JPS60124393A - 多色発光薄膜elパネルの製造方法 - Google Patents
多色発光薄膜elパネルの製造方法Info
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- JPS60124393A JPS60124393A JP58231343A JP23134383A JPS60124393A JP S60124393 A JPS60124393 A JP S60124393A JP 58231343 A JP58231343 A JP 58231343A JP 23134383 A JP23134383 A JP 23134383A JP S60124393 A JPS60124393 A JP S60124393A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table characterised by the doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)技術分野
本発明は、膜剥れがなく歩留りのよい多色発光薄膜EL
パ杢ルの製造方法に関する。
パ杢ルの製造方法に関する。
(ロ)従来技術
従来、ELパネルで多色を発光はせようとする試みが種
々なされており、特開昭54−155789号には透明
基板上に異なる発光色3呈する領域多色発光′fIJ膜
EL素子が提案されている。このEL素子は構造上混合
色は得られるが単色は得られず、しかも混合色も一種類
の色に限定されてしまう。
々なされており、特開昭54−155789号には透明
基板上に異なる発光色3呈する領域多色発光′fIJ膜
EL素子が提案されている。このEL素子は構造上混合
色は得られるが単色は得られず、しかも混合色も一種類
の色に限定されてしまう。
多色発光でしかも発光色が変えられるEL素子パネルと
しては、たとえばS I D (5ocietyof
Information Display)のシンポジ
ウム ダイジェスト 1982年 第128頁〜第12
9頁に示されているようなものがある。第1図はこの文
献に開示されている多色発光#膜ELパネル牙示してお
り、透明電極1が形成された基板ガラス2の上に、透明
な絶縁膜(たとえばy2o、 ) 3と、不純物として
Mnを添加したZnS:Mn膜4と、透明な絶縁膜(た
とえばY2O3) 5とを順次それぞれ5000 A〜
1000 Aの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透明
な絶縁膜5の上には所望のパターンの透明な中間電極6
を形成し、この中間電極6の上に再び透明な絶縁膜(た
とえばYxOs ) 7と、不純物としてTbF3 E
添加したZnS : TbF3膜8と、透明な絶縁膜(
たとえばY2O2) 9とをそれぞれ2000 X〜1
0000 Xの膜厚で積層する。その後この透明な絶縁
膜9の上と、透明電極1と交差する中間電極6の上とに
AtIE極10,11をそれぞれ形成する。
しては、たとえばS I D (5ocietyof
Information Display)のシンポジ
ウム ダイジェスト 1982年 第128頁〜第12
9頁に示されているようなものがある。第1図はこの文
献に開示されている多色発光#膜ELパネル牙示してお
り、透明電極1が形成された基板ガラス2の上に、透明
な絶縁膜(たとえばy2o、 ) 3と、不純物として
Mnを添加したZnS:Mn膜4と、透明な絶縁膜(た
とえばY2O3) 5とを順次それぞれ5000 A〜
1000 Aの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透明
な絶縁膜5の上には所望のパターンの透明な中間電極6
を形成し、この中間電極6の上に再び透明な絶縁膜(た
とえばYxOs ) 7と、不純物としてTbF3 E
添加したZnS : TbF3膜8と、透明な絶縁膜(
たとえばY2O2) 9とをそれぞれ2000 X〜1
0000 Xの膜厚で積層する。その後この透明な絶縁
膜9の上と、透明電極1と交差する中間電極6の上とに
AtIE極10,11をそれぞれ形成する。
このような構造のパネルにI KHz 200 Vrm
s程度の交流電圧を印加すると図のDの方向に橙色、G
の方向に緑色の発光?呈する。すなわち中間電極6と基
板側の透明電極1との間に交流電圧12牙印加すると、
画電極に挾まれるZnS 二Mn+y;i 4がl1i
lJ起草れて橙色に発光し、この橙色の発光に透明な絶
縁膜3、透明電極1、基板ガラス2を通過してパネルの
外へ政出埒れる。一方中間■極6とAt市極10との間
に交流電圧】3を印JJOすると、両電極に挾まれるZ
nS : TbFs膜8が励kLされ緑色に発光し、こ
の緑色発光はそれぞれ透明な絶縁膜5 、ZnS :
Mn膜4、透明な絶縁膜3および基板ガラス2を通過し
てパネルの外へ放出される。ただし第1図では橙色を発
色する領域と緑色を発色する領域とが平面的にずれてい
るように表現されているが、実際はそうではなく同一の
領域である点注意を要する。
s程度の交流電圧を印加すると図のDの方向に橙色、G
の方向に緑色の発光?呈する。すなわち中間電極6と基
板側の透明電極1との間に交流電圧12牙印加すると、
画電極に挾まれるZnS 二Mn+y;i 4がl1i
lJ起草れて橙色に発光し、この橙色の発光に透明な絶
縁膜3、透明電極1、基板ガラス2を通過してパネルの
外へ政出埒れる。一方中間■極6とAt市極10との間
に交流電圧】3を印JJOすると、両電極に挾まれるZ
nS : TbFs膜8が励kLされ緑色に発光し、こ
の緑色発光はそれぞれ透明な絶縁膜5 、ZnS :
Mn膜4、透明な絶縁膜3および基板ガラス2を通過し
てパネルの外へ放出される。ただし第1図では橙色を発
色する領域と緑色を発色する領域とが平面的にずれてい
るように表現されているが、実際はそうではなく同一の
領域である点注意を要する。
上記例では、橙色と緑色の2色の発光色であるが、透明
な絶縁膜3とZnS : TbF3膜8の代りに次のよ
うな不純物を添加したZnS膜を用いることにより、異
なる色での発光がn」能である。
な絶縁膜3とZnS : TbF3膜8の代りに次のよ
うな不純物を添加したZnS膜を用いることにより、異
なる色での発光がn」能である。
すなわち不純物としてP r F zを添加すると白、
DYF、を添加すると黄、TmF3を添加すると青にな
る。また上記例では2色発光であるが、At屯積極10
透明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ZnS膜−絶縁
膜−透明電極(ただし最後はa電極)の4層を重ねた構
造とすることにより3色以上の発光色を得ることが原理
的に可能である。
DYF、を添加すると黄、TmF3を添加すると青にな
る。また上記例では2色発光であるが、At屯積極10
透明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ZnS膜−絶縁
膜−透明電極(ただし最後はa電極)の4層を重ねた構
造とすることにより3色以上の発光色を得ることが原理
的に可能である。
このような多色発光薄膜FJL2クネルにオイテは、中
間電極の上に、絶縁膜−ZnS膜−絶稙膜一中間電極の
4層構造を色の数だけ重ねて多色発光させているために
次のような問題があった。
間電極の上に、絶縁膜−ZnS膜−絶稙膜一中間電極の
4層構造を色の数だけ重ねて多色発光させているために
次のような問題があった。
(1)発光色の数をNとすると、/々ネル上での膜の積
層数は(4N+1)と膨大な数になり、膜2重ねていく
うちに上剥れが発生しやすく、歩留りが悪い。経験的に
最も上剥れの発生しやすい場所1jZns膜とその上の
絶縁膜との間と、中間電極とその上の絶縁膜との間であ
る。
層数は(4N+1)と膨大な数になり、膜2重ねていく
うちに上剥れが発生しやすく、歩留りが悪い。経験的に
最も上剥れの発生しやすい場所1jZns膜とその上の
絶縁膜との間と、中間電極とその上の絶縁膜との間であ
る。
(2)透明な中間電極6はホトリゾグラフィーでパター
ン形成場れるが、化学的な性質上酸系のエッチャント(
たとえばiTo (m化インジウムと酸化スズとの混合
F#J)膜ではH2O: HCt: HNOs= 1
: 1 : 0.1の混蝕液)を用いる。このため酸に
極めて弱い下部Zn3 : Mn膜4がエツチングの際
、透明な絶縁膜5のピンホールやクラックを曲して浸入
してきたエッチャントに侵され、歩留りが悪くなる。(
蒸着マスクを用いても中間電極6は形成できるが1朋以
下の微細パターンの11〉我には実用的でない)。
ン形成場れるが、化学的な性質上酸系のエッチャント(
たとえばiTo (m化インジウムと酸化スズとの混合
F#J)膜ではH2O: HCt: HNOs= 1
: 1 : 0.1の混蝕液)を用いる。このため酸に
極めて弱い下部Zn3 : Mn膜4がエツチングの際
、透明な絶縁膜5のピンホールやクラックを曲して浸入
してきたエッチャントに侵され、歩留りが悪くなる。(
蒸着マスクを用いても中間電極6は形成できるが1朋以
下の微細パターンの11〉我には実用的でない)。
(3)上記問題(])、(2)の発生率に発光色が増え
るに従って指数関数的に増大するため、歩留りを考慮す
ると工業的に実現可能な発光色の数は2〜3色にとどま
るため色彩面に関する造形上の要求に充分答えられず、
商品性に乏しい。
るに従って指数関数的に増大するため、歩留りを考慮す
ると工業的に実現可能な発光色の数は2〜3色にとどま
るため色彩面に関する造形上の要求に充分答えられず、
商品性に乏しい。
(ハ)発明の目的および構成
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、透明基
板上の透明電極と背面電極との間に異なる発光色を有す
る複数の発光層を挾持して成る薄膜ELパネルを上剥れ
せず歩留りよく製造することを目的とし、そのために、
透明電極と背面電極との交差領域に異なる発光色の発光
層をリフトオフ法で発光層どうしが重ならないように選
択的に蒸着するようにしたものである。
板上の透明電極と背面電極との間に異なる発光色を有す
る複数の発光層を挾持して成る薄膜ELパネルを上剥れ
せず歩留りよく製造することを目的とし、そのために、
透明電極と背面電極との交差領域に異なる発光色の発光
層をリフトオフ法で発光層どうしが重ならないように選
択的に蒸着するようにしたものである。
に)実施例
以下、本発明企図面に基づいて説明する。
第2図に本発明方法により製造した多色発光薄膜ELパ
ネルの一実施例の断面構造を示しており、21は基板ガ
ラス、22は透明電極、23゜26はY2O3などの透
明な絶縁膜で、絶縁膜26の上に1″iAA?fi極2
7aと27bとが設けられている。一方透明な絶縁膜2
3と26との間にはZnS : Mnn膜種4ZnS
: TbF3膜25上25けられており、これらの膜2
4.25の面積はそれぞれA1.”ll極27aと透明
電極22とが交差する面積およびkLWL極27bと透
明電極22とが交差する面積よりも大きい。透明電極2
2とA7’[極27aとの間にI KHz 200 V
rms程度の交流電圧28を印加すると、ZnS :
Mn膜24が橙色に発光する。また透明電極22とa電
極27bとの間に交流電圧29を印加すると、ZnS
: TbF3膜25膜形5に発光する。
ネルの一実施例の断面構造を示しており、21は基板ガ
ラス、22は透明電極、23゜26はY2O3などの透
明な絶縁膜で、絶縁膜26の上に1″iAA?fi極2
7aと27bとが設けられている。一方透明な絶縁膜2
3と26との間にはZnS : Mnn膜種4ZnS
: TbF3膜25上25けられており、これらの膜2
4.25の面積はそれぞれA1.”ll極27aと透明
電極22とが交差する面積およびkLWL極27bと透
明電極22とが交差する面積よりも大きい。透明電極2
2とA7’[極27aとの間にI KHz 200 V
rms程度の交流電圧28を印加すると、ZnS :
Mn膜24が橙色に発光する。また透明電極22とa電
極27bとの間に交流電圧29を印加すると、ZnS
: TbF3膜25膜形5に発光する。
次に上記ELパネルの製造方法を第3図に示した工程図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
良く洗浄した基板ガラス21のiToやIn2O3など
の透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフィで透明電極22
a 、22bを形成する(人工程)、つづいて絶縁膜2
3をスパッタリングや抵抗線加熱法などの手法で約50
0OAの膜厚に蒸着する( B二[キらへ ) 。
の透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフィで透明電極22
a 、22bを形成する(人工程)、つづいて絶縁膜2
3をスパッタリングや抵抗線加熱法などの手法で約50
0OAの膜厚に蒸着する( B二[キらへ ) 。
次にZnS : Mn膜24およびzns : TbF
3膜25膜形5であるが、これにはりフトオフ法(フォ
トリゾグラフィの一種)を用いる。すなわち絶縁[23
の上に少なくとも150Cの熱に耐え且つ酸系の現像液
、剥離液を使用しないレジスト(たとえば東京応化株式
会社製0FPR−soo )30を塗布し、後に橙色の
発光をさせるべき画素を含むくり抜き部31を形成する
(工程C)。
3膜25膜形5であるが、これにはりフトオフ法(フォ
トリゾグラフィの一種)を用いる。すなわち絶縁[23
の上に少なくとも150Cの熱に耐え且つ酸系の現像液
、剥離液を使用しないレジスト(たとえば東京応化株式
会社製0FPR−soo )30を塗布し、後に橙色の
発光をさせるべき画素を含むくり抜き部31を形成する
(工程C)。
次にくり抜き部31を有するレジスト30上に全面にわ
たって基板温度約150CでZnS :Mn膜24′を
電子ビーム蒸着機などで約800OAの厚さに蒸着する
(工程D)。
たって基板温度約150CでZnS :Mn膜24′を
電子ビーム蒸着機などで約800OAの厚さに蒸着する
(工程D)。
つづいて剥離液につけると、ZnS ’ Mn膜24′
はレジスト30にくり抜き都31に相当する部分24を
残してすべてレジストと一緒に取り除かれる(工程E)
。上記工程C,DSEがリフトオフ法である。
はレジスト30にくり抜き都31に相当する部分24を
残してすべてレジストと一緒に取り除かれる(工程E)
。上記工程C,DSEがリフトオフ法である。
再び工程C−Eと同様の工程を行い、こんどn ZnS
: TbFz膜25膜形5企形成工程F)。
: TbFz膜25膜形5企形成工程F)。
その後真空中で500Cで1時間程度の熱処理を行った
後、Zr+S膜を覆うようにY2O3flどの絶縁膜2
6を約5000 Xの厚嘔で蒸着する(工程G )。
後、Zr+S膜を覆うようにY2O3flどの絶縁膜2
6を約5000 Xの厚嘔で蒸着する(工程G )。
最後に基板全面に渡ってAtを約300OAの厚さで真
空蒸着し、ホトリゾグラフィを用いてAt篭補極27a
、27bを形成する(工程H)。
空蒸着し、ホトリゾグラフィを用いてAt篭補極27a
、27bを形成する(工程H)。
このようにして作製した薄膜E L <<ネルの透明電
極22とAt %fp 27との間に交流電圧を印加す
ると、透明電極22aとhtm極27aとが交差する部
分(画素に相当する)および透明電極22bとAt屯電
極7bとが交差する部分(画素に相当する)では橙色の
発光が透明電極22aとAL屯電極7bとが交差する部
分および透明電極22bとAt’fJl極27aと極変
7aる部分では緑色の発光が得られる。なお、第2図は
第3図(Iffiのz −z’断面図である。
極22とAt %fp 27との間に交流電圧を印加す
ると、透明電極22aとhtm極27aとが交差する部
分(画素に相当する)および透明電極22bとAt屯電
極7bとが交差する部分(画素に相当する)では橙色の
発光が透明電極22aとAL屯電極7bとが交差する部
分および透明電極22bとAt’fJl極27aと極変
7aる部分では緑色の発光が得られる。なお、第2図は
第3図(Iffiのz −z’断面図である。
第2図から明らかなように、薄膜ELパネルの基本構造
Vi透明箆極−絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−htm極の
5層構造であり、発光色の数すなわちZnS膜の数とは
無関係に常に一定(5層)である。従って、従来の多段
積層による膜剥離の問題は解決され、3色以上の多色パ
ネルも容易に製作十°きる。
Vi透明箆極−絶縁膜−ZnS膜−絶縁膜−htm極の
5層構造であり、発光色の数すなわちZnS膜の数とは
無関係に常に一定(5層)である。従って、従来の多段
積層による膜剥離の問題は解決され、3色以上の多色パ
ネルも容易に製作十°きる。
また透明な中間電極を設ける必要がないから、中間電極
の酸系エッチャントで下部のZnS膜が侵されるおそれ
は全くない。さらにリフトオフ法を用いてZnS膜の選
択形成を行っているので、1wn以下の微細パターンの
多色パネルの製作が可能である。
の酸系エッチャントで下部のZnS膜が侵されるおそれ
は全くない。さらにリフトオフ法を用いてZnS膜の選
択形成を行っているので、1wn以下の微細パターンの
多色パネルの製作が可能である。
第4図に本発明による方法で製造した多色発光薄膜EL
パネルの他の実施例の断面構造を示しており、この実施
例は片側絶縁型薄膜E I、 /:ネルの例で、第2図
に示した実施例におけるZnS膜の下の絶縁膜23がな
いことが特徴であるO 図において、40は基板ガラス、4 ] 1”j iT
。
パネルの他の実施例の断面構造を示しており、この実施
例は片側絶縁型薄膜E I、 /:ネルの例で、第2図
に示した実施例におけるZnS膜の下の絶縁膜23がな
いことが特徴であるO 図において、40は基板ガラス、4 ] 1”j iT
。
なとの透明電極、42および43はそれぞれ前の実施例
と同様にリフトオフ法で形成されたZnS : Mn膜
およびZnS : TbF3膜、44は真空蒸着嘔れた
Y2O3などの絶縁膜、45a、45bH真空蒸着後、
ホトリゾグラフィで形成をねたAt電極である。
と同様にリフトオフ法で形成されたZnS : Mn膜
およびZnS : TbF3膜、44は真空蒸着嘔れた
Y2O3などの絶縁膜、45a、45bH真空蒸着後、
ホトリゾグラフィで形成をねたAt電極である。
このELペネルの製造方法はZnS膜の下に絶縁膜を設
ける蒸着工程がない点を除けば第2図の実施例と同じで
あるので説明は省略する。
ける蒸着工程がない点を除けば第2図の実施例と同じで
あるので説明は省略する。
この実施例はZnS膜の下に絶縁膜がないIくネルの例
であるが、この他にZnS膜の上に絶縁膜がない片側絶
縁型薄膜ELパネルや絶縁膜が全くない薄膜KLパネル
にも本発明が適用できることは言うまでもない。
であるが、この他にZnS膜の上に絶縁膜がない片側絶
縁型薄膜ELパネルや絶縁膜が全くない薄膜KLパネル
にも本発明が適用できることは言うまでもない。
第5図は本発明による方法で製造した多色発光薄膜EL
パネルのさらに他の実施例の断面構造を示す。
パネルのさらに他の実施例の断面構造を示す。
商において50は基板ガラス、51は透明電極、52.
54はそれぞれZnS : Mn膜、ZnS :TbF
3膜、53 u Y2O3などの絶縁膜、55a 、
55bはA?主電極ある。この実施例も片側絶縁型EL
パネルの例であるが、絶縁膜の位置がZnS : Mn
膜52とZnS : TbF3膜54全54異なる。
54はそれぞれZnS : Mn膜、ZnS :TbF
3膜、53 u Y2O3などの絶縁膜、55a 、
55bはA?主電極ある。この実施例も片側絶縁型EL
パネルの例であるが、絶縁膜の位置がZnS : Mn
膜52とZnS : TbF3膜54全54異なる。
基板ガラス50に透明電極51を形成した後、まずZn
S : Mn膜52をリフトオフ法を用いて選択蒸着す
る。次にY2O3などの絶縁膜53を真空蒸着する。つ
づいて再びリフトオフ法を用いてZnS : TbF3
膜54全54蒸着する。最後にUを蒸着した後ホトリゾ
グラフィでAL 電極55a 。
S : Mn膜52をリフトオフ法を用いて選択蒸着す
る。次にY2O3などの絶縁膜53を真空蒸着する。つ
づいて再びリフトオフ法を用いてZnS : TbF3
膜54全54蒸着する。最後にUを蒸着した後ホトリゾ
グラフィでAL 電極55a 。
55b全形成する。
上記実1布例ではいずれもZnSの選択蒸着の手段とし
てリフトオフ法を用いたが、表示パターンの精度がそれ
ほど要求てれない場合には蒸着マスクを用いてもよい。
てリフトオフ法を用いたが、表示パターンの精度がそれ
ほど要求てれない場合には蒸着マスクを用いてもよい。
(ホ)発明の詳細
な説明したように、本発明においては所望の発光色を呈
するZnS膜を所定の画素に選択的に蒸着する構造とし
たため、上剥れの発生がなくなり歩留りが向上し、酸系
エッチャントによりZnS膜が侵食はれるおそれが全く
なくなり、パネルの歩留り、信頼性が向上する。捷だ同
一基板上で3色以上の多色発光′I)r実現できる。さ
らにZnS膜の選択蒸着の手段としてリフトオフ法を用
いると、1mm以下の微細パターンを有するパネルでも
多色化ができる。
するZnS膜を所定の画素に選択的に蒸着する構造とし
たため、上剥れの発生がなくなり歩留りが向上し、酸系
エッチャントによりZnS膜が侵食はれるおそれが全く
なくなり、パネルの歩留り、信頼性が向上する。捷だ同
一基板上で3色以上の多色発光′I)r実現できる。さ
らにZnS膜の選択蒸着の手段としてリフトオフ法を用
いると、1mm以下の微細パターンを有するパネルでも
多色化ができる。
第1図は従来の多色発光薄膜ELパネルの構造を示すI
i面図、第2図に本発明の製造方法により製作された多
色発光薄膜ELパネルの一実施例の構造断面図、第3図
は第2図に示した多色発光薄膜ELパネルの製造方法の
工程図、第4図は本発明の製造方法により製造された多
色発光薄膜KLパネルの他の実施例の構造断面図、第5
図は本発明の製造方法により製造された多色発光薄膜F
JLz<ネルのづらに他の実施例3の構造断面図である
。 1.22.22a、22b、41.5l−iji明電極
電極、21,40.50・・・基板ガラス、3゜5.7
,9,23,26,44.53・・・絶縁膜、4.24
+ 24′+ 42.52 ”’ ZnS ’ Mn
膜、6・・・中間゛電極、8,25.43.54−Zn
S:TbFg膜、I O+ 27 + 27 a +
27 b 、45a +45 b 、 L−5a 、
55 b−At連極、12.28・・・交流′市川、3
0・・・レジスト、31・・・くり抜きiff! 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
i面図、第2図に本発明の製造方法により製作された多
色発光薄膜ELパネルの一実施例の構造断面図、第3図
は第2図に示した多色発光薄膜ELパネルの製造方法の
工程図、第4図は本発明の製造方法により製造された多
色発光薄膜KLパネルの他の実施例の構造断面図、第5
図は本発明の製造方法により製造された多色発光薄膜F
JLz<ネルのづらに他の実施例3の構造断面図である
。 1.22.22a、22b、41.5l−iji明電極
電極、21,40.50・・・基板ガラス、3゜5.7
,9,23,26,44.53・・・絶縁膜、4.24
+ 24′+ 42.52 ”’ ZnS ’ Mn
膜、6・・・中間゛電極、8,25.43.54−Zn
S:TbFg膜、I O+ 27 + 27 a +
27 b 、45a +45 b 、 L−5a 、
55 b−At連極、12.28・・・交流′市川、3
0・・・レジスト、31・・・くり抜きiff! 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
Claims (1)
- 透明基板上の透明電極と背面電極との間に発光色の異な
る複数の発光層を挾持して戊る薄膜ELパネルの製造方
法において、前記透明電極と背面電極との交差領域に異
なる発光色の発光層をリフトオフ法で発光層どうしが重
ならないように選択的に蒸着することを特徴とする多色
発光薄膜ELパネルの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜elパネルの製造方法 |
US06/672,208 US4728519A (en) | 1983-12-09 | 1984-11-16 | Polychromatic electroluminescent panel |
GB08429237A GB2151077B (en) | 1983-12-09 | 1984-11-20 | Polychromatic electroluminescent panel |
DE19843444063 DE3444063A1 (de) | 1983-12-09 | 1984-12-03 | Mehrfarbiges elektrolumineszenz-anzeigefeld |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜elパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60124393A true JPS60124393A (ja) | 1985-07-03 |
JPH0155757B2 JPH0155757B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=16922142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58231343A Granted JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜elパネルの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4728519A (ja) |
JP (1) | JPS60124393A (ja) |
DE (1) | DE3444063A1 (ja) |
GB (1) | GB2151077B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107696A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
Families Citing this family (5)
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JP3586939B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | El素子およびその製造方法 |
US5601467A (en) * | 1995-06-19 | 1997-02-11 | Northrop Grumman Corporation | Method for manufacturing a low resistant electroluminescent display device |
US5641611A (en) * | 1995-08-21 | 1997-06-24 | Motorola | Method of fabricating organic LED matrices |
US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
JP2000173301A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Seiko Epson Corp | 圧電発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 |
Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
US3919589A (en) * | 1973-04-06 | 1975-11-11 | Rca Corp | Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity |
GB1559850A (en) * | 1975-12-23 | 1980-01-30 | Smiths Industries Ltd | Electroluminescent display devices |
US4155627A (en) * | 1976-02-02 | 1979-05-22 | Rca Corporation | Color diffractive subtractive filter master recording comprising a plurality of superposed two-level relief patterns on the surface of a substrate |
US4117177A (en) * | 1976-09-13 | 1978-09-26 | Gte Laboratories Incorporated | Laser lithography of thin film resinates |
JPS54155789A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Sharp Corp | Structure of thin-film el element |
JPS54366A (en) * | 1978-06-12 | 1979-01-05 | Hitachi Metals Ltd | Method of magnetically conveying magnetic bar |
US4234669A (en) * | 1979-03-27 | 1980-11-18 | Rca Corporation | CRT Screen structure produced by photographic method |
US4326007A (en) * | 1980-04-21 | 1982-04-20 | University Of Delaware | Electo-luminescent structure |
JPS58144803A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Canon Inc | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
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-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231343A patent/JPS60124393A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-16 US US06/672,208 patent/US4728519A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-20 GB GB08429237A patent/GB2151077B/en not_active Expired
- 1984-12-03 DE DE19843444063 patent/DE3444063A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107696A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
JPH0119759B2 (ja) * | 1984-10-30 | 1989-04-12 | Sharp Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2151077B (en) | 1987-08-05 |
GB2151077A (en) | 1985-07-10 |
DE3444063A1 (de) | 1985-06-20 |
JPH0155757B2 (ja) | 1989-11-27 |
GB8429237D0 (en) | 1984-12-27 |
US4728519A (en) | 1988-03-01 |
DE3444063C2 (ja) | 1988-12-29 |
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