JPH0584606B2 - - Google Patents
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- JPH0584606B2 JPH0584606B2 JP62061265A JP6126587A JPH0584606B2 JP H0584606 B2 JPH0584606 B2 JP H0584606B2 JP 62061265 A JP62061265 A JP 62061265A JP 6126587 A JP6126587 A JP 6126587A JP H0584606 B2 JPH0584606 B2 JP H0584606B2
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、平滑なガラス基板上に電極パター
ンを形成する方法に関する。
ンを形成する方法に関する。
（従来の技術）
従来、ガラス基板上に電極パターンを形成する
場合は、アルミニウム、酸化インジユームなどの
導電性の材料を電子ビーム蒸着法又はスパツタ法
により厚くとも１〜２ミクロンメートルの厚みに
被着して該材料の薄膜を形成した後、該薄膜をホ
トリソエツチング法により微細な電極パターンに
パターニングしていた。
場合は、アルミニウム、酸化インジユームなどの
導電性の材料を電子ビーム蒸着法又はスパツタ法
により厚くとも１〜２ミクロンメートルの厚みに
被着して該材料の薄膜を形成した後、該薄膜をホ
トリソエツチング法により微細な電極パターンに
パターニングしていた。
しかし、膜厚が１〜２ミクロンメートルと非常
に薄いため、電極幅の狭い微細な電極の電気抵抗
値は大きくなり、大電流が流れると電極が破断す
るという欠点があつた。
に薄いため、電極幅の狭い微細な電極の電気抵抗
値は大きくなり、大電流が流れると電極が破断す
るという欠点があつた。
そこで、電極の抵抗値を下げるために、例えば
セラミツク基板上に導電性ペーストを使用して印
刷法により膜厚が数10ミクロンメートルの厚膜電
極パターンを形成している。この厚膜電極は抵抗
値が小さくて大電流を流せるという特長があり、
制御基板用として広く利用されている。
セラミツク基板上に導電性ペーストを使用して印
刷法により膜厚が数10ミクロンメートルの厚膜電
極パターンを形成している。この厚膜電極は抵抗
値が小さくて大電流を流せるという特長があり、
制御基板用として広く利用されている。
しかしながら、上記の厚膜電極は、電子デバイ
ス用の電極として応用し、電極上に１ミクロン以
下の薄膜を積層する場合、電極面上と電極のない
基板面上との段差が大きいため、電極のエツジ部
に薄膜を積層できず、電子デバイスの不良となる
ので、電子デバイスには用いられないという欠点
があつた。
ス用の電極として応用し、電極上に１ミクロン以
下の薄膜を積層する場合、電極面上と電極のない
基板面上との段差が大きいため、電極のエツジ部
に薄膜を積層できず、電子デバイスの不良となる
ので、電子デバイスには用いられないという欠点
があつた。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、従来技術では、膜厚１ミクロン
以下の薄膜電極にすると抵抗値が大きくて大電流
により破断する恐れがあり、厚膜電極にすると電
子デバイスに応用できないという欠点があつた。
以下の薄膜電極にすると抵抗値が大きくて大電流
により破断する恐れがあり、厚膜電極にすると電
子デバイスに応用できないという欠点があつた。
この発明は、以上の従来の問題点を解決し、電
気抵抗値が小さく、かつ、基板と電極の段差のな
い電極パターン形成方法を提供することを目的と
する。
気抵抗値が小さく、かつ、基板と電極の段差のな
い電極パターン形成方法を提供することを目的と
する。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、パターンが電極パターンに対応
し、かつ深さが電極の厚みに対応した凹部をガラ
ス基板上に形成し、該凹部に導電性ペーストを用
いて埋め込んで電極パターンを形成するようにし
たものである。
し、かつ深さが電極の厚みに対応した凹部をガラ
ス基板上に形成し、該凹部に導電性ペーストを用
いて埋め込んで電極パターンを形成するようにし
たものである。
（作 用）
上記の方法においては、導電性ペーストを用い
て厚膜の電極として電極パターンが形成されるの
で、電極パターンの抵抗値は小さく、大電流を流
せる。また、電極パターンが凹部に埋め込まれる
から、基板と電極の段差はなくなり、基板上は全
体が平坦となる。
て厚膜の電極として電極パターンが形成されるの
で、電極パターンの抵抗値は小さく、大電流を流
せる。また、電極パターンが凹部に埋め込まれる
から、基板と電極の段差はなくなり、基板上は全
体が平坦となる。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第１図を参照して説
明する。
明する。
まず、第１図ａに示すように、ガラス基板１上
に酸化インジユーム若しくはITO（このITOは、
酸化インジユームに酸化すずを混入してなるも
の）からなる薄膜２を電子ビーム蒸着法又はスパ
ツタ法で膜厚1000〜2000Åに形成する。ここで、
ITO膜は一般によく知られている有機金属溶液を
デイツプ式でコートする方法で形成すると更に安
価に得られる。
に酸化インジユーム若しくはITO（このITOは、
酸化インジユームに酸化すずを混入してなるも
の）からなる薄膜２を電子ビーム蒸着法又はスパ
ツタ法で膜厚1000〜2000Åに形成する。ここで、
ITO膜は一般によく知られている有機金属溶液を
デイツプ式でコートする方法で形成すると更に安
価に得られる。
次に、ホトリソ・エツチング工程により電極部
以外の薄膜２のみが残るように、電極部に相当す
る部分の薄膜２を除去する。すなわち、薄膜２
を、第１図ｂに示すように、電極パターンと逆パ
ターンの薄膜パターン３とする。なお、ここで、
薄膜２のエツチング液として塩化第２鉄と塩酸の
混合液を用いると、パターン３のピツチは数ミク
ロンまで容易にパターニングできる。
以外の薄膜２のみが残るように、電極部に相当す
る部分の薄膜２を除去する。すなわち、薄膜２
を、第１図ｂに示すように、電極パターンと逆パ
ターンの薄膜パターン３とする。なお、ここで、
薄膜２のエツチング液として塩化第２鉄と塩酸の
混合液を用いると、パターン３のピツチは数ミク
ロンまで容易にパターニングできる。
次に、フツ素溶液でガラス基板１をエツチング
する。すると、酸化インジユームあるいはITOは
フツ酸にはエツチングされないが、ガラスは容易
にエツチングされるから、第１図ｃに示すように
ガラス基板１上のパターン３のない部分がエツチ
ングされ、凹部４が形成される。すなわち、凹部
４は電極パターンと同一パターンに形成される。
ここで、凹部４の深さはエツチング時間で制御す
ることができ、その深さは電極厚みと同一とす
る。
する。すると、酸化インジユームあるいはITOは
フツ酸にはエツチングされないが、ガラスは容易
にエツチングされるから、第１図ｃに示すように
ガラス基板１上のパターン３のない部分がエツチ
ングされ、凹部４が形成される。すなわち、凹部
４は電極パターンと同一パターンに形成される。
ここで、凹部４の深さはエツチング時間で制御す
ることができ、その深さは電極厚みと同一とす
る。
次に、薄膜パターン３を、パターニングする時
に用いたエツチング液で第１図ｄに示すように除
去する。
に用いたエツチング液で第１図ｄに示すように除
去する。
次に、金、銀、銅、ニツケル、あるいはアルミ
ニウムなどの微粉末とバインダーとを混ぜた導電
性のペースト５を第１図ｅに示すように、凹部４
に注入し、スキージ６によりペースト５の面とガ
ラス基板１の面を平滑にする。
ニウムなどの微粉末とバインダーとを混ぜた導電
性のペースト５を第１図ｅに示すように、凹部４
に注入し、スキージ６によりペースト５の面とガ
ラス基板１の面を平滑にする。
その後、高温加熱しペースト５を硬化させるこ
とにより、前記凹部４に埋め込まれて基板１面と
平坦となつた電極パターン７を第１図ｆに示すよ
うに形成する。
とにより、前記凹部４に埋め込まれて基板１面と
平坦となつた電極パターン７を第１図ｆに示すよ
うに形成する。
なお、以上の方法において、電極パターン７の
抵抗値は、凹部４の深さを変えることで容易に変
えられる。また、凹部４の形成ピツチは、ITOを
エツチングマスクとすると、100ミクロンメート
ルの深さで数10ミクロンピツチを容易に得れる。
さらに、ペースト５は一般に用いられている厚膜
電極用と同じもので良い。
抵抗値は、凹部４の深さを変えることで容易に変
えられる。また、凹部４の形成ピツチは、ITOを
エツチングマスクとすると、100ミクロンメート
ルの深さで数10ミクロンピツチを容易に得れる。
さらに、ペースト５は一般に用いられている厚膜
電極用と同じもので良い。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の方法に
よれば、ガラス基板に凹部を設け、該凹部に導電
性ペーストを用いて埋め込んで電極パターンを形
成したので、抵抗値の低い厚膜の電極が得られ、
大電流が流せるようになり、かつ電極と基板面と
の段差を無くせてガラス基板上の全体を平坦にし
得るという利点があり、電極上に更に薄膜を積層
しても段差のない積層膜が得られるので電子デバ
イスとして応用できる。特に、ELパネルなどの
ように多層膜を積層するデバイスあるいは上部電
極と下部電極の間隔を均一にする必要のある液晶
デイスプレイ、あるいはプラズマデイスプレイパ
ネルなどに適用可能である。
よれば、ガラス基板に凹部を設け、該凹部に導電
性ペーストを用いて埋め込んで電極パターンを形
成したので、抵抗値の低い厚膜の電極が得られ、
大電流が流せるようになり、かつ電極と基板面と
の段差を無くせてガラス基板上の全体を平坦にし
得るという利点があり、電極上に更に薄膜を積層
しても段差のない積層膜が得られるので電子デバ
イスとして応用できる。特に、ELパネルなどの
ように多層膜を積層するデバイスあるいは上部電
極と下部電極の間隔を均一にする必要のある液晶
デイスプレイ、あるいはプラズマデイスプレイパ
ネルなどに適用可能である。
第１図はこの発明の電極パターン形成方法の一
実施例を示す工程断面図である。 １……ガラス基板、２……薄膜、３……薄膜パ
ターン、４……凹部、５……導電性ペースト、７
……電極パターン。
実施例を示す工程断面図である。 １……ガラス基板、２……薄膜、３……薄膜パ
ターン、４……凹部、５……導電性ペースト、７
……電極パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) ガラス基板上に酸化インジユームまたは
ITOからなる薄膜を形成した後、該薄膜を電極
パターンと逆パターンにパターニングする工程
と、 (b) その後、前記薄膜パターンをエツチングマス
クとし、フツ酸溶液を用いたエツチングによ
り、ガラス基板に深さが電極の厚みに対応した
凹部を形成する工程と、 (c) その後、前記薄膜パターンを除去した後、前
記凹部に導電性ペーストを注入し、スキージを
用いて該導電性ペースト表面と前記ガラス基板
表面とを平滑にした後、該導電性ペーストを加
熱硬化させることにより電極パターンを形成す
る工程とを、具備してなる電極パターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061265A JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061265A JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228535A JPS63228535A (ja) | 1988-09-22 |
| JPH0584606B2 true JPH0584606B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=13166225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061265A Granted JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228535A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4729763B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-07-20 | テクノクオーツ株式会社 | 基板のエッチング方法 |
| WO2006129848A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Intelligent Cosmos Research Institute | ガラス貫通配線基板の製造方法、ガラス貫通配線基板、並びにガラス貫通配線基板を用いたプローブカード及びパッケージング素子 |
| KR100843386B1 (ko) * | 2007-04-12 | 2008-07-03 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP5045633B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-10-10 | ブラザー工業株式会社 | 配線部材及び液体移送装置 |
| JP2014121081A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Figla Co Ltd | ガラスアンテナ |
| CN106324922A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-11 | 贵州乾萃科技有限公司 | 一种在基片上快速制备所需形状功能电极层的方法 |
| WO2022215664A1 (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | Ａｇｃ株式会社 | 無機膜付き基板及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62061265A patent/JPS63228535A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63228535A (ja) | 1988-09-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |