JPH0155757B2 - - Google Patents
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- JPH0155757B2 JPH0155757B2 JP58231343A JP23134383A JPH0155757B2 JP H0155757 B2 JPH0155757 B2 JP H0155757B2 JP 58231343 A JP58231343 A JP 58231343A JP 23134383 A JP23134383 A JP 23134383A JP H0155757 B2 JPH0155757 B2 JP H0155757B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table characterised by the doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野
本発明は、膜剥れがなく歩留りのよい多色発光
薄膜ELパネルの製造方法に関する。
薄膜ELパネルの製造方法に関する。
(ロ) 従来技術
従来、ELパネルで多色を発光させようとする
試みが種々なされており、特開昭54−155789号に
は透明基板上に異なる発光色を呈する領域を複数
層積層させて混合発光させるようにした多色発光
薄膜EL素子が提案されている。このEL素子は構
造上混合色は得られるが単色は得られず、しかも
混合色も一種類の色に限定されてしまう。
試みが種々なされており、特開昭54−155789号に
は透明基板上に異なる発光色を呈する領域を複数
層積層させて混合発光させるようにした多色発光
薄膜EL素子が提案されている。このEL素子は構
造上混合色は得られるが単色は得られず、しかも
混合色も一種類の色に限定されてしまう。
多色発光でしかも発光色が変えられるEL素子
パネルとしては、たとえばSID（Society of
Information Display）のシンポジウム ダイジ
エスト 1982年 第128頁〜第129頁に示されてい
るようなものがある。第１図はこの文献に開示さ
れている多色発光薄膜ELパネルを示しており、
透明電極１が形成された基板ガラス２の上に、透
明な絶縁膜（たとえばY2O3）３と、不純物とし
てMnを添加したZnS：Mn膜４と、透明な絶縁膜
（たとえばY2O3）５とを順次それぞれ5000Å〜
10000Åの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透
明な絶縁膜５の上には所望のパターンの透明な中
間電極６を形成し、この中間電極６の上に再び透
明な絶縁膜（たとえばY2O3）７と、不純物とし
てTbF3を添加したZnS：TbF3膜８と、透明な絶
縁膜（たとえばY2O3）９とをそれぞれ2000Å〜
10000Åの膜厚で積層する。その後この透明な絶
縁膜９の上と、透明電極１と交差する中間電極６
の上とにAl電極１０，１１をそれぞれ形成する。
パネルとしては、たとえばSID（Society of
Information Display）のシンポジウム ダイジ
エスト 1982年 第128頁〜第129頁に示されてい
るようなものがある。第１図はこの文献に開示さ
れている多色発光薄膜ELパネルを示しており、
透明電極１が形成された基板ガラス２の上に、透
明な絶縁膜（たとえばY2O3）３と、不純物とし
てMnを添加したZnS：Mn膜４と、透明な絶縁膜
（たとえばY2O3）５とを順次それぞれ5000Å〜
10000Åの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透
明な絶縁膜５の上には所望のパターンの透明な中
間電極６を形成し、この中間電極６の上に再び透
明な絶縁膜（たとえばY2O3）７と、不純物とし
てTbF3を添加したZnS：TbF3膜８と、透明な絶
縁膜（たとえばY2O3）９とをそれぞれ2000Å〜
10000Åの膜厚で積層する。その後この透明な絶
縁膜９の上と、透明電極１と交差する中間電極６
の上とにAl電極１０，１１をそれぞれ形成する。
このような構造のパネルに1KHz200Vrms程度
の交流電圧を印加すると図のＤの方向に橙色、Ｇ
の方向に緑色の発光を呈する。すなわち中間電極
６と基板側の透明電極１との間に交流電圧１２を
印加すると、両電極に挾まれるZnS：Mn膜４が
励起されて橙色に発光し、この橙色の発光は透明
な絶縁膜３、透明電極１、基板ガラス２を通過し
てパネルの外へ放出される。一方中間電極６と
Al電極１０との間に交流電圧１３を印加すると、
両電極に挾まれるZnS：TbF3膜８が励起され緑
色に発光し、この緑色発光はそれぞれ透明な絶縁
膜５、ZnS：Mn膜４、透明な絶縁膜３および基
板ガラス２を通過してパネルの外へ放出される。
ただし第１図では橙色を発色する領域と緑色を発
色する領域とが平面的にずれているように表現さ
れているが、実際はそうではなく同一の領域であ
る点注意を要する。
の交流電圧を印加すると図のＤの方向に橙色、Ｇ
の方向に緑色の発光を呈する。すなわち中間電極
６と基板側の透明電極１との間に交流電圧１２を
印加すると、両電極に挾まれるZnS：Mn膜４が
励起されて橙色に発光し、この橙色の発光は透明
な絶縁膜３、透明電極１、基板ガラス２を通過し
てパネルの外へ放出される。一方中間電極６と
Al電極１０との間に交流電圧１３を印加すると、
両電極に挾まれるZnS：TbF3膜８が励起され緑
色に発光し、この緑色発光はそれぞれ透明な絶縁
膜５、ZnS：Mn膜４、透明な絶縁膜３および基
板ガラス２を通過してパネルの外へ放出される。
ただし第１図では橙色を発色する領域と緑色を発
色する領域とが平面的にずれているように表現さ
れているが、実際はそうではなく同一の領域であ
る点注意を要する。
上記例では、橙色と緑色の２色の発光色である
が、透明な絶縁膜３とZnS：TbF3膜８の代りに
次のような不純物を添加したZnS膜を用いること
により、異なる色での発光が可能である。すなわ
ち不純物としてPrF3を添加すると白、DyF3を添
加すると黄、TmF3を添加すると青になる。また
上記例では２色発光であるが、Al電極１０を透
明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ZnS膜−絶
縁膜−透明電極（ただし最後はAl電極）の４層
を重ねた構造とすることにより３色以上の発光色
を得ることが原理的に可能である。
が、透明な絶縁膜３とZnS：TbF3膜８の代りに
次のような不純物を添加したZnS膜を用いること
により、異なる色での発光が可能である。すなわ
ち不純物としてPrF3を添加すると白、DyF3を添
加すると黄、TmF3を添加すると青になる。また
上記例では２色発光であるが、Al電極１０を透
明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ZnS膜−絶
縁膜−透明電極（ただし最後はAl電極）の４層
を重ねた構造とすることにより３色以上の発光色
を得ることが原理的に可能である。
このような多色発光薄膜ELパネルにおいては、
中間電極の上に、絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−中間
電極の４層構造を色の数だけ重ねて多色発光させ
ているために次のような問題があつた。
中間電極の上に、絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−中間
電極の４層構造を色の数だけ重ねて多色発光させ
ているために次のような問題があつた。
(1) 発光色の数をＮとすると、パネル上での膜の
積層数は（4N＋１）と膨大な数になり、膜を
重ねていくうちに膜剥れが発生しやすく、歩留
りが悪い。経験的に最も膜剥れの発生しやすい
場所はZnS膜とその上の絶縁膜との間と、中間
電極とその上の絶縁膜との間である。
積層数は（4N＋１）と膨大な数になり、膜を
重ねていくうちに膜剥れが発生しやすく、歩留
りが悪い。経験的に最も膜剥れの発生しやすい
場所はZnS膜とその上の絶縁膜との間と、中間
電極とその上の絶縁膜との間である。
(2) 透明な中間電極６はホトリゾグラフイーでパ
ターン形成されるが、化学的な性質上酸系のエ
ツチヤント（たとえばiTO（酸化インジウムと
酸化スズとの混合物）膜ではH2O：HCl：
HNO3＝１：１：0.1の混合液）を用いる。こ
のため酸に極めて弱い下部ZnS：Mn膜４がエ
ツチングの際、透明な絶縁膜５のピンホールや
クラツクを通して浸入してきたエツヤチントに
侵され、歩留りが悪くなる。（蒸着マスクを用
いても中間電極６は形成できるが１mm以下の微
細パターンの形成には実用的でない）。
ターン形成されるが、化学的な性質上酸系のエ
ツチヤント（たとえばiTO（酸化インジウムと
酸化スズとの混合物）膜ではH2O：HCl：
HNO3＝１：１：0.1の混合液）を用いる。こ
のため酸に極めて弱い下部ZnS：Mn膜４がエ
ツチングの際、透明な絶縁膜５のピンホールや
クラツクを通して浸入してきたエツヤチントに
侵され、歩留りが悪くなる。（蒸着マスクを用
いても中間電極６は形成できるが１mm以下の微
細パターンの形成には実用的でない）。
(3) 上記問題(1)、(2)の発生率は発光色が増えるに
従つて指数関数的に増大するため、歩留りを考
慮すると工業的に実現可能な発光色の数は２〜
３色にとどまるため色彩面に関する造形上の要
求に充分答えられず、商品性に乏しい。
従つて指数関数的に増大するため、歩留りを考
慮すると工業的に実現可能な発光色の数は２〜
３色にとどまるため色彩面に関する造形上の要
求に充分答えられず、商品性に乏しい。
(ハ) 発明の目的および構成
本発明は上記の点にかんがみてなされたもの
で、透明基板上の透明電極と背面電極との間に異
なる発光色を有する複数の発光層を挾持して成る
薄膜ELパネルを膜剥れせず歩留りよく製造する
ことを目的とし、そのために、透明電極と背面電
極との交差領域に異なる発光色の発光層をリフト
オフ法で発光層どうしが重ならないように形成す
るに当り、発光層の蒸着温度に耐えるレジストを
用いるとともに発光層の蒸着に先立つて透明基板
温度を発光層蒸着温度にまで加熱するようにした
ものである。
で、透明基板上の透明電極と背面電極との間に異
なる発光色を有する複数の発光層を挾持して成る
薄膜ELパネルを膜剥れせず歩留りよく製造する
ことを目的とし、そのために、透明電極と背面電
極との交差領域に異なる発光色の発光層をリフト
オフ法で発光層どうしが重ならないように形成す
るに当り、発光層の蒸着温度に耐えるレジストを
用いるとともに発光層の蒸着に先立つて透明基板
温度を発光層蒸着温度にまで加熱するようにした
ものである。
(ニ) 実施例
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第２図は本発明方法により製造した多色発光薄
膜ELパネルの一実施例の断面構造を示しており、
２１は基板ガラス、２２は透明電極、２３，２６
はY2O3などの透明な絶縁膜で、絶縁膜２６の上
にはAl電極２７ａと２７ｂとが設けられている。
一方透明な絶縁膜２３と２６との間にはZnS：
Mn膜２４とZnS：TbF3膜２５とが設けられてお
り、これらの膜２４，２５の面積はそれぞれAl
電極２７ａと透明電極２２とが交差する面積およ
びAl電極２７ｂと透明電極２２とが交差する面
積よりも大きい。透明電極２２とAl電極２７ａ
との間に1KHz200Vrms程度の交流電圧２８を印
加すると、ZnS：Mn膜２４が橙色に発光する。
また透明電極２２とAl電極２７ｂとの間に交流
電圧２９を印加すると、ZnS：TbF3膜２５が緑
色に発光する。
膜ELパネルの一実施例の断面構造を示しており、
２１は基板ガラス、２２は透明電極、２３，２６
はY2O3などの透明な絶縁膜で、絶縁膜２６の上
にはAl電極２７ａと２７ｂとが設けられている。
一方透明な絶縁膜２３と２６との間にはZnS：
Mn膜２４とZnS：TbF3膜２５とが設けられてお
り、これらの膜２４，２５の面積はそれぞれAl
電極２７ａと透明電極２２とが交差する面積およ
びAl電極２７ｂと透明電極２２とが交差する面
積よりも大きい。透明電極２２とAl電極２７ａ
との間に1KHz200Vrms程度の交流電圧２８を印
加すると、ZnS：Mn膜２４が橙色に発光する。
また透明電極２２とAl電極２７ｂとの間に交流
電圧２９を印加すると、ZnS：TbF3膜２５が緑
色に発光する。
次に上記ELパネルの製造方法を第３図に示し
た工程図を用いて説明する。
た工程図を用いて説明する。
良く洗浄した基板ガラス２１のiToやIn2O3な
どの透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフイで透明
電極２２ａ，２２ｂを形成する（Ａ工程）、つづ
いて絶縁膜２３をスパツタリングや抵抗線加熱法
などの手法で約5000Åの膜厚に蒸着する（Ｂ工
程）。
どの透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフイで透明
電極２２ａ，２２ｂを形成する（Ａ工程）、つづ
いて絶縁膜２３をスパツタリングや抵抗線加熱法
などの手法で約5000Åの膜厚に蒸着する（Ｂ工
程）。
次にZnS：Mn膜２４およびZnS：TbF3膜２５
の形成であるが、これにはリフトオフ法（フオト
リゾグラフイの一種）を用いる。すなわち絶縁膜
２３の上に少なくとも150℃の熱に耐え且つ酸系
の現像液、剥離液を使用しないレジスト（たとえ
ば東京応化株式会社製OFPR−800）３０を塗布
し、後に橙色の発光をさせるべき画素を含むくり
抜き部３１を形成する（工程Ｃ）。
の形成であるが、これにはリフトオフ法（フオト
リゾグラフイの一種）を用いる。すなわち絶縁膜
２３の上に少なくとも150℃の熱に耐え且つ酸系
の現像液、剥離液を使用しないレジスト（たとえ
ば東京応化株式会社製OFPR−800）３０を塗布
し、後に橙色の発光をさせるべき画素を含むくり
抜き部３１を形成する（工程Ｃ）。
次にくり抜き部３１を有するレジスト３０上に
全面にわたつて基板温度約150℃でZnS：Mn膜２
４′を電子ビーム蒸着機などで約8000Åの厚さに
蒸着する（工程Ｄ）。
全面にわたつて基板温度約150℃でZnS：Mn膜２
４′を電子ビーム蒸着機などで約8000Åの厚さに
蒸着する（工程Ｄ）。
つづいて剥離液につけると、ZnS：Mn膜２
４′はレジスト３０にくり抜き部３１に相当する
部分２４を残してすべてレジストと一緒に取り除
かれる（工程Ｅ）。上記工程Ｃ、Ｄ、Ｅがリフト
オフ法である。
４′はレジスト３０にくり抜き部３１に相当する
部分２４を残してすべてレジストと一緒に取り除
かれる（工程Ｅ）。上記工程Ｃ、Ｄ、Ｅがリフト
オフ法である。
再び工程Ｃ〜Ｅと同様の工程を行い、こんどは
ZnS：TbF3膜２５を形成する（工程Ｆ）。
ZnS：TbF3膜２５を形成する（工程Ｆ）。
その後真空中で500℃で１時間程度の熱処理を
行つた後、ZnS膜を覆うようにY2O3などの絶縁
膜２６を約5000Åの厚さで蒸着する（工程Ｇ）。
行つた後、ZnS膜を覆うようにY2O3などの絶縁
膜２６を約5000Åの厚さで蒸着する（工程Ｇ）。
最後に基板全面に渡つてAlを約3000Åの厚さ
で真空蒸着し、ホトリゾグラフイを用いてAl電
極２７ａ，２７ｂを形成する（工程Ｈ）。
で真空蒸着し、ホトリゾグラフイを用いてAl電
極２７ａ，２７ｂを形成する（工程Ｈ）。
このようにして作製した薄膜ELパネルの透明
電極２２とAl電極２７との間に交流電圧を印加
すると、透明電極２２ａとAl電極２７ａとが交
差する部分（画素に相当する）および透明電極２
２ｂとAl電極２７ｂとが交差する部分（画素に
相当する）では橙色の発光が透明電極２２ａと
Al電極２７ｂとが交差する部分および透明電極
２２ｂとAl電極２７ａとが交差する部分では緑
色の発光が得られる。なお、第２図は第３図Ｈの
Ｚ−Z′断面図である。
電極２２とAl電極２７との間に交流電圧を印加
すると、透明電極２２ａとAl電極２７ａとが交
差する部分（画素に相当する）および透明電極２
２ｂとAl電極２７ｂとが交差する部分（画素に
相当する）では橙色の発光が透明電極２２ａと
Al電極２７ｂとが交差する部分および透明電極
２２ｂとAl電極２７ａとが交差する部分では緑
色の発光が得られる。なお、第２図は第３図Ｈの
Ｚ−Z′断面図である。
第２図から明らかなように、薄膜ELパネルの
基本構造は透明電極−絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−
Al電極の５層構造であり、発光色の数すなわち
ZnS膜の数とは無関係に常に一定（５層）であ
る。従つて、従来の多段積層による膜剥離の問題
は解決され、３色以上の多色パネルも容易に製作
できる。
基本構造は透明電極−絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−
Al電極の５層構造であり、発光色の数すなわち
ZnS膜の数とは無関係に常に一定（５層）であ
る。従つて、従来の多段積層による膜剥離の問題
は解決され、３色以上の多色パネルも容易に製作
できる。
また透明な中間電極を設ける必要がないから、
中間電極の酸系エツチヤントで下部のZnS膜が侵
されるおそれは全くない。さらにリフトオフ法を
用いてZnS膜の選択形成を行つているので、１mm
以下の微細パターンの多色パネルの製作が可能で
ある。
中間電極の酸系エツチヤントで下部のZnS膜が侵
されるおそれは全くない。さらにリフトオフ法を
用いてZnS膜の選択形成を行つているので、１mm
以下の微細パターンの多色パネルの製作が可能で
ある。
第４図は本発明による方法で製造した多色発光
薄膜ELパネルの他の実施例の断面構造を示して
おり、この実施例は片側絶縁型薄膜ELパネルの
例で、第２図に示した実施例におけるZnS膜の下
の絶縁膜２３がないことが特徴である。
薄膜ELパネルの他の実施例の断面構造を示して
おり、この実施例は片側絶縁型薄膜ELパネルの
例で、第２図に示した実施例におけるZnS膜の下
の絶縁膜２３がないことが特徴である。
図において、４０は基板ガラス、４１はiToな
どの透明電極、４２および４３はそれぞれ前の実
施例と同様にリフトオフ法で形成されたZnS：
Mn膜およびZnS：TbF3膜、４４は真空蒸着され
たY2O3などの絶縁膜、４５ａ，４５ｂは真空蒸
着後、ホトリゾグラフイで形成されたAl電極で
ある。
どの透明電極、４２および４３はそれぞれ前の実
施例と同様にリフトオフ法で形成されたZnS：
Mn膜およびZnS：TbF3膜、４４は真空蒸着され
たY2O3などの絶縁膜、４５ａ，４５ｂは真空蒸
着後、ホトリゾグラフイで形成されたAl電極で
ある。
このELパネルの製造方法はZnS膜の下に絶縁
膜を設ける蒸着工程がない点を除けば第２図の実
施例と同じであるので説明は省略する。
膜を設ける蒸着工程がない点を除けば第２図の実
施例と同じであるので説明は省略する。
この実施例はZnS膜の下に絶縁膜がないパネル
の例であるが、この他にZnS膜の上に絶縁膜がな
い片側絶縁型薄膜ELパネルや絶縁膜が全くない
薄膜ELパネルにも本発明が適用できることは言
うまでもない。
の例であるが、この他にZnS膜の上に絶縁膜がな
い片側絶縁型薄膜ELパネルや絶縁膜が全くない
薄膜ELパネルにも本発明が適用できることは言
うまでもない。
第５図は本発明による方法で製造した多色発光
薄膜ELパネルのさらに他の実施例の断面構造を
示す。
薄膜ELパネルのさらに他の実施例の断面構造を
示す。
図において５０は基板ガラス、５１は透明電
極、５２，５４はそれぞれZnS：Mn膜、ZnS：
TbF3膜、５３はY2O3などの絶縁膜、５５ａ，５
５ｂはAl電極である。この実施例も片側絶縁型
ELパネルの例であるが、絶縁膜の位置がZnS：
Mn膜５２とZnS：TbF3膜５４とでは異なる。
極、５２，５４はそれぞれZnS：Mn膜、ZnS：
TbF3膜、５３はY2O3などの絶縁膜、５５ａ，５
５ｂはAl電極である。この実施例も片側絶縁型
ELパネルの例であるが、絶縁膜の位置がZnS：
Mn膜５２とZnS：TbF3膜５４とでは異なる。
基板ガラス５０に透明電極５１を形成した後、
まずZnS：Mn膜５２をリフトオフ法を用いて選
択蒸着する。次にY2O3などの絶縁膜５３を真空
蒸着する。つづいて再びリフトオフ法を用いて
ZnS：TbF3膜５４を選択蒸着する。最後にAlを
蒸着した後ホトリゾグラフイでAl電極５５ａ，
５５ｂを形成する。
まずZnS：Mn膜５２をリフトオフ法を用いて選
択蒸着する。次にY2O3などの絶縁膜５３を真空
蒸着する。つづいて再びリフトオフ法を用いて
ZnS：TbF3膜５４を選択蒸着する。最後にAlを
蒸着した後ホトリゾグラフイでAl電極５５ａ，
５５ｂを形成する。
上記実施例ではいずれもZnSの選択蒸着の手段
としてリフトオフ法を用いたが、表示パターンの
精度がそれほど要求されない場合には蒸着マスク
を用いてもよい。
としてリフトオフ法を用いたが、表示パターンの
精度がそれほど要求されない場合には蒸着マスク
を用いてもよい。
(ホ) 発明の効果
以上説明したように、本発明においては透明基
板上の透明電極と背面電極との間に発光色の異な
る複数の発光層を発光層どうしが重ならないよう
にリフトオフ法により形成するに当り、発光層の
蒸着温度に耐えるレジストを用いるとともに発光
層の蒸着に先立つて透明基板温度を発光層蒸着温
度にまで加熱するようにしたので、膜剥れの発生
がなくなり歩留りが向上し、酸系エツチヤントに
よりZnS膜が侵食されるおそれが全くなくなり、
パネルの歩留り、信頼性が向上する。また同一基
板上で３色以上の高輝度の多色発光が実現でき
る。さらにZnS膜の選択蒸着の手段としてリフト
オフ法を用いると、１mm以下の微細パターンを有
するパネルで多色化ができる。
板上の透明電極と背面電極との間に発光色の異な
る複数の発光層を発光層どうしが重ならないよう
にリフトオフ法により形成するに当り、発光層の
蒸着温度に耐えるレジストを用いるとともに発光
層の蒸着に先立つて透明基板温度を発光層蒸着温
度にまで加熱するようにしたので、膜剥れの発生
がなくなり歩留りが向上し、酸系エツチヤントに
よりZnS膜が侵食されるおそれが全くなくなり、
パネルの歩留り、信頼性が向上する。また同一基
板上で３色以上の高輝度の多色発光が実現でき
る。さらにZnS膜の選択蒸着の手段としてリフト
オフ法を用いると、１mm以下の微細パターンを有
するパネルで多色化ができる。
第１図は従来の多色発光薄膜ELパネルの構造
を示す断面図、第２図は本発明の製造方法により
製作された多色発光薄膜ELパネルの一実施例の
構造断面図、第３図は第２図に示した多色発光薄
膜ELパネルの製造方法の工程図、第４図は本発
明の製造方法により製造された多色発光薄膜EL
パネルの他の実施例の構造断面図、第５図は本発
明の製造方法により製造された多色発光薄膜EL
パネルのさらに他の実施例３の構造断面図であ
る。 １，２２，２２ａ，２２ｂ，４１，５１……透
明電極、２，２１，４０，５０……基板ガラス、
３，５，７，９，２３，２６，４４，５３……絶
縁膜、４，２４，２４′，４２，５２……ZnS：
Mn膜、６……中間電極、８，２５，４３，５４
……ZnS：TbF3膜、１０，２７，２７ａ，２７
ｂ，４５ａ，４５ｂ，５５ａ，５５ｂ……Al電
極、１２，２８……交流電圧、３０……レジス
ト、３１……くり抜き部。
を示す断面図、第２図は本発明の製造方法により
製作された多色発光薄膜ELパネルの一実施例の
構造断面図、第３図は第２図に示した多色発光薄
膜ELパネルの製造方法の工程図、第４図は本発
明の製造方法により製造された多色発光薄膜EL
パネルの他の実施例の構造断面図、第５図は本発
明の製造方法により製造された多色発光薄膜EL
パネルのさらに他の実施例３の構造断面図であ
る。 １，２２，２２ａ，２２ｂ，４１，５１……透
明電極、２，２１，４０，５０……基板ガラス、
３，５，７，９，２３，２６，４４，５３……絶
縁膜、４，２４，２４′，４２，５２……ZnS：
Mn膜、６……中間電極、８，２５，４３，５４
……ZnS：TbF3膜、１０，２７，２７ａ，２７
ｂ，４５ａ，４５ｂ，５５ａ，５５ｂ……Al電
極、１２，２８……交流電圧、３０……レジス
ト、３１……くり抜き部。
Claims (1)
- １ 透明基板上の透明電極と背面電極との間に、
発光色の異なる複数の発光層を発光層どうしが重
ならないように形成する多色発光薄膜ELパネル
の製造方法において、前記透明電極上に発光層形
成部分を除いて発光層の蒸着温度に耐えるレジス
トを形成する工程と、前記透明基板温度を発光層
の蒸着温度まで加熱する工程と、発光層を蒸着す
る工程と、前記発光層形成部分を除いて剥離液に
より前記発光層を前記レジストと共に除去する工
程とを含むことを特徴とする多色発光薄膜ELパ
ネルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| US06/672,208 US4728519A (en) | 1983-12-09 | 1984-11-16 | Polychromatic electroluminescent panel |
| GB08429237A GB2151077B (en) | 1983-12-09 | 1984-11-20 | Polychromatic electroluminescent panel |
| DE19843444063 DE3444063A1 (de) | 1983-12-09 | 1984-12-03 | Mehrfarbiges elektrolumineszenz-anzeigefeld |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124393A JPS60124393A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0155757B2 true JPH0155757B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=16922142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231343A Granted JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728519A (ja) |
| JP (1) | JPS60124393A (ja) |
| DE (1) | DE3444063A1 (ja) |
| GB (1) | GB2151077B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107696A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP3586939B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US5601467A (en) * | 1995-06-19 | 1997-02-11 | Northrop Grumman Corporation | Method for manufacturing a low resistant electroluminescent display device |
| US5641611A (en) * | 1995-08-21 | 1997-06-24 | Motorola | Method of fabricating organic LED matrices |
| US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
| JP2000173301A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Seiko Epson Corp | 圧電発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2924732A (en) * | 1957-07-05 | 1960-02-09 | Westinghouse Electric Corp | Area-type light source |
| US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
| US3919589A (en) * | 1973-04-06 | 1975-11-11 | Rca Corp | Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity |
| GB1559850A (en) * | 1975-12-23 | 1980-01-30 | Smiths Industries Ltd | Electroluminescent display devices |
| US4155627A (en) * | 1976-02-02 | 1979-05-22 | Rca Corporation | Color diffractive subtractive filter master recording comprising a plurality of superposed two-level relief patterns on the surface of a substrate |
| US4117177A (en) * | 1976-09-13 | 1978-09-26 | Gte Laboratories Incorporated | Laser lithography of thin film resinates |
| JPS54155789A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Sharp Corp | Structure of thin-film el element |
| JPS54366A (en) * | 1978-06-12 | 1979-01-05 | Hitachi Metals Ltd | Method of magnetically conveying magnetic bar |
| US4234669A (en) * | 1979-03-27 | 1980-11-18 | Rca Corporation | CRT Screen structure produced by photographic method |
| US4326007A (en) * | 1980-04-21 | 1982-04-20 | University Of Delaware | Electo-luminescent structure |
| JPS58144803A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Canon Inc | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
| US4485158A (en) * | 1983-10-17 | 1984-11-27 | Rca Corporation | Method for preparing a mosaic luminescent screen using a mosaic precoating |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231343A patent/JPS60124393A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-16 US US06/672,208 patent/US4728519A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-20 GB GB08429237A patent/GB2151077B/en not_active Expired
- 1984-12-03 DE DE19843444063 patent/DE3444063A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2151077B (en) | 1987-08-05 |
| GB2151077A (en) | 1985-07-10 |
| GB8429237D0 (en) | 1984-12-27 |
| DE3444063C2 (ja) | 1988-12-29 |
| JPS60124393A (ja) | 1985-07-03 |
| US4728519A (en) | 1988-03-01 |
| DE3444063A1 (de) | 1985-06-20 |
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