JPH11297210A - 交流面放電型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法並びに交流面放電型プラズマディスプレイパネル用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 交流面放電型ＰＤＰの前面パネル上の誘電体
層の表面粗さを低減して、同層の表面粗さに起因する放
電特性を改善し、同ＰＤＰの表示品質の改善を図る。 【解決手段】 前面パネル５０は、前面ガラス基板６の
放電空間１８側の表面上に帯状に形成された透明電極１
１と、透明電極１１の放電空間１８側の表面上の一部に
同電極１１と平行に形成され、約７μｍ以下の範囲の厚
さを有する金属電極１２と、透明電極１１と金属電極１
２とを被覆する誘電体層８とを備える。金属電極１２
は、透明電極１１の表面上に形成されたＣｒ薄膜電極１
３と、Ｃｒ薄膜電極１３の表面上に形成されたＡｇ厚膜
電極１４とから成る。金属電極１２は上記の厚さで形成
されるため、誘電体層８の表面粗さは約２μｍ以下の範
囲内として形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、交流型プラズマ
ディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と呼ぶ）に関する
ものであり、特にＰＤＰの走査電極又は共通電極の構造
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰは、パーソナルコンピュータやオ
フィスワークステーションのディスプレイ、又は、壁掛
けテレビなど、広い用途に使用できるディスプレイであ
るため、近年、その研究開発は著しく進展している。

【０００３】まず、従来のＰＤＰ１０１を用いたＰＤＰ
装置１００について説明する。

【０００４】図５は、ＰＤＰ装置１００の全体構成を示
すブロック図である。図５に示すように、走査電極ＸＰ
ｉ（ｉ：１〜ｎ）は、それぞれＸドライバ１０２の出力
端に接続され、走査電極ＸＰｉと対をなす共通電極ＹＰ
ｉ（ｉ：１〜ｎ）は、それぞれの一端部が共通に接続さ
れて、Ｙドライバ１０３の出力端に接続されている。こ
のため、以下、共通電極ＹＰｉを総称して「共通電極Ｙ
Ｐ」とも呼ぶ。また、アドレス電極ＷＰｊ（ｊ：１〜
ｍ）は、アドレスドライバ１０４の出力端に接続されて
いる。Ｘドライバ１０２、Ｙドライバ１０３、およびア
ドレスドライバ１０４は制御回路１０５からの制御信号
により制御される。

【０００５】次に、従来のＰＤＰ１０１の構造について
説明する。

【０００６】図６の（ａ）及び（ｂ）は、共に従来のＰ
ＤＰ１０１の構造を示す縦断面図であり、図６の（ａ）
は、図５に示す走査電極ＸＰｉと共通電極ＹＰとに平行
な方向で切断した場合の縦断面図であり、他方、図６の
（ｂ）は図５に示すアドレス電極ＷＰｊに平行な方向で
切断した場合の縦断面図である。

【０００７】図６に示すように、ＰＤＰ１０１の構造
は、前面パネル１５０と背面パネル１５１とに大別で
き、前面パネル１５０と背面パネル１５１とが、その周
辺部において互いに封着されて、放電空間１１８を形成
する。前面パネル１５０は、以下のような構造を有す
る。即ち、前面ガラス基板１０６の一方の表面上に、互
いに対をなすｎ本の走査電極ＸＰｉ（ｉ：１〜ｎ）とｎ
本の共通電極ＹＰｉ（ｉ：１〜ｎ）とが、接近して且つ
平行に延長形成されている。なお、両電極ＸＰｉ，ＹＰ
ｉは、後述のように、透明電極と金属電極とから成る。
そして、両電極ＸＰｉ，ＹＰｉ及び前面ガラス基板１０
６上には、両電極ＸＰｉ，ＹＰｉを放電空間１１８から
絶縁するための誘電体層１０８が形成されており、誘電
体層１０８の表面上に保護膜（ＭｇＯ膜）１１５が形成
されている。

【０００８】他方、背面パネル１５１は、以下のような
構造を有する。即ち、背面ガラス基板１０７の一方の表
面上には、延長形成されたｍ本のアドレス電極ＷＰｊ
（ｊ：１〜ｍ）が形成されており、アドレス電極ＷＰｊ
を被覆するように誘電体層１１６が形成されている。更
に、誘電体層１１６の放電空間１１８側の表面上であっ
て、隣接するアドレス電極ＷＰｊの間に相当する箇所に
は、アドレス電極ＷＰｊに平行にバリアリブ１０９が延
長形成されている。更に、図６の（ａ）に示すように、
隣接するバリアリブ１０９間には蛍光体層１１７が形成
されている。上記バリアリブ１０９は、隣接するアドレ
ス電極ＷＰｊを分離するセパレータの役割と共に、各セ
ル間の混色を防止する役割、更には放電ギャップを維持
する役割がある。

【０００９】上記のような構造の前面パネル１５０と背
面パネル１５１とは、走査電極ＸＰｉ及び共通電極ＹＰ
とアドレス電極ＷＰｊとが対面するように、且つ、互い
に直角な方向の関係に配置された状態で、互いの周辺部
でフリットガラス１１０により気密封止されている。そ
して、その内部には、放電可能な希ガスが導入されてい
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図７は、図６に示す構
造を有するＰＤＰ１０１の前面パネル１５０のみを抽出
し、その要部を拡大した縦断面図である。図７に示すよ
うに、従来のＰＤＰ１０１では、走査電極ＸＰｉ及び共
通電極ＹＰｉは、前面ガラス基板１０６上に形成された
透明電極１１１と、透明電極１１１上に形成された金属
電極１１２とから成り、更に、金属電極１１２は２種類
の金属薄膜から成る２層構造としている。この２層構造
の内、前面ガラス基板１０６側、即ち、透明電極１１１
上の第１金属電極１１３に後述の第２金属電極１１４よ
り光反射率の低い材料を用いることにより、ＰＤＰ１０
１の外部から入射する光の反射を抑えて、画像表示のコ
ントラストを向上させている。他方、第１金属電極１１
３上に形成される第２金属電極１１４は、透明電極１１
１の導電率を補うという金属電極１１２の本来的な役割
を担う。具体的には、金属電極１１２は、第１金属電極
１１３としてのＣｒ（クロム）と第２金属電極１１４と
してのＣｕ（銅）とを、（ａ）スパッタリング法等によ
って順次に積層して薄膜成膜し、その後に写真製版法を
用いて所望の電極形状にパターニングする方法により、
形成される。

【００１１】しかしながら、上記（ａ）の製造方法はス
パッタリング法等の薄膜形成プロセスであるので、当該
製造工程の製造コスト及び製造に費やす時間を低減し
て、ＰＤＰ１０１の一層の低価格化を推進することは困
難である。

【００１２】これに対して、ＰＤＰ１０１の製造コスト
等を低減すべく、近年では、金属電極１１２の製造は、
（ｂ）例えばＡｇ（銀）ペーストをスクリーン印刷法に
よりパターン印刷して形成する方法、あるいは、（ｃ）
感光性の導電材料（Ａｇペースト）を塗布した後に、写
真製版法により所望の電極形状にパターニング形成する
方法を用いて行われる。

【００１３】上記（ｂ）及び（ｃ）の製造方法により金
属電極１１２を形成する場合には、その厚さは、以下の
観点から設定される。

【００１４】（ｉ）まず、その電気抵抗を小さくするた
めに、仮に金属電極１１２を一層で形成する場合であっ
ても、その膜厚は少なくとも５μｍ以上にする必要があ
る。

【００１５】（ｉｉ）上記（ｉ）に加えて、ＰＤＰ１０
１の画像表示のコントラストを高くするためには、上記
（ａ）の製造方法と同様に、金属電極１１２を２層構造
とし、前面ガラス基板１０６側の第１金属電極１１３に
光反射率の低い材料（例えば黒色材料を含むＡｇペース
ト）を用いることが必要である。この場合には、上記
（ｉ）の場合と比較して、更に金属電極１１２が厚くな
り、２層構造での金属電極１１２の厚さは、約１０μｍ
程度以上になる場合も多い。

【００１６】従って、図７に示すように、走査電極ＸＰ
ｉ上および共通電極ＹＰｉ上に形成された誘電体層１０
８の断面形状は、金属電極１１２上では凸形状に、その
他の部分では凹形状になってしまう。即ち、上記（ａ）
の薄膜形成プロセスによる製造方法と比較して、誘電体
１０８の表面は、電極パターン、特に金属電極１１２の
厚さに対応した凹凸形状（表面粗さ）が生じることにな
り、この表面粗さは金属電極１１２が厚いほど大きくな
る。金属電極１１２の厚さと誘電体層１０８の表面粗さ
との関係を示す図２によれば、約１０μｍの厚さを有す
る金属電極１１２では、誘電体層１０８の表面粗さは約
３μｍにも達することが分かる。

【００１７】このように、誘電体１０８の表面上に上述
のような凹凸形状がある場合には、凹形状の部分と凸形
状の部分との近傍の放電空間１１８（図６参照）で放電
特性の相違が生じるため、ＰＤＰ１０１の画像表示の際
に、この表面粗さに起因した表示欠陥や表示むらが観察
される等の表示品質上の問題点が生じてしまう。

【００１８】この問題点を解決しうる方法の一つとし
て、光反射率が低く、且つ、導電性が良好な材料から成
る１層構造の金属電極１１２を、上記（ｂ）又は（ｃ）
のような低コストな製造方法により形成する方法が考え
られる。しかしながら、上記の要望を満たし、なおか
つ、上記（ｂ）又は（ｃ）の製造方法に使用できる材料
は、未だ見られない。

【００１９】そこで、本発明は、上記の問題点を解消す
るためになされたものであり、上述のようなコントラス
トの向上に寄与する２層構造の金属電極の製造にあた
り、上記（ａ）の製造方法により製造される金属電極と
比較して、製造コスト及び製造に費やす時間が大幅に低
減された金属電極を有するＰＤＰを提供することを第１
の目的とする。

【００２０】更に、本発明は、上記第１の目的の実現と
共に、２層構造の金属電極の厚さを制御することによ
り、上記（ｂ）又は（ｃ）の製造方法により製造される
金属電極上の誘電体層と比較して、その表面粗さが小さ
い誘電体層を有するＰＤＰを提供することを、第２の目
的とする。

【００２１】更に、本発明は、上記第１及び第２の目的
の実現と共に、上記誘電体層の表面粗さに起因する表示
欠陥や表示むらが低減されたＰＤＰを提供することを、
第３の目的とする。

【００２２】更に、本発明は、上記第１乃至第３の目的
の実現と同時に、高い歩留まりを以て製造できる２層構
造の金属電極を有するＰＤＰを提供することを、第４の
目的とする。

【００２３】更に、本発明は、上記第１乃至第４の目的
を実現するＰＤＰの製造方法を提供することを、第５の
目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】（１）請求項１記載の発
明に係る交流面放電型プラズマディスプレイパネルは、
前面パネルと背面パネルとが、その周辺部において互い
に封着されて、放電空間を形成する交流面放電型プラズ
マディスプレイパネルであって、前記前面パネルは、前
面ガラス基板と、前記前面ガラス基板の前記放電空間側
の表面上に延長形成された透明電極と、前記透明電極の
前記放電空間側の表面上の一部に、前記透明電極と平行
に延長形成された金属電極と、前記透明電極及び前記金
属電極を被覆する誘電体層とを備え、前記金属電極は、
前記透明電極の前記表面上に延長形成された第１金属電
極と、前記第１金属電極の前記放電空間側の表面上に延
長形成された第２金属電極とから成り、前記第１金属電
極は前記第２金属電極と比較して光反射率の低い材料よ
り成る交流面放電型プラズマディスプレイパネルにおい
て、前記第１金属電極は薄膜より成り、前記第２金属電
極は厚膜より成ることを特徴とする。

【００２５】（２）請求項２記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネルは、請求項１記載の交
流面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記
金属電極の厚さは７μｍ以下であることを特徴とする。

【００２６】（３）請求項３記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネルは、請求項２記載の交
流面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記
第１金属電極の厚さは３μｍ以下であることを特徴とす
る。

【００２７】（４）請求項４記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネルは、請求項１乃至３の
いずれかに記載の交流面放電型プラズマディスプレイパ
ネルにおいて、前記第２金属電極の幅は前記第１金属電
極の幅よりも狭いことを特徴とする。

【００２８】（５）請求項５記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの製造方法は、交流面
放電型プラズマディスプレイパネルの製造方法におい
て、前面パネルの製造工程は、前面ガラス基板を準備す
る第１工程と、前記前面ガラス基板の一方の表面上に帯
状の複数の透明電極を形成する第２工程と、前記複数の
透明電極のそれぞれの表面上の一部に、スパッタ法によ
り光反射率の比較的低い材料の薄膜電極を形成した上
で、前記薄膜電極のそれぞれの表面上に、スクリーン印
刷法又は感光性導電材料を用いた写真製版法により厚膜
電極を形成することで、前記薄膜電極と前記厚膜電極と
より成る金属電極を形成する第３工程と、前記透明電極
と前記金属電極とを被覆するように誘電体層を形成する
第４工程とを備えることを特徴とする。

【００２９】（６）請求項６記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネルの製造方法は、請求項
５記載の交流面放電型プラズマディスプレイパネルの製
造方法において、前記第３工程における前記金属電極の
厚さは７μｍ以下であることを特徴とする。

【００３０】（７）請求項７記載の発明に係る交流面放
電型プラズマディスプレイパネル用基板は、交流面放電
型プラズマディスプレイパネル用基板であって、前記基
板の表面上には透明電極が延長形成されて、前記透明電
極の表面上の一部上には第１金属電極と第２金属電極と
が順次に前記透明電極と平行に延長形成されて、前記透
明電極、前記第１及び第２金属電極を被覆する誘電体層
が前記基板の前記表面上に形成されており、前記第１金
属電極は前記第２金属電極と比較して光反射率の低い材
料より成り、前記第１金属電極は薄膜より成り、前記第
２金属電極は厚膜より成ることを特徴とする。

【００３１】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下に、実施の
形態１に係るＰＤＰ１の構造を、図１に示す１つの発光
セルの縦断面図を用いて説明する。

【００３２】図１に示すように、ＰＤＰ１は、前面パネ
ル５０と背面パネル５１とに大別でき、前面パネル５０
と背面パネル５１とが、図示しない周辺部においてフリ
ットガラス（図示せず）により互いに封着されて（図６
参照）、放電空間１８を形成している。そして、放電空
間１８内には、放電可能な希ガス（例えばネオン（Ｎ
ｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガス）が導入されてい
る。

【００３３】まず、前面パネル５０の構造について説明
する。

【００３４】前面パネル５０は、前面ガラス基板６の放
電空間１８側の表面上に、互いに対をなすｎ本の帯状の
走査電極Ｘｉ（ｉ：１〜ｎ）とｎ本の帯状の共通電極Ｙ
ｉ（ｉ：１〜ｎ）とが、接近して且つ平行を保って延長
形成されている。

【００３５】この両電極Ｘｉ，Ｙｉは、共に以下のよう
な構造を備える。即ち、前面ガラス基板６の放電空間１
８側の表面上に延長形成された透明電極１１と、透明電
極１１の放電空間１８側の表面上の一部（隣の表示ライ
ン側）において、透明電極１１と平行に延長形成された
金属電極１２とから成る。ここで、金属電極１２は、各
電極Ｘｉ，Ｙｉの電気抵抗を低減するためのバス電極と
して設けられている。なお、透明電極１１の材料として
は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）あるいはＮＥＳＡ
（酸化スズ）のいずれをも用いることができる。

【００３６】そして、金属電極１２は、透明電極１１の
上記表面上に形成された第１金属電極１３であるＣｒ
（クロム）薄膜電極（以下「Ｃｒ薄膜電極１３」とも呼
ぶ）と、Ｃｒ薄膜電極１３の放電空間１８側の表面上に
延長形成された第２金属電極１４であるＡｇ（銀）厚膜
電極（以下「Ａｇ厚膜電極１４」とも呼ぶ）とから成
る。

【００３７】このような構造を有する２ｎ本の電極の
内、隣接する電極同士が１つの発光セル内の走査電極Ｘ
ｉ及び共通電極Ｙｉとして互いに対をなす。なお、走査
電極Ｘｉ上及び共通電極Ｙｉ上のそれぞれの金属電極１
２は、後述する蛍光体層１７からの可視光の発光を妨げ
ないようにするために、図１に示すように、発光セルの
中心から最も遠い位置に形成されている。

【００３８】そして、図１に示すように、両電極Ｘｉ，
Ｙｉを放電空間１８から絶縁するための誘電体層８が、
両電極Ｘｉ，Ｙｉ上及び前面ガラス基板６上を覆うよう
に、前面ガラス基板６の表面上に全面的に形成されてい
る。更に、誘電体層８の放電空間１８側の表面上には、
保護膜（ＭｇＯ膜）１５が形成されている。

【００３９】次に、背面パネル５１の構造について説明
するが、後述のように、本実施の形態１に係るＰＤＰ１
は前面パネル５０の構造、特に金属電極１２の構造に特
徴があるため、背面パネル５１の構造は、図６に示す従
来のＰＤＰ１０１の背面パネル１５１と同様で良い。即
ち、図１に示すように、背面ガラス基板７の放電空間１
８側の表面上には、走査電極Ｘｉ及び共通電極Ｙｉと直
交関係を保つ方向に延長形成されたｍ本のアドレス電極
Ｗｊ（ｊ：１〜ｍ）が形成されており、アドレス電極Ｗ
ｊ上及び背面ガラス基板７上を覆うように、誘電体層１
６が形成されている。そして、誘電体層１６の放電空間
１８側の表面上であって、隣接するアドレス電極Ｗｊの
間に相当する箇所には、アドレス電極Ｗｊに平行にバリ
アリブ９（図６のバリアリブ１０９参照）が延長形成さ
れている。更に、隣接するバリアリブ９の対面する側壁
面上及び誘電体層１６の放電空間１８側の表面上には蛍
光体層１７が形成されている。

【００４０】さて、本実施の形態１に係るＰＤＰ１は金
属電極１２の構造に特徴があるので、この点について以
下に詳述する。

【００４１】まず、上述のように２層構造を有する金属
電極１２の内、第１金属電極であるＣｒ薄膜電極１３
は、既述の製造方法（ａ）のような薄膜形成プロセスに
より形成され、その厚さは例えば約０．１μｍである。
第１金属電極１３には、第２金属電極１４と比較して光
反射率の低い材料であるＣｒを用い、前面ガラス基板６
側の層として設けることにより、ＰＤＰ１の外部から入
射する光の反射を抑えて、ＰＤＰ１の画像表示のコント
ラストを向上させる役割がある。また、第１金属電極１
３が透明電極１１と第２金属電極１４との間に介在する
ことにより、透明電極１１上に直接に厚膜電極が形成さ
れる場合（例えば、２層の厚膜電極のみから成る従来の
金属電極１１２（図７参照））と比較して、透明電極１
１と金属電極１２との間の接着性の向上が図られる。か
かる観点から、第１金属電極１３の材料としては、Ｃｒ
の他に、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ−Ｃｕ合金等から選択するこ
とができる。

【００４２】他方、第２金属電極であるＡｇ厚膜電極１
４は、既述の製造方法（ｂ）又は（ｃ）のような厚膜形
成プロセスにより形成され、その厚さは例えば約５μｍ
である。この第２金属電極１４は、透明電極１１の導電
率を補うという補助電極としての本来的な役割を有して
おり、かかる観点から第２金属電極１４としては、Ａｇ
の他に、Ａｇと同等の抵抗率を有するＡｕ、Ｎｉ、Ａｌ
等を用いることができる。

【００４３】そして、金属電極１２は、薄膜より成る第
１金属電極１３と厚膜より成る第２金属電極１４との２
層構造を有するため、以下のような効果を奏する。

【００４４】まず、既述の製造方法（ｂ）又は（ｃ）の
みで形成される従来の２層構造の金属電極の場合には、
その厚さが約１０μｍにまでなってしまうのに対して、
本実施の形態１に係る金属電極１２によれば、従来と同
様の効果を発揮させるために必要な同電極１２の厚さは
約５μｍ程度で足りるため、図１に示すように、誘電体
層８の表面粗さが格段に低減される。この点を、金属電
極１２の厚さと誘電体層８の表面粗さとの関係を示す図
２を以て具体的に考察すれば、従来の金属電極では、誘
電体層１０８（図７参照）の表面粗さは約３μｍにも達
するのに対して、本金属電極１２によれば、約５μｍと
いう厚さに起因して、誘電体層８の表面粗さは約１．６
μｍ程度という比較的小さな値にすることができる。

【００４５】従って、金属電極１２を有するＰＤＰ１に
よれば、従来の誘電体層１０８（図７参照）と比較し
て、誘電体層８の表面の粗さが小さく、平坦度が比較的
良好であるため、当該表面の凹凸形状に起因する放電の
不安定性を十分に抑制できる。即ち、ＰＤＰの表示品質
の点から捉えるならば、誘電体層８の表面粗さに起因し
た表示欠陥や表示むらを十分に低減することが可能であ
る。

【００４６】特に、誘電体層８の表面粗さが約２μｍ以
下の範囲内であれば、即ち、金属電極１２の厚さが約７
μｍ以下の範囲内であれば、ＰＤＰ１の動作時におい
て、上記の表示欠陥や表示むらの発生を抑制できる。

【００４７】更に、既述の製造方法（ａ）のみで形成さ
れる従来の２層構造の金属電極と比較して、本実施の形
態１に係る金属電極１２は、製造コスト及び製造に費や
す時間の点において、優位性を有する。

【００４８】加えて、本金属電極１２のＣｒ薄膜電極１
３の厚さを約０．１μｍに設定しているが、Ｃｒ薄膜電
極１３の厚さが約３μｍ以下の範囲内であれば、上記の
優位性は依然として失われない。例えば、Ｃｒ薄膜電極
１３の厚さを３μｍとした場合であっても、金属電極１
２の全体の厚さを７μｍ以下の範囲にすることにより、
上記の表示欠陥や表示むらの発生は抑制できる。そのよ
うな厚さの制御は第２金属電極（Ａｇ厚膜電極）１４を
厚膜で以て形成しているので、低コストで十分に実現可
能な範囲内にある。ただし、Ｃｒ薄膜電極１３の役割な
いしは機能の面から見れば、その厚さは０．１μｍ程度
あれば十分と考えられる。

【００４９】（実施の形態２）本実施の形態２では、上
述の実施の形態１に係るＰＤＰ１の製造方法、特に、そ
の特徴部分である金属電極１２を備える前面パネル５０
の製造方法を中心に、図３に示すフローチャートの流れ
に従って、図１を用いて説明する。

【００５０】（前面パネルの製造工程） （前面ガラス基板の準備工程Ｓ１）前面パネル５０の製
造工程中の第１工程である本工程Ｓ１では、前面ガラス
基板６として、フロートガラスを準備し、洗浄等の処理
を施す。

【００５１】（透明電極の形成工程Ｓ２）次に、第２工
程である本工程Ｓ２は、前面ガラス基板６の一方の表面
上に透明電極１１を所定の電極形状に形成する工程であ
る。

【００５２】まず、透明導電膜としてのＩＴＯ（酸化イ
ンジウムスズ）膜あるいはＮＥＳＡ（酸化スズ）膜を、
スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法などの
物理的・化学的蒸着法を用いて、前面ガラス基板６の上
記表面上の全面に成膜する。

【００５３】次に、上記透明導電膜を、写真製版法を用
いて複数の帯状の電極形状に形成することにより、透明
電極１２を得る。

【００５４】なお、透明電極１２はリフトオフ法を用い
て形成しても良い。

【００５５】（金属電極の形成工程Ｓ３）第３工程であ
る本工程Ｓ３は、更に、第１金属電極１３である薄膜電
極（以下「薄膜電極１３」とも呼ぶ）の形成工程Ｓ３１
と、第２金属電極である厚膜電極（以下「厚膜電極１
４」とも呼ぶ）の形成工程Ｓ３２とに分けることができ
る。

【００５６】（薄膜電極の形成工程Ｓ３１）金属電極１
２の内の薄膜電極１３を形成する本工程Ｓ３１は、複数
の透明電極１１のそれぞれの表面上の一部に、スパッタ
法により光反射率の比較的低い材料、例えばＣｒを用い
て薄膜電極１３を形成する工程である。

【００５７】まず、前面ガラス基板６の透明電極１１が
形成された表面上に、全面に亘って、例えば約０．１μ
ｍの厚さのＣｒ膜をスパッタ法により成膜する。なお、
本実施の形態２では、後にＣｒ薄膜電極１３となる当該
Ｃｒ膜の厚さを約０．１μｍと設定しているが、既述の
ように、その厚さが約３μｍ以下であれば、上記の製造
方法（ａ）のみで形成される従来の２層構造の金属電極
と比較して、製造コスト及び製造に費やす時間の点にお
ける優位性は維持される。

【００５８】次に、当該Ｃｒ膜上の全面に亘ってレジス
ト材料を塗布し、所定の形状のマスクを用いて露光し、
現像した後に、当該Ｃｒ膜をパターン・エッチングする
ことによって、図１に示すように、Ｃｒ薄膜電極１３を
透明電極１１のそれぞれの表面上の一部に同電極１１と
平行に延長形成する。

【００５９】なお、薄膜電極１３の材料は、Ｃｒの他
に、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ−Ｃｕ合金等が使用できることは
既述の通りである。

【００６０】（厚膜電極の形成工程Ｓ３２）金属電極１
２の内の厚膜電極１４を形成する本工程Ｓ３２は、Ｃｒ
薄膜電極１３のそれぞれの表面上に厚膜電極１４を形成
する工程であり、まず、スクリーン印刷法を用いた場合
の形成方法を説明する。

【００６１】まず、Ｃｒ薄膜電極１３上に、Ａｇペース
トをスクリーン印刷法によりパターン形成する。その
後、当該Ａｇペーストを乾燥・焼成することにより、当
該ペースト中の有機溶剤や樹脂成分を取り除くととも
に、Ａｇ厚膜電極１４（厚さは例えば５μｍ）をＣｒ薄
膜電極１３の表面上に被着させる。

【００６２】なお、上述の形成方法では、Ａｇ厚膜電極
１４の幅は、Ｃｒ薄膜電極１３と同じ幅に設定している
が、図４に示すＰＤＰ２１の前面パネル６０のように、
Ａｇ厚膜電極２４の幅をＣｒ薄膜電極２３のそれより小
さく設定しても良い。この場合には、Ａｇ厚膜電極２４
の形成時における位置合わせ精度を緩和することができ
るため、その形成時において上記ＡｇペーストがＣｒ薄
膜電極２３の領域からはみ出してしまうという事態が発
生しない。従って、金属電極２２の形成工程Ｓ３、特
に、本工程Ｓ３２での高い歩留まりを得ることができる
という効果を奏する。

【００６３】加えて、上記の効果は、Ｃｒ薄膜電極２３
の領域外へはみ出したＡｇ厚膜電極がＰＤＰの外部から
表示面側へ入射する光を反射することによって生じる、
コントラストの低下を防ぐという効果をも包含してい
る。

【００６４】なお、上述のように、Ａｇ厚膜電極１４の
厚さは約５μｍに設定しているが、Ａｇ厚膜電極２４の
幅をＣｒ薄膜電極２３の幅よりも狭くしたことに伴って
Ａｇ厚膜電極２４の厚さを増加させた場合であっても、
金属電極２２の全体の厚さを７μｍ以下の範囲に設定し
ておけば、既述のように、誘電体層８の表面粗さは表示
欠陥や表示むらを誘発することがない程度として形成で
きる。

【００６５】また、厚膜電極１４，２４の材料は、Ａｇ
の他に、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ等を用いることができること
は既述の通りである。

【００６６】（工程Ｓ３２における厚膜電極の他の形成
方法）厚膜電極１４の形成は、上述のスクリーン印刷法
の代わりに、感光性導電材料を用いた写真製版法によっ
て形成しても良く、かかる場合を工程Ｓ３２における厚
膜電極の他の形成方法として以下に述べる。

【００６７】まず、Ｃｒ薄膜電極１３上の全面に亘っ
て、感光性導電材料、例えば感光性を有するＡｇペース
トを塗布する。次に、当該Ａｇペースト層を所定の形状
のマスクを用いて露光し、現像した後に、Ｃｒ薄膜電極
１３上に残ったＡｇペーストを焼成することによって、
Ａｇ厚膜電極１４（厚さは例えば５μｍ）を形成する。

【００６８】この形成方法によれば、写真製版法を応用
しているので、Ｃｒ薄膜電極１３上に高精度にＡｇ厚膜
電極１４を形成することができる。従って、より小型
化、高精細化したＰＤＰにおける金属電極の形成に適し
ている。

【００６９】なお、感光性導電材料としては、上記のＡ
ｇペーストの他に、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ等を母材とする感
光性ペーストを用いても良い。

【００７０】（誘電体層の形成工程Ｓ４）第４工程であ
る本工程Ｓ４は、図１に示すように、透明電極１１と金
属電極１２とを被覆するように、誘電体層８を形成する
工程である。

【００７１】具体的には、両電極１１，１２を被覆する
ように、前面ガラス基板６の当該表面上の全面に亘って
低融点ガラスペーストをスクリーン印刷し、焼成するこ
とによって、誘電体層８を形成する。

【００７２】既述のように、ＰＤＰ１では金属電極１２
の厚さを７μｍ以下の範囲に制御しているので、本実施
の形態２の製造方法によれば、図７に示す従来のＰＤＰ
１０１の誘電体層１０８と比較して、その表面粗さを格
段に低減することができる。

【００７３】（保護膜の形成工程Ｓ５）本工程Ｓ５は、
誘電体層８の表面上の全面に亘って、例えばＭｇＯから
成る保護膜を蒸着する工程である。

【００７４】なお、誘電体層８と保護膜１５とを「誘電
体層８Ａ」と総称するならば、本工程Ｓ５を上記工程Ｓ
４に含めて、上記工程Ｓ４を「誘電体層８Ａの形成工
程」と呼ぶことができる。

【００７５】（背面パネルの製造工程）既述のように、
ＰＤＰ１は前面パネル５０（又は６０）の構造、特に金
属電極１２の構造に特徴があるため、背面パネル５１の
構造は従来のＰＤＰ１０１（図６参照）の背面パネル１
５１（図６参照）と同様で良く、その製造方法も従来の
製造方法で良い。

【００７６】例えば、背面ガラス基板７を準備し、その
一方の表面上にＡｇペーストをスクリーン印刷して、焼
成することにより、互いに平行なｍ本のアドレス電極Ｗ
ｊ（ｊ：１〜ｍ）を延長形成する。

【００７７】次に、このアドレス電極Ｗｊ上及び背面ガ
ラス基板７上を覆うように、低融点ガラスペーストを印
刷し、焼成することにより誘電体層１６を形成する。

【００７８】そして、誘電体層１６の表面上であって、
隣接するアドレス電極Ｗｊの間に相当する箇所に、アド
レス電極Ｗｊに平行にバリアリブ９を延長形成する（図
６のバリアリブ１０９参照）。この際、バリアリブ９
は、低融点ガラスペーストの印刷を数回繰り返した後、
焼成することにより形成する。また、低融点ガラスペー
ストを誘電体層１６の全面に亘って印刷した後に、当該
ペーストの表面上にドライフィルムフォトレジスト（Ｄ
ＦＲ）を張り付け、これを写真製版法を用いてパターニ
ングし、続いてサンドブラスト法により所定の形状に形
成し、その後、焼成しても良い。

【００７９】次に、隣接するバリアリブ９の対面する側
壁面上及び誘電体層１６の表面上に蛍光体を印刷・焼成
して、蛍光体層１７を形成することにより、背面パネル
５１を得る。

【００８０】このようにして製造される前面パネル５０
（又は６０）と背面パネル５１とを、走査電極Ｘｉ及び
共通電極Ｙｉとアドレス電極Ｗｊとが対面し、且つ、直
交する方向に配置し、両パネル５０（又は６０），５１
を平行に保った状態で、その周辺部をフリットガラスで
封着する。そして、排気後、その内部に放電可能な希ガ
ス、例えばＮｅ（ネオン）とＸｅ（キセノン）との混合
ガスを導入した後、気密封着することにより、本実施の
形態２に係るＰＤＰ１（又は２１）が完成する。

【００８１】上述のＰＤＰ１，２１の製造方法、特に２
層構造の金属電極１２，２２の製造方法によれば、既述
のように、（ａ）スパッタリング法等を用いて薄膜のみ
で形成された２層構造を有する従来の金属電極の製造方
法と比較して、製造コスト及び製造に費やす時間の低減
をすることができる。

【００８２】更に、（ｂ）スクリーン印刷法又は感光性
の導電材料をパターニングする形成方法を用いて厚膜の
みで形成された２層構造を有する従来の金属電極の製造
方法と比較した場合、既述のように、誘電体層８の表面
粗さを微細に制御することができ、特に、金属電極１
２，２２のように、その厚さを７μｍ以下に設定するこ
とにより、ＰＤＰの表示欠陥や表示むらの原因となる誘
電体層８の表面粗さを格段に低減することが可能であ
る。

【００８３】

【発明の効果】（１）請求項１に係る発明によれば、金
属電極は透明電極の表面上に第２金属電極より光反射率
の低い材料により形成された薄膜の第１金属電極を備え
るため、従来の２層構造の金属電極と同様に、ＰＤＰの
外部から表示面側へ入射する光の反射を抑えて、ＰＤＰ
の画像表示のコントラストを向上することができる。し
かも、本発明によれば、金属電極は上記の薄膜の第１金
属電極と厚膜の第２金属電極とから成るので、（ａ）ス
パッタリング法等を用いて薄膜のみで形成された２層構
造を有する従来の金属電極と比較して、上記効果を得る
ための製造コスト及び製造に費やす時間を低減すること
ができるという効果を有する。

【００８４】更に、本発明によれば、（ｂ）スクリーン
印刷法又は感光性の導電材料をパターニングする形成方
法を用いて厚膜のみで形成された２層構造を有する従来
の金属電極と比較して、金属電極の厚さを薄膜の第１金
属電極の厚さを以て詳細に制御できるので、金属電極を
被覆する誘電体層の表面形状、即ち、金属電極の厚さに
起因する凹凸形状（表面粗さ）を微細に制御することが
できる。

【００８５】（２）請求項２に係る発明によれば、金属
電極の厚さは７μｍ以下であるため、上記（１）の効果
と同時に、上記（ｂ）の従来の金属電極と比較して、上
記誘電体層の表面粗さを格段に低減することが可能であ
る。換言すれば、比較的に良好な平坦度の表面を有する
誘電体層を得ることができる。従って、上記（ｂ）の従
来の金属電極を有するＰＤＰと比較して、上記誘電体層
の表面粗さに起因する放電の不安定性を抑制でき、ＰＤ
Ｐの表示品質の点から捉えるならば、上記表面粗さに起
因する表示欠陥や表示むらを十分に低減できるという効
果を有する。

【００８６】（３）請求項３に係る発明によれば、第１
金属電極の厚さは３μｍ以下であるため、上記（２）の
効果を得るための製造コスト及び製造に費やす時間の観
点から見た場合、上記（ａ）の従来の金属電極に対し
て、依然として優位性を保つことができる。

【００８７】（４）請求項４に係る発明によれば、第２
金属電極の幅は第１金属電極の幅よりも狭いため、第２
金属電極の形成時における位置合わせ精度を緩和するこ
とができる。従って、第２金属電極が、その形成時に第
１金属電極の領域からはみ出してしまうという事態が発
生しないため、上記（１）〜（３）の効果と同時に、金
属電極形成工程での高い歩留まりを得ることができる。

【００８８】更に、本発明によれば、第１金属電極の領
域外へはみ出した第２金属電極がＰＤＰの外部から表示
面側へ入射する光を反射することによって生じる、コン
トラストの低下を防ぐことができるという効果をも包含
している。

【００８９】（５）請求項５に係る発明によれば、上記
（１）と同様の効果を得ることができる。

【００９０】（６）請求項６に係る発明によれば、上記
（２）と同様の効果を得ることができる。

【００９１】（７）請求項７に係る発明によれば、上記
（１）と同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１に係る交流面放電型プラズマデ
ィスプレイパネルの構造を示す縦断面図である。

【図２】 金属電極の厚さと金属電極を被覆する誘電体
層の表面粗さとの関係を示す図である。

【図３】 実施の形態２に係る交流面放電型プラズマデ
ィスプレイパネルの製造工程を示すフローチャートであ
る。

【図４】 実施の形態２に係る交流面放電型プラズマデ
ィスプレイパネルの構造を示す縦断面図である。

【図５】 従来の交流面放電型プラズマディスプレイパ
ネル装置の全体構成を示すブロック図である。

【図６】 従来の交流面放電型プラズマディスプレイパ
ネルの構造を示す縦断面図である。

【図７】 従来の交流面放電型プラズマディスプレイパ
ネルの前面パネルを示す縦断面図である。

【符号の説明】

１ 交流面放電型プラズマディスプレイパネル、６ 前
面ガラス基板、８ 誘電体層、１１ 透明電極、１２
金属電極、１３ 第１金属電極、１４ 第２金属電極、
１８ 放電空間、２２ 金属電極、２３ 第１金属電
極、２４ 第２金属電極、５０ 前面パネル、５１ 背
面パネル、６０ 前面パネル、Ｘｉ 走査電極、Ｙｉ
共通電極。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 前面パネルと背面パネルとが、その周辺
   部において互いに封着されて、放電空間を形成する交流
   面放電型プラズマディスプレイパネルであって、前記前
   面パネルは、前面ガラス基板と、前記前面ガラス基板の
   前記放電空間側の表面上に延長形成された透明電極と、
   前記透明電極の前記放電空間側の表面上の一部に、前記
   透明電極と平行に延長形成された金属電極と、前記透明
   電極及び前記金属電極を被覆する誘電体層とを備え、前
   記金属電極は、前記透明電極の前記表面上に延長形成さ
   れた第１金属電極と、前記第１金属電極の前記放電空間
   側の表面上に延長形成された第２金属電極とから成り、
   前記第１金属電極は前記第２金属電極と比較して光反射
   率の低い材料より成る交流面放電型プラズマディスプレ
   イパネルにおいて、 前記第１金属電極は薄膜より成り、 前記第２金属電極は厚膜より成ることを特徴とする、交
   流面放電型プラズマディスプレイパネル。
2. 【請求項２】 請求項１記載の交流面放電型プラズマデ
   ィスプレイパネルにおいて、 前記金属電極の厚さは７μｍ以下であることを特徴とす
   る、交流面放電型プラズマディスプレイパネル。
3. 【請求項３】 請求項２記載の交流面放電型プラズマデ
   ィスプレイパネルにおいて、 前記第１金属電極の厚さは３μｍ以下であることを特徴
   とする、交流面放電型プラズマディスプレイパネル。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の交流
   面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、 前記第２金属電極の幅は前記第１金属電極の幅よりも狭
   いことを特徴とする、交流面放電型プラズマディスプレ
   イパネル。
5. 【請求項５】 交流面放電型プラズマディスプレイパネ
   ルの製造方法において、 前面パネルの製造工程は、 前面ガラス基板を準備する第１工程と、 前記前面ガラス基板の一方の表面上に帯状の複数の透明
   電極を形成する第２工程と、 前記複数の透明電極のそれぞれの表面上の一部に、スパ
   ッタ法により光反射率の比較的低い材料の薄膜電極を形
   成した上で、前記薄膜電極のそれぞれの表面上に、スク
   リーン印刷法又は感光性導電材料を用いた写真製版法に
   より厚膜電極を形成することで、前記薄膜電極と前記厚
   膜電極とより成る金属電極を形成する第３工程と、 前記透明電極と前記金属電極とを被覆するように誘電体
   層を形成する第４工程とを備えることを特徴とする、 交流面放電型プラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の交流面放電型プラズマデ
   ィスプレイパネルの製造方法において、 前記第３工程における前記金属電極の厚さは７μｍ以下
   であることを特徴とする、交流面放電型プラズマディス
   プレイパネルの製造方法。
7. 【請求項７】 交流面放電型プラズマディスプレイパネ
   ル用基板であって、 前記基板の表面上には透明電極が延長形成されて、 前記透明電極の表面上の一部上には第１金属電極と第２
   金属電極とが順次に前記透明電極と平行に延長形成され
   て、 前記透明電極、前記第１及び第２金属電極を被覆する誘
   電体層が前記基板の前記表面上に形成されており、 前記第１金属電極は前記第２金属電極と比較して光反射
   率の低い材料より成り、 前記第１金属電極は薄膜より成り、 前記第２金属電極は厚膜より成ることを特徴とする、交
   流面放電型プラズマディスプレイパネル用基板。