JPS61107696A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPS61107696A JPS61107696A JP59230867A JP23086784A JPS61107696A JP S61107696 A JPS61107696 A JP S61107696A JP 59230867 A JP59230867 A JP 59230867A JP 23086784 A JP23086784 A JP 23086784A JP S61107696 A JPS61107696 A JP S61107696A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、電界の印加に応答してEL発光を呈する薄1
摸発光層を複数個平面状に配設した薄膜EL素子に関す
るものであり、特に多色発光を得るための素子構造に関
するものである。
摸発光層を複数個平面状に配設した薄膜EL素子に関す
るものであり、特に多色発光を得るための素子構造に関
するものである。
〈従来技術〉
従来より、大面積の薄型発光表示部に利用されている薄
膜EL素子を多色化してカラー表示する場合の素子構造
としては、基板上に異なるEL発光を呈する発光層を順
次多層に積層し、各発光層に電極を形成した構造と、異
なるEL発元を呈する小面積の発光層を同一平面状で順
次交互に複数個マトリックス状に配設してマトリックス
電極構造とI対lに対応させた構造が知られている。電
極構造や薄膜を多層化する上での面の均一性全考慮した
場合には、後者の方が作製が容易である。
膜EL素子を多色化してカラー表示する場合の素子構造
としては、基板上に異なるEL発光を呈する発光層を順
次多層に積層し、各発光層に電極を形成した構造と、異
なるEL発元を呈する小面積の発光層を同一平面状で順
次交互に複数個マトリックス状に配設してマトリックス
電極構造とI対lに対応させた構造が知られている。電
極構造や薄膜を多層化する上での面の均一性全考慮した
場合には、後者の方が作製が容易である。
@2図(A)(Bl (C)(I)はこの構造の製造工
程を説明する1説明図である。ガラス基板l上に帯状の
透明電極2を平行配列し、この上にY2O3,Si:+
N4 等から成る下部の誘電体層3を堆積する。次に
誘電体層3上にEL発光色を決定する活性物質のドープ
されたZnS、Zn5e等から成る第1発光層4aを層
設した後、フォトレジスト8のパターン全形成して湿式
あるいは乾式エツチングにより第1発光層4i’に矩形
の絵素にパターン化する。次にフォトレジスト8を除去
した後、第1発光層4aと異なるEL発元色を呈する第
2発光層4bを堆積する。%1発光層4aの配列間隙に
位置する第2発元層4b上に7オトレジスト8をパター
ン形成してエツチングすることにより、第1発光層4a
に並置して第2発元層4bが配設される。第1発光層4
a及び第2発光層4bを埋設するように上部の誘電体層
5を堆積し、この誘電体層5上に透明電極2と直交する
方向に帯状の背面電極7全形成してマトリックス電極と
する。第1発光層4aと第2発光層4bの各1個はマト
リックス電極の交点で形成される絵素1個に対応してい
る。
程を説明する1説明図である。ガラス基板l上に帯状の
透明電極2を平行配列し、この上にY2O3,Si:+
N4 等から成る下部の誘電体層3を堆積する。次に
誘電体層3上にEL発光色を決定する活性物質のドープ
されたZnS、Zn5e等から成る第1発光層4aを層
設した後、フォトレジスト8のパターン全形成して湿式
あるいは乾式エツチングにより第1発光層4i’に矩形
の絵素にパターン化する。次にフォトレジスト8を除去
した後、第1発光層4aと異なるEL発元色を呈する第
2発光層4bを堆積する。%1発光層4aの配列間隙に
位置する第2発元層4b上に7オトレジスト8をパター
ン形成してエツチングすることにより、第1発光層4a
に並置して第2発元層4bが配設される。第1発光層4
a及び第2発光層4bを埋設するように上部の誘電体層
5を堆積し、この誘電体層5上に透明電極2と直交する
方向に帯状の背面電極7全形成してマトリックス電極と
する。第1発光層4aと第2発光層4bの各1個はマト
リックス電極の交点で形成される絵素1個に対応してい
る。
上記構造の薄膜EL素子に於いては、発光層4a。
4bの数に応じてエツチング回数が増加するが、この場
合、第1発光層4aを配設した後の第2発光層4bのエ
ツチングに際して@1発元層4aもエツチングの影響を
受け、第2図(Qに示す如く第1発光層4aは層厚が不
均一なものとなる。また大面積表示素子であれば全域に
わたって均一なエツチング速度を得ることは困難であり
、これによっても第1発光層4aの層厚の不均一を招く
。従って、との層厚の不均一性がこの上に積層される誘
電体層5や背面電極7にも層厚の不均一や配列の乱れ等
の悪影響を及ぼし、また印加される電界の実効電界強度
が局部的に変化して輝度が不均一になるといった表示特
性の劣化を招くこととなる。
合、第1発光層4aを配設した後の第2発光層4bのエ
ツチングに際して@1発元層4aもエツチングの影響を
受け、第2図(Qに示す如く第1発光層4aは層厚が不
均一なものとなる。また大面積表示素子であれば全域に
わたって均一なエツチング速度を得ることは困難であり
、これによっても第1発光層4aの層厚の不均一を招く
。従って、との層厚の不均一性がこの上に積層される誘
電体層5や背面電極7にも層厚の不均一や配列の乱れ等
の悪影響を及ぼし、また印加される電界の実効電界強度
が局部的に変化して輝度が不均一になるといった表示特
性の劣化を招くこととなる。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、発光層の間隙にエツチン
グ作用を阻止するストッパー層を介在させて、同一平面
上に配列される複数の発光層の層厚を均一にすることに
より特性を良好にした多色発光型の薄膜EL素子を提供
することを目的とする0 〈実施例〉 第1図(八(ト)(Q(0は本発明のl実施例である薄
膜EL素子を製造工程に従って説明する工程図である0 パイレックスあるいはンーダガラス等のガラス基板lを
表面処理して清浄化した後、In2O3+Sn02等の
透明電極2fr、層設し、帯状の線電極群にエツチング
加工する。次にY2O3+ Ta 205 +Ti0z
、CeO2,5i02するいはSi3N4等から選択
。
グ作用を阻止するストッパー層を介在させて、同一平面
上に配列される複数の発光層の層厚を均一にすることに
より特性を良好にした多色発光型の薄膜EL素子を提供
することを目的とする0 〈実施例〉 第1図(八(ト)(Q(0は本発明のl実施例である薄
膜EL素子を製造工程に従って説明する工程図である0 パイレックスあるいはンーダガラス等のガラス基板lを
表面処理して清浄化した後、In2O3+Sn02等の
透明電極2fr、層設し、帯状の線電極群にエツチング
加工する。次にY2O3+ Ta 205 +Ti0z
、CeO2,5i02するいはSi3N4等から選択
。
された材料より成る下部の誘電体層3を堆積し、この誘
電体層3t−発光層形成用下地層として例えばMn ド
ープZnS から成る第1発光層4aを電子ビーム蒸着
法で積層する。第1発光層4a上にフォトレジスIf堆
積してパターン化し、湿式又は乾式のエツチングにより
第1発光層4at矩形の絵素となるように加工した後、
フォトレジスト全除去する。次にこのように形成された
第1発元層4aと誘電体層3の表面にエツチングのスト
ッパー層9として厚さJOA〜300A程度の薄い膜を
全面被覆する。ストッパー層9としてはS + 021
Y203 +AtzO3t TazOs + BaTi
O2等の酸化物、Si3N4等の窒化物、SiC等の炭
化物が用いられ、エツチングの影響を第1発元層4aに
及ぼさない範囲で極力薄く被覆される。以上により得ら
れた構造を第1図(八に示す。
電体層3t−発光層形成用下地層として例えばMn ド
ープZnS から成る第1発光層4aを電子ビーム蒸着
法で積層する。第1発光層4a上にフォトレジスIf堆
積してパターン化し、湿式又は乾式のエツチングにより
第1発光層4at矩形の絵素となるように加工した後、
フォトレジスト全除去する。次にこのように形成された
第1発元層4aと誘電体層3の表面にエツチングのスト
ッパー層9として厚さJOA〜300A程度の薄い膜を
全面被覆する。ストッパー層9としてはS + 021
Y203 +AtzO3t TazOs + BaTi
O2等の酸化物、Si3N4等の窒化物、SiC等の炭
化物が用いられ、エツチングの影響を第1発元層4aに
及ぼさない範囲で極力薄く被覆される。以上により得ら
れた構造を第1図(八に示す。
ストッパー層9上には希土類フン化物がドープされたZ
nSから成る第2発光層4bを全面堆積する。第2発元
層4bは第1発光層4aの配列間隙に配設されるもので
あるため、フォトレジスト8をこの部分にパターン形成
した後、他の部分の第2発光層4bをエツチングする。
nSから成る第2発光層4bを全面堆積する。第2発元
層4bは第1発光層4aの配列間隙に配設されるもので
あるため、フォトレジスト8をこの部分にパターン形成
した後、他の部分の第2発光層4bをエツチングする。
この工程を第1図(I19及び(Qに示す。尚、発光層
4a、41)の母体材料tZnsとした場合、HCl、
HFO2るいはHNo3等の酸で発光層4a、4b’i
エツチングすることができる。またストッパー層9U酸
ではエツチングされない。従って、第2発光層4bのエ
ツチング時にストッパー層9で%I発元層4aがエツチ
ング液から保護され、誘電体層3上に順次交互に配列さ
れる小面積の第1発光層4aと第2発元層4bはエツチ
ング加工によって均一な膜厚に制御設定することができ
る。%1発元層4a上のストッパー層9表面と第2発元
層4b表面は平坦な平面となり、この上に堆積される層
は均一に層設される。
4a、41)の母体材料tZnsとした場合、HCl、
HFO2るいはHNo3等の酸で発光層4a、4b’i
エツチングすることができる。またストッパー層9U酸
ではエツチングされない。従って、第2発光層4bのエ
ツチング時にストッパー層9で%I発元層4aがエツチ
ング液から保護され、誘電体層3上に順次交互に配列さ
れる小面積の第1発光層4aと第2発元層4bはエツチ
ング加工によって均一な膜厚に制御設定することができ
る。%1発元層4a上のストッパー層9表面と第2発元
層4b表面は平坦な平面となり、この上に堆積される層
は均一に層設される。
次に上部誘電体層5を下部誘電体層3と同様な材料群よ
り選択して形成する。この層は湿気の侵入防止あるいは
微小クラックの補償等を企図して酸化物と窒化物等から
成る2層以上の多層膜構造としても良い。誘電体層5を
堆積することにより、発光層4a、4bが上下の誘電体
層3,5中に埋設される。誘電体層5上にはAt等の金
属から成る背面電極7を蒸着形成し、エツチングにより
透明電極2と直交する方向の線電極群とする。これによ
って、透明電極2と背面電極7から成る電極間距離の一
定したかつ正規配列されたマ) IJソックス極構造が
構成される。マトリックス電極構造の各交点で表示絵素
が形成されまたこの交点の個個に対応して第1発光層4
a又は第2発光層4bのいずれか1個が介在されている
。以上により得られた薄膜EL素子の構造を第1図(Q
に示す。尚、発光特性の安定化を期すため、必要に応じ
て熱処理等を施す。
り選択して形成する。この層は湿気の侵入防止あるいは
微小クラックの補償等を企図して酸化物と窒化物等から
成る2層以上の多層膜構造としても良い。誘電体層5を
堆積することにより、発光層4a、4bが上下の誘電体
層3,5中に埋設される。誘電体層5上にはAt等の金
属から成る背面電極7を蒸着形成し、エツチングにより
透明電極2と直交する方向の線電極群とする。これによ
って、透明電極2と背面電極7から成る電極間距離の一
定したかつ正規配列されたマ) IJソックス極構造が
構成される。マトリックス電極構造の各交点で表示絵素
が形成されまたこの交点の個個に対応して第1発光層4
a又は第2発光層4bのいずれか1個が介在されている
。以上により得られた薄膜EL素子の構造を第1図(Q
に示す。尚、発光特性の安定化を期すため、必要に応じ
て熱処理等を施す。
透明電極2と背面電極7を介して交流電界を印加すると
誘電体層3.5を介して発光層4 a + 4 b内へ
電界が誘起され、この電界によって伝導帯に励起された
キャリアが発光層界面へ掃引される際に活性物質の発光
センタと衝突してこれを刺激し刺激された発光センタが
基底状態に戻る際に放出止 する運動エネルギーが電磁スペクトルに変換されてEL
発元が生起される。%1発光層4aは活性物質がMnで
あるため黄橙色の発光色となり、第2発光層4bは活性
物質が希土類のフッ化物でろるためこれに応じた赤色、
緑色あるいはその他の発光色を呈する。透明電極2と背
面電極7の各線電極を選択して適宜電圧を印加すること
により、マトリックス状の表示パターンと同時に発光色
も決定され多色カラー表示が行なわれる。尚、ストッパ
ー層9は電界の印加に対しては誘電体層と同□ 様な作
用を呈し、同一発光色の発光層では同じような被覆状態
で形成されているため、輝度不均一等の悪影響を与える
ことはない。
誘電体層3.5を介して発光層4 a + 4 b内へ
電界が誘起され、この電界によって伝導帯に励起された
キャリアが発光層界面へ掃引される際に活性物質の発光
センタと衝突してこれを刺激し刺激された発光センタが
基底状態に戻る際に放出止 する運動エネルギーが電磁スペクトルに変換されてEL
発元が生起される。%1発光層4aは活性物質がMnで
あるため黄橙色の発光色となり、第2発光層4bは活性
物質が希土類のフッ化物でろるためこれに応じた赤色、
緑色あるいはその他の発光色を呈する。透明電極2と背
面電極7の各線電極を選択して適宜電圧を印加すること
により、マトリックス状の表示パターンと同時に発光色
も決定され多色カラー表示が行なわれる。尚、ストッパ
ー層9は電界の印加に対しては誘電体層と同□ 様な作
用を呈し、同一発光色の発光層では同じような被覆状態
で形成されているため、輝度不均一等の悪影響を与える
ことはない。
上記実施例は2種類の異なるEL発元を呈する発光層を
同一面上に並置した場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、三原色を得るだめの3
種類の発光層を並置するとともできまた4種類以上の発
光層を配列しても良い。さらにマトリックス電極以外に
セグメント電極、図形や模様等を表示す−るための・く
ターン電極゛11 等と組み合わせて適宜必要な発光色の発光層を設けるこ
とも可能であるO 〈発明の効果〉 以上詳説した如く、本発明によれば複数の発光層を並置
した場合に各発光層の層厚が均一で表示領域の全面にわ
たって同一色の輝度が略々同一値を呈する表示特性の良
い薄膜EL素子を得ることができる。また製作面に於い
ても発光層のエツチング条件の管理が容易となり再現性
の良い製造ラインを確立することができるといった波及
的効果がある。
同一面上に並置した場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、三原色を得るだめの3
種類の発光層を並置するとともできまた4種類以上の発
光層を配列しても良い。さらにマトリックス電極以外に
セグメント電極、図形や模様等を表示す−るための・く
ターン電極゛11 等と組み合わせて適宜必要な発光色の発光層を設けるこ
とも可能であるO 〈発明の効果〉 以上詳説した如く、本発明によれば複数の発光層を並置
した場合に各発光層の層厚が均一で表示領域の全面にわ
たって同一色の輝度が略々同一値を呈する表示特性の良
い薄膜EL素子を得ることができる。また製作面に於い
ても発光層のエツチング条件の管理が容易となり再現性
の良い製造ラインを確立することができるといった波及
的効果がある。
第1図(A)(B)(Q (IIは本発明の1実施例を
製造工程に従って説明する薄膜EL素子の製造工程図で
ある。 第2図(A)(B)(C)(Qは従来の薄膜EL素子の
製造工程図である。 I・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3.5・・・
誘電体層、4a・・・第1発光層、4b・・・第2発元
層、7・・・背面電極、9・・・ストッパー層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図 I \
へη へ )
製造工程に従って説明する薄膜EL素子の製造工程図で
ある。 第2図(A)(B)(C)(Qは従来の薄膜EL素子の
製造工程図である。 I・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3.5・・・
誘電体層、4a・・・第1発光層、4b・・・第2発元
層、7・・・背面電極、9・・・ストッパー層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図 I \
へη へ )
Claims (1)
- 1、異なる発光色を呈する複数の発光層を表示面と平行
方向に並設して成る薄膜EL素子に於いて、前記発光層
の各隣接する部分に前記発光層のエッチング液に対して
安定な誘電体材料から成るストッパー層を介在せしめた
ことを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59230867A JPS61107696A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59230867A JPS61107696A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61107696A true JPS61107696A (ja) | 1986-05-26 |
JPH0119759B2 JPH0119759B2 (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=16914547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59230867A Granted JPS61107696A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61107696A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6366896A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | 日本電信電話株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
JPH0212793A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Pioneer Electron Corp | 多色化固体表示装置の製造法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0424374A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-28 | Kenjiro Tanaka | 片持昇降横行式多段格納装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS4923621A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-03-02 | ||
JPS57167693A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Nec Corp | Manufacture of optical semiconductor element |
JPS60124393A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | 日産自動車株式会社 | 多色発光薄膜elパネルの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP59230867A patent/JPS61107696A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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