JPS60124393A - 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
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- JPS60124393A JPS60124393A JP58231343A JP23134383A JPS60124393A JP S60124393 A JPS60124393 A JP S60124393A JP 58231343 A JP58231343 A JP 58231343A JP 23134383 A JP23134383 A JP 23134383A JP S60124393 A JPS60124393 A JP S60124393A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table characterised by the doping materials
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は、膜剥れがなく歩留りのよい多色発光薄膜ＥＬ
パ杢ルの製造方法に関する。
パ杢ルの製造方法に関する。
（ロ）従来技術
従来、ＥＬパネルで多色を発光はせようとする試みが種
々なされており、特開昭５４−１５５７８９号には透明
基板上に異なる発光色３呈する領域多色発光′ｆＩＪ膜
ＥＬ素子が提案されている。このＥＬ素子は構造上混合
色は得られるが単色は得られず、しかも混合色も一種類
の色に限定されてしまう。
々なされており、特開昭５４−１５５７８９号には透明
基板上に異なる発光色３呈する領域多色発光′ｆＩＪ膜
ＥＬ素子が提案されている。このＥＬ素子は構造上混合
色は得られるが単色は得られず、しかも混合色も一種類
の色に限定されてしまう。
多色発光でしかも発光色が変えられるＥＬ素子パネルと
しては、たとえばＳ Ｉ Ｄ （５ｏｃｉｅｔｙｏｆ
Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のシンポジ
ウム ダイジェスト １９８２年 第１２８頁〜第１２
９頁に示されているようなものがある。第１図はこの文
献に開示されている多色発光＃膜ＥＬパネル牙示してお
り、透明電極１が形成された基板ガラス２の上に、透明
な絶縁膜（たとえばｙ２ｏ、 ） ３と、不純物として
Ｍｎを添加したＺｎＳ：Ｍｎ膜４と、透明な絶縁膜（た
とえばＹ２Ｏ３） ５とを順次それぞれ５０００ Ａ〜
１０００ Ａの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透明
な絶縁膜５の上には所望のパターンの透明な中間電極６
を形成し、この中間電極６の上に再び透明な絶縁膜（た
とえばＹｘＯｓ ） ７と、不純物としてＴｂＦ３ Ｅ
添加したＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜８と、透明な絶縁膜（
たとえばＹ２Ｏ２） ９とをそれぞれ２０００ Ｘ〜１
００００ Ｘの膜厚で積層する。その後この透明な絶縁
膜９の上と、透明電極１と交差する中間電極６の上とに
ＡｔＩＥ極１０，１１をそれぞれ形成する。
しては、たとえばＳ Ｉ Ｄ （５ｏｃｉｅｔｙｏｆ
Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のシンポジ
ウム ダイジェスト １９８２年 第１２８頁〜第１２
９頁に示されているようなものがある。第１図はこの文
献に開示されている多色発光＃膜ＥＬパネル牙示してお
り、透明電極１が形成された基板ガラス２の上に、透明
な絶縁膜（たとえばｙ２ｏ、 ） ３と、不純物として
Ｍｎを添加したＺｎＳ：Ｍｎ膜４と、透明な絶縁膜（た
とえばＹ２Ｏ３） ５とを順次それぞれ５０００ Ａ〜
１０００ Ａの膜厚で真空蒸着法などで積層する。透明
な絶縁膜５の上には所望のパターンの透明な中間電極６
を形成し、この中間電極６の上に再び透明な絶縁膜（た
とえばＹｘＯｓ ） ７と、不純物としてＴｂＦ３ Ｅ
添加したＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜８と、透明な絶縁膜（
たとえばＹ２Ｏ２） ９とをそれぞれ２０００ Ｘ〜１
００００ Ｘの膜厚で積層する。その後この透明な絶縁
膜９の上と、透明電極１と交差する中間電極６の上とに
ＡｔＩＥ極１０，１１をそれぞれ形成する。
このような構造のパネルにＩ ＫＨｚ ２００ Ｖｒｍ
ｓ程度の交流電圧を印加すると図のＤの方向に橙色、Ｇ
の方向に緑色の発光？呈する。すなわち中間電極６と基
板側の透明電極１との間に交流電圧１２牙印加すると、
画電極に挾まれるＺｎＳ 二Ｍｎ＋ｙ；ｉ ４がｌ１ｉ
ｌＪ起草れて橙色に発光し、この橙色の発光に透明な絶
縁膜３、透明電極１、基板ガラス２を通過してパネルの
外へ政出埒れる。一方中間■極６とＡｔ市極１０との間
に交流電圧】３を印ＪＪＯすると、両電極に挾まれるＺ
ｎＳ ： ＴｂＦｓ膜８が励ｋＬされ緑色に発光し、こ
の緑色発光はそれぞれ透明な絶縁膜５ 、ＺｎＳ ：
Ｍｎ膜４、透明な絶縁膜３および基板ガラス２を通過し
てパネルの外へ放出される。ただし第１図では橙色を発
色する領域と緑色を発色する領域とが平面的にずれてい
るように表現されているが、実際はそうではなく同一の
領域である点注意を要する。
ｓ程度の交流電圧を印加すると図のＤの方向に橙色、Ｇ
の方向に緑色の発光？呈する。すなわち中間電極６と基
板側の透明電極１との間に交流電圧１２牙印加すると、
画電極に挾まれるＺｎＳ 二Ｍｎ＋ｙ；ｉ ４がｌ１ｉ
ｌＪ起草れて橙色に発光し、この橙色の発光に透明な絶
縁膜３、透明電極１、基板ガラス２を通過してパネルの
外へ政出埒れる。一方中間■極６とＡｔ市極１０との間
に交流電圧】３を印ＪＪＯすると、両電極に挾まれるＺ
ｎＳ ： ＴｂＦｓ膜８が励ｋＬされ緑色に発光し、こ
の緑色発光はそれぞれ透明な絶縁膜５ 、ＺｎＳ ：
Ｍｎ膜４、透明な絶縁膜３および基板ガラス２を通過し
てパネルの外へ放出される。ただし第１図では橙色を発
色する領域と緑色を発色する領域とが平面的にずれてい
るように表現されているが、実際はそうではなく同一の
領域である点注意を要する。
上記例では、橙色と緑色の２色の発光色であるが、透明
な絶縁膜３とＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜８の代りに次のよ
うな不純物を添加したＺｎＳ膜を用いることにより、異
なる色での発光がｎ」能である。
な絶縁膜３とＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜８の代りに次のよ
うな不純物を添加したＺｎＳ膜を用いることにより、異
なる色での発光がｎ」能である。
すなわち不純物としてＰ ｒ Ｆ ｚを添加すると白、
ＤＹＦ、を添加すると黄、ＴｍＦ３を添加すると青にな
る。また上記例では２色発光であるが、Ａｔ屯積極１０
透明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶縁
膜−透明電極（ただし最後はａ電極）の４層を重ねた構
造とすることにより３色以上の発光色を得ることが原理
的に可能である。
ＤＹＦ、を添加すると黄、ＴｍＦ３を添加すると青にな
る。また上記例では２色発光であるが、Ａｔ屯積極１０
透明な中間電極とし、その上に絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶縁
膜−透明電極（ただし最後はａ電極）の４層を重ねた構
造とすることにより３色以上の発光色を得ることが原理
的に可能である。
このような多色発光薄膜ＦＪＬ２クネルにオイテは、中
間電極の上に、絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶稙膜一中間電極の
４層構造を色の数だけ重ねて多色発光させているために
次のような問題があった。
間電極の上に、絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶稙膜一中間電極の
４層構造を色の数だけ重ねて多色発光させているために
次のような問題があった。
（１）発光色の数をＮとすると、／々ネル上での膜の積
層数は（４Ｎ＋１）と膨大な数になり、膜２重ねていく
うちに上剥れが発生しやすく、歩留りが悪い。経験的に
最も上剥れの発生しやすい場所１ｊＺｎｓ膜とその上の
絶縁膜との間と、中間電極とその上の絶縁膜との間であ
る。
層数は（４Ｎ＋１）と膨大な数になり、膜２重ねていく
うちに上剥れが発生しやすく、歩留りが悪い。経験的に
最も上剥れの発生しやすい場所１ｊＺｎｓ膜とその上の
絶縁膜との間と、中間電極とその上の絶縁膜との間であ
る。
（２）透明な中間電極６はホトリゾグラフィーでパター
ン形成場れるが、化学的な性質上酸系のエッチャント（
たとえばｉＴｏ （ｍ化インジウムと酸化スズとの混合
Ｆ＃Ｊ）膜ではＨ２Ｏ： ＨＣｔ： ＨＮＯｓ＝ １
： １ ： ０．１の混蝕液）を用いる。このため酸に
極めて弱い下部Ｚｎ３ ： Ｍｎ膜４がエツチングの際
、透明な絶縁膜５のピンホールやクラックを曲して浸入
してきたエッチャントに侵され、歩留りが悪くなる。（
蒸着マスクを用いても中間電極６は形成できるが１朋以
下の微細パターンの１１〉我には実用的でない）。
ン形成場れるが、化学的な性質上酸系のエッチャント（
たとえばｉＴｏ （ｍ化インジウムと酸化スズとの混合
Ｆ＃Ｊ）膜ではＨ２Ｏ： ＨＣｔ： ＨＮＯｓ＝ １
： １ ： ０．１の混蝕液）を用いる。このため酸に
極めて弱い下部Ｚｎ３ ： Ｍｎ膜４がエツチングの際
、透明な絶縁膜５のピンホールやクラックを曲して浸入
してきたエッチャントに侵され、歩留りが悪くなる。（
蒸着マスクを用いても中間電極６は形成できるが１朋以
下の微細パターンの１１〉我には実用的でない）。
（３）上記問題（］）、（２）の発生率に発光色が増え
るに従って指数関数的に増大するため、歩留りを考慮す
ると工業的に実現可能な発光色の数は２〜３色にとどま
るため色彩面に関する造形上の要求に充分答えられず、
商品性に乏しい。
るに従って指数関数的に増大するため、歩留りを考慮す
ると工業的に実現可能な発光色の数は２〜３色にとどま
るため色彩面に関する造形上の要求に充分答えられず、
商品性に乏しい。
（ハ）発明の目的および構成
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、透明基
板上の透明電極と背面電極との間に異なる発光色を有す
る複数の発光層を挾持して成る薄膜ＥＬパネルを上剥れ
せず歩留りよく製造することを目的とし、そのために、
透明電極と背面電極との交差領域に異なる発光色の発光
層をリフトオフ法で発光層どうしが重ならないように選
択的に蒸着するようにしたものである。
板上の透明電極と背面電極との間に異なる発光色を有す
る複数の発光層を挾持して成る薄膜ＥＬパネルを上剥れ
せず歩留りよく製造することを目的とし、そのために、
透明電極と背面電極との交差領域に異なる発光色の発光
層をリフトオフ法で発光層どうしが重ならないように選
択的に蒸着するようにしたものである。
に）実施例
以下、本発明企図面に基づいて説明する。
第２図に本発明方法により製造した多色発光薄膜ＥＬパ
ネルの一実施例の断面構造を示しており、２１は基板ガ
ラス、２２は透明電極、２３゜２６はＹ２Ｏ３などの透
明な絶縁膜で、絶縁膜２６の上に１″ｉＡＡ？ｆｉ極２
７ａと２７ｂとが設けられている。一方透明な絶縁膜２
３と２６との間にはＺｎＳ ： Ｍｎｎ膜種４ＺｎＳ
： ＴｂＦ３膜２５上２５けられており、これらの膜２
４．２５の面積はそれぞれＡ１．”ｌｌ極２７ａと透明
電極２２とが交差する面積およびｋＬＷＬ極２７ｂと透
明電極２２とが交差する面積よりも大きい。透明電極２
２とＡ７’［極２７ａとの間にＩ ＫＨｚ ２００ Ｖ
ｒｍｓ程度の交流電圧２８を印加すると、ＺｎＳ ：
Ｍｎ膜２４が橙色に発光する。また透明電極２２とａ電
極２７ｂとの間に交流電圧２９を印加すると、ＺｎＳ
： ＴｂＦ３膜２５膜形５に発光する。
ネルの一実施例の断面構造を示しており、２１は基板ガ
ラス、２２は透明電極、２３゜２６はＹ２Ｏ３などの透
明な絶縁膜で、絶縁膜２６の上に１″ｉＡＡ？ｆｉ極２
７ａと２７ｂとが設けられている。一方透明な絶縁膜２
３と２６との間にはＺｎＳ ： Ｍｎｎ膜種４ＺｎＳ
： ＴｂＦ３膜２５上２５けられており、これらの膜２
４．２５の面積はそれぞれＡ１．”ｌｌ極２７ａと透明
電極２２とが交差する面積およびｋＬＷＬ極２７ｂと透
明電極２２とが交差する面積よりも大きい。透明電極２
２とＡ７’［極２７ａとの間にＩ ＫＨｚ ２００ Ｖ
ｒｍｓ程度の交流電圧２８を印加すると、ＺｎＳ ：
Ｍｎ膜２４が橙色に発光する。また透明電極２２とａ電
極２７ｂとの間に交流電圧２９を印加すると、ＺｎＳ
： ＴｂＦ３膜２５膜形５に発光する。
次に上記ＥＬパネルの製造方法を第３図に示した工程図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
良く洗浄した基板ガラス２１のｉＴｏやＩｎ２Ｏ３など
の透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフィで透明電極２２
ａ 、２２ｂを形成する（人工程）、つづいて絶縁膜２
３をスパッタリングや抵抗線加熱法などの手法で約５０
０ＯＡの膜厚に蒸着する（ Ｂ二［キらへ ） 。
の透明導電膜を蒸着しホトリゾグラフィで透明電極２２
ａ 、２２ｂを形成する（人工程）、つづいて絶縁膜２
３をスパッタリングや抵抗線加熱法などの手法で約５０
０ＯＡの膜厚に蒸着する（ Ｂ二［キらへ ） 。
次にＺｎＳ ： Ｍｎ膜２４およびｚｎｓ ： ＴｂＦ
３膜２５膜形５であるが、これにはりフトオフ法（フォ
トリゾグラフィの一種）を用いる。すなわち絶縁［２３
の上に少なくとも１５０Ｃの熱に耐え且つ酸系の現像液
、剥離液を使用しないレジスト（たとえば東京応化株式
会社製０ＦＰＲ−ｓｏｏ ）３０を塗布し、後に橙色の
発光をさせるべき画素を含むくり抜き部３１を形成する
（工程Ｃ）。
３膜２５膜形５であるが、これにはりフトオフ法（フォ
トリゾグラフィの一種）を用いる。すなわち絶縁［２３
の上に少なくとも１５０Ｃの熱に耐え且つ酸系の現像液
、剥離液を使用しないレジスト（たとえば東京応化株式
会社製０ＦＰＲ−ｓｏｏ ）３０を塗布し、後に橙色の
発光をさせるべき画素を含むくり抜き部３１を形成する
（工程Ｃ）。
次にくり抜き部３１を有するレジスト３０上に全面にわ
たって基板温度約１５０ＣでＺｎＳ ：Ｍｎ膜２４′を
電子ビーム蒸着機などで約８００ＯＡの厚さに蒸着する
（工程Ｄ）。
たって基板温度約１５０ＣでＺｎＳ ：Ｍｎ膜２４′を
電子ビーム蒸着機などで約８００ＯＡの厚さに蒸着する
（工程Ｄ）。
つづいて剥離液につけると、ＺｎＳ ’ Ｍｎ膜２４′
はレジスト３０にくり抜き都３１に相当する部分２４を
残してすべてレジストと一緒に取り除かれる（工程Ｅ）
。上記工程Ｃ，ＤＳＥがリフトオフ法である。
はレジスト３０にくり抜き都３１に相当する部分２４を
残してすべてレジストと一緒に取り除かれる（工程Ｅ）
。上記工程Ｃ，ＤＳＥがリフトオフ法である。
再び工程Ｃ−Ｅと同様の工程を行い、こんどｎ ＺｎＳ
： ＴｂＦｚ膜２５膜形５企形成工程Ｆ）。
： ＴｂＦｚ膜２５膜形５企形成工程Ｆ）。
その後真空中で５００Ｃで１時間程度の熱処理を行った
後、Ｚｒ＋Ｓ膜を覆うようにＹ２Ｏ３ｆｌどの絶縁膜２
６を約５０００ Ｘの厚嘔で蒸着する（工程Ｇ ）。
後、Ｚｒ＋Ｓ膜を覆うようにＹ２Ｏ３ｆｌどの絶縁膜２
６を約５０００ Ｘの厚嘔で蒸着する（工程Ｇ ）。
最後に基板全面に渡ってＡｔを約３００ＯＡの厚さで真
空蒸着し、ホトリゾグラフィを用いてＡｔ篭補極２７ａ
、２７ｂを形成する（工程Ｈ）。
空蒸着し、ホトリゾグラフィを用いてＡｔ篭補極２７ａ
、２７ｂを形成する（工程Ｈ）。
このようにして作製した薄膜Ｅ Ｌ ＜＜ネルの透明電
極２２とＡｔ ％ｆｐ ２７との間に交流電圧を印加す
ると、透明電極２２ａとｈｔｍ極２７ａとが交差する部
分（画素に相当する）および透明電極２２ｂとＡｔ屯電
極７ｂとが交差する部分（画素に相当する）では橙色の
発光が透明電極２２ａとＡＬ屯電極７ｂとが交差する部
分および透明電極２２ｂとＡｔ’ｆＪｌ極２７ａと極変
７ａる部分では緑色の発光が得られる。なお、第２図は
第３図（Ｉｆｆｉのｚ −ｚ’断面図である。
極２２とＡｔ ％ｆｐ ２７との間に交流電圧を印加す
ると、透明電極２２ａとｈｔｍ極２７ａとが交差する部
分（画素に相当する）および透明電極２２ｂとＡｔ屯電
極７ｂとが交差する部分（画素に相当する）では橙色の
発光が透明電極２２ａとＡＬ屯電極７ｂとが交差する部
分および透明電極２２ｂとＡｔ’ｆＪｌ極２７ａと極変
７ａる部分では緑色の発光が得られる。なお、第２図は
第３図（Ｉｆｆｉのｚ −ｚ’断面図である。
第２図から明らかなように、薄膜ＥＬパネルの基本構造
Ｖｉ透明箆極−絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶縁膜−ｈｔｍ極の
５層構造であり、発光色の数すなわちＺｎＳ膜の数とは
無関係に常に一定（５層）である。従って、従来の多段
積層による膜剥離の問題は解決され、３色以上の多色パ
ネルも容易に製作十°きる。
Ｖｉ透明箆極−絶縁膜−ＺｎＳ膜−絶縁膜−ｈｔｍ極の
５層構造であり、発光色の数すなわちＺｎＳ膜の数とは
無関係に常に一定（５層）である。従って、従来の多段
積層による膜剥離の問題は解決され、３色以上の多色パ
ネルも容易に製作十°きる。
また透明な中間電極を設ける必要がないから、中間電極
の酸系エッチャントで下部のＺｎＳ膜が侵されるおそれ
は全くない。さらにリフトオフ法を用いてＺｎＳ膜の選
択形成を行っているので、１ｗｎ以下の微細パターンの
多色パネルの製作が可能である。
の酸系エッチャントで下部のＺｎＳ膜が侵されるおそれ
は全くない。さらにリフトオフ法を用いてＺｎＳ膜の選
択形成を行っているので、１ｗｎ以下の微細パターンの
多色パネルの製作が可能である。
第４図に本発明による方法で製造した多色発光薄膜ＥＬ
パネルの他の実施例の断面構造を示しており、この実施
例は片側絶縁型薄膜Ｅ Ｉ、 ／：ネルの例で、第２図
に示した実施例におけるＺｎＳ膜の下の絶縁膜２３がな
いことが特徴であるＯ 図において、４０は基板ガラス、４ ］ １”ｊ ｉＴ
。
パネルの他の実施例の断面構造を示しており、この実施
例は片側絶縁型薄膜Ｅ Ｉ、 ／：ネルの例で、第２図
に示した実施例におけるＺｎＳ膜の下の絶縁膜２３がな
いことが特徴であるＯ 図において、４０は基板ガラス、４ ］ １”ｊ ｉＴ
。
なとの透明電極、４２および４３はそれぞれ前の実施例
と同様にリフトオフ法で形成されたＺｎＳ ： Ｍｎ膜
およびＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜、４４は真空蒸着嘔れた
Ｙ２Ｏ３などの絶縁膜、４５ａ、４５ｂＨ真空蒸着後、
ホトリゾグラフィで形成をねたＡｔ電極である。
と同様にリフトオフ法で形成されたＺｎＳ ： Ｍｎ膜
およびＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜、４４は真空蒸着嘔れた
Ｙ２Ｏ３などの絶縁膜、４５ａ、４５ｂＨ真空蒸着後、
ホトリゾグラフィで形成をねたＡｔ電極である。
このＥＬペネルの製造方法はＺｎＳ膜の下に絶縁膜を設
ける蒸着工程がない点を除けば第２図の実施例と同じで
あるので説明は省略する。
ける蒸着工程がない点を除けば第２図の実施例と同じで
あるので説明は省略する。
この実施例はＺｎＳ膜の下に絶縁膜がないＩくネルの例
であるが、この他にＺｎＳ膜の上に絶縁膜がない片側絶
縁型薄膜ＥＬパネルや絶縁膜が全くない薄膜ＫＬパネル
にも本発明が適用できることは言うまでもない。
であるが、この他にＺｎＳ膜の上に絶縁膜がない片側絶
縁型薄膜ＥＬパネルや絶縁膜が全くない薄膜ＫＬパネル
にも本発明が適用できることは言うまでもない。
第５図は本発明による方法で製造した多色発光薄膜ＥＬ
パネルのさらに他の実施例の断面構造を示す。
パネルのさらに他の実施例の断面構造を示す。
商において５０は基板ガラス、５１は透明電極、５２．
５４はそれぞれＺｎＳ ： Ｍｎ膜、ＺｎＳ ：ＴｂＦ
３膜、５３ ｕ Ｙ２Ｏ３などの絶縁膜、５５ａ 、
５５ｂはＡ？主電極ある。この実施例も片側絶縁型ＥＬ
パネルの例であるが、絶縁膜の位置がＺｎＳ ： Ｍｎ
膜５２とＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜５４全５４異なる。
５４はそれぞれＺｎＳ ： Ｍｎ膜、ＺｎＳ ：ＴｂＦ
３膜、５３ ｕ Ｙ２Ｏ３などの絶縁膜、５５ａ 、
５５ｂはＡ？主電極ある。この実施例も片側絶縁型ＥＬ
パネルの例であるが、絶縁膜の位置がＺｎＳ ： Ｍｎ
膜５２とＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜５４全５４異なる。
基板ガラス５０に透明電極５１を形成した後、まずＺｎ
Ｓ ： Ｍｎ膜５２をリフトオフ法を用いて選択蒸着す
る。次にＹ２Ｏ３などの絶縁膜５３を真空蒸着する。つ
づいて再びリフトオフ法を用いてＺｎＳ ： ＴｂＦ３
膜５４全５４蒸着する。最後にＵを蒸着した後ホトリゾ
グラフィでＡＬ 電極５５ａ 。
Ｓ ： Ｍｎ膜５２をリフトオフ法を用いて選択蒸着す
る。次にＹ２Ｏ３などの絶縁膜５３を真空蒸着する。つ
づいて再びリフトオフ法を用いてＺｎＳ ： ＴｂＦ３
膜５４全５４蒸着する。最後にＵを蒸着した後ホトリゾ
グラフィでＡＬ 電極５５ａ 。
５５ｂ全形成する。
上記実１布例ではいずれもＺｎＳの選択蒸着の手段とし
てリフトオフ法を用いたが、表示パターンの精度がそれ
ほど要求てれない場合には蒸着マスクを用いてもよい。
てリフトオフ法を用いたが、表示パターンの精度がそれ
ほど要求てれない場合には蒸着マスクを用いてもよい。
（ホ）発明の詳細
な説明したように、本発明においては所望の発光色を呈
するＺｎＳ膜を所定の画素に選択的に蒸着する構造とし
たため、上剥れの発生がなくなり歩留りが向上し、酸系
エッチャントによりＺｎＳ膜が侵食はれるおそれが全く
なくなり、パネルの歩留り、信頼性が向上する。捷だ同
一基板上で３色以上の多色発光′Ｉ）ｒ実現できる。さ
らにＺｎＳ膜の選択蒸着の手段としてリフトオフ法を用
いると、１ｍｍ以下の微細パターンを有するパネルでも
多色化ができる。
するＺｎＳ膜を所定の画素に選択的に蒸着する構造とし
たため、上剥れの発生がなくなり歩留りが向上し、酸系
エッチャントによりＺｎＳ膜が侵食はれるおそれが全く
なくなり、パネルの歩留り、信頼性が向上する。捷だ同
一基板上で３色以上の多色発光′Ｉ）ｒ実現できる。さ
らにＺｎＳ膜の選択蒸着の手段としてリフトオフ法を用
いると、１ｍｍ以下の微細パターンを有するパネルでも
多色化ができる。
第１図は従来の多色発光薄膜ＥＬパネルの構造を示すＩ
ｉ面図、第２図に本発明の製造方法により製作された多
色発光薄膜ＥＬパネルの一実施例の構造断面図、第３図
は第２図に示した多色発光薄膜ＥＬパネルの製造方法の
工程図、第４図は本発明の製造方法により製造された多
色発光薄膜ＫＬパネルの他の実施例の構造断面図、第５
図は本発明の製造方法により製造された多色発光薄膜Ｆ
ＪＬｚ＜ネルのづらに他の実施例３の構造断面図である
。 １．２２．２２ａ、２２ｂ、４１．５ｌ−ｉｊｉ明電極
電極、２１，４０．５０・・・基板ガラス、３゜５．７
，９，２３，２６，４４．５３・・・絶縁膜、４．２４
＋ ２４′＋ ４２．５２ ”’ ＺｎＳ ’ Ｍｎ
膜、６・・・中間゛電極、８，２５．４３．５４−Ｚｎ
Ｓ：ＴｂＦｇ膜、Ｉ Ｏ＋ ２７ ＋ ２７ ａ ＋
２７ ｂ 、４５ａ ＋４５ ｂ 、 Ｌ−５ａ 、
５５ ｂ−Ａｔ連極、１２．２８・・・交流′市川、３
０・・・レジスト、３１・・・くり抜きｉｆｆ！ 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
ｉ面図、第２図に本発明の製造方法により製作された多
色発光薄膜ＥＬパネルの一実施例の構造断面図、第３図
は第２図に示した多色発光薄膜ＥＬパネルの製造方法の
工程図、第４図は本発明の製造方法により製造された多
色発光薄膜ＫＬパネルの他の実施例の構造断面図、第５
図は本発明の製造方法により製造された多色発光薄膜Ｆ
ＪＬｚ＜ネルのづらに他の実施例３の構造断面図である
。 １．２２．２２ａ、２２ｂ、４１．５ｌ−ｉｊｉ明電極
電極、２１，４０．５０・・・基板ガラス、３゜５．７
，９，２３，２６，４４．５３・・・絶縁膜、４．２４
＋ ２４′＋ ４２．５２ ”’ ＺｎＳ ’ Ｍｎ
膜、６・・・中間゛電極、８，２５．４３．５４−Ｚｎ
Ｓ：ＴｂＦｇ膜、Ｉ Ｏ＋ ２７ ＋ ２７ ａ ＋
２７ ｂ 、４５ａ ＋４５ ｂ 、 Ｌ−５ａ 、
５５ ｂ−Ａｔ連極、１２．２８・・・交流′市川、３
０・・・レジスト、３１・・・くり抜きｉｆｆ！ 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
Claims (1)
- 透明基板上の透明電極と背面電極との間に発光色の異な
る複数の発光層を挾持して戊る薄膜ＥＬパネルの製造方
法において、前記透明電極と背面電極との交差領域に異
なる発光色の発光層をリフトオフ法で発光層どうしが重
ならないように選択的に蒸着することを特徴とする多色
発光薄膜ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| US06/672,208 US4728519A (en) | 1983-12-09 | 1984-11-16 | Polychromatic electroluminescent panel |
| GB08429237A GB2151077B (en) | 1983-12-09 | 1984-11-20 | Polychromatic electroluminescent panel |
| DE19843444063 DE3444063A1 (de) | 1983-12-09 | 1984-12-03 | Mehrfarbiges elektrolumineszenz-anzeigefeld |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231343A JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124393A true JPS60124393A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0155757B2 JPH0155757B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=16922142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231343A Granted JPS60124393A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728519A (ja) |
| JP (1) | JPS60124393A (ja) |
| DE (1) | DE3444063A1 (ja) |
| GB (1) | GB2151077B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107696A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3586939B2 (ja) * | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US5601467A (en) * | 1995-06-19 | 1997-02-11 | Northrop Grumman Corporation | Method for manufacturing a low resistant electroluminescent display device |
| US5641611A (en) * | 1995-08-21 | 1997-06-24 | Motorola | Method of fabricating organic LED matrices |
| US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
| JP2000173301A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Seiko Epson Corp | 圧電発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
| US3919589A (en) * | 1973-04-06 | 1975-11-11 | Rca Corp | Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity |
| GB1559850A (en) * | 1975-12-23 | 1980-01-30 | Smiths Industries Ltd | Electroluminescent display devices |
| US4155627A (en) * | 1976-02-02 | 1979-05-22 | Rca Corporation | Color diffractive subtractive filter master recording comprising a plurality of superposed two-level relief patterns on the surface of a substrate |
| US4117177A (en) * | 1976-09-13 | 1978-09-26 | Gte Laboratories Incorporated | Laser lithography of thin film resinates |
| JPS54155789A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Sharp Corp | Structure of thin-film el element |
| JPS54366A (en) * | 1978-06-12 | 1979-01-05 | Hitachi Metals Ltd | Method of magnetically conveying magnetic bar |
| US4234669A (en) * | 1979-03-27 | 1980-11-18 | Rca Corporation | CRT Screen structure produced by photographic method |
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| JPS58144803A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Canon Inc | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
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-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231343A patent/JPS60124393A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-16 US US06/672,208 patent/US4728519A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-20 GB GB08429237A patent/GB2151077B/en not_active Expired
- 1984-12-03 DE DE19843444063 patent/DE3444063A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5830093A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
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| JPS61107696A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0119759B2 (ja) * | 1984-10-30 | 1989-04-12 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4728519A (en) | 1988-03-01 |
| JPH0155757B2 (ja) | 1989-11-27 |
| DE3444063A1 (de) | 1985-06-20 |
| GB2151077A (en) | 1985-07-10 |
| GB2151077B (en) | 1987-08-05 |
| DE3444063C2 (ja) | 1988-12-29 |
| GB8429237D0 (en) | 1984-12-27 |
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