JPS6364081A - 配線電極の形成方法 - Google Patents
配線電極の形成方法Info
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- JPS6364081A JPS6364081A JP21020086A JP21020086A JPS6364081A JP S6364081 A JPS6364081 A JP S6364081A JP 21020086 A JP21020086 A JP 21020086A JP 21020086 A JP21020086 A JP 21020086A JP S6364081 A JPS6364081 A JP S6364081A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線電極の形成方法に関し、特にアクティブマ
トリクスアレイ等に使用する断線が起こりにくい配線電
極の形成方法に関する。
トリクスアレイ等に使用する断線が起こりにくい配線電
極の形成方法に関する。
〔従来の技術Ｊ
近年オフィスオートメーションの進展に伴い、マンマシ
ンインターフェイスとしての平板表示テバイスの開発が
活発に進められている。液晶ディスプレイ装置において
もＣＲＴと同等の高い表示情報量を得るためアクティブ
マトリクス基板の開発が盛んである。アクティブマトリ
クス基板では１画素に１つのアクティブ素子を使用する
ため、大面積にわたり細い配線電極を形成する必要があ
る。
ンインターフェイスとしての平板表示テバイスの開発が
活発に進められている。液晶ディスプレイ装置において
もＣＲＴと同等の高い表示情報量を得るためアクティブ
マトリクス基板の開発が盛んである。アクティブマトリ
クス基板では１画素に１つのアクティブ素子を使用する
ため、大面積にわたり細い配線電極を形成する必要があ
る。
第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の配線電極の形成方法の一
例を工程順に示した模式的断面図である。第２図（ａ＞
に示すように絶縁基板ＩＦに第１の導電膜２と第２の導
電膜・１３順々に形成する工程と、第２図（ｂ）に示す
ように第２の導電膜４上にホトレジスト法により配線電
極用のレジストパターン３を形成する工程と、第２図（
ｃ）に示すように第２および第１の導電膜４および２を
順々にエツチングした後レジストを除去する工程とから
なっていた。この形成方法の場合、第１の導電［２は絶
縁基板ｌとの接着性の良いものを、第２の導電膜４は電
気的特性の良好なものを用いることが多いが、両者を満
たす導電膜があるときは当然１層のみの導電膜が用いら
れる。
例を工程順に示した模式的断面図である。第２図（ａ＞
に示すように絶縁基板ＩＦに第１の導電膜２と第２の導
電膜・１３順々に形成する工程と、第２図（ｂ）に示す
ように第２の導電膜４上にホトレジスト法により配線電
極用のレジストパターン３を形成する工程と、第２図（
ｃ）に示すように第２および第１の導電膜４および２を
順々にエツチングした後レジストを除去する工程とから
なっていた。この形成方法の場合、第１の導電［２は絶
縁基板ｌとの接着性の良いものを、第２の導電膜４は電
気的特性の良好なものを用いることが多いが、両者を満
たす導電膜があるときは当然１層のみの導電膜が用いら
れる。
し発明が解決しようとする同圧点〕
このような配線電極の形成方法を用いてアクディプマト
リクス基板をＶＪ ａすると、レジストパターン３や第
１．第２の導電膜２．４に欠陥が、ｂると断線となるた
め歩留まりが非常に悪いという欠点があった。
リクス基板をＶＪ ａすると、レジストパターン３や第
１．第２の導電膜２．４に欠陥が、ｂると断線となるた
め歩留まりが非常に悪いという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、断線
が起こりにくい配線電極の形成方法を提供することにあ
る。
が起こりにくい配線電極の形成方法を提供することにあ
る。
本発明の配線電極の形成方法は、絶縁基板上に第１の導
電層を形成する工程と、この第１の導電層−Ｆにホトレ
ジスト法により第１の配線電極用レジストパターンを形
成する工程と、前記第１の導電層をエツチングによりパ
ターニングした後レジストを除去する工程と、第２の導
電層を形成する工程と、この第２の導電層上にホトレジ
スト法により前記第１の配線電極と形状は同じでわずか
に幅の違う第２の配線電極用レジストパターンを形成す
る工程と、前記第１の導電層はほとんどエツチングしな
いエッチャントを用いて前記第２の導電層をエツチング
によりパターニングした後レジストを除去する工程を含
んでなる。
電層を形成する工程と、この第１の導電層−Ｆにホトレ
ジスト法により第１の配線電極用レジストパターンを形
成する工程と、前記第１の導電層をエツチングによりパ
ターニングした後レジストを除去する工程と、第２の導
電層を形成する工程と、この第２の導電層上にホトレジ
スト法により前記第１の配線電極と形状は同じでわずか
に幅の違う第２の配線電極用レジストパターンを形成す
る工程と、前記第１の導電層はほとんどエツチングしな
いエッチャントを用いて前記第２の導電層をエツチング
によりパターニングした後レジストを除去する工程を含
んでなる。
し作用〕
本発明の配線電極の形成方法を用いれば、第１の導電層
と第２の導電層を２回に分けてパターニングし、しかも
第２の導電層のパターンエツチングのとき第１の導電層
はエツチングされない。このため第１回目のレジストパ
ターンや第１の導電層に欠陥があっても第２回目のレジ
ストパターンや第２の導電層の欠陥が前者と同一の場所
にない限り断線とはならない。前者と後者で同一の場所
に欠陥が発生する確率は極めて低く、したがって配線電
極の断線はほとんど起こらない。なお欠陥としては導電
層が部分的に残る場合もあるが、液晶ディスプレイに用
いるアクティブマトリクスアレイでは配線電極幅に比べ
て１画素のピッチは１］Δ程度あるため、導電層の残り
がディスプレイとしての欠陥となることはほとんどない
。
と第２の導電層を２回に分けてパターニングし、しかも
第２の導電層のパターンエツチングのとき第１の導電層
はエツチングされない。このため第１回目のレジストパ
ターンや第１の導電層に欠陥があっても第２回目のレジ
ストパターンや第２の導電層の欠陥が前者と同一の場所
にない限り断線とはならない。前者と後者で同一の場所
に欠陥が発生する確率は極めて低く、したがって配線電
極の断線はほとんど起こらない。なお欠陥としては導電
層が部分的に残る場合もあるが、液晶ディスプレイに用
いるアクティブマトリクスアレイでは配線電極幅に比べ
て１画素のピッチは１］Δ程度あるため、導電層の残り
がディスプレイとしての欠陥となることはほとんどない
。
］実施例〕
次に、本発明について実施例をもって詳細に説明する。
素子数４００Ｘ６４０．表示面積１８０關×２４０Ｉの
液晶表示装置用薄膜トランジスタアしイのゲート電極配
線に本発明の配線電極の形成方法を実施した場合と従来
の配線電極の形成方法を実施した場合とを比較して説明
する。
液晶表示装置用薄膜トランジスタアしイのゲート電極配
線に本発明の配線電極の形成方法を実施した場合と従来
の配線電極の形成方法を実施した場合とを比較して説明
する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の配線電極の形成方法の
一実施例を工程順に示した模式的断面図である。
一実施例を工程順に示した模式的断面図である。
木実ｌｉ！例は、第１図（ａ）に示すように絶縁基＆１
としてソーダガラスを用い、この上に第１の導電層２と
してクロムを−ｉ ｏ ｏ人の厚さに直流アルゴンスパ
ッタ法により形成し、第１図（ｂ）に示すようにポジ型
ホトレジスト 幅の配線電極のレジストパターン３を形成した。
としてソーダガラスを用い、この上に第１の導電層２と
してクロムを−ｉ ｏ ｏ人の厚さに直流アルゴンスパ
ッタ法により形成し、第１図（ｂ）に示すようにポジ型
ホトレジスト 幅の配線電極のレジストパターン３を形成した。
次に第１図（Ｃ）に示すようにクロムを硝酸セリウムア
ンモニウム塩を主成分とするエツチング；ｔｋでパター
ンエツチングしたあとレジストを除去した．そして第１
図（ｄ）に示すように第２の導電層４としてアルミニウ
ムを６００人の厚さに蒸着法により形成し、第１図（ｅ
）に示すようにポジ型ホトレジスト法により２５μｍ幅
の配線電極のレジストパターン３を形成した。最後に第
１１７１（ｆ）に示すようにアルミニウムをリン酸を主
成分とするエツチング液でパターニンナン・グした後レ
ジスＩ・を除去してゲート配線型Ｆｌ ｅ形成した。こ
のときゲート配線電極の断線は全く見られなかった。導
電層の残りは５〜２５μｍφのものが２３個、２５μｎ
ｌφ以−Ｌのものか２個あったが、ゲート配線電極のピ
ッチは３７５μＩｎであるためほとんど問題とならなか
った。
ンモニウム塩を主成分とするエツチング；ｔｋでパター
ンエツチングしたあとレジストを除去した．そして第１
図（ｄ）に示すように第２の導電層４としてアルミニウ
ムを６００人の厚さに蒸着法により形成し、第１図（ｅ
）に示すようにポジ型ホトレジスト法により２５μｍ幅
の配線電極のレジストパターン３を形成した。最後に第
１１７１（ｆ）に示すようにアルミニウムをリン酸を主
成分とするエツチング液でパターニンナン・グした後レ
ジスＩ・を除去してゲート配線型Ｆｌ ｅ形成した。こ
のときゲート配線電極の断線は全く見られなかった。導
電層の残りは５〜２５μｍφのものが２３個、２５μｎ
ｌφ以−Ｌのものか２個あったが、ゲート配線電極のピ
ッチは３７５μＩｎであるためほとんど問題とならなか
った。
一方、第２図（ａ）〜（ｃ）に示した従来の配線電極の
形成方法を用いると、ゲート配線電極の断ｔ（か２本存
在し、この基板を使用して薄膜トランジスタアレイを形
成し液晶ディスプレイとした場合には断線欠陥となって
しまった。
形成方法を用いると、ゲート配線電極の断ｔ（か２本存
在し、この基板を使用して薄膜トランジスタアレイを形
成し液晶ディスプレイとした場合には断線欠陥となって
しまった。
〔発明の効果」
以上説明したように本発明の配線電極の形成方法は、断
線の発生ずる確率が非常に低くなる。したがって本発明
によれば断線が起こりにくい配線電極が得られる効果が
ある。
線の発生ずる確率が非常に低くなる。したがって本発明
によれば断線が起こりにくい配線電極が得られる効果が
ある。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の配線電極の形成方法の
一実施例を工程順に示した模式的断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は従来の配線電極の形成方法の一例を工程順に
示した模式的断面図である。 １・・・絶縁基板、２・・・第１の導電層、３・・・レ
ジス２牛１つ導吃賢 第１図
一実施例を工程順に示した模式的断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は従来の配線電極の形成方法の一例を工程順に
示した模式的断面図である。 １・・・絶縁基板、２・・・第１の導電層、３・・・レ
ジス２牛１つ導吃賢 第１図
Claims (1)
- 絶縁基板上に第１の導電層を形成する工程と、この第１
の導電層上にホトレジスト法により第１の配線電極用レ
ジストパターンを形成する工程と、前記第１の導電層を
エッチングによりパターニングした後レジストを除去す
る工程と、第２の導電層を形成する工程と、この第２の
導電層上にホトレジスト法により前記第１の配線電極と
形状は同じでわずかに幅の違う第２の配線電極用レジス
トパターンを形成する工程と、前記第１の導電層はほと
んどエッチングしないエッチャントを用いて前記第２の
導電層をエッチングによりパターニングした後レジスト
を除去する工程を含むことを特徴とする配線電極の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210200A JPH0634438B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 配線電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210200A JPH0634438B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 配線電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364081A true JPS6364081A (ja) | 1988-03-22 |
| JPH0634438B2 JPH0634438B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=16585443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61210200A Expired - Lifetime JPH0634438B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 配線電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634438B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207721A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Sharp Corp | マトリックス型液晶表示パネル |
| JP2015076470A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6143449A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | 配線パタ−ンの形成方法 |
| JPS6230396A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | ソニー株式会社 | 回路パタ−ン形成方法 |
| JPS62111494A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | 株式会社日立製作所 | プリント配線板の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61210200A patent/JPH0634438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6143449A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | 配線パタ−ンの形成方法 |
| JPS6230396A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | ソニー株式会社 | 回路パタ−ン形成方法 |
| JPS62111494A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | 株式会社日立製作所 | プリント配線板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207721A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Sharp Corp | マトリックス型液晶表示パネル |
| JP2015076470A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634438B2 (ja) | 1994-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |