JP2001266751A - メタル隔壁およびこれを用いたプラズマデイスプレイパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、メタル隔壁、及びこれを用いたプラ
ズマデイスプレイパネルの耐電圧特性を効率よく向上さ
せて、高信頼度化と低コスト化を同時に実現することを
目的とする。 【解決手段】本発明は、メタル隔壁の絶縁皮膜構造・材
料プロセス、及び駆動条件に着目し、放電時のポテンシ
ャル分布から高電界領域と低電界領域を切り分け、それ
ぞれの領域に対応する絶縁皮膜の被膜厚さを材料・プロ
セス条件や積層構造の適正化により形成し、メタル隔壁
の耐電圧特性を効率よく向上させ低コスト化することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や平
面型、壁掛けテレビ等に用いられるプラズマデイスプレ
イパネルやそれを用いた画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、特開平１１−３１２４７０号公
報の従来技術では、メタル隔壁を用いたプラズマデイス
プレイパネル（ＰＤＰ）により大幅な発光効率や輝度等
の性能向上を狙っている。そして、メタル隔壁を補助電
極ではなく駆動電極として用いる場合、パネル内部の電
極間に高電圧（高電界）が発生し、メタル表面の絶縁皮
膜の信頼度が重要になる。更に、被膜の耐圧特性を向上
させるため、メタル隔壁を形成するためのコストアップ
が問題になる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】メタル隔壁の絶縁皮膜
として用いるガラス被膜は、ガラス粉末を電着法等各種
プロセスで金属板に塗布し焼き付けて形成されるが、内
部にピンホールが発生しやすく、かつ電界集中の起きや
すい隔壁の角部で被膜厚さが薄くなるという性質をも
つ。従って、膜厚は膜質を維持しながら制御することが
難しく不均一になり易い。このため、ガラス被膜は、膜
質、膜厚の信頼度に問題を残していた。

【０００４】一方、ガラスに代わる被膜として熱膨張係
数を考慮すると、酸化アルミ等の酸化物セラミックスの
被膜がある。これらは、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーテイング等を用いて形成されるため、一定の
膜厚を得るのにスループットが問題になる。ガラスに比
べてコストアップになり易いが、膜厚の均一性がよく、
内部にピンホールを含まず、かつ耐電圧の点からＰＤＰ
用の絶縁皮膜には好ましい。

【０００５】本発明の第一の目的は、このような状況の
基でメタル隔壁の絶縁皮膜の耐電圧を向上させる低コス
ト、高信頼度のメタル隔壁を提供することにある。

【０００６】本発明の第二の目的は、前記したメタル隔
壁を用いて低コスト、高信頼度のプラズマデイスプレイ
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一の目的を
達成するために、（１）パネル駆動時におけるメタル隔
壁の高電界発生（高電圧印加）部分、（２）メタル隔壁
形状に対する酸化物セラミックス（酸化アルミ）の膜形
成速度、（３）絶縁皮膜を形成した金属薄板の積層固着
に着目した。

【０００８】駆動波形で高電圧が印加される表示発光放
電の場合、複数の貫通孔でセルを形成したメタル隔壁は
図９に示す配置構造で駆動電極として働く。Ｘ電極、Ｙ
電極がそれぞれアノード（０Ｖ）、カソード（―１６０
〜―１８０Ｖ）で、Ｍ電極はアノード（０Ｖ）として駆
動される。Ｘ，Ｙ電極間のセル内部の壁面放電路にはグ
ロー放電時に発生するポテンシャル分布が形成される。
即ち、Ｙ、Ｍ電極間に高電界領域、Ｍ電極内部に低電界
領域が形成され、それぞれグロー放電時の陰極暗部、陽
光柱を効率よく形成している。高電界領域は、図９
（ａ），（ｂ）に示すように、Ｍ電極であるメタル隔壁
の両端、即ちＸ，Ｙ電極と向かい合う両面に存在する。
従って、メタル隔壁に形成された絶縁皮膜の耐電圧特性
（耐圧）は、駆動方法からＸ，Ｙ電極と向かい合う両面
部分の近傍で満足することが要求される。一方、メタル
隔壁の孔内面の中央部分では、低電界領域（低電圧領
域：陽光柱形成電圧１０〜３０Ｖ程度）となる。

【０００９】また、絶縁皮膜の成膜膜形成速度は、スパ
ッタリング法を用いたＰＶＤやＣＶＤ法等によれば、複
数の貫通孔を有する金属薄板の場合、孔内面の垂直面よ
りも上下表面の平面の方が２倍近く、或いはそれ以上に
速くなる条件、傾向のあることを見出した。耐電圧特性
から一定の膜厚を確保する場合、成膜時間が孔内面で決
定されるため通常スループットが低くなり、コスト面、
量産面で問題になる。しかし、上記したように耐電圧特
性を要求する領域、条件からメタル隔壁の上下表面の近
傍が問題であり、スループットの低い孔内面の耐電圧は
上下表面に対して２０％程度以下であるため全体のスル
ープットにほとんど影響を与えない。

【００１０】以上の知見を基に、前記した第一の目的を
達成するため、メタル隔壁を形成する金属薄板を、複数
の貫通孔を有する金属薄板の上下表面及びその孔内面を
酸化アルミ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の酸化物セラミックスで被覆
し、かつ該酸化物セラミックスの厚さを該金属薄板の上
下表面の方を孔内面よりも２倍程度、或いはそれ以上に
厚くする条件で用いた。

【００１１】更に、メタル隔壁を形成する積層構造の金
属薄板の場合、複数の貫通孔を有する金属薄板の上下表
面及びその孔内面を酸化アルミ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の酸化物
セラミックスで被覆した金属薄板を、該貫通孔を合わせ
て複数枚積層し、該複数枚積層した金属薄板の最外層の
上下２表面、又は最外層の外部片側表面の酸化物セラミ
ックスの厚さを孔内面よりも十分に厚くして用いた。

【００１２】このようにメタル隔壁の高電界発生部であ
る金属薄板の表面を酸化物セラミックスの絶縁皮膜で高
品質な膜を厚く形成できるため、高スループットで耐電
圧特性に優れた高信頼度で低コストのメタル隔壁が得ら
れた。

【００１３】また、金属薄板の積層構造で形成されるメ
タル隔壁は、複数枚の金属薄板に形成された複数の貫通
孔を高精度で位置合せして固着する必要がある。固着に
用いるフリットガラスは、非晶質ガラス或いは結晶化ガ
ラスである。積層構造を形成するため、フリットガラス
を金属薄板に塗布、印刷するプロセスが必要になる。金
属薄板の絶縁皮膜にガラスを用いることができれば、こ
れを再溶融させ固着させることによりフリットガラスを
新たに用いなくても兼用させることができる。この場合
の問題は、ガラスの耐電圧特性が低下しやすいことであ
る。しかし、前記したメタル隔壁の高電界領域と低電界
領域に着目することにより解決できることがわかる。

【００１４】即ち、前記した第一の目的を達成するた
め、複数の貫通孔を有する金属薄板を複数枚（３枚以上
の場合）積層したメタル隔壁において、最外層２枚の金
属薄板を上下表面及びその孔内面を酸化アルミ（Ａｌ₂
Ｏ₃）等の酸化物セラミックスで被覆し、かつ金属薄板
の該最外層２枚に挟まれた残りの金属薄板を上下表面及
びその孔内面をガラスで被覆して、該貫通孔を合わせて
積層する。フリットガラスの働きは該最外層２枚に挟ま
れた残りの金属薄板を上下表面及びその孔内面を被覆し
たガラス被膜を再溶融させることにより実現され、金属
薄板が積層固着される。この場合のガラスは、再溶融さ
せるため非晶質ガラスを用い、封着等の後工程から軟化
点温度は約５００度以上を用いる。このようにメタル隔
壁の低電界（低電圧）領域である金属薄板の表面を非晶
質ガラスで覆うことにより、絶縁皮膜形成と同時に積層
固着を容易にするため、低コストで高信頼度のメタル隔
壁が得られた。

【００１５】更に、本発明は、第二の目的を達成するた
め、前記したメタル隔壁をグロー放電時の陰極暗部、陽
光柱を効率よく形成させる表示駆動用電極として用いる
ことにより、低コスト、高信頼度のプラズマデイスプレ
イパネルが得られた。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明す
る。

【００１７】図１は、本発明の一実施例であり、図２に
示す矢印Ａ―Ａ’で示すメタル隔壁１の断面図を示す。
また、図１、図２に示すメタル隔壁１は、後述する図
７、図８に示すプラズマデイスプレイパネル２などに専
ら使用されるものである。

【００１８】図において、この金属薄板５にはエッチン
グ加工等により複数の貫通孔６（６―１、６―
２、、、）があけられており、その貫通孔６の表面には
絶縁皮膜７が形成されている。この貫通孔６は、前記し
たプラズマデイスプレイパネル２の１セル形状を表す長
さＬ１０と幅Ｗ１１に対して一つ形成される。絶縁皮膜
７は、酸化アルミ（Ａｌ₂Ｏ₃）（他の酸化物セラミック
スを用いる場合もある）を用い、真空蒸着、スパッタリ
ング等によるＰＶＤ法等で形成される。この場合、電圧
特性の要求される領域と高スループットの成膜条件を考
慮し、金属薄板５の上下表面に形成された被膜厚さ８
（８―１、８―２）は、貫通孔６の内面に形成された被
膜厚さ９よりも厚く形成する。例えば、駆動条件から被
膜厚さ８を６μｍとし、被膜厚さ９の３μｍの２倍とす
る。なお、金属薄板５は、後述する図７、図８に示すプ
ラズマデイスプレイパネル２の前面ガラス基板３、背面
ガラス基板４の熱膨張係数に合わせるためにＦｅ−Ｎｉ
系で構成されている。

【００１９】以上の製法により形成した酸化アルミ膜７
の膜厚ばらつきは、０．５〜１．０μｍ以下であり、こ
の値は、従来のガラス被膜の膜厚ばらつきに比べて約一
桁以上均一性を向上させている。なお、膜厚の均一性が
向上するだけでなく、ピンホールの発生しない膜質を形
成できるので、これによっても耐圧を向上させることが
できる。

【００２０】このようにメタル隔壁の高電界発生部であ
る金属薄板の表面を酸化物セラミックスの絶縁皮膜で高
品質な膜を厚く形成できるため、高スループットで耐電
圧特性に優れた高信頼度で低コストのメタル隔壁を得る
ことができる。

【００２１】図１に示したメタル隔壁１は１枚の金属薄
板５を用いて形成しているが、組立性や加工性等からし
て後述する図７、図８に示すように同じ形状の金属薄板
を３枚積層して形成することもできる。図においては、
金属薄板５（５―１、５―２、５―３）を多数の貫通孔
６―１、６―２を合わせて３枚積層し、放電路長さｇ
（０．３〜３．０ｍｍ）を形成している。

【００２２】この場合であっても、前述の製法により形
成した酸化アルミ膜７の膜厚ばらつきは１．０μｍ以内
であるので、それによって金属薄板５の積層構造を高精
度に組立ることができる。

【００２３】この他、図１０に示すように、金属薄板５
の上下表面及びその角部近傍に酸化アルミの絶縁皮膜５
５で丸みを付けるように被膜厚さを高スループットで形
成し、その上に貫通孔６の内面も含めてガラス被膜５６
を形成することもできる。この場合、非晶質のガラス被
膜５６を再溶融させることで金属薄板５間の重なり部５
５（破線部）で両者を固着した。

【００２４】このように必要部分について酸化アルミ５
５により被膜厚さを確保すれば、これによって耐電圧を
容易に向上させることができる。また、この構造におい
てもＰＶＤやＣＶＤ法などを用いて上下表面に酸化アル
ミを形成するだけなので、メタル隔壁の高電界発生部で
ある金属薄板の表面を酸化物セラミックスの絶縁皮膜で
高品質な膜を厚く形成でき、かつ高スループットで耐電
圧特性に優れた高信頼度で低コストのメタル隔壁を得る
ことができる。

【００２５】図３に、メタル隔壁１についてのさらに他
の実施例を示す。

【００２６】図において、３枚積層したメタル隔壁１の
最外層の金属薄板５―１、５―３の２枚について、それ
ぞれ外部片側表面１３、１４に形成した酸化アルミの被
膜厚さ１５、１６を、貫通孔６の内面に形成した酸化ア
ルミの被膜厚さ１７よりもほぼ２倍以上厚くしたもので
ある。残りの金属薄板５―２の上下表面及び孔内面に形
成された酸化アルミの被膜厚さ１８は、駆動条件によっ
て影響をうける場合もあるが、通常は耐電圧特性から被
膜厚さ１７と同レベルか、それ以下で用いれば良い。３
枚の金属薄板５は、金属薄板５―２の上下両面に塗布又
は印刷したフリットガラス１９（１９―１、１９―２）
を介して積層され、加熱固着される。また、組立性か
ら、金属薄板５―１、５―３の片側表面にフリットガラ
ス１９をそれぞれ塗布、又は印刷して３枚積層固着して
も良い。

【００２７】以上の構成によっても、必要部分にのみ酸
化アルミ５５の被膜厚さを十分に確保できるので、これ
によっても高スループットで耐電圧特性に優れた高信頼
度で低コストのメタル隔壁を得ることができる。

【００２８】図４に、メタル隔壁１についてのさらに他
の実施例を示す。

【００２９】図において、金属薄板５を３枚積層し、フ
リットガラス１９で固着している。メタル隔壁１の最外
層の金属薄板５―１、５―３の２枚について、それぞれ
上下２表面に形成した酸化アルミの被膜厚さ２０を等し
くし、貫通孔６の内面に形成した酸化アルミの被膜厚さ
２１を被膜厚さ２０のほぼ半分以下にしている。金属薄
板５―１、５―３に挟まれた金属薄板５―２の場合は、
酸化アルミの被膜厚さ２２、２３を前記した被膜厚さ２
１と同じか、それ以下に形成している。

【００３０】以上の構成によっても、必要部分にのみ酸
化アルミ５５の被膜厚さを十分に確保できるので、これ
によって耐電圧を容易に向上させることができる。ま
た、金属薄板５―１、５―３の断面構造を等しくし、対
称構造にすることにより、それぞれ部品の種類を低減
し、部品裏表の切り分け管理、組立を不要にし、低コス
トのメタル隔壁を得ることができる。

【００３１】図５に、メタル隔壁１についてのさらに他
の実施例を示す。

【００３２】図５に示すメタル隔壁も、金属薄板５を３
枚積層した構造であるが、本実施例においては金属薄膜
５間を固着するために金属薄板５―２にガラス被膜２４
を形成したものを用いた。すなわち、金属薄板５―１、
５―３には酸化アルミ被膜２６を形成したものを用いる
ことで耐圧確保するための構成とし、金属薄板５―２に
はガラス被膜２４を形成したものを用い、そのガラス被
膜２４を再溶融させることで金属薄板５―１、５―３と
の間を固着させる構成とした。ガラス被膜２４には非晶
質ガラスを用い、後工程である封着プロセスの使用温度
約４５０度を考慮して軟化点温度が約５００度前後の材
料を用いている。ガラス被膜２４の被膜厚２５は平均約
２０μｍであり、ばらつき幅は１０μｍ程度である。金
属薄板５―２が固着される金属薄板５―１、５―３の表
面は酸化アルミ膜２６を用いているため平坦度が高く、
高精度組立（最大数十μｍ以下）を確保している。な
お、固着時の組立精度を確保するため、位置決め用治具
を使用して加熱加圧を行っている。また、ガラス被膜２
４は、前記したように膜質の低下や膜厚ばらつきの増大
を伴うが、メタル隔壁１を構成する金属薄板５―２が貫
通孔６の内部に位置し低電界領域に存在するため、十分
な耐電圧特性が得られている。

【００３３】以上の構成とすることで、図３、図４に示
すような金属薄板５間を接続するためのフリットガラス
などを塗布するなどの工程が不要となるので、それらに
比べてプロセスの簡略化、低コスト化を図ることが可能
となる。

【００３４】図６に、メタル隔壁１についてのさらに他
の実施例を示す。

【００３５】図において、金属薄板５―１、５―３の上
下表面、及び孔内面は酸化アルミ被膜２７で覆い、金属
薄板５―２は再溶融による加熱固着をするための非晶質
のガラス被膜２８（２８―１、２８―２）で上下表面の
みを覆う構造とした。そして、金属薄板５―２の貫通孔
６の内面は、ガラス被膜２８で覆われない構造となるの
で、その代わりに誘電体である蛍光体２９で直接覆う構
造とした。前記したように、メタル隔壁１の内部に位置
する金属薄板５―２が低電界領域に存在するので、蛍光
体２９だけでも十分な耐圧特性を確保することは可能で
ある。

【００３６】ここで、これまで説明してきた図３から図
６などに示す３枚積層のメタル隔壁１を用いたプラズマ
デイスプレイパネル２について説明する。

【００３７】図７は、プラズマデイスプレイパネル２の
断面図であり、１セルの長手方向断面を示す。セル構造
に対しては、図２におけるＢ−Ｂ’線の断面に相当す
る。

【００３８】プラズマデイスプレイパネル２は、前面ガ
ラス基板３、背面ガラス基板４、及び前記したメタル隔
壁１から構成される３ピース構造をとる。

【００３９】前面ガラス基板３の場合、透明なガラス基
板３０の上に直接ＩＴＯ膜の透明電極３１が形成され、
更に透明電極３１の上に抵抗率が小さく不透明なバス電
極３２がメタル隔壁１の平面形状に合わせて格子状に形
成される。この不透明なバス電極３２と透明電極３１と
で平面電極を構成し、表示セル３３の電極として共通表
示電極（Ｘ電極）３４を形成している。また、共通表示
電極３４をバス電極３２のみで形成して駆動することも
できる。この場合、ＩＴＯ膜の透明電極３１がなくなる
ため、可視光の透過率向上、Ｘ電極の面積低減による電
極間容量低減、及びプロセス削除による低コスト化がで
きる。バス電極３２は、不透明なＡｇ系等の厚膜導体で
形成されるが、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの金属積層膜で数μｍ
程度形成する場合もある。また、厚膜導体のバス電極３
２に黒色系の導体材料を用いることにより、ブラックマ
トリックスを兼ねて形成することができる。透明電極３
１、バス電極３２の上には、壁電荷を蓄積する厚膜（薄
膜の場合もある）の誘電体層３５、２次電子放出係数が
大きく耐スパッタ性に優れたＭｇＯ膜の保護層３６が順
に形成される。保護層３６は、プロセス、コスト面から
厚膜で形成する場合もある。この保護層３６に用いる材
料として、ＭｇＯの外に陰極降下電圧Ｖｃの低い材料と
して、ＢａＯ、Ｙ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＲｕＯ₂等がある。

【００４０】背面ガラス基板４の場合、ガラス基板３７
の上にＳｉＯ₂ の下地膜３８を形成し、Ａｇ系の厚膜導
体からなるアドレス電極（Ａ電極）３９、厚膜の誘電体
層４０と誘電体厚さを増加させるためのライン状誘電体
層４１、更にこのライン状誘電体層４１上にＡｇ系等の
厚膜導体からなる表示電極（Ｙ電極）４２、そしてＹ電
極４２を覆うためのライン状誘電体層４３が順に形成さ
れ、最後に背面ガラス基板４の放電領域のほぼ全面にＭ
ｇＯ膜の保護層４４が形成される。図７に示す表示セル
３３の領域では全面に形成される。Ａ電極３９、Ｙ電極
４２に厚膜導体を用いることにより、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
の金属積層膜を用いる場合に比べて簡易プロセス、低コ
スト化を実現している。メタル隔壁１は、図３〜図６な
どに説明したように金属薄板５（５―１、５―２、５―
３）を３枚積層した構造である。各々の表面に形成され
た絶縁皮膜４５としては、成膜速度等のプロセス条件を
適正化（高スループット化、低コスト化）するため、メ
タル隔壁１の駆動条件から高電界領域４６と低電界領域
４７を切り分けて酸化アルミ被膜や非晶質ガラス被膜を
耐電圧特性を満足させるように使用している。例えば、
メタル隔壁１が前面ガラス基板３、背面ガラス基板４と
向かい合う近傍面では高い耐電圧特性が要求されるた
め、絶縁皮膜４５の被膜厚さ４８、４９を他の部分より
も最大で２倍程度、或いはそれ以上厚く形成している。
また、例えば、積層固着に用いるフリットガラス等につ
いては、主に低電界領域に用いた非晶質ガラス被膜で再
溶融させることにより兼用させている。絶縁皮膜４５を
有する金属薄板５を積層固着したメタル隔壁１は、更に
貫通孔６の内面に誘電体である蛍光体５０が形成され
る。各構造のメタル隔壁１を用いることに対するメリッ
トは前述の通りである。

【００４１】図８は、図７と同様に、図３から図６など
で示した３枚積層のメタル隔壁１を用いたプラズマデイ
スプレイパネル２の断面図であり、１セルの短手方向断
面を示す。セル構造に対しては、図２におけるＡ−Ａ’
線の断面に相当する。図７では電極構造から背面ガラス
基板４側に現れなかった高電界領域４６が、Ｙ電極４２
の近傍に形成されている。この近傍領域での耐電圧を確
保するため、メタル隔壁１の絶縁皮膜４５の被膜厚さ４
９をＸ電極３４の場合と同様に十分に厚く形成してい
る。

【００４２】最後に、このようなプラズマデスプレイパ
ネルにおける電界分布について説明する。

【００４３】図９（ａ）、（ｂ）は、それぞれ表示駆動
用電極間の電界分布を示す。図８の電極構造をモデル化
し、表示駆動用電極となるＸ電極５１、Ｙ電極５２、及
びＭ電極５３（メタル隔壁１）の駆動状態を示す。即
ち、（ａ）、（ｂ）の状態は、ＡＣ型駆動としてそれぞ
れＹ電極５２，Ｘ電極５１が交互にカソードになり、残
りの電極がアノードとして駆動される。メタル隔壁１の
Ｍ電極５３は、常時アノードとして駆動される。このた
め、表示駆動用電極間には、高電界が発生する領域（破
線内部）５４と低電界が発生する領域（一点鎖線内部）
５５が存在し、高電界が発生する領域５４はＡＣ型駆動
による極性反転で低電界の発生する領域５５にもなる
が、Ｍ電極５３（メタル隔壁１）の内部は常時低電界の
領域をもつ。従って、前述のメタル隔壁１の構造及びそ
の耐電圧特性は、この性質を基に絶縁皮膜構造、プロセ
ス、材料を適正化して構成している。以上のようなメタ
ル隔壁１を用いることで、プラズマデイスプレイパネル
におけるグロー放電時の陰極暗部、陽光柱を効率よく形
成（駆動）することが可能となり、高発光効率、高輝度
なプラズマデイスプレイパネルを実現することができ
る。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁皮膜の耐電圧を向
上させる低コストで高信頼度のメタル隔壁を提供でき
る。また、このメタル隔壁を用いて低コストで高信頼度
なプラズマデイスプレイを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図２に矢印Ａ−Ａ’で示した、本発明のメタル
隔壁を示す断面図である。

【図２】本発明のメタル隔壁を示す平面図である。

【図３】本発明の積層構造のメタル隔壁を示す断面図で
ある。

【図４】本発明の積層構造のメタル隔壁を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の積層構造のメタル隔壁を示す断面図で
ある。

【図６】本発明の蛍光体を形成した積層構造のメタル隔
壁を示す断面図である。

【図７】本発明のメタル隔壁を用いたプラズマデイスプ
レイパネルの表示セル構造を示す断面図である。

【図８】本発明のメタル隔壁を用いたプラズマデイスプ
レイパネルの表示セル構造を示す断面図である。

【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明のメタル隔壁を用い
たプラズマデイスプレイパネルの表示駆動用電極間の電
界分布状態（電気力線）図を示す。

【図１０】本発明の積層構造のメタル隔壁を示す断面図
である。

【符号の説明】

１… メタル隔壁、 ２… プラズマデイスプレイパネ
ル、３… 前面ガラス基板、４… 背面ガラス基板、５
（５―１、５―２、５―３）… 金属薄板、６… 貫通
孔、７、４５… 絶縁皮膜、８、９、１５、１６、１
７、１８、２０、２１、２２、２３、２５、４８、４９
… 被膜厚さ、１０… セル長さ（Ｌ）、１１… セル幅
（Ｗ）、１２… 放電路長さ（ｇ）、１９… フリットガ
ラス、２４、２８…ガラス被膜、２６、２７… 酸化ア
ルミ膜、２９、５０… 蛍光体、３４、５１… 共通表示
電極（Ｘ電極）、３９… アドレス電極（Ａ電極）、４
２、５２…表示電極（Ｙ電極）、４６… 高電界領域、
４７… 低電界領域、５３… Ｍ電極、５４… 高電界が
発生する領域、５５… 低電界の発生する領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 良二 島根県安来市安来町2107番地２ 日立金属 株式会社安来工場内 Ｆターム(参考） 5C040 GF03 GF06 GF13 GF18 KA04 KA07 KA09 KA11 KB19 MA10 MA26

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の貫通孔を有する金属薄板の上下表面
   及びその孔内面を酸化物セラミックスで被覆し、かつ該
   酸化物セラミックスで被覆した厚さを該金属薄板の孔内
   面よりも上下表面で厚くなるように構成したことを特徴
   とするメタル隔壁。
2. 【請求項２】複数の貫通孔を有する金属薄板の上下表面
   及びその孔内面を酸化物セラミックスで被覆した金属薄
   板を該貫通孔を合わせて複数枚積層し、該複数枚積層し
   た最外層の金属薄板２枚の各々上下表面、又はそれらの
   内の外側表面を被覆した酸化物セラミックス膜厚を孔内
   面の膜厚よりも厚くなるように構成したことを特徴とす
   るメタル隔壁。
3. 【請求項３】前記複数枚の金属薄板をフリットガラスで
   固着して積層させたことを特徴とする請求項２記載のメ
   タル隔壁。
4. 【請求項４】前記金属薄板の上下表面の膜厚を孔内面の
   膜厚よりも約２倍以上に厚くして構成したことを特徴と
   する請求項１記載のメタル隔壁。
5. 【請求項５】前記最外層の金属薄板２枚の各々上下表
   面、又はそれらの内の外側表面の膜厚を孔内面の膜厚よ
   りも約２倍以上に厚くして構成したことを特徴とする請
   求項２または３記載のメタル隔壁。
6. 【請求項６】複数の貫通孔を有する金属薄板を複数枚積
   層したメタル隔壁であって、最外層２枚の金属薄板を上
   下表面及びその孔内面を酸化物セラミックスで被覆しか
   つ金属薄板の該最外層２枚に挟まれた残りの金属薄板を
   上下表面及びその孔内面を非晶質ガラスで被覆して構成
   したことを特徴とするメタル隔壁。
7. 【請求項７】前記非晶質ガラスを再溶融させて前記最外
   層２枚に挟まれた前記残りの金属薄板を前記最外層２層
   の金属薄板と固着したことを特徴とする請求項６記載の
   メタル隔壁。
8. 【請求項８】上下表面及び該貫通孔の角部近傍に酸化物
   セラミックスを被覆した後にその上下表面及び貫通孔内
   面に非晶質ガラスを被覆して形成した金属薄板を複数枚
   積層したメタル隔壁であって、該非晶質ガラスを再溶融
   させて金属薄板間を固着して構成したことを特徴とする
   メタル隔壁。
9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載のメタル隔
   壁を用いたプラズマデイスプレイパネル。
10. 【請求項１０】請求項１〜８のいずれかに記載のメタル
    隔壁を表示駆動用電極として用いたプラズマデイスプレ
    イパネル。