JPH04341795A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04341795A JPH04341795A JP3113601A JP11360191A JPH04341795A JP H04341795 A JPH04341795 A JP H04341795A JP 3113601 A JP3113601 A JP 3113601A JP 11360191 A JP11360191 A JP 11360191A JP H04341795 A JPH04341795 A JP H04341795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- conductive layer
- transparent
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 53
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、螢光体よりなる発光層
に両面に絶縁層を介して設けられる電極を介して電界を
印加して発光させる薄膜エレクトロルミネセンス素子（
以下ＥＬ素子と略す）の製造方法に関する。
に両面に絶縁層を介して設けられる電極を介して電界を
印加して発光させる薄膜エレクトロルミネセンス素子（
以下ＥＬ素子と略す）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界の印加によりエレクトロルミネセン
スを呈する薄膜ＥＬ素子は、高揮度発光， 高解像度お
よび大表示容量化が可能であることから、薄膜表示装置
用のパネルとして注目されている。
スを呈する薄膜ＥＬ素子は、高揮度発光， 高解像度お
よび大表示容量化が可能であることから、薄膜表示装置
用のパネルとして注目されている。
【０００３】図２は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示し、
ガラス基板１上にＩＴＯからなる透明電極２の複数本を
平行条状に設け、この上にＳｉＯ２あるいはＳｉ３ Ｎ
４ からなる第一の絶縁膜３、ＭｎをドープしたＺｎＳ
螢光体からなる発光層４および第一の絶縁膜３と同様の
材料からなる第二の絶縁膜５を積層した後、裏面電極６
の複数本を透明電極２と直交する平行条状に設けたもの
である。高精細で大容量のＥＬパネルを得るために、透
明電極２と裏面電極６は、１ｍｍ当たり３〜５本、すな
わち０．２ 〜０．３ｍｍ 程度のピッチで高い精細度
でパターニング加工されている。このような高精細な両
電極２， ６の各１本の間に選択的に電圧を印加すると
、両電極の交点の画素が発光する。このＥＬ素子を薄型
表示装置として実用化するためには、透明電極２と裏面
電極６の少なくとも一端に、数十個の駆動用ＩＣなどと
の電気的な接続をするための電極端子を設ける必要があ
る。従来の薄膜ＥＬ素子では、透明電極２の端部がガラ
ス基板１上で露出して端子を形成しており、図３に示す
ように裏面電極６の端子７も、透明電極２の端子と同様
に基板１の面上に設置されている。
ガラス基板１上にＩＴＯからなる透明電極２の複数本を
平行条状に設け、この上にＳｉＯ２あるいはＳｉ３ Ｎ
４ からなる第一の絶縁膜３、ＭｎをドープしたＺｎＳ
螢光体からなる発光層４および第一の絶縁膜３と同様の
材料からなる第二の絶縁膜５を積層した後、裏面電極６
の複数本を透明電極２と直交する平行条状に設けたもの
である。高精細で大容量のＥＬパネルを得るために、透
明電極２と裏面電極６は、１ｍｍ当たり３〜５本、すな
わち０．２ 〜０．３ｍｍ 程度のピッチで高い精細度
でパターニング加工されている。このような高精細な両
電極２， ６の各１本の間に選択的に電圧を印加すると
、両電極の交点の画素が発光する。このＥＬ素子を薄型
表示装置として実用化するためには、透明電極２と裏面
電極６の少なくとも一端に、数十個の駆動用ＩＣなどと
の電気的な接続をするための電極端子を設ける必要があ
る。従来の薄膜ＥＬ素子では、透明電極２の端部がガラ
ス基板１上で露出して端子を形成しており、図３に示す
ように裏面電極６の端子７も、透明電極２の端子と同様
に基板１の面上に設置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】表示パネルの大型化，
高精細化のための電極数の増加， 電極間ピッチの減
少に伴い、高い信頼性をもつ電極間の接続を高い生産性
で行うことは表示装置製造上最も必要な課題である。特
に２５０ Ｖ程度の高電圧で１００ｍＡ 程度の大電流
の駆動を必要とする薄膜ＥＬ素子では電極端子の接続部
の接触抵抗を小さくする必要がある。このためにはんだ
付けによる電気的接続が行われる。そして、はんだ付け
作業の容易化のため、例えば特開昭５９−２７４９７
号公報に記載されているように電極を２層化し、上層に
はんだ付け性良好なＮｉが材料として用いられる。
高精細化のための電極数の増加， 電極間ピッチの減
少に伴い、高い信頼性をもつ電極間の接続を高い生産性
で行うことは表示装置製造上最も必要な課題である。特
に２５０ Ｖ程度の高電圧で１００ｍＡ 程度の大電流
の駆動を必要とする薄膜ＥＬ素子では電極端子の接続部
の接触抵抗を小さくする必要がある。このためにはんだ
付けによる電気的接続が行われる。そして、はんだ付け
作業の容易化のため、例えば特開昭５９−２７４９７
号公報に記載されているように電極を２層化し、上層に
はんだ付け性良好なＮｉが材料として用いられる。
【０００５】従来のＥＬ素子では、第二の絶縁膜５の上
にスパッタリング法あるいは真空蒸着法などで膜厚３０
００〜８０００ÅのＡｌを被着し、同様にスパッタリン
グ法などで膜厚２０００〜５０００ÅのＮｉをはんだ付
け用の金属材料として被着し、次いでＮｉ膜をウェット
エッチングによりパターニングし、さらにＡｌ膜をウェ
ットエッチングによりパターニングすることにより図３
に示すように下層のＡｌ膜６１と上層のＮｉ膜６２より
なる裏面電極６を形成していた。一方、透明電極２を電
気的接続のために端子部にはスパッタリング法あるいは
真空蒸着法により形成したＡｌ層とＮｉ層を積層してい
た。
にスパッタリング法あるいは真空蒸着法などで膜厚３０
００〜８０００ÅのＡｌを被着し、同様にスパッタリン
グ法などで膜厚２０００〜５０００ÅのＮｉをはんだ付
け用の金属材料として被着し、次いでＮｉ膜をウェット
エッチングによりパターニングし、さらにＡｌ膜をウェ
ットエッチングによりパターニングすることにより図３
に示すように下層のＡｌ膜６１と上層のＮｉ膜６２より
なる裏面電極６を形成していた。一方、透明電極２を電
気的接続のために端子部にはスパッタリング法あるいは
真空蒸着法により形成したＡｌ層とＮｉ層を積層してい
た。
【０００６】しかし、従来のＥＬ素子の製造には、多く
の真空中での製造工程を必要とするため生産性が低く、
また高価格の真空装置を多数あるいは大型化して必要と
するため、表示装置が高価格になる欠点があった。
の真空中での製造工程を必要とするため生産性が低く、
また高価格の真空装置を多数あるいは大型化して必要と
するため、表示装置が高価格になる欠点があった。
【０００７】本発明は、上記の欠点を除き、裏面電極あ
るいは透明電極の端子の積層金属層を安価で形成する薄
膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
るいは透明電極の端子の積層金属層を安価で形成する薄
膜ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透光性絶縁基
板上に平行条状の複数の透明電極を形成し、その透明電
極の大部分を覆って第一絶縁膜， 発光層および第二絶
縁膜を順次積層したのち、第二絶縁膜上に第一導電層を
形成し、次いでめっき法によりはんだ付け性良好の金属
からなる第二導電層を形成し、その第二および第一導電
層を選択的に除去して第一導電層とその上に第二導電層
からなり、透明電極と直交する方向に平行の条状の複数
の裏面電極を形成するものとする。あるいは、透光性絶
縁基板上に平行条状の複数の透明電極を形成し、その透
明電極の大部分を覆って第一絶縁膜， 発光層および第
二絶縁膜を順次積層したのち、第二絶縁膜上に透明電極
と直交する方向に平行の条状の複数の第一導電層を形成
し、さらにその第一導電層の上にめっき法によりはんだ
付け性良好の金属からなる第二導電層を積層して裏面電
極を形成するものとする。そして、そのいずれの方法に
おいても、第一絶縁膜， 発光層および第二絶縁膜に覆
われない透明電極の端部上に上層めっき法で形成された
第二導電層からなる端子部を形成することが有効である
。そして、第一導電層がＡｌあるいはＩＴＯよりなるこ
と、第二導電層がニッケル， ニッケル・りん合金，
銅， すず， 金および銀のうちの一つを材料とする単
層あるいはその単層を材料を変えて複数層積層してなる
ものであることが効果的である。
めに本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透光性絶縁基
板上に平行条状の複数の透明電極を形成し、その透明電
極の大部分を覆って第一絶縁膜， 発光層および第二絶
縁膜を順次積層したのち、第二絶縁膜上に第一導電層を
形成し、次いでめっき法によりはんだ付け性良好の金属
からなる第二導電層を形成し、その第二および第一導電
層を選択的に除去して第一導電層とその上に第二導電層
からなり、透明電極と直交する方向に平行の条状の複数
の裏面電極を形成するものとする。あるいは、透光性絶
縁基板上に平行条状の複数の透明電極を形成し、その透
明電極の大部分を覆って第一絶縁膜， 発光層および第
二絶縁膜を順次積層したのち、第二絶縁膜上に透明電極
と直交する方向に平行の条状の複数の第一導電層を形成
し、さらにその第一導電層の上にめっき法によりはんだ
付け性良好の金属からなる第二導電層を積層して裏面電
極を形成するものとする。そして、そのいずれの方法に
おいても、第一絶縁膜， 発光層および第二絶縁膜に覆
われない透明電極の端部上に上層めっき法で形成された
第二導電層からなる端子部を形成することが有効である
。そして、第一導電層がＡｌあるいはＩＴＯよりなるこ
と、第二導電層がニッケル， ニッケル・りん合金，
銅， すず， 金および銀のうちの一つを材料とする単
層あるいはその単層を材料を変えて複数層積層してなる
ものであることが効果的である。
【０００９】
【作用】はんだにより電気的接続の行われる裏面電極あ
るいは透明電極の端子部が二つの導電層を積層してなり
、その上層のはんだ付け性の良好な第二導電層がめっき
法に形成されることにより、従来の方法に比してスパッ
タリング法あるいは真空蒸着法のような真空中での製造
工程が少なくとも一つ削減できる。
るいは透明電極の端子部が二つの導電層を積層してなり
、その上層のはんだ付け性の良好な第二導電層がめっき
法に形成されることにより、従来の方法に比してスパッ
タリング法あるいは真空蒸着法のような真空中での製造
工程が少なくとも一つ削減できる。
【００１０】
【実施例】以下、図２， 図３と共通の部分に同一符号
を付した図を引用して本発明の実施例について説明する
。 図１（ａ），（ｂ） は本発明の一実施例によって製造
された薄膜ＥＬ素子の直交する二つの方向での断面図で
ある。この素子の製造は次のようにして行った。まず、
ガラス基板１上に膜厚２０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ
リング法で成膜したのち、塩酸と塩化第二鉄の混合溶液
で条状にウェットエッチングして複数の透明電極２を形
成し、次にその上をスパッタリング法で成膜した膜厚３
０００ÅのＳｉ３ Ｎ４ よりなる第一絶縁膜３で覆い
、さらに電子ビーム蒸着法で成膜した膜厚６０００Åの
ＺｎＳ：Ｍｎよりなる発光層およびスパッタリング法で
成膜した膜厚５０００ÅのＳｉ３ Ｎ４ からなる第二
絶縁膜５を積層した。そして、その上に膜厚５０００Å
のＡｌ膜をスパッタリング法にて形成し、次に２３℃の
置換亜鉛めっき浴に０．５ 分浸漬後、９０℃の無電解
Ｎｉめっき浴に４分浸漬することにより、膜厚５０００
ÅのＮｉ膜を成膜した。つづいて、硝酸の水溶液を用い
てエッチングすることによりＮｉ膜をパターニングし、
裏面電極上層６２を形成した。さらにりん酸を硝酸との
混合水溶液でエッチングすることによりＡｌ膜をパター
ニングし、裏面電極下層６１を形成した。このような背
面電極６の形成工程と同時に図１（ｂ） に示すように
透明電極２の露出部にもＡｌ膜６１とＮｉ膜６２を積層
して透明電極端子８を形成した。このようにして裏面電
極６の基板１上の端部にある電極端子７および透明電極
端子８の上面にはＮｉ膜が存在するので、外部駆動回路
とはんだ付けにより容易に電気的な接続ができる。
を付した図を引用して本発明の実施例について説明する
。 図１（ａ），（ｂ） は本発明の一実施例によって製造
された薄膜ＥＬ素子の直交する二つの方向での断面図で
ある。この素子の製造は次のようにして行った。まず、
ガラス基板１上に膜厚２０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ
リング法で成膜したのち、塩酸と塩化第二鉄の混合溶液
で条状にウェットエッチングして複数の透明電極２を形
成し、次にその上をスパッタリング法で成膜した膜厚３
０００ÅのＳｉ３ Ｎ４ よりなる第一絶縁膜３で覆い
、さらに電子ビーム蒸着法で成膜した膜厚６０００Åの
ＺｎＳ：Ｍｎよりなる発光層およびスパッタリング法で
成膜した膜厚５０００ÅのＳｉ３ Ｎ４ からなる第二
絶縁膜５を積層した。そして、その上に膜厚５０００Å
のＡｌ膜をスパッタリング法にて形成し、次に２３℃の
置換亜鉛めっき浴に０．５ 分浸漬後、９０℃の無電解
Ｎｉめっき浴に４分浸漬することにより、膜厚５０００
ÅのＮｉ膜を成膜した。つづいて、硝酸の水溶液を用い
てエッチングすることによりＮｉ膜をパターニングし、
裏面電極上層６２を形成した。さらにりん酸を硝酸との
混合水溶液でエッチングすることによりＡｌ膜をパター
ニングし、裏面電極下層６１を形成した。このような背
面電極６の形成工程と同時に図１（ｂ） に示すように
透明電極２の露出部にもＡｌ膜６１とＮｉ膜６２を積層
して透明電極端子８を形成した。このようにして裏面電
極６の基板１上の端部にある電極端子７および透明電極
端子８の上面にはＮｉ膜が存在するので、外部駆動回路
とはんだ付けにより容易に電気的な接続ができる。
【００１１】図４（ａ），（ｂ） および図５（ａ），
（ｂ） は本発明の別の実施例の薄膜ＥＬ素子の製造工
程を順次示す断面図および平面図である。この素子の製
造のためには、図１について述べたと同様にガラス基板
上に透明電極２を形成し、その上に第一絶縁膜３， 発
光層４および第二絶縁膜５を順次積層した。次に膜厚２
０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成したのち
、塩酸と塩化第二鉄との混合水溶液で条状にパターニン
グし、ＩＴＯよりなる電極下層９を形成した。この状態
を図４（ａ） および図５（ａ） に示す。このあと、
塩化すずを主成分とする増感液に浸漬し、次いで塩化パ
ラジウムを主成分とする活性化液に浸漬後、８０℃の無
電解Ｎｉめっき浴に４分浸漬することにより、条状のＩ
ＴＯ膜９および同様にＩＴＯよりなる条状の透明電極２
の露出部上に膜厚５０００ÅのＮｉ膜６２を被着した。 この状態を図４（ｂ） および図５（ｂ） に示す。 これにより、上面にはんだ付性の良いＮｉ膜を有する電
極端子７， ８が形成されるが、無電解めっきによるＩ
ＴＯ上のＮｉは密着性が非常に良好であるため、電極端
子７， ８には信頼性の高いはんだ付けが可能となる。 また本実施例のように、条状の電極下層９を形成したの
ち、上層６２のめっきを行うと、パターニングされた下
層上にのみめっき金属を析出させることができるので、
電極上層のパターニング工程が不要になり、製造工程を
削減できる。
（ｂ） は本発明の別の実施例の薄膜ＥＬ素子の製造工
程を順次示す断面図および平面図である。この素子の製
造のためには、図１について述べたと同様にガラス基板
上に透明電極２を形成し、その上に第一絶縁膜３， 発
光層４および第二絶縁膜５を順次積層した。次に膜厚２
０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成したのち
、塩酸と塩化第二鉄との混合水溶液で条状にパターニン
グし、ＩＴＯよりなる電極下層９を形成した。この状態
を図４（ａ） および図５（ａ） に示す。このあと、
塩化すずを主成分とする増感液に浸漬し、次いで塩化パ
ラジウムを主成分とする活性化液に浸漬後、８０℃の無
電解Ｎｉめっき浴に４分浸漬することにより、条状のＩ
ＴＯ膜９および同様にＩＴＯよりなる条状の透明電極２
の露出部上に膜厚５０００ÅのＮｉ膜６２を被着した。 この状態を図４（ｂ） および図５（ｂ） に示す。 これにより、上面にはんだ付性の良いＮｉ膜を有する電
極端子７， ８が形成されるが、無電解めっきによるＩ
ＴＯ上のＮｉは密着性が非常に良好であるため、電極端
子７， ８には信頼性の高いはんだ付けが可能となる。 また本実施例のように、条状の電極下層９を形成したの
ち、上層６２のめっきを行うと、パターニングされた下
層上にのみめっき金属を析出させることができるので、
電極上層のパターニング工程が不要になり、製造工程を
削減できる。
【００１２】本発明に基づき実施されるめっき法による
電極上層６２の材料としては、はんだとのぬれ性の良く
電気抵抗の低いものが望ましく、ニッケル， ニッケル
・りん合金， 銅， すず， 金， 銀などを用いるこ
とができ、これらの積層構造でもよい。まためっき法と
しては、無電解めっき法も電解めっき法も利用できる。
電極上層６２の材料としては、はんだとのぬれ性の良く
電気抵抗の低いものが望ましく、ニッケル， ニッケル
・りん合金， 銅， すず， 金， 銀などを用いるこ
とができ、これらの積層構造でもよい。まためっき法と
しては、無電解めっき法も電解めっき法も利用できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば第二の絶縁膜上にスパッ
タリング法あるいは真空蒸着法などにより下層を形成し
た後にめっき法によりＮｉなどのろう付け性の良好な上
層を形成して裏面電極あるいは透明電極端子部を作成す
ることにより、薄膜ＥＬ素子の製造工程から真空中での
製造工程を削減できるため、生産性を向上させることが
でき、高価格な真空装置の数の低減あるいは小型化が可
能になるため、低価格で信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を製
造することができる。また、電極下層をパターニング後
、その上に選択的にめっき法による電極上層を形成する
ことにより、電極上層のエッチング工程が不要になるた
め、さらに生産性を向上させ、低価格化をはかることが
できる。
タリング法あるいは真空蒸着法などにより下層を形成し
た後にめっき法によりＮｉなどのろう付け性の良好な上
層を形成して裏面電極あるいは透明電極端子部を作成す
ることにより、薄膜ＥＬ素子の製造工程から真空中での
製造工程を削減できるため、生産性を向上させることが
でき、高価格な真空装置の数の低減あるいは小型化が可
能になるため、低価格で信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を製
造することができる。また、電極下層をパターニング後
、その上に選択的にめっき法による電極上層を形成する
ことにより、電極上層のエッチング工程が不要になるた
め、さらに生産性を向上させ、低価格化をはかることが
できる。
【図１】本発明の一実施例による薄膜ＥＬ素子を示し、
そのうち（ａ） は断面図、（ｂ） は（ａ） に直交
する断面図
そのうち（ａ） は断面図、（ｂ） は（ａ） に直交
する断面図
【図２】薄膜ＥＬ素子の斜視図
【図３】従来の薄膜ＥＬ素子の断面図
【図４】本発明の別の実施例の薄膜ＥＬ素子の製造工程
を（ａ），（ｂ）の順に示す断面図
を（ａ），（ｂ）の順に示す断面図
【図５】図４の素子の製造工程を（ａ），（ｂ） の順
に示す平面図
に示す平面図
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ 第一絶縁膜
４ 発光層
５ 第二絶縁膜
６ 裏面電極
６１ Ａｌ膜
６２ Ｎｉ膜
７ 裏面電極端子
８ 透明電極端子
９ ＩＴＯ膜
Claims (5)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に平行条状の複数の透明
電極を形成し、その透明電極の大部分を覆って第一絶縁
膜， 発光層および第二絶縁膜を順次積層したのち、第
二絶縁膜上に第二導電層を形成し、次いでめっき法によ
りはんだ付け性良好の金属からなる第一導電層を形成し
、その第二および第一導電層を選択的に除去して第一導
電層とその上に第二導電層からなり、透明電極に直交す
る方向に平行の条状の複数の裏面電極を形成することを
特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法
。 - 【請求項２】透光性絶縁基板上に平行条状の複数の透明
電極を形成し、その透明電極の大部分を覆って第一絶縁
膜， 発光層および第二絶縁膜を順次積層したのち、第
二絶縁膜上に透明電極と直交する方向に平行の条状の複
数の第一導電層を形成し、さらにその第一導電層の上に
めっき法によりはんだ付け性良好の金属からなる第二導
電層を積層して裏面電極を形成することを特徴とする薄
膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法。 - 【請求項３】第一絶縁膜， 発光層および第二絶縁膜に
覆われない透明電極の端部上に上層がめっき法で形成さ
れた第二導電層からなる端子部を形成する請求項１ある
いは２記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方
法。 - 【請求項４】第一導電層がアルミニウムあるいは酸化イ
ンジウムすずよりなる請求項１， ２あるいは３記載の
薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】第二導電層がニッケル， ニッケル・りん
合金， 銅，すず， 金および銀のうちの一つを材料と
する単層あるいはその単層を材料を変えて複数層積層し
てなるものである請求項１， ２， ３あるいは４記載
の薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113601A JPH04341795A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113601A JPH04341795A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341795A true JPH04341795A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14616350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3113601A Pending JPH04341795A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04341795A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11224775A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Denso Corp | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2006524886A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機デバイスの相互接続 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3113601A patent/JPH04341795A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11224775A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Denso Corp | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2006524886A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機デバイスの相互接続 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6157127A (en) | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display | |
| KR100561232B1 (ko) | 은 또는 은합금 배선 및 그 형성방법 및 표시패널기판 | |
| KR100961418B1 (ko) | 적층체, 배선이 부착되어 있는 기체, 유기 ｅｌ 표시소자, 유기 ｅｌ 표시 소자의 접속 단자 및 이들의 제조방법 | |
| EP2261982A2 (en) | Organic electroluminescence display device and method of producing the same | |
| US7678590B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing same | |
| JP2000243558A (ja) | 発光ディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US20040245920A1 (en) | Organic electroluminescence display element, a display device and a method for producing each | |
| JP2003123990A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11195491A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP4122554B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH04341795A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH09306665A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| EP0331736B1 (en) | Production of thin-film electroluminescent device | |
| JPS60126687A (ja) | 固体映像表示板およびその製造法 | |
| US8390188B2 (en) | Light emitting unit of electroluminescence device capable of increasing aperture rate manufacturing method thereof | |
| JP2003017245A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ及びその駆動回路接続方法 | |
| KR100661161B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2004327148A (ja) | 有機ｅｌパネルの接合構造 | |
| JPH03112088A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP3984005B2 (ja) | 無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3469734B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH04296488A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US7420325B2 (en) | Display device | |
| JPH11224775A (ja) | Ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH02126589A (ja) | 薄膜ｅｌパネル |