JPS58154107A - 電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS58154107A JPS58154107A JP57037507A JP3750782A JPS58154107A JP S58154107 A JPS58154107 A JP S58154107A JP 57037507 A JP57037507 A JP 57037507A JP 3750782 A JP3750782 A JP 3750782A JP S58154107 A JPS58154107 A JP S58154107A
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- JP
- Japan
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- electrode
- substrate
- photoresist layer
- glass substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術公費
本発明はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル
やガス放電表示パネルのような平板形表示パネルに用い
て有効な電極基板の製造方法に係り、さらに具体的には
所定形状の電極を絶縁基板表面に形成する方法に関する
ものである。
やガス放電表示パネルのような平板形表示パネルに用い
て有効な電極基板の製造方法に係り、さらに具体的には
所定形状の電極を絶縁基板表面に形成する方法に関する
ものである。
（ｂ） 従来技術と問題点
近年、ＥＬ層を誘電体層でサンドイッチ状にはさんだ、
いわゆる二重絶縁膜８層構造で構成した薄膜ＥＬ表示パ
ネルが開発、実用化されている。
いわゆる二重絶縁膜８層構造で構成した薄膜ＥＬ表示パ
ネルが開発、実用化されている。
このようなＥＬ表示パネルはガラス基板表面に例えばイ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）−からなる線状の透明電極
を多数並設し、それら透明電極表面を含むガラス基板表
面に第１の誘電体層、ＥＬ層、ｊＩ２の誘電体層を順次
積層し、さらにＷ４２の―電体層上に前記透明電極と直
交する関係で例えば、ム１からなる線状の背面電極を並
設した構成を採る。
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）−からなる線状の透明電極
を多数並設し、それら透明電極表面を含むガラス基板表
面に第１の誘電体層、ＥＬ層、ｊＩ２の誘電体層を順次
積層し、さらにＷ４２の―電体層上に前記透明電極と直
交する関係で例えば、ム１からなる線状の背面電極を並
設した構成を採る。
そして前記透明電極と背面電極との各交点部で発光セル
を一定している。このような透明電極は、微細パターン
である必要性から、一般に、ガラス基板表面に透明導電
膜を被着し、その透明導電膜を写真蝕刻法により、線状
電極にパターンニングする方法が採られている。ところ
で表示パネルの大形化に伴ない透明電極の低抵抗化を図
る必要が生じてきた。ξの透明電極の低抵抗化を図る手
段としでは、電極幅を広くする方法や電極の厚みを厚く
する方法等がある。しかしながら前者は表示の解像度を
低下させるので一解像度を要求される大形サイズのＥＬ
表示パネルには適用できない。
を一定している。このような透明電極は、微細パターン
である必要性から、一般に、ガラス基板表面に透明導電
膜を被着し、その透明導電膜を写真蝕刻法により、線状
電極にパターンニングする方法が採られている。ところ
で表示パネルの大形化に伴ない透明電極の低抵抗化を図
る必要が生じてきた。ξの透明電極の低抵抗化を図る手
段としでは、電極幅を広くする方法や電極の厚みを厚く
する方法等がある。しかしながら前者は表示の解像度を
低下させるので一解像度を要求される大形サイズのＥＬ
表示パネルには適用できない。
また後書はガラス基板表面での凹凸が大きくなり透明［
極エツジ部において、その七に形成する誘電体層やＥｌ
、層の厚みが薄くなり、その部分で絶縁破壊を生じると
いつｔこ問題がある。
極エツジ部において、その七に形成する誘電体層やＥｌ
、層の厚みが薄くなり、その部分で絶縁破壊を生じると
いつｔこ問題がある。
（ｅ） 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、絶縁基板表面
に所定形状の電極を埋込んだ形で精度よく、かつＳ易に
形成することができる電極基板の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
に所定形状の電極を埋込んだ形で精度よく、かつＳ易に
形成することができる電極基板の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
（ｄ） 発明の構成
本発明による電極基板の製造方法は、絶縁基板表向に所
定形状の電極を形成するに際し、ｌ紀絶縁基板表面のｔ
ｔｍを形成すべき領域以外の領域に・ ・＋ ホトレジスト層を形成し、該ホトレジスト層をマスクと
して絶縁基板表面をエツチングして所定形状の四部を形
成するとともに前記ホトレジスト層を形成した絶縁基板
上方から電極となるべき導電膜を被着し、しかる後、ホ
トレジスト層を除去することにより、前記所定形状の凹
部に埋込まれｔコ形で電極を形成するようにしたことを
特赦とするものである。
定形状の電極を形成するに際し、ｌ紀絶縁基板表面のｔ
ｔｍを形成すべき領域以外の領域に・ ・＋ ホトレジスト層を形成し、該ホトレジスト層をマスクと
して絶縁基板表面をエツチングして所定形状の四部を形
成するとともに前記ホトレジスト層を形成した絶縁基板
上方から電極となるべき導電膜を被着し、しかる後、ホ
トレジスト層を除去することにより、前記所定形状の凹
部に埋込まれｔコ形で電極を形成するようにしたことを
特赦とするものである。
（ｆｌ） 発明の実施例
以Ｆ本発明の一実施例をＥＬ表示パネルの電極基板沓こ
適用した場合について図面を参照して説明する。
適用した場合について図面を参照して説明する。
第１図〜第４図は本発明による電極基板の製造方法を説
明するための要部断面図で順次に示した工程図である。
明するための要部断面図で順次に示した工程図である。
まず第１図に示すように、ガラス基板１表面の電極を形
成すべき領域以外の領域にホトレジスト層２を写真露光
法によりパターンニングする。そして、そのホトレジス
ト層２をマスクとして、弗酸でガラス基板１表面をエツ
チングすることにより、―、２図に示すような、形成す
べきｉｌ［種形状に対応した形状の凹部８をガラス基板
１表面に形成する。この際、凹部８の深さが例えば１〜
２μ解となるようエツチングする。しかる後小トレジス
ト層２を形成したガラス基板１の上方から、第８図にボ
すように、Ｉ ＴＯ（Ｉｎ ８ｎ０１ ）のような電極
となるべき透明な導電ｉ［４ａ 、 ４ ｂを例えば蒸
着法により被着する。この際、その導電膜４ｍ、４ｂの
膜厚は１〜２μｍ、つまり凹部８の深さに相当する膜厚
で被着しである。そしてガラス基板１表面のホトレジス
ト層２をレジスト剥離液で除去すると、ホトレジスト層
２表面の導電＠４ｂも同時に除去されて、＃ｉ４図に示
すように、ガラス基板１表面には電極となるべき導電膜
４ｍが残る。かくして、ガラス基板１表面には所定形状
の電極４ａが前記凹部８に埋込まれた形で形成できる。
成すべき領域以外の領域にホトレジスト層２を写真露光
法によりパターンニングする。そして、そのホトレジス
ト層２をマスクとして、弗酸でガラス基板１表面をエツ
チングすることにより、―、２図に示すような、形成す
べきｉｌ［種形状に対応した形状の凹部８をガラス基板
１表面に形成する。この際、凹部８の深さが例えば１〜
２μ解となるようエツチングする。しかる後小トレジス
ト層２を形成したガラス基板１の上方から、第８図にボ
すように、Ｉ ＴＯ（Ｉｎ ８ｎ０１ ）のような電極
となるべき透明な導電ｉ［４ａ 、 ４ ｂを例えば蒸
着法により被着する。この際、その導電膜４ｍ、４ｂの
膜厚は１〜２μｍ、つまり凹部８の深さに相当する膜厚
で被着しである。そしてガラス基板１表面のホトレジス
ト層２をレジスト剥離液で除去すると、ホトレジスト層
２表面の導電＠４ｂも同時に除去されて、＃ｉ４図に示
すように、ガラス基板１表面には電極となるべき導電膜
４ｍが残る。かくして、ガラス基板１表面には所定形状
の電極４ａが前記凹部８に埋込まれた形で形成できる。
−このよ
うな方法によれば、ガラス基板１表向−に埋込まれた形
で電極４ａを極めて精度よく形成することができ、また
電極４ａの厚みは凹部８の深さに合せて任朧に１節でき
るので、幅を細くしても、その電極の１ｔ％抵抗を十分
低くすることができる。さらに電極４ａの厚みがガラス
基板１内に吸収されて表面が半極な電極基板の形成かり
能となる。しかして本発明による電極基板を用いてＥＬ
表示パネルを形成すれば、電極基板表向に形成される誘
電体層やＥＬ層の層厚が均一になり、大形で、かつ高解
像度の、しかも側軸性の媚いＥｌ、表示パネルを容易に
形成することができる。
うな方法によれば、ガラス基板１表向−に埋込まれた形
で電極４ａを極めて精度よく形成することができ、また
電極４ａの厚みは凹部８の深さに合せて任朧に１節でき
るので、幅を細くしても、その電極の１ｔ％抵抗を十分
低くすることができる。さらに電極４ａの厚みがガラス
基板１内に吸収されて表面が半極な電極基板の形成かり
能となる。しかして本発明による電極基板を用いてＥＬ
表示パネルを形成すれば、電極基板表向に形成される誘
電体層やＥＬ層の層厚が均一になり、大形で、かつ高解
像度の、しかも側軸性の媚いＥｌ、表示パネルを容易に
形成することができる。
なお前述の実施例ではＥＬ辰示パネルの電極基板に適用
した場合について説明したが、ＥＬ表示パネルに限らず
、ガス放１ＩＥｔＩ示パネルのような、その他の平板形
表示パネルの電極基板にも適用で′コ゛キることは勿論
である。
した場合について説明したが、ＥＬ表示パネルに限らず
、ガス放１ＩＥｔＩ示パネルのような、その他の平板形
表示パネルの電極基板にも適用で′コ゛キることは勿論
である。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によれば絶縁基板
表面に微細な形状の電極を埋込んだ形で極めて精度よく
、かつ容易に形成することができ、しかも電極の低抵抗
化ならびに電極基板表面の平坦化が可能となる等の多く
の利点を有する。
表面に微細な形状の電極を埋込んだ形で極めて精度よく
、かつ容易に形成することができ、しかも電極の低抵抗
化ならびに電極基板表面の平坦化が可能となる等の多く
の利点を有する。
ｊｌ１図〜〒４図は本発明によるｔａ基基板製製造方法
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。 図において、１はガラス基板、２はホトレジスト層、８
は凹部、４畠および４ｂは被着した導電膜（但し第４図
における４＆は形成された電極）をそれぞれ示す。
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。 図において、１はガラス基板、２はホトレジスト層、８
は凹部、４畠および４ｂは被着した導電膜（但し第４図
における４＆は形成された電極）をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 絶縁基板表面に所定形状の電極を形成するに際し、前記
絶縁基板表面の電極を形成すべ赤領域以外の領域にホト
レジスト層を形成し、咳ホトレジスト層をマスクとして
絶縁基板表面をエツチングして所定形状の凹部を形成す
るとともに前記ホトレジスト層を形成した絶縁基板上方
から電極となるべき導電膜を被着し、しかる後、ホトレ
ジスト層を除去することにより、前記所定形状の凹部に
埋込まれた形で電極を形成するようにしたことを特徴と
する電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037507A JPS58154107A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037507A JPS58154107A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154107A true JPS58154107A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12499438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037507A Pending JPS58154107A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154107A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095888A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61176011A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | 関西日本電気株式会社 | 透明電極の形成方法 |
| JPS61195506A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | 日本板硝子株式会社 | 透明電極基板およびその製造方法 |
| JPS61224293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | ホ−ヤ株式会社 | 透明導電膜パタ−ン付き基板とその製造方法 |
| JPS63228535A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | 沖電気工業株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57037507A patent/JPS58154107A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095888A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6262437B2 (ja) * | 1983-10-28 | 1987-12-26 | Sharp Kk | |
| JPS61176011A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | 関西日本電気株式会社 | 透明電極の形成方法 |
| JPS61195506A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-29 | 日本板硝子株式会社 | 透明電極基板およびその製造方法 |
| JPS61224293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | ホ−ヤ株式会社 | 透明導電膜パタ−ン付き基板とその製造方法 |
| JPS63228535A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | 沖電気工業株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
| JPH0584606B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1993-12-02 | Oki Electric Ind Co Ltd |
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