JPH11224775A - Ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH11224775A JPH11224775A JP10025972A JP2597298A JPH11224775A JP H11224775 A JPH11224775 A JP H11224775A JP 10025972 A JP10025972 A JP 10025972A JP 2597298 A JP2597298 A JP 2597298A JP H11224775 A JPH11224775 A JP H11224775A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１絶縁層、発光層、第２絶縁層などのＥＬ
素子構成膜の膜厚を均一化して輝度ムラの少ないＥＬ素
子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１の上にストライプ状の第１
電極２を形成するとともに、その形成時に第２電極の引
出し電極３を形成しておき、第１電極２の上に第１絶縁
層４、発光層５、第２絶縁層６を形成した後、第２電極
７を第２絶縁層６の上にストライプ状に形成する。その
際、第２電極７を引出し電極３を覆うように形成する。
また、第１電極２のうち第１絶縁層４、発光層５、第２
絶縁層６から露出している部分の上にも第２電極７を形
成する電極材料で被覆して、引出し電極８を形成する。
なお、ガラス基板１の上に第２電極の引出し電極３を予
め形成しておくことにより、第１絶縁層４以下の膜を形
成する際の表面温度を均一化し、各膜の膜厚を均一化す
ることができる。
素子構成膜の膜厚を均一化して輝度ムラの少ないＥＬ素
子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１の上にストライプ状の第１
電極２を形成するとともに、その形成時に第２電極の引
出し電極３を形成しておき、第１電極２の上に第１絶縁
層４、発光層５、第２絶縁層６を形成した後、第２電極
７を第２絶縁層６の上にストライプ状に形成する。その
際、第２電極７を引出し電極３を覆うように形成する。
また、第１電極２のうち第１絶縁層４、発光層５、第２
絶縁層６から露出している部分の上にも第２電極７を形
成する電極材料で被覆して、引出し電極８を形成する。
なお、ガラス基板１の上に第２電極の引出し電極３を予
め形成しておくことにより、第１絶縁層４以下の膜を形
成する際の表面温度を均一化し、各膜の膜厚を均一化す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子およびその製造方法に関する。
ルミネッセンス）素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子においては、ガラス基板
などの絶縁基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、
第２絶縁層、第２電極が積層形成されている。ここで、
絶縁基板とその上に形成される第１電極（下部電極）に
おいては、熱輻射率、熱伝導率、熱吸収率、赤外線反射
率が異なっているため、第１電極がある部分とない部分
で表面温度が異なっている。第１絶縁層、発光層、第２
絶縁層のＥＬ素子構成膜を形成する場合、絶縁基板の表
面温度が膜の付着係数（成膜速度、膜厚）に大きく影響
を与えるため、上記したように第１電極がある部分とな
い部分で表面温度が異なると、膜厚を一定にすることが
できず、発光輝度にムラが生じる。
などの絶縁基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、
第２絶縁層、第２電極が積層形成されている。ここで、
絶縁基板とその上に形成される第１電極（下部電極）に
おいては、熱輻射率、熱伝導率、熱吸収率、赤外線反射
率が異なっているため、第１電極がある部分とない部分
で表面温度が異なっている。第１絶縁層、発光層、第２
絶縁層のＥＬ素子構成膜を形成する場合、絶縁基板の表
面温度が膜の付着係数（成膜速度、膜厚）に大きく影響
を与えるため、上記したように第１電極がある部分とな
い部分で表面温度が異なると、膜厚を一定にすることが
できず、発光輝度にムラが生じる。
【０００３】このような問題に対し、特開昭６０−１８
２６９３号公報、特公昭６３−１４８３６号公報には、
絶縁基板上に第１電極を形成する際、温度補償用のダミ
ー電極を形成しておき、表面温度を均一化してＥＬ素子
構成膜の膜厚を一定にするようにしたものが記載されて
いる。
２６９３号公報、特公昭６３−１４８３６号公報には、
絶縁基板上に第１電極を形成する際、温度補償用のダミ
ー電極を形成しておき、表面温度を均一化してＥＬ素子
構成膜の膜厚を一定にするようにしたものが記載されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に示されるものにおいては、ダミー電極と第２電極
（上部電極）との間の電荷の回り込みによって、誤発光
する可能性がある。また、特開昭６０−１２６６８７号
公報には、絶縁基板の上に透明電極材料で第１電極を形
成するとともに第２電極の引出し電極を形成しておき、
ＥＬ素子構成膜を形成した後、アルミニウムの第２電極
を引出し電極の一部およびＥＬ素子構成膜の上に形成す
るようにしたものが記載されている。
報に示されるものにおいては、ダミー電極と第２電極
（上部電極）との間の電荷の回り込みによって、誤発光
する可能性がある。また、特開昭６０−１２６６８７号
公報には、絶縁基板の上に透明電極材料で第１電極を形
成するとともに第２電極の引出し電極を形成しておき、
ＥＬ素子構成膜を形成した後、アルミニウムの第２電極
を引出し電極の一部およびＥＬ素子構成膜の上に形成す
るようにしたものが記載されている。
【０００５】このものは、アルミニウムの第２電極の引
出し端子を形成するために、予め透明電極材料で第２電
極の引出し電極を形成したものであるが、その引出し電
極の形成によって絶縁基板上の電極の形成面積が増える
ことになり、ＥＬ素子構成膜を形成する際に表面温度が
均一化され、結果として、ＥＬ素子構成膜の膜厚を一定
にすることができる。
出し端子を形成するために、予め透明電極材料で第２電
極の引出し電極を形成したものであるが、その引出し電
極の形成によって絶縁基板上の電極の形成面積が増える
ことになり、ＥＬ素子構成膜を形成する際に表面温度が
均一化され、結果として、ＥＬ素子構成膜の膜厚を一定
にすることができる。
【０００６】しかしながら、このものでは、アルミニウ
ムの第２電極を透明電極材料からなる引出し電極に接続
するためのエッチングにおいて、第２電極の引出し電極
がエッチング液に晒されるため、引出し電極の黒化、断
線といった問題が生じる。すなわち、第１電極、引出し
電極の材料としてＩＴＯ（酸化すずインジウム）を用い
た場合、引出し電極における酸化インジウムが、フォト
リソで使用する現像液やエッチング液に接触して電池反
応を起こし、酸化インジウムが還元されて、黒化あるい
は断線といった問題が生じる。
ムの第２電極を透明電極材料からなる引出し電極に接続
するためのエッチングにおいて、第２電極の引出し電極
がエッチング液に晒されるため、引出し電極の黒化、断
線といった問題が生じる。すなわち、第１電極、引出し
電極の材料としてＩＴＯ（酸化すずインジウム）を用い
た場合、引出し電極における酸化インジウムが、フォト
リソで使用する現像液やエッチング液に接触して電池反
応を起こし、酸化インジウムが還元されて、黒化あるい
は断線といった問題が生じる。
【０００７】本発明は、上記した問題を解決することを
目的とする。
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、絶縁基板（１）
の上に第１電極（２）および第２電極の引出し電極
（３）が形成され、ＥＬ素子構成膜（４〜６）の上に第
２電極（７）が形成されており、引出し電極（３）が第
２電極（７）によって覆われていることを特徴としてい
る。
め、請求項１に記載の発明においては、絶縁基板（１）
の上に第１電極（２）および第２電極の引出し電極
（３）が形成され、ＥＬ素子構成膜（４〜６）の上に第
２電極（７）が形成されており、引出し電極（３）が第
２電極（７）によって覆われていることを特徴としてい
る。
【０００９】このように絶縁基板（１）の上に予め引出
し電極（３）を形成しておくことにより、ＥＬ素子構成
膜（４〜６）の膜厚を均一化して輝度ムラの少ないＥＬ
素子を提供することができる。また、引出し電極（３）
を第２電極（７）によって覆っているから、引出し電極
（３）が、第２電極（７）形成時のエッチング液などに
よって黒化あるいは断線といった問題が生じていないも
のとすることができる。
し電極（３）を形成しておくことにより、ＥＬ素子構成
膜（４〜６）の膜厚を均一化して輝度ムラの少ないＥＬ
素子を提供することができる。また、引出し電極（３）
を第２電極（７）によって覆っているから、引出し電極
（３）が、第２電極（７）形成時のエッチング液などに
よって黒化あるいは断線といった問題が生じていないも
のとすることができる。
【００１０】請求項２に記載の発明においては、第１電
極（２）のうちＥＬ素子構成膜（４〜６）から露出して
いる部分が、第１電極の引き出し電極（８）で覆われて
おり、その覆われた部分と第２電極（７）で覆われた部
分が、同じ高さになっていることを特徴としている。従
って、それぞれの部分を外部回路と電気接続する場合
に、両部分の高さが同じになっているので、その接続を
容易に行うことができる。
極（２）のうちＥＬ素子構成膜（４〜６）から露出して
いる部分が、第１電極の引き出し電極（８）で覆われて
おり、その覆われた部分と第２電極（７）で覆われた部
分が、同じ高さになっていることを特徴としている。従
って、それぞれの部分を外部回路と電気接続する場合
に、両部分の高さが同じになっているので、その接続を
容易に行うことができる。
【００１１】また、請求項３に記載の発明のように、第
１電極（２）、第２電極（７）、第２電極の引出し電極
（３）、および第１電極の引き出し電極（８）を、同一
の透明電極材料で形成するようにすれば、透明ＥＬ素子
とすることができる。この場合、引出し電極（３）が第
２電極（７）で覆われた部分を単層構造のものとして扱
うことができるため、その部分を外部回路と電気接続す
る場合の接続条件の設定を容易にすることができる。
１電極（２）、第２電極（７）、第２電極の引出し電極
（３）、および第１電極の引き出し電極（８）を、同一
の透明電極材料で形成するようにすれば、透明ＥＬ素子
とすることができる。この場合、引出し電極（３）が第
２電極（７）で覆われた部分を単層構造のものとして扱
うことができるため、その部分を外部回路と電気接続す
る場合の接続条件の設定を容易にすることができる。
【００１２】請求項５、６に記載の発明によれば、請求
項１、２に記載のＥＬ素子を適切に製造することができ
る。なお、上記した括弧内の符号は、後述する実施形態
記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
項１、２に記載のＥＬ素子を適切に製造することができ
る。なお、上記した括弧内の符号は、後述する実施形態
記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に本発明の一実施形態にかかる
ＥＬ素子の平面図を示し、図２に図１中のII-II 断面図
を示し、図３に図１中のIII-III 断面図を示す。ＥＬ素
子は、絶縁基板としてのガラス基板１上に、図１のＹ方
向に沿ってストライプ状に複数条形成されたＩＴＯから
なる第１電極２と、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）から
なる第１絶縁層４と、母体材料としてＺｎＳ（硫化亜
鉛）を用い発光中心としてＭｎ（マンガン）が添加され
たＺｎＳ：Ｍｎ発光層５と、Ｔａ2Ｏ5 からなる第２絶
縁層６と、図１のＸ方向に沿ってストライプ状に複数条
形成されたＩＴＯからなる第２電極７とが順次積層され
た構造になっている。
について説明する。図１に本発明の一実施形態にかかる
ＥＬ素子の平面図を示し、図２に図１中のII-II 断面図
を示し、図３に図１中のIII-III 断面図を示す。ＥＬ素
子は、絶縁基板としてのガラス基板１上に、図１のＹ方
向に沿ってストライプ状に複数条形成されたＩＴＯから
なる第１電極２と、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）から
なる第１絶縁層４と、母体材料としてＺｎＳ（硫化亜
鉛）を用い発光中心としてＭｎ（マンガン）が添加され
たＺｎＳ：Ｍｎ発光層５と、Ｔａ2Ｏ5 からなる第２絶
縁層６と、図１のＸ方向に沿ってストライプ状に複数条
形成されたＩＴＯからなる第２電極７とが順次積層され
た構造になっている。
【００１４】また、ガラス基板１上には、第１電極２の
形成と同時に形成された第２電極の引出し電極３が複数
配置されている。この引出し電極３は、第１絶縁層４、
発光層５、第２絶縁層６を形成する際の表面温度を均一
化するために用いられるもので、第２電極７の形成時に
第２電極７によって完全に覆われている。そして、その
部分において、引出し電極３と第２電極７により２層構
造となった第２電極の引出し端子部が構成されている。
形成と同時に形成された第２電極の引出し電極３が複数
配置されている。この引出し電極３は、第１絶縁層４、
発光層５、第２絶縁層６を形成する際の表面温度を均一
化するために用いられるもので、第２電極７の形成時に
第２電極７によって完全に覆われている。そして、その
部分において、引出し電極３と第２電極７により２層構
造となった第２電極の引出し端子部が構成されている。
【００１５】また、第１電極２のうち第１絶縁層４、発
光層５、第２絶縁層６によって被覆されていない部分
は、第２電極７の形成と同時に形成された第１電極の引
出し電極８によって完全に覆われており、その部分にお
いて、第１電極２と引出し電極８により２層構造となっ
た第１電極の引出し端子部が構成されている。上記した
第１電極および第２電極の引出し端子部は、外部回路と
はんだ付けや異方性導電膜によってそれぞれ接続され
る。この場合、両引出し端子部とも２層のＩＴＯで形成
されているため、その高さを等しくすることができ、外
部回路との接続を行い易くすることができる。
光層５、第２絶縁層６によって被覆されていない部分
は、第２電極７の形成と同時に形成された第１電極の引
出し電極８によって完全に覆われており、その部分にお
いて、第１電極２と引出し電極８により２層構造となっ
た第１電極の引出し端子部が構成されている。上記した
第１電極および第２電極の引出し端子部は、外部回路と
はんだ付けや異方性導電膜によってそれぞれ接続され
る。この場合、両引出し端子部とも２層のＩＴＯで形成
されているため、その高さを等しくすることができ、外
部回路との接続を行い易くすることができる。
【００１６】次に、上記したＥＬ素子の製造方法につい
て、図４に示す工程図を用いて説明する。なお、この図
４に示す工程図は、図２に示したのと同じ断面状態で示
している。 〔図４（ａ）の工程〕ガラス基板１上にＤＣスパッタリ
ングでＩＴＯを一様に成膜した後、フォトレジストをパ
ターニング形成し、塩酸と塩化第２鉄を主成分としたエ
ッチング液でエッチングして、第１電極２と第２電極の
引出し電極３を形成する。このときの平面図を図５に示
す。
て、図４に示す工程図を用いて説明する。なお、この図
４に示す工程図は、図２に示したのと同じ断面状態で示
している。 〔図４（ａ）の工程〕ガラス基板１上にＤＣスパッタリ
ングでＩＴＯを一様に成膜した後、フォトレジストをパ
ターニング形成し、塩酸と塩化第２鉄を主成分としたエ
ッチング液でエッチングして、第１電極２と第２電極の
引出し電極３を形成する。このときの平面図を図５に示
す。
【００１７】この場合、ガラス基板１上において、第１
電極２のみならず第２電極の引出し電極３が形成されて
いるため、以下の各膜を形成する際の表面温度を均一化
することができ、それぞれの膜厚を均一化することがで
きる。 〔図４（ｂ）〜図４（ｄ）の工程〕第１電極２の上にＴ
ａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層４をスパッタリング法で形
成し、その上に電子ビーム蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ発光層
５を形成し、さらにその上にＴａ2 Ｏ5 からなる第２絶
縁層６をスパッタリング法で形成する。このときの平面
図を図６に示す。 〔図４（ｅ）の工程〕全面にＤＣスパッタリングでＩＴ
Ｏを一様に成膜した後、フォトレジストをパターニング
形成し、塩酸と塩化第２鉄を主成分としたエッチング液
でエッチングして第２電極７を形成する。また、第１電
極２のうち第１絶縁層４、発光層５、第２絶縁層６から
露出している部分をＩＴＯにて被覆したままとして、第
１電極の引出し端子部を形成する。
電極２のみならず第２電極の引出し電極３が形成されて
いるため、以下の各膜を形成する際の表面温度を均一化
することができ、それぞれの膜厚を均一化することがで
きる。 〔図４（ｂ）〜図４（ｄ）の工程〕第１電極２の上にＴ
ａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層４をスパッタリング法で形
成し、その上に電子ビーム蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ発光層
５を形成し、さらにその上にＴａ2 Ｏ5 からなる第２絶
縁層６をスパッタリング法で形成する。このときの平面
図を図６に示す。 〔図４（ｅ）の工程〕全面にＤＣスパッタリングでＩＴ
Ｏを一様に成膜した後、フォトレジストをパターニング
形成し、塩酸と塩化第２鉄を主成分としたエッチング液
でエッチングして第２電極７を形成する。また、第１電
極２のうち第１絶縁層４、発光層５、第２絶縁層６から
露出している部分をＩＴＯにて被覆したままとして、第
１電極の引出し端子部を形成する。
【００１８】このようにして図１乃至図３に示すＥＬ素
子を製造することができる。上記した実施形態によれ
ば、以下に示す効果がある。 （１）第１電極２の形成時に形成した引出し電極３を第
２電極７によって完全に覆っているから、引出し電極３
が、第２電極７の形成時のフォトリソで使用する現像液
やエッチング液に触れることがないため、電池反応によ
って酸化インジウムが還元され、黒化、断線してしまう
という問題の発生が防止できる。また、第１電極２のう
ち第１絶縁層４、発光層５、第２絶縁層６によって被服
されていない部分を第２電極７の形成と同時に形成され
た第１電極の引き出し配線８によって完全に覆っている
から、その部分についても上記した効果を奏する。 （２）第１電極の引出し端子部および第２電極の引出し
端子部は、それぞれ２層のＩＴＯで形成され同じ高さに
なっているので、それぞれの引出し端子部を外部回路と
はんだ付けして接続する場合の接続を容易に行うことが
できる。 （３）第１電極２、第２電極７、引出し電極３、引出し
電極８を透明電極材料で形成しているので、透明ＥＬ素
子とすることができるとともに、２層で構成された各引
出し端子部を単層構造のものとして扱うことができるた
め、それぞれの引出し端子部を外部回路とはんだ付けし
て接続する場合の接続条件を簡単に設定することができ
る。
子を製造することができる。上記した実施形態によれ
ば、以下に示す効果がある。 （１）第１電極２の形成時に形成した引出し電極３を第
２電極７によって完全に覆っているから、引出し電極３
が、第２電極７の形成時のフォトリソで使用する現像液
やエッチング液に触れることがないため、電池反応によ
って酸化インジウムが還元され、黒化、断線してしまう
という問題の発生が防止できる。また、第１電極２のう
ち第１絶縁層４、発光層５、第２絶縁層６によって被服
されていない部分を第２電極７の形成と同時に形成され
た第１電極の引き出し配線８によって完全に覆っている
から、その部分についても上記した効果を奏する。 （２）第１電極の引出し端子部および第２電極の引出し
端子部は、それぞれ２層のＩＴＯで形成され同じ高さに
なっているので、それぞれの引出し端子部を外部回路と
はんだ付けして接続する場合の接続を容易に行うことが
できる。 （３）第１電極２、第２電極７、引出し電極３、引出し
電極８を透明電極材料で形成しているので、透明ＥＬ素
子とすることができるとともに、２層で構成された各引
出し端子部を単層構造のものとして扱うことができるた
め、それぞれの引出し端子部を外部回路とはんだ付けし
て接続する場合の接続条件を簡単に設定することができ
る。
【００１９】なお、透明電極材料としては、ＩＴＯ以外
にＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いてもよい。また、引出し電
極３を第２電極７によって完全に覆うことによって、引
出し電極３の黒化、断線などの問題の発生を防止すると
いう観点からすれば、第１電極２と第２電極７は同じ電
極材料である必要はなく、別の電極材料で形成されてい
てもよい。また、ＥＬ素子構成膜としては、発光層を絶
縁層で挟んだ構成のものに限らず、分散型のＥＬ素子、
有機ＥＬ素子を形成するための膜構成のものであっても
よい。
にＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いてもよい。また、引出し電
極３を第２電極７によって完全に覆うことによって、引
出し電極３の黒化、断線などの問題の発生を防止すると
いう観点からすれば、第１電極２と第２電極７は同じ電
極材料である必要はなく、別の電極材料で形成されてい
てもよい。また、ＥＬ素子構成膜としては、発光層を絶
縁層で挟んだ構成のものに限らず、分散型のＥＬ素子、
有機ＥＬ素子を形成するための膜構成のものであっても
よい。
【図１】本発明の一実施形態かかるＥＬ素子の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１中のII-II 断面図である。
【図３】図１中のIII-III 断面図である。
【図４】図１乃至図３に示すＥＬ素子の製造方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図５】ガラス基板１上に第１電極２と第２電極の引出
し電極３を形成したときの平面図である。
し電極３を形成したときの平面図である。
【図６】第１絶縁層４、発光層５、第２絶縁層６を形成
したときの平面図である。
したときの平面図である。
１…ガラス基板、２…第１電極、３…第２電極の引出し
電極、４…第１絶縁層、５…発光層、６…第２絶縁層、
７…第２電極、８…第１電極の引出し電極。
電極、４…第１絶縁層、５…発光層、６…第２絶縁層、
７…第２電極、８…第１電極の引出し電極。
Claims (5)
- 【請求項１】 第１電極（２）と第２電極（７）の間に
ＥＬ素子構成膜（４〜６）が挟持され、これらが絶縁基
板（１）の上に形成されてなるＥＬ素子において、 前記絶縁基板（１）の上に前記第１電極（２）および前
記第２電極の引出し電極（３）が形成され、前記ＥＬ素
子構成膜（４〜６）の上に前記第２電極（７）が形成さ
れており、前記引出し電極（３）が前記第２電極（７）
によって覆われていることを特徴とするＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記第１電極（２）のうち前記ＥＬ素子
構成膜（４〜６）から露出している部分が、第１電極の
引き出し電極（８）で覆われており、その覆われた部分
と前記第２電極（７）で覆われた部分が、同じ高さにな
っていることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記第１電極（２）、前記第２電極
（７）、前記第２電極の引出し電極（３）、および前記
第１電極の引き出し電極（８）が、同一の透明電極材料
で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記
載のＥＬ素子。 - 【請求項４】 絶縁基板（１）の上に同一電極材料で第
１電極（２）および第２電極の引出し電極（３）を形成
し、 前記第１電極（２）の上にＥＬ素子構成膜（４〜６）を
形成し、 全面に第２電極（７）を形成する電極材料を形成した
後、エッチングを行い、前記引出し電極（３）を覆うと
ともに前記ＥＬ素子構成膜（４〜６）の上に第２電極
（７）を形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記エッチングの際に、前記第１電極
（２）のうち前記ＥＬ素子構成膜（４〜６）から露出し
ている部分を前記第２電極（７）を形成する電極材料で
被覆したままとすることを特徴とする請求項４に記載の
ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02597298A JP3528571B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02597298A JP3528571B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224775A true JPH11224775A (ja) | 1999-08-17 |
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