JP3512573B2 - 表示素子の製法 - Google Patents
表示素子の製法Info
- Publication number
- JP3512573B2 JP3512573B2 JP22701796A JP22701796A JP3512573B2 JP 3512573 B2 JP3512573 B2 JP 3512573B2 JP 22701796 A JP22701796 A JP 22701796A JP 22701796 A JP22701796 A JP 22701796A JP 3512573 B2 JP3512573 B2 JP 3512573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- resist film
- tin oxide
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインジウムスズオキ
サイドの透明電極が配列されてなる表示部と、透明電極
の引出し線が配列された非表示部とから成る液晶表示装
置などの表示素子の製法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】表示素子の端子引出構造として、透明電
極の上にクロム層を介してアルミニウム層を積層し、こ
れによって透明電極とアルミニウム層との付着強度を高
める技術が提案されているが（実開平１−４０８８１号
参照）、この技術によれば、そのような三層を順次積層
するに当たっての有効な製造技術については開示されて
いない。 【０００３】また、液晶表示装置などに形成される透明
電極の形成方法として、インジウムスズオキサイド（以
下、インジウムスズオキサイドをＩＴＯと略記する）な
どのターゲットに対して、不活性ガスならびに水素ガス
および酸素ガスでもってスパッタリングし、これによっ
て得られた膜をフォトリソ法でエッチングし、その後に
アニールして結晶化させ、低抵抗化および高透過率化を
達成するという製造技術が提案されている（特開平３−
６４４５０号参照）。さらに透明導電膜および金属膜を
連続して成膜形成し、次いで金属膜および透明導電膜の
順でそれぞれ連続してエッチングして、透明電極と金属
層との積層構造を製造する技術も開示されている。 【０００４】さらにまた、特開平４−３６２９２５号に
もＩＴＯなどの透明電極の上にクロム層とアルミニウム
層とを順次積層する製造技術が記載されているが、その
技術によれば、透明導電膜とクロム膜とアルミニウム膜
との三層を形成した後に、フォトレジストなどを用いる
フォトプロセスでもって、三層の帯状パターンを形成
し、その後にクロム膜とアルミニウム膜とを選択的にエ
ッチング除去して、さらに幅の狭いクロム層とアルミニ
ウム層との二層の帯状パターンを透明電極の帯状パター
ン上に設けるというものである。 【０００５】他方、液晶表示装置は透明電極が配列され
てなる表示部と、その透明電極の引出し線が配列された
非表示部とからなり、さらに最近では非表示部に駆動用
ＩＣを搭載したチップオングラス（ＣＨＩＰ−ＯＮ−Ｇ
ＬＡＳＳ）方式（以下、チップオングラス方式をＣＯＧ
方式と略記する）の液晶表示装置も注目されている。こ
のＣＯＧ方式によれば、引出し線の端子部と駆動用ＩＣ
の端子部とをワイヤーボンデイングによって電気的に接
続しているが、その引出し線もＩＴＯ層とクロム層とア
ルミニウム層との三層構造になっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のＣＯＧ方式液晶表示装置においては、ワイヤーボン
デイングによって引出し線が剥がれるという問題点があ
る。この問題点を図５によって説明すると、同図（ａ）
は断面図、（ｂ）は斜視図であって、１はガラス基板、
２はガラス基板１上に設けた駆動用ＩＣ、３はガラス基
板１上に形成したＩＴＯ層であり、さらに４はクロム
層、５はアルミニウム層、６はＩＴＯ層３とクロム層４
とアルミニウム層５の積層から成る引出し線、７はボン
デイング用ワイヤ、８は駆動用ＩＣ２の端子部、９は引
出し線６の端子部である。そして、引出し線６の端子部
９と駆動用ＩＣ２の端子部８とをワイヤーボンデイング
したことで、その大きな衝撃により引出し線６の端子部
９が剥がれた状態を示す。 【０００７】そして、かかる剥がれが発生する理由が下
記の通りである。すなわち、引出し線６の横断面図であ
る図６に示す通り、ガラス基板１上に透明導電膜とクロ
ム膜とアルミニウム膜との三層を形成した後に、フォト
レジストなどを用いるフォトプロセスでもって、アルミ
ニウム膜とクロム膜と透明導電膜とを順次選択エッチン
グするが、クロム層４とアルミニウム層５との積層構造
が形成された後に、透明導電膜をエッチングしてＩＴＯ
層３を形成するに際して、それに使用するエッチング液
でもってクロム層４の端４ａもエッチングされ、そのた
めにクロム層４がＩＴＯ層３に対してめくれ易くなっ
て、その箇所より剥がれ易くなるためである。 【０００８】したがって、本発明の目的は、表示部に設
けた透明電極の引出し線がワイヤーボンデイングなどに
対して優れた耐衝撃性に示す表示素子を提供することに
ある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、透明電極が配
列されて成る表示部と、透明電極の引出し線が配列され
てなる非表示部とから成る表示素子であって、上記引出
し線を順次下記Ａ〜Ｋの各工程により成膜形成したこと
を特徴とする表示素子の製法。 Ａ：インジウムスズオキサイドから成るターゲットをス
パタリングして、アモルファス状の透明導電膜を形成す
る。 Ｂ：上記透明導電膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｃ：透明電極用マスクおよび引出し線用マスクを通して
レジスト膜を露光し、現像によりレジスト膜の不要部分
を除去する。 Ｄ：エッチング液に浸漬して透明導電膜の不要部分を除
去し、配列パターン化された透明電極および引出し線用
インジウムスズオキサイド層を形成する。 Ｅ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 Ｆ：上記透明電極および引出し線用インジウムスズオキ
サイド層を３００℃以上の温度にて加熱して、アモルフ
ァス状のインジウムスズオキサイド層を結晶化させる
。 Ｇ：上記引出し線用インジウムスズオキサイド層の上に
クロム膜もしくはチタン膜、ならびにアルミニウム膜と
を順次被覆する。 Ｈ：上記アルミニウム膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｉ：前記引出し線用マスクと同様のパターン形状のマス
クを通して上記レジスト膜を露光し、現像によりレジス
ト膜の不要部分を除去する。 Ｊ：エッチング液に浸漬してクロム膜とアルミニウム膜
の不要部分を除去し、上記引出し線用インジウムスズオ
キサイド層の上にクロム層もしくはチタン層、ならびに
アルミ ニウム層とを順次積層する。 Ｋ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明に係る表示素子を液晶表示
装置でもって説明する。図１と図２は液晶表示装置１０
を示し、図１はその平面図、図２は図１中に示すＡ部の
拡大平面図である。 【００１１】液晶表示装置１０においては、コモン側の
ガラス基板である上ガラス基板１１とセグメント側のガ
ラス基板である下ガラス基板１２との間に封止剤（図示
せず）を設けて、これによって形成される空間領域に液
晶（図示せず）を封入し、また、上下ガラス基板１１、
１２のそれぞれの内面には透明電極１３を相互に直交す
るように配列して表示部１４を成している。そして、下
ガラス基板１２の表示部１４以外の領域である非表示部
１５には駆動用ＩＣ１６が配列され、非表示部１５には
透明電極１３の引出し線１７が連続的につながって配列
されている。さらに非表示部１５には入力側配線１８も
形成し、そして、駆動用ＩＣ１６の端子１９および引出
し線１７の端子２０もしくは入力側配線１８の端子２１
との間は金線などから成るボンデイング用のワイヤ２
２、２３でもってワイヤーボンデイング接続されてい
る。なお、入力側配線１８は引出し線１７の形成と同時
に設けることができるので、その層構造は引出し線１７
と同じである。 【００１２】次に上記構成の液晶表示装置１０におい
て、引出し線１７の製作工程を図３と図４により説明す
る。この製作工程によれば、順次下記Ａ〜Ｋの各工程よ
り成るが、図３でもって工程Ａ〜工程Ｆを、図４で工程
Ｇ〜工程Ｋを示している。各図の左に各工程を付す。 【００１３】Ａ工程 ＩＴＯから成るターゲットをスパタリングして、下ガラ
ス基板１２の上にアモルファス状の透明導電膜２４を形
成する。 【００１４】Ｂ工程 この透明導電膜２４の上にポジ型のレジスト膜２５を塗
布する。 【００１５】Ｃ工程 透明電極用マスク（図示せず）および引出し線用マスク
２６を通してレジスト膜２５を露光し、現像によりレジ
スト膜２５の不要部分を除去する。 【００１６】Ｄ工程 塩酸系混酸溶液のエッチング液に浸漬して透明導電膜２
４の不要部分を除去し、配列パターン化された透明電極
（図示せず）および引出し線用のＩＴＯ層２７とを形成
する。 【００１７】Ｅ工程 レジスト膜２５の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００１８】Ｆ工程 透明電極および引出し線用のＩＴＯ層２７を３００℃以
上の温度でもって加熱して結晶化させる。 【００１９】Ｇ工程 引出し線用ＩＴＯ層２７の上にクロム膜２８（もしくは
チタン膜）とアルミニウム膜２９とを順次被覆する。 【００２０】Ｈ工程 アルミニウム膜２９の上にポジ型のレジスト膜３０を塗
布する。 【００２１】Ｉ工程 引出し線用マスク２６と同様のパターン形状のマスク３
１を通してレジスト膜３０を露光し、現像によりレジス
ト膜３０の不要部分を除去する。 【００２２】Ｊ工程 リン酸を含む混酸溶液のエッチング液に浸漬してクロム
膜２８とアルミニウム膜２９の不要部分を除去し、引出
し線用ＩＴＯ層２７の上にクロム層３２とアルミニウム
層３３とを順次積層する。 【００２３】Ｋ工程 レジスト膜３０の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００２４】かくして上記のような引出し線１７の製作
工程によれば、Ｄ工程によってアモルファス状のＩＴＯ
層２７となる透明導電膜２４をエッチング液によって配
線パターン化して、その後、Ｆ工程でアルモファス状で
かつ配線パターン化されたＩＴＯ層２７を結晶化して、
さらに、Ｇ工程でクロム膜２８とアルミニウム膜２９を
形成し、Ｊ工程によってクロム膜２８とアルミニウム膜
２９の不要部分を同時に除去している。すなわち、配線
パターン化されたＩＴＯ層２７上に、クロム膜２８、ア
ルミニウム膜２９を形成し、これらクロム膜２８、アル
ミニウム膜２９のみに除去しており、従来のようにＩＴ
Ｏ層３となる透明導電膜、クロム膜およびアルミ膜との
三層をまとめて順次選択エッチングしていない。すなわ
ち、透明導電膜のエッチングに用いるエッチング液は、
本発明の製造方法ではクロム膜に一切接触することがな
いものである。このため、クロム層の端が欠けなくな
り、クロム層３２とＩＴＯ層２７との接着強度が向上す
る。したがって、そのような三層構造の引出し線１７の
端子２０に対してワイヤーボンデイングをおこなって
も、剥がれが生じなくなる。 【００２５】また、かかる引出し線１７の製作工程にお
いては、その端子２０におけるＩＴＯ層２７の線幅を６
０〜２００μｍに、クロム層３２とアルミニウム層３３
との線幅をＩＴＯ層２７の線幅よりもさらに２〜１０μ
ｍ程度小さくすると、ワイヤーボンデイングにおける剥
がれの発生がもっとも生じなくなる点で好適である。 【００２６】さらにまた、上記の製作工程によれば、Ｆ
工程においてＩＴＯ層２７を結晶化させているので、Ｉ
ＴＯ層２７とクロム層３２との接着強度の向上という点
でよい。 【００２７】しかも、Ａ工程において、アモルファス状
の透明導電膜２４を形成しているので、Ｄ工程における
透明導電膜２４のエッチングが容易におこなわれるとい
う利点がある。 【００２８】なお、本発明は上記の実施形態例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で
種々の変更や改良等は何ら差し支えない。たとえば上記
実施形態では表示素子として液晶表示装置を例にした
が、その他にサーマルヘッド、ＣＣＤ、ＩＣ、センサー
ヘッド、ＰＤＰ等のフォトエッチング技術を使用する製
品においても同様な作用効果がある。 【００２９】 【発明の効果】以上の通り、本発明の製法によれば、Ｊ
工程によってクロム膜とアルミニウム膜の不要部分を同
時に除去している。すなわち、アルミニウム膜とクロム
膜の不要部分を除去する際には、ＩＴＯ層は既に配線パ
ターン化されており、ＩＴＯ層の配線パターンに用いる
エッチング液がクロム層やアルミニウム層などに一切に
触れることがないため、クロム層の端が劣化することが
一切なく、クロム層とＩＴＯ層との接着強度が向上し、
これにより、表示部に設けた透明電極の引出し線がワイ
ヤーボンデイングなどに対して優れた耐衝撃性に示す表
示素子を提供できた。
サイドの透明電極が配列されてなる表示部と、透明電極
の引出し線が配列された非表示部とから成る液晶表示装
置などの表示素子の製法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】表示素子の端子引出構造として、透明電
極の上にクロム層を介してアルミニウム層を積層し、こ
れによって透明電極とアルミニウム層との付着強度を高
める技術が提案されているが（実開平１−４０８８１号
参照）、この技術によれば、そのような三層を順次積層
するに当たっての有効な製造技術については開示されて
いない。 【０００３】また、液晶表示装置などに形成される透明
電極の形成方法として、インジウムスズオキサイド（以
下、インジウムスズオキサイドをＩＴＯと略記する）な
どのターゲットに対して、不活性ガスならびに水素ガス
および酸素ガスでもってスパッタリングし、これによっ
て得られた膜をフォトリソ法でエッチングし、その後に
アニールして結晶化させ、低抵抗化および高透過率化を
達成するという製造技術が提案されている（特開平３−
６４４５０号参照）。さらに透明導電膜および金属膜を
連続して成膜形成し、次いで金属膜および透明導電膜の
順でそれぞれ連続してエッチングして、透明電極と金属
層との積層構造を製造する技術も開示されている。 【０００４】さらにまた、特開平４−３６２９２５号に
もＩＴＯなどの透明電極の上にクロム層とアルミニウム
層とを順次積層する製造技術が記載されているが、その
技術によれば、透明導電膜とクロム膜とアルミニウム膜
との三層を形成した後に、フォトレジストなどを用いる
フォトプロセスでもって、三層の帯状パターンを形成
し、その後にクロム膜とアルミニウム膜とを選択的にエ
ッチング除去して、さらに幅の狭いクロム層とアルミニ
ウム層との二層の帯状パターンを透明電極の帯状パター
ン上に設けるというものである。 【０００５】他方、液晶表示装置は透明電極が配列され
てなる表示部と、その透明電極の引出し線が配列された
非表示部とからなり、さらに最近では非表示部に駆動用
ＩＣを搭載したチップオングラス（ＣＨＩＰ−ＯＮ−Ｇ
ＬＡＳＳ）方式（以下、チップオングラス方式をＣＯＧ
方式と略記する）の液晶表示装置も注目されている。こ
のＣＯＧ方式によれば、引出し線の端子部と駆動用ＩＣ
の端子部とをワイヤーボンデイングによって電気的に接
続しているが、その引出し線もＩＴＯ層とクロム層とア
ルミニウム層との三層構造になっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のＣＯＧ方式液晶表示装置においては、ワイヤーボン
デイングによって引出し線が剥がれるという問題点があ
る。この問題点を図５によって説明すると、同図（ａ）
は断面図、（ｂ）は斜視図であって、１はガラス基板、
２はガラス基板１上に設けた駆動用ＩＣ、３はガラス基
板１上に形成したＩＴＯ層であり、さらに４はクロム
層、５はアルミニウム層、６はＩＴＯ層３とクロム層４
とアルミニウム層５の積層から成る引出し線、７はボン
デイング用ワイヤ、８は駆動用ＩＣ２の端子部、９は引
出し線６の端子部である。そして、引出し線６の端子部
９と駆動用ＩＣ２の端子部８とをワイヤーボンデイング
したことで、その大きな衝撃により引出し線６の端子部
９が剥がれた状態を示す。 【０００７】そして、かかる剥がれが発生する理由が下
記の通りである。すなわち、引出し線６の横断面図であ
る図６に示す通り、ガラス基板１上に透明導電膜とクロ
ム膜とアルミニウム膜との三層を形成した後に、フォト
レジストなどを用いるフォトプロセスでもって、アルミ
ニウム膜とクロム膜と透明導電膜とを順次選択エッチン
グするが、クロム層４とアルミニウム層５との積層構造
が形成された後に、透明導電膜をエッチングしてＩＴＯ
層３を形成するに際して、それに使用するエッチング液
でもってクロム層４の端４ａもエッチングされ、そのた
めにクロム層４がＩＴＯ層３に対してめくれ易くなっ
て、その箇所より剥がれ易くなるためである。 【０００８】したがって、本発明の目的は、表示部に設
けた透明電極の引出し線がワイヤーボンデイングなどに
対して優れた耐衝撃性に示す表示素子を提供することに
ある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、透明電極が配
列されて成る表示部と、透明電極の引出し線が配列され
てなる非表示部とから成る表示素子であって、上記引出
し線を順次下記Ａ〜Ｋの各工程により成膜形成したこと
を特徴とする表示素子の製法。 Ａ：インジウムスズオキサイドから成るターゲットをス
パタリングして、アモルファス状の透明導電膜を形成す
る。 Ｂ：上記透明導電膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｃ：透明電極用マスクおよび引出し線用マスクを通して
レジスト膜を露光し、現像によりレジスト膜の不要部分
を除去する。 Ｄ：エッチング液に浸漬して透明導電膜の不要部分を除
去し、配列パターン化された透明電極および引出し線用
インジウムスズオキサイド層を形成する。 Ｅ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 Ｆ：上記透明電極および引出し線用インジウムスズオキ
サイド層を３００℃以上の温度にて加熱して、アモルフ
ァス状のインジウムスズオキサイド層を結晶化させる
。 Ｇ：上記引出し線用インジウムスズオキサイド層の上に
クロム膜もしくはチタン膜、ならびにアルミニウム膜と
を順次被覆する。 Ｈ：上記アルミニウム膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｉ：前記引出し線用マスクと同様のパターン形状のマス
クを通して上記レジスト膜を露光し、現像によりレジス
ト膜の不要部分を除去する。 Ｊ：エッチング液に浸漬してクロム膜とアルミニウム膜
の不要部分を除去し、上記引出し線用インジウムスズオ
キサイド層の上にクロム層もしくはチタン層、ならびに
アルミ ニウム層とを順次積層する。 Ｋ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明に係る表示素子を液晶表示
装置でもって説明する。図１と図２は液晶表示装置１０
を示し、図１はその平面図、図２は図１中に示すＡ部の
拡大平面図である。 【００１１】液晶表示装置１０においては、コモン側の
ガラス基板である上ガラス基板１１とセグメント側のガ
ラス基板である下ガラス基板１２との間に封止剤（図示
せず）を設けて、これによって形成される空間領域に液
晶（図示せず）を封入し、また、上下ガラス基板１１、
１２のそれぞれの内面には透明電極１３を相互に直交す
るように配列して表示部１４を成している。そして、下
ガラス基板１２の表示部１４以外の領域である非表示部
１５には駆動用ＩＣ１６が配列され、非表示部１５には
透明電極１３の引出し線１７が連続的につながって配列
されている。さらに非表示部１５には入力側配線１８も
形成し、そして、駆動用ＩＣ１６の端子１９および引出
し線１７の端子２０もしくは入力側配線１８の端子２１
との間は金線などから成るボンデイング用のワイヤ２
２、２３でもってワイヤーボンデイング接続されてい
る。なお、入力側配線１８は引出し線１７の形成と同時
に設けることができるので、その層構造は引出し線１７
と同じである。 【００１２】次に上記構成の液晶表示装置１０におい
て、引出し線１７の製作工程を図３と図４により説明す
る。この製作工程によれば、順次下記Ａ〜Ｋの各工程よ
り成るが、図３でもって工程Ａ〜工程Ｆを、図４で工程
Ｇ〜工程Ｋを示している。各図の左に各工程を付す。 【００１３】Ａ工程 ＩＴＯから成るターゲットをスパタリングして、下ガラ
ス基板１２の上にアモルファス状の透明導電膜２４を形
成する。 【００１４】Ｂ工程 この透明導電膜２４の上にポジ型のレジスト膜２５を塗
布する。 【００１５】Ｃ工程 透明電極用マスク（図示せず）および引出し線用マスク
２６を通してレジスト膜２５を露光し、現像によりレジ
スト膜２５の不要部分を除去する。 【００１６】Ｄ工程 塩酸系混酸溶液のエッチング液に浸漬して透明導電膜２
４の不要部分を除去し、配列パターン化された透明電極
（図示せず）および引出し線用のＩＴＯ層２７とを形成
する。 【００１７】Ｅ工程 レジスト膜２５の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００１８】Ｆ工程 透明電極および引出し線用のＩＴＯ層２７を３００℃以
上の温度でもって加熱して結晶化させる。 【００１９】Ｇ工程 引出し線用ＩＴＯ層２７の上にクロム膜２８（もしくは
チタン膜）とアルミニウム膜２９とを順次被覆する。 【００２０】Ｈ工程 アルミニウム膜２９の上にポジ型のレジスト膜３０を塗
布する。 【００２１】Ｉ工程 引出し線用マスク２６と同様のパターン形状のマスク３
１を通してレジスト膜３０を露光し、現像によりレジス
ト膜３０の不要部分を除去する。 【００２２】Ｊ工程 リン酸を含む混酸溶液のエッチング液に浸漬してクロム
膜２８とアルミニウム膜２９の不要部分を除去し、引出
し線用ＩＴＯ層２７の上にクロム層３２とアルミニウム
層３３とを順次積層する。 【００２３】Ｋ工程 レジスト膜３０の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 【００２４】かくして上記のような引出し線１７の製作
工程によれば、Ｄ工程によってアモルファス状のＩＴＯ
層２７となる透明導電膜２４をエッチング液によって配
線パターン化して、その後、Ｆ工程でアルモファス状で
かつ配線パターン化されたＩＴＯ層２７を結晶化して、
さらに、Ｇ工程でクロム膜２８とアルミニウム膜２９を
形成し、Ｊ工程によってクロム膜２８とアルミニウム膜
２９の不要部分を同時に除去している。すなわち、配線
パターン化されたＩＴＯ層２７上に、クロム膜２８、ア
ルミニウム膜２９を形成し、これらクロム膜２８、アル
ミニウム膜２９のみに除去しており、従来のようにＩＴ
Ｏ層３となる透明導電膜、クロム膜およびアルミ膜との
三層をまとめて順次選択エッチングしていない。すなわ
ち、透明導電膜のエッチングに用いるエッチング液は、
本発明の製造方法ではクロム膜に一切接触することがな
いものである。このため、クロム層の端が欠けなくな
り、クロム層３２とＩＴＯ層２７との接着強度が向上す
る。したがって、そのような三層構造の引出し線１７の
端子２０に対してワイヤーボンデイングをおこなって
も、剥がれが生じなくなる。 【００２５】また、かかる引出し線１７の製作工程にお
いては、その端子２０におけるＩＴＯ層２７の線幅を６
０〜２００μｍに、クロム層３２とアルミニウム層３３
との線幅をＩＴＯ層２７の線幅よりもさらに２〜１０μ
ｍ程度小さくすると、ワイヤーボンデイングにおける剥
がれの発生がもっとも生じなくなる点で好適である。 【００２６】さらにまた、上記の製作工程によれば、Ｆ
工程においてＩＴＯ層２７を結晶化させているので、Ｉ
ＴＯ層２７とクロム層３２との接着強度の向上という点
でよい。 【００２７】しかも、Ａ工程において、アモルファス状
の透明導電膜２４を形成しているので、Ｄ工程における
透明導電膜２４のエッチングが容易におこなわれるとい
う利点がある。 【００２８】なお、本発明は上記の実施形態例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で
種々の変更や改良等は何ら差し支えない。たとえば上記
実施形態では表示素子として液晶表示装置を例にした
が、その他にサーマルヘッド、ＣＣＤ、ＩＣ、センサー
ヘッド、ＰＤＰ等のフォトエッチング技術を使用する製
品においても同様な作用効果がある。 【００２９】 【発明の効果】以上の通り、本発明の製法によれば、Ｊ
工程によってクロム膜とアルミニウム膜の不要部分を同
時に除去している。すなわち、アルミニウム膜とクロム
膜の不要部分を除去する際には、ＩＴＯ層は既に配線パ
ターン化されており、ＩＴＯ層の配線パターンに用いる
エッチング液がクロム層やアルミニウム層などに一切に
触れることがないため、クロム層の端が劣化することが
一切なく、クロム層とＩＴＯ層との接着強度が向上し、
これにより、表示部に設けた透明電極の引出し線がワイ
ヤーボンデイングなどに対して優れた耐衝撃性に示す表
示素子を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の要部拡大平面図で
ある。 【図３】Ａ〜Ｆはそれぞれ引出し線の製作工程順を示す
横断面図である。 【図４】Ｇ〜Ｋはそれぞれ引出し線の製作工程順を示す
横断面図である。 【図５】（ａ）はワイヤーボンデイングの剥がれ状態を
示す断面図、（ｂ）はその斜視図である。 【図６】従来の引出し線の横断面図である。 【符号の説明】 １０ 液晶表示装置 １３ 透明電極 １４ 表示部 １５ 非表示部 １６ 駆動用ＩＣ １７ 引出し線 ２４ 透明導電膜 ２５、３０ レジスト膜 ２６、３１ マスク ２７ ＩＴＯ層 ２８ クロム膜 ２９ アルミニウム膜 ３２ クロム層 ３３ アルミニウム層
ある。 【図３】Ａ〜Ｆはそれぞれ引出し線の製作工程順を示す
横断面図である。 【図４】Ｇ〜Ｋはそれぞれ引出し線の製作工程順を示す
横断面図である。 【図５】（ａ）はワイヤーボンデイングの剥がれ状態を
示す断面図、（ｂ）はその斜視図である。 【図６】従来の引出し線の横断面図である。 【符号の説明】 １０ 液晶表示装置 １３ 透明電極 １４ 表示部 １５ 非表示部 １６ 駆動用ＩＣ １７ 引出し線 ２４ 透明導電膜 ２５、３０ レジスト膜 ２６、３１ マスク ２７ ＩＴＯ層 ２８ クロム膜 ２９ アルミニウム膜 ３２ クロム層 ３３ アルミニウム層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 透明電極が配列されて成る表示部と、
透明電極の引出し線が配列されてなる非表示部とから成
る表示素子であって、上記引出し線を順次下記Ａ〜Ｋの
各工程により成膜形成したことを特徴とする表示素子の
製法。 Ａ：インジウムスズオキサイドから成るターゲットをス
パタリングして、アモルファス状の透明導電膜を形成す
る。 Ｂ：上記透明導電膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｃ：透明電極用マスクおよび引出し線用マスクを通して
レジスト膜を露光し、現像によりレジスト膜の不要部分
を除去する。 Ｄ：エッチング液に浸漬して透明導電膜の不要部分を除
去し、配列パターン化された透明電極および引出し線用
インジウムスズオキサイド層を形成する。 Ｅ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。 Ｆ：上記透明電極および引出し線用インジウムスズオキ
サイド層を３００℃以上の温度にて加熱して、アモルフ
ァス状のインジウムスズオキサイド層を結晶化させる
。 Ｇ：上記引出し線用インジウムスズオキサイド層の上に
クロム膜もしくはチタン膜、ならびにアルミニウム膜と
を順次被覆する。 Ｈ：上記アルミニウム膜の上にレジスト膜を塗布する。 Ｉ：前記引出し線用マスクと同様のパターン形状のマス
クを通して上記レジスト膜を露光し、現像によりレジス
ト膜の不要部分を除去する。 Ｊ：エッチング液に浸漬してクロム膜とアルミニウム膜
の不要部分を除去し、上記引出し線用インジウムスズオ
キサイド層の上にクロム層もしくはチタン層、ならびに
アルミ ニウム層とを順次積層する。 Ｋ：レジスト膜の残余部分をアルカリ液もしくは有機溶
剤でもって剥離除去する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22701796A JP3512573B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 表示素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22701796A JP3512573B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 表示素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069229A JPH1069229A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3512573B2 true JP3512573B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=16854219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22701796A Expired - Fee Related JP3512573B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 表示素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3512573B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW473459B (en) * | 1998-12-10 | 2002-01-21 | Ibm | Method for forming transparent conductive film using chemically amplified resist |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425729Y2 (ja) * | 1987-09-05 | 1992-06-19 | ||
| JPH01195285A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Stanley Electric Co Ltd | メタライズガラス基板の製造方法 |
| JP2881425B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1999-04-12 | 京セラ株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH03236477A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Optrex Corp | 部分無電解めっき方法並びに電気光学装置及びその製造方法 |
| JPH05241172A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属ライン付透明電極 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22701796A patent/JP3512573B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1069229A (ja) | 1998-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100364949B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR0175409B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR100264112B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
| JP2000275663A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JPH08254686A (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| US20190204947A1 (en) | Touch module and manufacturing method thereof, and touch screen | |
| US20210397302A1 (en) | Touch display device and fabrication method thereof | |
| JPH04229595A (ja) | 特にエレクトロルミネセントディスプレイのための薄膜マトリクス構成 | |
| KR100555009B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8203683B2 (en) | Electro-optic device having terminal section and pixel section with particular multilayer structures | |
| JP2004077856A (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに、それを備えた液晶表示装置 | |
| CN110289285A (zh) | 显示用基板及其制备方法、显示面板 | |
| US7929102B2 (en) | Manufacturing method of transflective LCD and transflective LCD thereof | |
| JP3512573B2 (ja) | 表示素子の製法 | |
| JPS6349914B2 (ja) | ||
| JPH08264796A (ja) | 表示装置及びその作製方法 | |
| JP3436487B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH03249735A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3736105B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶パネル | |
| KR100290860B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 그의 실장방법 | |
| JP2539360B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05127183A (ja) | 電気光学装置用電極基板およびその製造方法 | |
| JPH11224775A (ja) | Ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS6364081A (ja) | 配線電極の形成方法 | |
| JPH11142868A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031226 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040107 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |