JPS61220240A - 電極の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【概要〕 ガス放電パネル等の表示パネルに用いる透明電極の形成
方法であって、ガラス基板上に形成した透明導電膜上に
所定形状のホトレジスト膜を形成し、このガラス基板を
電解液中に浸漬し、電解液中に別個に設けた陰極と、前
記透明導電膜を陽極として両電極間に電圧を印加して、
前記ホトレジスト膜をマスクとして電解エツチングによ
り所定形状に透明導電膜をエツチングして透明電極を形
成するようにしたもの。

〔産業上の利用分野〕

本発明はガス放電パネル等の中で、インジウム−錫酸化
物（ＩＴｏ）膜等の透明導電膜を用いる高輝度表示パネ
ルの透明電極を、所定の形状に精度良く形成する透明電
極の形成方法に関する。

ガラス基板上に所定パターンの線条の銀（Ａｇ）等の不
透明電極を設け、この電極上に低融点ガラスよりなる誘
電体膜を被覆して一方のガス放電パネルの基板を形成す
る。

更に他方のガラス基板上に所定パターンの線条のＩＴＯ
Ｍ灸等の透明電極を設け、この上に低融点ガラスよりな
る誘電体膜を被覆し、更に誘電体膜よりなる所定形状の
セル層を設けて他方のガス放電パネルの基板を形成する
。

そして両方の基板を所定のガス放電空間を設けて封止し
、この放電空間を排気した後、Ｎｅガス等の放電ガスを
封入してガス放電パネルを形成している。そしてこの電
極間に電圧を印加して、この電極間の所定の位置に放電
を発生させ、この放電により表示された情報を、透明電
極を形成した基板側より観察している。

このように一方の基板の電極を透明電極とすることで、
高輝度のガス放電パネルを形成している。

このようなガス放電パネルに於いては、電極のパターン
を高精度に形成して、電極間の所定の位置に放電が発生
することが要望されている。

〔従来の技術〕

従来、このような透明電極を所定のパターンに形成する
場合、第２図に示すように透明ガラス基板１上に１７０
層２を蒸着により形成した後、その上にホトレジスト膜
３を塗布後、このホトレジスト膜をホトリソグラフィ法
を用いて所定のパターンに形成する。

更にこのガラス基板１を亜鉛（Ｚｎ）を含有した塩酸（
）１０りの溶液に浸漬し、ＺｎとＨαの化学反応で発生
した発生期の水素を用いてＩＴＯよりなる透明導電膜を
まず還元した後、この還元されたＩＴＯ膜を所定のパタ
ーンに■αにてエツチング形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

然し、このようなガス放電パネルに用いる透明電極の厚
さはその電極の抵抗値を低く保つため、通常３μ−程度
の厚さで分厚く形成されており、このエツチングの過程
で、第３図に示すように電極２の側面２Ａがエツチング
されるサイドエツチングの現象が発生し、所定のパター
ンに高精度に電極が形成されない問題がある。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の透明電極の形成方法を示す説明図で、
図示するようにガラス基板ｌｌ上に電極形成用波１１１
１１２を形成し、その上に所定形状のホトレジス）Ｊ！
１１１３を形成する０次いでこのガラス基板１１を電解
液１４に浸漬し、この電解液に陰極１５を別個に設け、
この透明導電膜側を陽極とし、両電極間に直流電源１６
を用いて直流電圧を印加して電解エツチングする。

〔作用〕

即ち、本発明の透明電極の形成方法は、パターンニング
したホトレジスト１１１１３をマスクとして電解エツチ
ングによりサイドエツチングが生じないようにして正確
に透明電極のパターンニングを行うようにする。

〔実施例〕

以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。

前記した第１図に示すように本発明の透明電極の形成方
法は、まずガラス基板ｌｌ上に蒸着法等を用いて１７０
層１２を３μｍの厚さに形成する。

次いでこの上にホトレジスト膜１３を塗布後、ホトリソ
グラフィ法を用いて所定のパターンに形成する。

更にこの基板１１を硫酸と水とが容量比で（１対１）の
電解液１４中に浸漬し、この電解液１４中に鉛（Ｐｂ）
よりなる陰極１５を別個に設け、この１７０層１２を陽
極とし、両極間にＩＯＶ、　５　Ａの直流電源１６を用
いて直流電圧を印加して電解エツチングを行う。

このようにすれば、電解エツチングの場合は、エツチン
グされるべき１７０層１２の側面で濃度分極が大きくな
り、この側面の部分のエツチングは従来法のエツチング
に比して殆ど進まないため、マスクとなるホトレジスト
膜のパターンに基づいて正確にエツチングされる。

またこのエツチングの速度も従来のエツチングに比して
５〜１０倍程度の速度で進行する。

また従来のエツチングに於けるようにＺｎ等の金属を用
いないので、有害ガスの発生も少なくて済む。

また以上の実施例では、透明電極の形成方法について述
べたが、その他金属電極のパターンニングに本発明の方
法を適用すれば極めて効果が大である。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明の透明電極の形成方法によれば
、サイドエツチングが生じないため、高精度にパターン
ニングされた電極パターンが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の透明電極の形成方法を示す説明図、 第２図は従来の透明電極の形成方法を示す断面図、 第３図は従来の方法で形成した電極の不都合な状態を示
す断面図である。 図に於いて、 １１はガラス基板、１２は１７０層、１３はホトレジス
ト膜、１４は電解液、１５は陰極、１６は直流電源を示
す。 滲溌ｇ胎引ｉ形戊°γ３大め雄咽口 第１図 第２ｍ　　　’　　　１１３６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板（１１）上に電極形成用被膜（１２）を形成
   し、該電極形成用被膜（１２）上に所定のパターンのホ
   トレジスト膜（１３）を形成後、前記電極形成用被膜（
   １２）を形成したガラス基板を電解液（１４）に浸漬し
   、前記電極形成用被膜（１２）を陽極とし、該陽極と電
   解液（１４）に別個に設けた陰極（１５）との間に電圧
   を印加して前記パターンニングされたホトレジスト膜を
   マスクとして前記電極形成用被膜を所定形状に電解エッ
   チングすることを特徴とする電極の形成方法。