JPS6343798Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6343798Y2 JPS6343798Y2 JP1981117249U JP11724981U JPS6343798Y2 JP S6343798 Y2 JPS6343798 Y2 JP S6343798Y2 JP 1981117249 U JP1981117249 U JP 1981117249U JP 11724981 U JP11724981 U JP 11724981U JP S6343798 Y2 JPS6343798 Y2 JP S6343798Y2
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- Japan
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- gas discharge
- film
- discharge display
- electrode
- glass
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- Expired
Links
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はガス放電表示板に関し、とくにその相
対向する２枚の絶縁体基板の各々が有する電極の
被覆膜に関する。
対向する２枚の絶縁体基板の各々が有する電極の
被覆膜に関する。
一般にガス放電表示板はガス放電空間を構成す
る相対向したガラス基板のうちの一方に誘電体膜
で被覆されたＸ方向に伸びる多数本の帯状Ｘ電極
群と他方のガラス基板に誘電体膜で被覆されたＹ
方向に伸びる多数本の帯状Ｙ電極群を形成し、こ
のＸ電極群とＹ電極群の交点から成る放電セル群
に交流電圧を印加し、所望の文字及びパターンを
放電発光させることに依り表示させるものであ
る。
る相対向したガラス基板のうちの一方に誘電体膜
で被覆されたＸ方向に伸びる多数本の帯状Ｘ電極
群と他方のガラス基板に誘電体膜で被覆されたＹ
方向に伸びる多数本の帯状Ｙ電極群を形成し、こ
のＸ電極群とＹ電極群の交点から成る放電セル群
に交流電圧を印加し、所望の文字及びパターンを
放電発光させることに依り表示させるものであ
る。
上記の様に電極が誘電体膜で被覆されている
為、ガス放電表示板の発光輝度を増加させる方法
としては前記の電極の被覆膜の膜厚をできる限り
薄くする方法が考えられ低融点ガラスをスクリー
ン印刷して形成する方法あるいはスパツタリング
に依り被着する方法等々が試みられている。
為、ガス放電表示板の発光輝度を増加させる方法
としては前記の電極の被覆膜の膜厚をできる限り
薄くする方法が考えられ低融点ガラスをスクリー
ン印刷して形成する方法あるいはスパツタリング
に依り被着する方法等々が試みられている。
しかしながらスクリーン印刷方法では1.0μ以下
の膜厚を得るのは困難であり、又、スパツタリン
グ方法では製造工程が複雑化し、製造コストが高
くなるという欠点がある。
の膜厚を得るのは困難であり、又、スパツタリン
グ方法では製造工程が複雑化し、製造コストが高
くなるという欠点がある。
本考案の目的は上に記した欠点を解決し、より
高輝度で発光するガス放電表示板を提供すること
にある。
高輝度で発光するガス放電表示板を提供すること
にある。
本考案に依れば透明な前面電極を有する第１の
絶縁体基板と導体膜で形成された背面電極を有す
る第２の絶縁体基板とを誘電体スペーサを介して
対向させることに依り所定の形状を有するガス放
電空間を構成したガス放電表示板において前面電
極と背面電極のうち少くとも一方の電極が酸化物
半導体膜で被覆されていることを特徴とするガス
放電表示板が得られる。
絶縁体基板と導体膜で形成された背面電極を有す
る第２の絶縁体基板とを誘電体スペーサを介して
対向させることに依り所定の形状を有するガス放
電空間を構成したガス放電表示板において前面電
極と背面電極のうち少くとも一方の電極が酸化物
半導体膜で被覆されていることを特徴とするガス
放電表示板が得られる。
次に本考案の一実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は本考案に依るガス放電表示板の断面図
である。ガラス基板１上には酸化錫を主成分とす
る透明電極を前面電極２として気相蒸着して形成
した後、電極の被覆膜として本考案に依る酸化物
半導体膜３を形成した。この後スペーサとしての
誘電体層４を低融点ガラスが主成分でありAl2O3
粉末を混入させた誘電体ペーストを印刷し焼成す
ることにより膜厚50μｍで形成した。
である。ガラス基板１上には酸化錫を主成分とす
る透明電極を前面電極２として気相蒸着して形成
した後、電極の被覆膜として本考案に依る酸化物
半導体膜３を形成した。この後スペーサとしての
誘電体層４を低融点ガラスが主成分でありAl2O3
粉末を混入させた誘電体ペーストを印刷し焼成す
ることにより膜厚50μｍで形成した。
一方ガラス基板５上には、銀ペーストを用いて
背面電極６を印刷焼成することに依り形成し、つ
づいて低融点ガラスを主成分とするガラスペース
トを印刷焼成することに依りガラス膜７を膜厚
10μｍで形成した。加えて誘電体層８を上述と同
様な方法で形成した。この様にして形成したガラ
ス基板１，２表面を耐放電層１０で被覆した後、
電極２と６が直交する様に対向させ、放電ギヤツ
プ100μｍの放電セル９を構成してネオンNeガス
を300mm8g程度封入し、ガス放電表示板を構成し
た。
背面電極６を印刷焼成することに依り形成し、つ
づいて低融点ガラスを主成分とするガラスペース
トを印刷焼成することに依りガラス膜７を膜厚
10μｍで形成した。加えて誘電体層８を上述と同
様な方法で形成した。この様にして形成したガラ
ス基板１，２表面を耐放電層１０で被覆した後、
電極２と６が直交する様に対向させ、放電ギヤツ
プ100μｍの放電セル９を構成してネオンNeガス
を300mm8g程度封入し、ガス放電表示板を構成し
た。
本実施例においては酸化物半導体膜３として膜
厚3000ÅのSiO2膜を用いた。このSiO2膜の生成
方法としては、周知の熱分解法を用いた。すなわ
ち本実施例ではアルコキシ・シランをソースとし
てアルゴンガスをキヤリアガスとして用い、透明
電極２を形成したガラス基板１上でシランを熱酸
化させ、SiO2膜を堆積させることに依り得た。
尚、SiO2膜は膜厚が9000Å以上の場合はクラツ
クが発生しまた膜厚が1000Å以下の場合は交流印
加電圧に依りブレークダウンを起こしいづれの場
合もガス放電表示板の寿命特性に悪影響を及ぼ
す。本実施例の場合はガラス基板１上にのみ酸化
物半導体膜３を形成し、ガラス基板２上には従来
からの誘電体被覆膜であるガラス膜７を形成して
いるが、ガラス膜７を酸化物半導体膜３で置きか
えることも可能である。
厚3000ÅのSiO2膜を用いた。このSiO2膜の生成
方法としては、周知の熱分解法を用いた。すなわ
ち本実施例ではアルコキシ・シランをソースとし
てアルゴンガスをキヤリアガスとして用い、透明
電極２を形成したガラス基板１上でシランを熱酸
化させ、SiO2膜を堆積させることに依り得た。
尚、SiO2膜は膜厚が9000Å以上の場合はクラツ
クが発生しまた膜厚が1000Å以下の場合は交流印
加電圧に依りブレークダウンを起こしいづれの場
合もガス放電表示板の寿命特性に悪影響を及ぼ
す。本実施例の場合はガラス基板１上にのみ酸化
物半導体膜３を形成し、ガラス基板２上には従来
からの誘電体被覆膜であるガラス膜７を形成して
いるが、ガラス膜７を酸化物半導体膜３で置きか
えることも可能である。
以上の様にして作製した本考案に依る電極の被
覆膜は従来のガラスなどの誘電体被覆膜に比較し
約1/30の膜厚であつた。このため従来の誘電体被
膜で対向する電極の両方を被覆したガス放電表示
板に比較し上述の実施例で示したガス放電表示板
の輝度は20％〜30％程度向上した。加えて被覆膜
の製造コストも従来からのスクリーン印刷方法に
依る場合と同等以下で実現することができた。
覆膜は従来のガラスなどの誘電体被覆膜に比較し
約1/30の膜厚であつた。このため従来の誘電体被
膜で対向する電極の両方を被覆したガス放電表示
板に比較し上述の実施例で示したガス放電表示板
の輝度は20％〜30％程度向上した。加えて被覆膜
の製造コストも従来からのスクリーン印刷方法に
依る場合と同等以下で実現することができた。
第１図は本考案に依るガス放電表示板の断面図
である。図において、 １，５……ガラス基板、２……前面電極、３…
…酸化物半導体膜、４，８……誘電体層、６……
背面電極、７……ガラス膜、９……放電空間、１
０……耐放電層、である。
である。図において、 １，５……ガラス基板、２……前面電極、３…
…酸化物半導体膜、４，８……誘電体層、６……
背面電極、７……ガラス膜、９……放電空間、１
０……耐放電層、である。
Claims (1)
- 透明な前面電極を有する第１の絶縁体基板と導
体膜で形成された背面電極を有する第２の絶縁体
基板とを誘電体スペーサを介して対向させること
に依り所定の形状を有するガス放電空間を構成し
たガス放電表示板において前記の前面電極と背面
電極のうち少くとも一方の電極が1000Åより厚く
9000Åより薄い厚さの酸化物半導体膜で被覆され
ていることを特徴とするガス放電表示板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981117249U JPS5823152U (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | ガス放電表示板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981117249U JPS5823152U (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | ガス放電表示板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823152U JPS5823152U (ja) | 1983-02-14 |
| JPS6343798Y2 true JPS6343798Y2 (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=29911437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981117249U Granted JPS5823152U (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | ガス放電表示板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823152U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143754A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-10 | Fujitsu Ltd | Gas discharge panel |
-
1981
- 1981-08-06 JP JP1981117249U patent/JPS5823152U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143754A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-10 | Fujitsu Ltd | Gas discharge panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5823152U (ja) | 1983-02-14 |
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