JPH08264796A

JPH08264796A - 表示装置及びその作製方法

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Publication number: JPH08264796A
Application number: JP8637295A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Nakajima; 節男中嶋; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1995-03-18
Filing date: 1995-03-18
Publication date: 1996-10-11
Anticipated expiration: 2020-04-13
Also published as: JP3638656B2

Abstract

(57)【要約】【目的】生産歩留りが高く信頼性の高い液晶電気光学
装置を得る。【構成】薄膜トランジスタ７及び８でなる半導体集積
回路を覆って形成された絶縁膜１１の端部をテーパー形
状を有したものとする。こうすることで、配線４の段切
れがない構成とすることができ、生産歩留りの向上や装
置の信頼性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等のパッ
シブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型の表
示装置に関し、特に、駆動用の半導体集積回路を効果的
に実装したことにより、表示装置の基板に占める面積を
大きくした、ファッショナブルな表示装置を得ることを
目的とする。

【０００２】

【従来の技術】マトリクス型の表示装置としては、パッ
シブマトリクス型とアクティブマトリクス型の構造が知
られている。パッシブマトリクス型では、第１の基板上
に透明導電膜等でできた多数の短冊型の電気配線（ロー
配線）をある方向に形成し、第２の基板上には、前記第
１の基板上の電気配線とは概略垂直な方向に同様な短冊
型の電気配線（カラム配線）を形成する。そして、両基
板上の電気配線が対向するように基板を配置する。

【０００３】基板間に液晶材料のように電圧・電流等に
よって、透光性、光反射・散乱性の変化する電気光学材
料を設けておけば、第１の基板の任意のロー配線と第２
の基板の任意のカラム配線との間に電圧・電流等を印加
すれば、その交差する部分の透光性、光反射・散乱性等
を選択できる。このようにして、マトリクス表示が可能
となる。

【０００４】アクティブマトリクス型では、第１の基板
上に多層配線技術を用いて、ロー配線とカラム配線とを
形成し、この配線の交差する部分に画素電極を設け、画
素電極には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ
素子を設けて、画素電極の電位や電流を制御する構造と
する。また、第２の基板上にも透明導電膜を設け、第１
の基板の画素電極と、第２の基板の透明導電膜とが対向
するように基板を配置する。

【０００５】いずれにせよ、基板はプロセスによって選
択された。例えば、透明導電膜を形成して、これをエッ
チングして、ロー・カラム配線パターンを形成する以外
には特に複雑なプロセスのないパッシブマトリクス型で
は、基板はガラス以外に、プラスチックでもよかった。
一方、比較的、高温の成膜工程を有し、また、ナトリウ
ム等の可動イオンを避ける必要のあるアクティブマトリ
クス型では、基板としてアルカリ濃度の極めて低いガラ
ス基板を用いる必要があった。

【０００６】

【発明の解決しようとする課題】いずれにせよ、従来の
マトリクス型表示装置においては、特殊なもの以外は、
マトリクスを駆動するための半導体集積回路（周辺駆動
回路、もしくは、バー回路という）を取り付ける必要が
あった。従来は、これは、テープ自動ボンディング（Ｔ
ＡＢ）法やチップ・オン・グラス（ＣＯＧ）法によって
なされてきた。しかしながら、マトリクスの規模は数１
００行にも及ぶ大規模なものであるので、集積回路の端
子も非常に多く、対するドライバー回路は、長方形状の
ＩＣパッケージや半導体チップであるため、これらの端
子を基板上の電気配線と接続するために配線を引き回す
必要から、表示画面に比して、周辺部分の面積が無視で
きないほど大きくなった。

【０００７】この問題を解決する方法として、本出願人
による特開平７−１４８８０号公報には、ドライバー回
路を、マトリクスの１辺とほぼ同じ程度の細長い基板
（スティック、もしくは、スティック・クリスタルとい
う）上に形成し、これをマトリクスの端子部に接続する
という方法が開示されている。ドライバー回路として
は、幅２ｍｍほど程度で十分であることにより、このよ
うな配置が可能となる。このため、基板のほとんどを表
示画面とすることができた。

【０００８】もちろん、この場合には、マトリクスの面
積が大きなものでは、回路をシリコンウェハー上に形成
することができないので、ガラス基板等の上に形成する
必要がある。したがって、画素電極に配置される能動素
子はＴＦＴとなる。

【０００９】しかしながら、スティック・クリスタルに
関しては、ドライバー回路の基板の厚さが、表示装置全
体の小型化に支障をきたした。例えば、表示装置をより
薄くする必要から基板の厚さを０．３ｍｍとすること
は、基板の種類や工程を最適化することにより可能であ
る。しかし、スティック・クリスタルの厚さは、製造工
程で必要とされる強度から０．５ｍｍ以下とすることは
困難であり、結果として、基板を張り合わせたときに、
０．２ｍｍ以上もスティック・クリスタルが出ることと
なる。

【００１０】また、スティック・クリスタルと表示装置
の基板の種類が異なると、熱膨張の違い等の理由によ
り、回路に欠陥が生じることがあった。特に、表示装置
の基板として、プラスチック基板を用いると、この問題
が顕著であった。なぜならば、スティック・クリスタル
の基板としては、プラスチックを用いることは、耐熱性
の観点から、実質的に不可能なためである。また、形成
された半導体集積回路の厚みが厚いため、半導体集積回
路につながる配線が、半導体集積回路の端部の大きな段
差の部分で、段切れたり、また配線抵抗が高くなってし
まったりし、装置全体の生産歩留りと信頼性を低下させ
ていた。本発明はこのようなスティック・クリスタルの
抱えていた問題を解決し、表示装置のより一層の小型・
軽量化を目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、表示装置の基
板上に、スティック・クリスタルと同等な半導体集積回
路のみを機械的に接着し、かつ、電気的な接続を行うこ
とにより、ドライバー回路部分の薄型化を実施する。こ
の際、半導体集積回路部の断面形状を、前記表示装置と
の接着面で最も広く、離れるに従い狭くなるテーパー形
状とすることを特徴とする。このような構造では垂直な
段差が無く電気配線の切断が発生しづらい。

【００１２】本発明の基本的な構成は、電気配線と、こ
れに電気的に接続され、ＴＦＴを有する細長い半導体集
積回路を有する第１の基板の電気配線の形成された面に
対して、表面に透明導電膜を有する第２の基板の透明導
電膜を対向させた構造の表示装置であり、特開平７−１
４８８０のスティック・クリスタルと同様、前記半導体
集積回路は、概略、表示装置の表示面（すなわち、マト
リクス）の１辺の長さに等しく、かつ、他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第１の基板に装着したも
のである

【００１３】特に、パッシブマトリクス型の場合には、
第１の方向に延びる複数の透明導電膜の第１の電気配線
と、これに接続され、ＴＦＴを有し、第１の方向に概略
垂直な第２の方向に延びる細長い第１の半導体集積回路
とを有する第１の基板と、第２の方向に延びる複数の透
明導電膜の第２の電気配線と、これに接続され、ＴＦＴ
を有し、前記第１の方向に延びる第２の半導体集積回路
とを有する第２の基板とを、第１の電気配線と第２の電
気配線が対向するように配置した表示装置で、第１およ
び第２の半導体集積回路は他の基板上に作製されたもの
を剥離して、それぞれの基板に装着したものである。

【００１４】また、アクティブマトリクス型の場合に
は、第１の方向に延びる複数の第１の電気配線と、これ
に接続され、ＴＦＴを有し、第１の方向に概略垂直な第
２の方向に延びる第１の半導体集積回路と、第２の方向
に延びる複数の第２の電気配線と、これに接続され、Ｔ
ＦＴを有し、第１の方向に延びる第２の半導体集積回路
とを有する第１の基板を表面に透明導電膜を有する第２
の基板に、第１の基板の第１および第２の電気配線と、
第２の基板の透明導電膜とが、対向するように、配置さ
せた表示装置で、第１および第２の半導体集積回路は他
の基板上に作製されたものを剥離して、第１の基板に装
着したものである。

【００１５】ＴＦＴを有する半導体集積回路を他の基板
上に形成し、これを剥離して、他の基板に接着する（も
しくは、他の基板に接着したのち、元の基板を除去す
る）方法は、一般的にはＳＯＩ（シリコン・オン・イン
シュレータ）技術の１つとして知られており、特表平６
−５０４１３９やその他の公知の技術、あるいは、以下
の実施例で用いるような技術を使用すればよい。

【００１６】本発明を利用したパッシブマトリクス型の
表示装置の断面の例を示すと、図１のようになる。図１
（Ａ）は、比較的、小さな倍率で見たものである。図の
左側は、半導体集積回路の設けられたドライバー回路部
１を、また、右側は、マトリクス部２を示す。基板３上
に断面がテーパー形状の半導体集積回路６を樹脂５で機
械的に固定する。さらに、透明等電膜等の材料でできた
電気配線４のパターンを形成し、同時に電気的な接続を
行う。

【００１７】図１（Ａ）のうち、点線で囲まれた領域を
拡大したのが、図１（Ｂ）である。符号は、図１（Ａ）
と同じ物を示す。半導体集積回路は、Ｎチャネル型ＴＦ
Ｔ（７）とＰチャネル型ＴＦＴ（８）が、下地絶縁膜
９、層間絶縁物１０、あるいは、酸化珪素等のパッシベ
ーション膜１１で挟まれた構造となる。（図１（Ｂ））

【００１８】また、半導体集積回路と配線電極との接触
部分に関しては、半導体集積回路の基板への固定後に配
線をパターニングする方法の他に、図３（Ａ）に示すよ
うに、前もって透明導電膜等の電気配線３１を備えた基
板４０に、金属配線３３を伴った半導体集積回路３４を
固定し、さらに電気的な接続をしても良い。図３（Ｂ・
Ｃ）は接続部の拡大図である。電気的な接続は図３
（Ｂ）に示すように異方性導電接着剤３２で行う方法
や、図３（Ｃ）に示すように前もって配線電極３１上に
配置されたバンプ３５に金属配線３３を圧着する事によ
りなされる。

【００１９】このような表示装置の作製順序の概略は、
図２に示される。図２はパッシブマトリクス型の表示装
置の作製手順を示す。まず、多数の半導体集積回路２２
を適当な基板２１の上に形成する。（図２（Ａ））

【００２０】そして、これを分断して、スティック・ク
リスタル２３、２４を得る。得られたスティック・クリ
スタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、
良品・不良品に選別するとよい。（図２（Ｂ））

【００２１】次に、スティック・クリスタル２３、２４
の半導体集積回路２９、３０をＳＯＩ技術によって、別
の基板２５、２７の透明導電膜による配線のパターンの
形成された面２６、２８上に接着し、電気的な接続を取
る。（図２（Ｃ）、図２（Ｄ））

【００２２】最後に、このようにして得られた基板を向
かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装
置が得られる。なお、面２６は、面２６の逆の面、すな
わち、配線パターンの形成されていない方の面を意味す
る。（図２（Ｇ））

【００２３】上記の場合には、ロー・スティック・クリ
スタル（ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティ
ック・クリスタル）とカラム・スティック・クリスタル
（カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック
・クリスタル）を同じ基板２１から切りだしたが、別の
基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。ま
た、図２ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示し
たが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様にお
こなえることは言うまでもない。さらに、フィルムのよ
うな材料を基板として形成される場合は実施例に示す。

【００２４】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例は、パッシブマトリクス型液晶表
示装置の一方の基板の作製工程の概略を示すものであ
る。本実施例を図４・５を用いて説明する。図４には、
スティック・クリスタル上にドライバー回路を形成する
工程の概略を、図５にはドライバー回路を液晶表示装置
の基板に実装する工程の概略を示す。

【００２５】まず、ガラス基板５０上に剥離層として、
厚さ３０００Ａのシリコン膜５１を堆積した。シリコン
膜５１は、その上に形成される回路と基板とを分離する
際にエッチングされるので、膜質についてはほとんど問
題とされないので、量産可能な方法によって堆積すれば
よい。さらに、シリコン膜はアモルファスでも結晶性で
もよく、他の元素を含んでもよい。

【００２６】また、ガラス基板は、コーニング７０５
９、同１７３７、ＮＨテクノグラスＮＡ４５、同３５、
日本電気硝子ＯＡ２等の無アルカリもしくは低アルカリ
ガラスや石英ガラスを用いればよい。石英ガラスを用い
る場合には、そのコストが問題となるが、本発明では１
つの液晶表示装置に用いられる面積は極めて小さいの
で、単位当たりのコストは十分に小さい。

【００２７】シリコン膜５１上には、厚さ２００ｎｍの
酸化珪素膜５３を堆積した。この酸化珪素膜は下地膜と
なるので、作製には十分な注意が必要である。そして、
公知の方法により、結晶性の島状シリコン領域（シリコ
ン・アイランド）５４、５５を形成した。このシリコン
膜の厚さは、必要とする半導体回路の特性を大きく左右
するが、一般には、薄いほうが好ましかった。本実施例
では４０〜６０ｎｍとした。

【００２８】また、結晶性シリコンを得るには、アモル
ファスシリコンにレーザー等の強光を照射する方法（レ
ーザーアニール法）や、熱アニールによって固相成長さ
せる方法（固相成長法）が用いられる。固相成長法を用
いる際には、特開平６−２４４１０４に開示されるよう
に、ニッケル等の触媒元素をシリコンに添加すると、結
晶化温度を下げ、アニール時間を短縮できる。さらに
は、特開平６−３１８７０１のように、一度、固相成長
法によって結晶化せしめたシリコンを、レーザーアニー
ルしてもよい。いずれの方法を採用するかは、必要とさ
れる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定
すればよい。

【００２９】その後、プラズマＣＶＤ法もしくは熱ＣＶ
Ｄ法によって、厚さ１２０ｎｍの酸化珪素のゲイト絶縁
膜５６を堆積し、さらに、厚さ５００ｎｍの結晶性シリ
コンによって、ゲイト電極・配線５７、５８を形成し
た。ゲイト配線は、アルミニウムやタングステン、チタ
ン等の金属や、あるいはそれらの珪化物でもよい。さら
に、金属のゲイト電極を形成する場合には、特開平５−
２６７６６７もしくは同６−３３８６１２に開示される
ように、その上面もしくは側面を陽極酸化物で被覆して
もよい。ゲイト電極をどのような材料で構成するかは、
必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によ
って決定すればよい。（図４（Ａ））

【００３０】その後、セルフアライン的に、イオンドー
ピング法等の手段によりＮ型およびＰ型の不純物をシリ
コン・アイランドに導入し、Ｎ型領域５９、Ｐ型領域６
０を形成した。そして、公知の手段で、層間絶縁物（厚
さ５００ｎｍの酸化珪素膜）６１を堆積した。そして、
これにコンタクトホールを開孔し、アルミニウム合金配
線６２〜６４を形成した。（図４（Ｂ））

【００３１】さらに、これらの上に、パッシベーション
膜として、ポリイミド膜７０を形成した。ポリイミド膜
はワニスを塗布・硬化する事で形成される。本実施例で
は東レ（株）のフォトニースUR-3800を用いた。まずス
ピンナで塗布する。塗布条件は所望の膜厚に応じて決め
ればよい。ここでは３０００ｒｐｍ・３０秒の条件で約
４μｍのポリイミド膜を形成した。これを、乾燥を行っ
た後に、露光・現像を行う。適当に条件を選ぶことで、
所望のテーパー形状を得ることができる。その後、窒素
雰囲気中３００℃で処理することで膜の硬化を行った。
（図４（Ｃ））

【００３２】続いて、転写用基板７２を樹脂７１で前記
半導体集積回路に接着する。転写用基板は一時的に集積
回路を保持するための強度・平坦性があればよくガラス
・プラスチック等が使用できる。この転写用基板は後で
再剥離するため、樹脂７１は除去が容易な材質が好まし
い。また粘着剤等剥離が容易なものを使用しても良い。
（図５（Ａ））

【００３３】このように処理した基板を、三塩化フッ素
（ＣｌＦ3 ）と窒素の混合ガスの気流中に放置した。三
塩化フッ素と窒素の流量は、共に５００ｓｃｃｍとし
た。反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒとした。温度は室温と
した。三塩化フッ素等のハロゲン化フッ素は、珪素を選
択的にエッチングする特性が知られている。一方、酸化
珪素はほとんどエッチングされない。その為、時間の経
過ととも剥離層はエッチングされてゆくが、下地層５３
はほとんどエッチングされずＴＦＴ素子へのダメージは
無い。さらに時間が経過すると、下地層は完全にエッチ
ングされ、半導体集積回路が完全に剥離される。（図５
（Ｂ））

【００３４】次に、剥離した半導体集積回路を、液晶表
示装置の基板７５に樹脂７６で接着し、転写用基板７２
を除去する。（図５（Ｃ））

【００３５】このようにして表示装置の基板への半導体
集積回路の転写が終了した。液晶表示装置の基板として
は、厚さ０．３ｍｍのＰＥＳ（ポリエーテルサルフォ
ン）を用いた。

【００３６】最後に、スパッタ法によって、インディウ
ム錫酸化物被膜（ＩＴＯ、厚さ１００ｎｍ）８０を形成
した。ＩＴＯは透明の導電性酸化物である。これにパタ
ーニングを施すことで電気配線および、半導体集積回路
との電気的接続が完了する。（図５（Ｄ））

【００３７】このようにして、液晶表示装置の一方の基
板への半導体集積回路の形成を終了した。このようにし
て得られる基板を用いて、液晶表示装置が完成される。

【００３８】〔実施例２〕本実施例はスティック・クリ
スタル上に半導体集積回路を形成する工程の概略を示す
ものである。本実施例を図６を用いて説明する。

【００３９】まず、基板１０１上に珪素からなる剥離層
１０２を形成し、その上にＴＦＴを含むドライバー回路
１００を形成する。詳細な作製方法は実施例１に記載の
方法とする。

【００４０】次に、パッシベーション用の酸化珪素膜を
成膜する。図６（Ａ）には、基板１０１上に剥離層１０
２を形成し、さらにＴＦＴでなる半導体集積回路１００
を形成し、さらに２層でなる酸化珪素膜１０３／１０４
が形成されている状態が示されている。

【００４１】酸化珪素膜１０３／１０４は、プラズマＣ
ＶＤ法にて成膜する。第一の酸化珪素膜１０３は比較的
高パワーで成膜し、第２の酸化珪素膜１０４は比較的低
パワーで成膜する。厚みは第一の酸化珪素膜を１００〜
５００ｎｍとし、第二の酸化珪素膜を５００〜１０００
ｎｍとする。

【００４２】続いて、図６（Ａ）に示すようにパターニ
ング用のレジスト１０５を形成し、これを１／１０フッ
化水素酸溶液につけ酸化珪素膜をエッチングする。この
とき比較的高パワーで成膜した第一の酸化珪素膜１０３
のエッチングレートは低パワーで成膜した第二の酸化珪
素膜と比較し遅い、その結果第二の酸化珪素膜は大きく
アンダーカットされることになる。（図６（Ｂ））

【００４３】最後に、レジストを剥離する事で断面がテ
ーパー形状を持つ半導体集積回路が完成する。

【００４４】本実施例では二層のパッシベーション用の
酸化珪素膜を用いたが３層以上でもよく、また、成膜条
件を連続的に変化させることで上部にゆくほど大きいエ
ッチングレートをもつ膜を用いても良い。さらには、同
様の効果を持つ窒化珪素等の素材、もしくはその組み合
わせでの使用も可能である。

【００４５】本実施例においては、半導体集積回路１０
０を覆っている絶縁膜７０の端部周辺がテーパー形状に
なっており、形成される配線が段切れの状態になること
のないものとすることができる。そして、生産歩留りが
高く、信頼性の高いものとすることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明では、表示装置の基板の種類や厚
さ、大きさに関して、さまざななバリエーションが可能
である。例えば、実施例１に示したように、極めて薄い
フィルム状の液晶表示装置を得ることもできる。この場
合には、表示装置を曲面に合わせて張りつけてもよい。
さらに、基板の種類の制約が緩和された結果、プラスチ
ック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料を用いる
こともでき、携行性も向上する。

【００４７】特に、半導体集積回路を覆う絶縁膜の端部
周辺をテーパー形状を有するものとすることによって、
配線を形成する際や、その後の使用状況において、配線
が段切れたりすることのない構成とすることができ、表
示装置の信頼性を高いものとすることができる。

【００４８】また、ドライバー回路の専有する面積が小
さいので、表示装置と他の装置の配置の自由度が高ま
る。典型的には、ドライバー回路を表示面の周囲の幅数
ｍｍの領域に押し込めることが可能であるので、表示装
置自体は極めてシンプルであり、ファッション性に富ん
だ製品である。その応用範囲もさまざまに広がり、よっ
て、本発明の工業的価値は極めて高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の断面構造を示す。

【図２】本発明の表示装置の作製方法の概略を示す。

【図３】本発明の１例の表示装置の断面構造を示す。

【図４】本発明に用いる半導体集積回路の作製工程の
一例を示す。

【図５】半導体集積回路を表示装置の基板に接着する
工程を示す。

【図６】本発明に用いる半導体集積回路の作製工程の
一例を示す。

【符号の説明】

１・・・液晶表示装置のドライバー回路部２・・・液晶表示装置のマトリックス部３・・・液晶表示装置の基板４・・・配線電極５・・・樹脂６・・・半導体集積回路７・・・Ｎチャネル型ＴＦＴ８・・・Ｐチャネル型ＴＦＴ９・・・下地膜１０・・・層間絶縁膜１１・・・パッシベーション膜２１・・・スティック・クリスタルを形成する基板２２・・・半導体集積回路２３、２４スティック・クリスタル２５、２７液晶表示装置の基板２６、２８配線パターンの形成されている面２９、３０液晶表示装置の基板上に移されたドライバ
ー回路２６・・・配線パターンの形成されている面と逆の面３１・・・液晶表示装置の電極３２・・・樹脂３３・・・配線電極３４・・・半導体集積回路３５・・・バンプ４０・・・液晶表示装置の基板５０・・・半導体集積回路を製造する基板５１・・・剥離層５３・・・下地膜５４・５５シリコン・アイランド５６・・・層間絶縁膜５７・５８ゲイト電極５９・・・Ｎ型領域６０・・・Ｐ型領域６１・・・ゲイト絶縁膜６２〜６４アルミニウム合金電極７０・・・パッシベーション膜７１・・・接着剤７２・・・転写用基板７５・・・液晶表示装置の基板７６・・・樹脂８０・・・配線電極１００・・・ドライバー回路部１０１・・・半導体集積回路を製造する基板１０２・・・剥離層１０３・・・第１の酸化珪素膜１０４・・・第２の酸化珪素膜１０５・・・レジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上に形成された電気配線と、
該電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有する半導
体集積回路と、表面に透明導電膜を有し、前記透明導電膜が、前記第１
の基板上の透明導電膜の電気配線に対向して設けられた
第２の基板と、を有し、前記半導体集積回路は、概略、表示装置の表示面の１辺
の長さに等しく、かつ、他の基板上に作製されたものを
剥離して、前記第１の基板に装着したものであり、且
つ、前記半導体集積回路はその主要部分が絶縁膜で覆わ
れた島状の領域でなり、前記島状領域の端部周辺がテー
パー形状を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】第１の基板上に形成された、第１の方向
に延びる複数の透明導電膜の第１の電気配線と、該第１の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第１の方向に概略垂直な第２の方向に延びる島
状形状を有する第一の半導体集積回路と、第２の基板上に形成された、第２の方向に延びる複数の
透明導電膜の第２の電気配線と、該第２の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第１の方向に延びる島状の形状を有する第二の
半導体集積回路と、を有し、前記第１の電気配線と第２
の電気配線が対向するように、基板が配置され、前記第１および第２の半導体集積回路は他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第１および第２の基板に
それぞれ装着したものであり、且つ、前記半導体集積回
路は端部周辺がテーパー形状を有している絶縁膜でその
主要部分が覆われているをことを特徴とする表示装置。
【請求項３】第１の基板上に形成された、第１の方向
に延びる複数の第１の電気配線と、該第１の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第１の方向に概略垂直な第２の方向に延びる第
１の半導体集積回路と、第１の基板上に形成された、第２の方向に延びる複数の
第２の電気配線と、該第２の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第１の方向に延びる第２の半導体集積回路と、表面に透明導電膜を有する第２の基板と、を有し、前記第１の基板の第１および第２の電気配線と、前記第
２の基板の透明導電膜とが、対向するように、基板が配
置され、前記第１および第２の半導体集積回路は他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第１の基板に装着したも
のであり、且つ、前記半導体集積回路はその主要部分が
絶縁膜で覆われた島状の領域でなり、前記島状領域の端
部周辺がテーパー形状を有していることを特徴とする表
示装置。
【請求項４】請求項１乃至３において、少なくとも第
１の基板がプラスチックであることを特徴とする表示装
置。
【請求項５】請求項１乃至３において、第１の基板上
に設けられた半導体集積回路の垂直方向に第２の基板が
存在することを特徴とする表示装置。
【請求項６】第１の基板上に電気配線形成する工程
と、他の基板上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路
の主要部を形成する工程と、前記半導体集積回路の主要部を絶縁膜で覆う工程と、前記絶縁膜を加工し、端部がテーパー形状を有する島状
の領域を形成する工程と、第二の基板上に、前記第１の基板上の電気配線に対向し
て、透明導電膜を設ける工程と、前記絶縁膜を含む前記半導体集積回路を他の基板上から
剥離し、第一の基板上に装着する工程とを含む表示装置
の作製方法。
【請求項７】第１の基板上に第一の方向にのびる複数の
透明導電膜の電気配線を形成する工程と、他の基板上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路
の主要部を形成する工程と、前記半導体集積回路の主要部を絶縁膜で覆う工程と、前記絶縁膜を加工し、端部がテーパー形状を有する細長
い島状の領域を形成する工程と、前記細長い島状領域を他の基板上から剥離し、第一の基
板上に、前記第一の方向と概略垂直な第二の方向にのび
る方向に装着する工程と第二の基板状に、第二の方向に
延びる複数の透明導電膜の第二の電気配線を設ける工程
と、前記細長い島状領域を他の基板上から剥離し、第二の基
板上に、第一の方向に延びる方向に装着する工程と前記
第１の電気配線と第２の電気配線が対向するように、基
板を配置する工程とを含む表示装置の作製方法。
【請求項８】第一の基板上に、第一の方向にのびる複数
の第一の電気配線を形成する工程と、第一の基板上に、第二の方向に延びる複数の第二の電気
配線を形成する工程と、他の基板上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路
の主要部を形成する工程と、前記半導体集積回路の主要部を絶縁膜で覆う工程と、前記絶縁膜を加工し、端部周辺がテーパー形状を有する
細長い島状の領域を形成する工程と、前記細長い島状領域を他の基板上から剥離し、第一の基
板上に、前記第一の方向にのびる方向に装着し、前記第
二の電気配線と接続する工程と前記細長い島状領域を他
の基板上から剥離し、第一の基板上に、前記第二の方向
にのびる方向に装着し、前記第一の電気配線と接続する
工程と第二の基板上に透明導電膜を形成する工程と、前記第１の基板の第１および第２の電気配線と、前記第
２の基板の透明導電膜とが、対向するように、基板を配
置する工程とを含む表示装置の作製方法。