にＡｌから
なる帯状の背面電極６を間隔をおいて平行にパターン形
成している。
なる母材に発光中心としてＭｎを微量添加した組成を有
する発光層（膜厚０．８μｍ程度）４と、上記酸化物ま
たは窒化物からなる第２絶縁膜５とを順に形成し、さら
にこの上に、上記透明電極２と直交する方向にＡｌから
なる帯状の背面電極６を間隔をおいて平行にパターン形
成している。
【０００５】このようにして製造された薄膜ＥＬ素子は
、透明電極２および背面電極６に選択的に電圧を印加す
ることにより両電極２，６の交点部分の発光層４をドッ
ト状に任意の組み合わせで発光させて、所望のドットマ
トリックス表示を行うことができる。
、透明電極２および背面電極６に選択的に電圧を印加す
ることにより両電極２，６の交点部分の発光層４をドッ
ト状に任意の組み合わせで発光させて、所望のドットマ
トリックス表示を行うことができる。
【０００６】又、最近の傾向として、第１絶縁膜３，発
光層４を及び第２絶縁膜５を連続して形成し、成膜時間
の短縮化，基板のセット，リセット回数を低減すること
による製造コストの低減が達成されている。
光層４を及び第２絶縁膜５を連続して形成し、成膜時間
の短縮化，基板のセット，リセット回数を低減すること
による製造コストの低減が達成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記３層構
造における絶縁膜と発光層３，４，５を連続して成膜す
るとき、図３（ａ）に示すように成膜する面上に異物７
が付着していた場合、絶縁膜と発光層３，４，５の連続
成膜により、図３（ｂ）のように異物７のところは、異
物７上に膜が形成される。さらに後の洗浄工程で、図３
（ｃ）にように大部分の異物７は基板ガラス１より離れ
ることになる。そしてその後、背面電極６を形成した時
、図３（ｄ）のように下部電極２と背面電極６が短絡状
態となる。このような状態となると、下部電極２上と背
面電極６上の絵素は発光不可能となる。したがって、こ
のような薄膜ＥＬパネルは不良となる。また、レーザー
リベアー等により、この短絡部の修正は可能なものも有
るが、この場合、通常では無い作業を必要とした。
造における絶縁膜と発光層３，４，５を連続して成膜す
るとき、図３（ａ）に示すように成膜する面上に異物７
が付着していた場合、絶縁膜と発光層３，４，５の連続
成膜により、図３（ｂ）のように異物７のところは、異
物７上に膜が形成される。さらに後の洗浄工程で、図３
（ｃ）にように大部分の異物７は基板ガラス１より離れ
ることになる。そしてその後、背面電極６を形成した時
、図３（ｄ）のように下部電極２と背面電極６が短絡状
態となる。このような状態となると、下部電極２上と背
面電極６上の絵素は発光不可能となる。したがって、こ
のような薄膜ＥＬパネルは不良となる。また、レーザー
リベアー等により、この短絡部の修正は可能なものも有
るが、この場合、通常では無い作業を必要とした。
【０００８】一般に、絶縁膜と発光層３，４，５の成膜
前には、十分に洗浄が行なわれ、異物は十分に少ないレ
ベルまで取り除かれるが、これには限界があり、異物を
皆無にすることは困難であった。
前には、十分に洗浄が行なわれ、異物は十分に少ないレ
ベルまで取り除かれるが、これには限界があり、異物を
皆無にすることは困難であった。
【０００９】なお、絶縁膜と発光層３，４，５を連続し
ない場合は、それぞれの成膜の間に洗浄工程が入ること
から、下層電極２上に異物が付着したとしても、下層電
極２と背面電極６とは短絡しないことになる。しかしな
がら、絶縁膜と発光層３，４，５を連続成膜する方式は
、成膜時間の短縮化、基板ガラスのセット・リセット等
の作業時間の大幅な短縮等、薄膜ＥＬパネルの製造コス
ト低減には不可欠な方式であり、その場合の異物による
下層電極と背面電極の短絡問題は解決する必要が有った
。
ない場合は、それぞれの成膜の間に洗浄工程が入ること
から、下層電極２上に異物が付着したとしても、下層電
極２と背面電極６とは短絡しないことになる。しかしな
がら、絶縁膜と発光層３，４，５を連続成膜する方式は
、成膜時間の短縮化、基板ガラスのセット・リセット等
の作業時間の大幅な短縮等、薄膜ＥＬパネルの製造コス
ト低減には不可欠な方式であり、その場合の異物による
下層電極と背面電極の短絡問題は解決する必要が有った
。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
め本発明では、下部電極上に付加の絶縁膜又は抵抗膜を
形成した後、上記のような絶縁膜及び発光層を連続形成
することを特徴とする。
め本発明では、下部電極上に付加の絶縁膜又は抵抗膜を
形成した後、上記のような絶縁膜及び発光層を連続形成
することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明により、下部電極上に絶縁膜又は抵抗膜
を形成した後、第１絶縁膜及び発光層を連続形成するこ
とにより、下部電極上、つまり、下部電極上の絶縁膜又
は抵抗膜上に異物が付着し、絶縁膜と発光層の成膜後、
基板ガラス上より異物が離れた場合においても、下部電
極と背面電極の短絡は起こらない。
を形成した後、第１絶縁膜及び発光層を連続形成するこ
とにより、下部電極上、つまり、下部電極上の絶縁膜又
は抵抗膜上に異物が付着し、絶縁膜と発光層の成膜後、
基板ガラス上より異物が離れた場合においても、下部電
極と背面電極の短絡は起こらない。
【００１２】すなわち、絶縁膜を使用した場合には、異
物の解離部分は、下部電極と背面電極は、絶縁膜を介し
て接続されることになり、短絡状態とはならない。一方
、抵抗膜を使用した場合には下部電極と背面電極は抵抗
膜を介して接続されることになる。この場合、下部電極
と背面電極は、低抵抗で接続された状態となっているた
め、発光させた時の電圧印加でその部分に絶縁破壊が発
生し、短絡状態は解消される。
物の解離部分は、下部電極と背面電極は、絶縁膜を介し
て接続されることになり、短絡状態とはならない。一方
、抵抗膜を使用した場合には下部電極と背面電極は抵抗
膜を介して接続されることになる。この場合、下部電極
と背面電極は、低抵抗で接続された状態となっているた
め、発光させた時の電圧印加でその部分に絶縁破壊が発
生し、短絡状態は解消される。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の薄膜ＥＬパネルの製造方法
を図１の実施例により詳細に説明する。
を図１の実施例により詳細に説明する。
【００１４】基板ガラス１上に、ＩＴＯ膜２をスパッタ
リング法で１０００Å〜５０００Åに形成し、連続して
同一装置内でＳｉＯ２膜８を５０Å〜５００Å形成した
。（図１（ａ））。
リング法で１０００Å〜５０００Åに形成し、連続して
同一装置内でＳｉＯ２膜８を５０Å〜５００Å形成した
。（図１（ａ））。
【００１５】次に、このＩＴＯ膜２とＳｉＯ２膜８をフ
ォトエッチング法により所定の電極形状にパターニング
を行った。この時、ＩＴＯ膜２とＳｉＯ２膜８のエッチ
ングには、ＳｉＯ２膜８が比較的薄いことから、通常Ｉ
ＴＯ膜２のエッチングに多く使われる塩酸ー塩化第２鉄
混合液で、ＩＴＯ膜２，ＳｉＯ２膜８の二層とも可能で
あった。なお、ＳｉＯ２膜８がやや厚い場合、又は電極
のエッジ部をより完全にエッチングする必要が有る場合
には、ＳｉＯ２膜８をフッ酸系エッチング液でエッチン
グした後、塩酸ー塩化第２鉄混合液でエッチングするこ
とで可能である。
ォトエッチング法により所定の電極形状にパターニング
を行った。この時、ＩＴＯ膜２とＳｉＯ２膜８のエッチ
ングには、ＳｉＯ２膜８が比較的薄いことから、通常Ｉ
ＴＯ膜２のエッチングに多く使われる塩酸ー塩化第２鉄
混合液で、ＩＴＯ膜２，ＳｉＯ２膜８の二層とも可能で
あった。なお、ＳｉＯ２膜８がやや厚い場合、又は電極
のエッジ部をより完全にエッチングする必要が有る場合
には、ＳｉＯ２膜８をフッ酸系エッチング液でエッチン
グした後、塩酸ー塩化第２鉄混合液でエッチングするこ
とで可能である。
【００１６】また、本実施例では、下部電極２上の絶縁
膜８としてＳｉＯ２を用いたが、絶縁膜ではＡｉ２Ｏ３
，Ｓｉ３Ｎ４，Ｙ２Ｏ３，等、抵抗膜ではＳｎＯ２，Ｚ
ｎＯ等が使用可能である。
膜８としてＳｉＯ２を用いたが、絶縁膜ではＡｉ２Ｏ３
，Ｓｉ３Ｎ４，Ｙ２Ｏ３，等、抵抗膜ではＳｎＯ２，Ｚ
ｎＯ等が使用可能である。
【００１７】次に、上記ＳｉＯ２膜８上に、図１（ｂ）
に示すように第１絶縁膜３，発光層４及び第２絶縁膜５
を次の方法で連続成膜した。
に示すように第１絶縁膜３，発光層４及び第２絶縁膜５
を次の方法で連続成膜した。
【００１８】まず、スパッタリング法でＳｉＯ２を５０
〜５００Å形成し、さらに同法でＳｉ３Ｎ４膜を１００
０Å〜３０００Å形成し、第１絶縁膜４とする。さらに
同一の真空中で連続して、発光層５をすなわち、ＺｎＳ
ｉＭｎを電子ビーム蒸着により４０００〜８０００Åの
厚さに形成する。さらに同一真空中で連続して、スパッ
タリング法でＳｉ３Ｎ４膜を１０００Å〜３０００Å，
ＳｉＯ２膜を５０Å〜５００Å成膜することで、第２絶
縁膜６を形成した。
〜５００Å形成し、さらに同法でＳｉ３Ｎ４膜を１００
０Å〜３０００Å形成し、第１絶縁膜４とする。さらに
同一の真空中で連続して、発光層５をすなわち、ＺｎＳ
ｉＭｎを電子ビーム蒸着により４０００〜８０００Åの
厚さに形成する。さらに同一真空中で連続して、スパッ
タリング法でＳｉ３Ｎ４膜を１０００Å〜３０００Å，
ＳｉＯ２膜を５０Å〜５００Å成膜することで、第２絶
縁膜６を形成した。
【００１９】その後、５００℃〜６５０℃で真空雰囲気
で１時間熱処理を行なった。そして、その上に、図１（
ｃ）に示すように背面電極６を、Ａｌを１０００Å〜５
０００Å、及びＮｉを１０００Å〜５０００Å電子ビー
ム蒸着法で成膜することで形成した。さらにこの背面電
極７を、エッチング液として、リン酸、硝酸及び過酸化
水素水混合液を用い、フォトエッチング法で所定の電極
形状にパターニングを行なった。
で１時間熱処理を行なった。そして、その上に、図１（
ｃ）に示すように背面電極６を、Ａｌを１０００Å〜５
０００Å、及びＮｉを１０００Å〜５０００Å電子ビー
ム蒸着法で成膜することで形成した。さらにこの背面電
極７を、エッチング液として、リン酸、硝酸及び過酸化
水素水混合液を用い、フォトエッチング法で所定の電極
形状にパターニングを行なった。
【００２０】なお、実施例では、下部電極２に連続して
絶縁膜８を成膜したが、連続せずに成膜すること、又は
、下部電極２のパターニング後成膜することも可能であ
る。また、実施例では、三層構造の薄膜ＥＬパネルにつ
いて説明したが、片絶縁構造の薄膜ＥＬパネルについて
も当然使用可能である。
絶縁膜８を成膜したが、連続せずに成膜すること、又は
、下部電極２のパターニング後成膜することも可能であ
る。また、実施例では、三層構造の薄膜ＥＬパネルにつ
いて説明したが、片絶縁構造の薄膜ＥＬパネルについて
も当然使用可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁膜と発光層の連続成膜前に、異物が付着し、その後
の洗浄において解離した場合において下部電極と背面電
極は、付加の絶縁膜又は抵抗膜を介して接続されること
になる。この時、付加膜の膜厚が薄いことからその部分
が絶縁破壊する場合もあるが、いずれの場合も下部電極
と背面電極が短絡することは無い。
絶縁膜と発光層の連続成膜前に、異物が付着し、その後
の洗浄において解離した場合において下部電極と背面電
極は、付加の絶縁膜又は抵抗膜を介して接続されること
になる。この時、付加膜の膜厚が薄いことからその部分
が絶縁破壊する場合もあるが、いずれの場合も下部電極
と背面電極が短絡することは無い。
【００２２】したがって本発明により絶縁膜と発光層を
連続形成したときの下部電極と背面電極が短絡する不良
を無くすことができる。
連続形成したときの下部電極と背面電極が短絡する不良
を無くすことができる。
【図１】本発明の製造方法を示す工程図である。
【図２】一般的なパネル構成例を示す斜視図である。
【図３】従来方法の不良発生を説明する工程図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２ 下部電極（ＩＴＯ膜）
３ 第１絶縁膜
４ 発光層
５ 第２絶縁膜
６ 背面電極
８ 付加絶縁膜（ＳｉＯ２膜）
Claims (1)
- 【請求項】 三層構造又は片絶縁構造の絶縁膜と発光
膜を連続成膜により形成する薄膜ＥＬパネルの製造方法
において、下部電極上に、付加の絶縁膜又は抵抗膜を形
成した後、前記絶縁膜と発光層を連続成膜により形成し
てなることを特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002921A JPH04242099A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002921A JPH04242099A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242099A true JPH04242099A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11542816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002921A Pending JPH04242099A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242099A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP3002921A patent/JPH04242099A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
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