JPS63228535A - 電極パタ−ン形成方法 - Google Patents
電極パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS63228535A JPS63228535A JP62061265A JP6126587A JPS63228535A JP S63228535 A JPS63228535 A JP S63228535A JP 62061265 A JP62061265 A JP 62061265A JP 6126587 A JP6126587 A JP 6126587A JP S63228535 A JPS63228535 A JP S63228535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pattern
- electrode pattern
- thin film
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分ＩＦ）
この発明は、平滑なガラス基板上に電極パターンを形成
する方法に関する。
する方法に関する。
（従来の技術）
従来、ガラス基板上に電極パターンを形成する場合は、
アルミニウム、酸化インジュームなどの導電性の材料を
電子ビーム蒸着法又はスパッタ法により厚くとも１〜２
ミクロンメートルの厚みに被着して該材料の薄膜を形成
した後、該薄膜をホトリソエツチング法により微細な電
極パターンにバターニングしていた。
アルミニウム、酸化インジュームなどの導電性の材料を
電子ビーム蒸着法又はスパッタ法により厚くとも１〜２
ミクロンメートルの厚みに被着して該材料の薄膜を形成
した後、該薄膜をホトリソエツチング法により微細な電
極パターンにバターニングしていた。
しかし、膜厚が１〜２ミクロンメートルと非常に薄いた
め、電極幅の狭い微細な電極の電気抵抗値は大きくなり
、大電流が流れると電極が破断するという欠点があった
。
め、電極幅の狭い微細な電極の電気抵抗値は大きくなり
、大電流が流れると電極が破断するという欠点があった
。
そこで、電極の抵抗値を下げるために、例えばセラミッ
ク基板上に導電性ペーストを使用して印刷法により膜厚
が数１０ミクロンメートルの厚膜電極パターンを形成し
ている。この厚膜電極は抵抗値が小さくて大電流を流せ
るという特長があり、制御基板用として広く利用されて
いる。
ク基板上に導電性ペーストを使用して印刷法により膜厚
が数１０ミクロンメートルの厚膜電極パターンを形成し
ている。この厚膜電極は抵抗値が小さくて大電流を流せ
るという特長があり、制御基板用として広く利用されて
いる。
しかしながら、上記の厚膜電極は、電子デバイス用の電
極として応用し、電極上に１ミクロン以下のＲ１１！を
積層する場合、電極面上と１！極のない基板面上との段
差が大きいため、電極のエツジ部に薄膜を積層できず、
電子デバイスの不良となるので、電子デバイスには用い
られないという欠点があった。
極として応用し、電極上に１ミクロン以下のＲ１１！を
積層する場合、電極面上と１！極のない基板面上との段
差が大きいため、電極のエツジ部に薄膜を積層できず、
電子デバイスの不良となるので、電子デバイスには用い
られないという欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、従来技術では、膜厚１ミクロン９下の薄
膜電極にすると抵抗値が大きくて大電流により破断する
恐れがあり、厚膜電極にすると電子デバイスに応用でき
ないという欠点があった。
膜電極にすると抵抗値が大きくて大電流により破断する
恐れがあり、厚膜電極にすると電子デバイスに応用でき
ないという欠点があった。
この発明は、以上の従来の問題点を解決し、電気抵抗値
が小さく、かつ、基板と電極の段差のないｔ４極パター
ン形成方法を提供することを目的とする。
が小さく、かつ、基板と電極の段差のないｔ４極パター
ン形成方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、パターンが電極パターンに対応し、かつ深
さが電極の厚みに対応した凹部をガラス基板上に形成し
、該凹部に導電性ペーストを用いて埋め込んで電極パタ
ーンを形成するようにしたものである。
さが電極の厚みに対応した凹部をガラス基板上に形成し
、該凹部に導電性ペーストを用いて埋め込んで電極パタ
ーンを形成するようにしたものである。
（作 用）
上記の方法においては、導電性ペーストを用いて厚膜の
電極として電極パターンが形成されるので、電極パター
ンの抵抗値は小さく、大電流を流せる。また、ｔ＠電極
パターン凹部に埋め込まれるから、基板と電極の段差は
なくなり、基板上は全体が平坦となる。
電極として電極パターンが形成されるので、電極パター
ンの抵抗値は小さく、大電流を流せる。また、ｔ＠電極
パターン凹部に埋め込まれるから、基板と電極の段差は
なくなり、基板上は全体が平坦となる。
（実 施 例）
す下この発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１上に酸
化インジューム若しくは酸化インジュームと酸化すず（
一般にＩＴＯと呼ぶ）からなる７［２を電子ビーム蒸着
法又はスパッタ法で膜厚１０００〜２０００人に形成す
る。ここで、ＩＴＯ［は一般によく知られている有機金
属溶液をディップ式でコートする方法で形成すると更に
安価に得られる。
化インジューム若しくは酸化インジュームと酸化すず（
一般にＩＴＯと呼ぶ）からなる７［２を電子ビーム蒸着
法又はスパッタ法で膜厚１０００〜２０００人に形成す
る。ここで、ＩＴＯ［は一般によく知られている有機金
属溶液をディップ式でコートする方法で形成すると更に
安価に得られる。
次に、ホトリソ・エツチング工程により電極部以外の４
＃２のみが残るように、１ｌｆｆｉ部に相当する部分の
薄膜２を除去する。すなわち、薄膜２を、第１図（ｂｌ
に示すように、電極パターンと逆パターンの薄膜パター
ン３とする。なお、ここで、＃膜２のエツチング液とし
て塩化第２鉄と塩酸の混合液を用いろと、パターン３の
ピッチは数ミクロンまで容易にパターニングできろ。
＃２のみが残るように、１ｌｆｆｉ部に相当する部分の
薄膜２を除去する。すなわち、薄膜２を、第１図（ｂｌ
に示すように、電極パターンと逆パターンの薄膜パター
ン３とする。なお、ここで、＃膜２のエツチング液とし
て塩化第２鉄と塩酸の混合液を用いろと、パターン３の
ピッチは数ミクロンまで容易にパターニングできろ。
次に、フッ酸溶液でガラス基板ｌをエツチングする。す
ると、酸化インジュームあるいはＩＴＯはフッ酸にはエ
ツチングされないが、ガラスは容易にエツチングされる
から、第１図（ｃｌに示すようにガラス基板１上のパタ
ーン３のない部分がエツチングされ、凹部４が形成され
る。すなわち、凹部４は電極パターンと同一パターンに
形成される。
ると、酸化インジュームあるいはＩＴＯはフッ酸にはエ
ツチングされないが、ガラスは容易にエツチングされる
から、第１図（ｃｌに示すようにガラス基板１上のパタ
ーン３のない部分がエツチングされ、凹部４が形成され
る。すなわち、凹部４は電極パターンと同一パターンに
形成される。
ここで、凹部４の深さはエツチング時間で制御すること
ができ、その深さは電極厚みと同一とする。
ができ、その深さは電極厚みと同一とする。
次に、薄膜パターン３を、パターニングする時に用いた
エツチング液で第１図（ｄ）に示すように除去する。
エツチング液で第１図（ｄ）に示すように除去する。
次に、金、銀、銅、ニッケル、あるいはアルミニウムな
どの微粉末とバインダーとを混ぜた導電性のペースト５
を第１図（ｅ）に示すように、凹部４に注入し、スキー
ジ６によりペースト５の面とガラス基板１の面を平滑に
する。
どの微粉末とバインダーとを混ぜた導電性のペースト５
を第１図（ｅ）に示すように、凹部４に注入し、スキー
ジ６によりペースト５の面とガラス基板１の面を平滑に
する。
その後、高温加熱しペースト５を硬化させることにより
、前記凹部４に埋め込まれて基板１面と平坦となった電
極パターン７を第１図（ｆｌに示すように形成する。
、前記凹部４に埋め込まれて基板１面と平坦となった電
極パターン７を第１図（ｆｌに示すように形成する。
なお、以上の方法において、電極パターン７の抵抗値は
、凹部４の深さを変えることで容易に変えられる。また
、凹部４の形成ピッチは、ＩＴＯをエツチングマスクと
すると、１００ミクロンメートルの深さで数１０ミクロ
ンピッチを容易に得られる。さらに、ペースト５は一般
に用いられている厚膜電極用と同じもので良い。
、凹部４の深さを変えることで容易に変えられる。また
、凹部４の形成ピッチは、ＩＴＯをエツチングマスクと
すると、１００ミクロンメートルの深さで数１０ミクロ
ンピッチを容易に得られる。さらに、ペースト５は一般
に用いられている厚膜電極用と同じもので良い。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
ガラス基板に凹部を設け、該凹部に導電性ペーストを用
いて埋め込んで電極パターンを形成したので、抵抗値の
低い厚膜の電極が得られ、大電流が流せるようになり、
かつ電極と基板面との段差を無くせてガラス基板上の全
体を平坦にし得るという利点があり、電極上に更に薄膜
を積層しても段差のない積層膜が得られるので電子デバ
イスとして応用できる。特に、ＥＬパネルなどのように
多層膜を積層するデバイスあるいは上部電極と下部電極
の間隔を均一にする必要のある液晶ディスプレイ、ある
いはプラズマディスプレイパネルなどに適用可能である
。
ガラス基板に凹部を設け、該凹部に導電性ペーストを用
いて埋め込んで電極パターンを形成したので、抵抗値の
低い厚膜の電極が得られ、大電流が流せるようになり、
かつ電極と基板面との段差を無くせてガラス基板上の全
体を平坦にし得るという利点があり、電極上に更に薄膜
を積層しても段差のない積層膜が得られるので電子デバ
イスとして応用できる。特に、ＥＬパネルなどのように
多層膜を積層するデバイスあるいは上部電極と下部電極
の間隔を均一にする必要のある液晶ディスプレイ、ある
いはプラズマディスプレイパネルなどに適用可能である
。
第１図はこの発明の電極パターン形成方法の一実施例を
示す工程断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・薄膜、３・・・薄膜パタ
ーン、４・・凹部、５・・・導電性ペースト、７・・・
電極パターン０
示す工程断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・薄膜、３・・・薄膜パタ
ーン、４・・凹部、５・・・導電性ペースト、７・・・
電極パターン０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）ガラス基板面上にエッチングマスクとしての薄膜
を形成した後、該薄膜を電極パターンと逆パターンにパ
ターニングする工程と、 （ｂ）その後、薄膜パターンをエッチングマスクとして
エッチングによりガラス基板上に、深さが電極の厚みに
対応した凹部を形成する工程と、 （ｃ）その後、薄膜パターンを除去した上で、前記凹部
に導電性ペーストを注入し、該導電性ペーストとガラス
基板面とを平滑にした後、該導電性ペーストを加熱硬化
させることにより電極パターンを形成する工程とを具備
してなる電極パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061265A JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061265A JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228535A true JPS63228535A (ja) | 1988-09-22 |
| JPH0584606B2 JPH0584606B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=13166225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061265A Granted JPS63228535A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電極パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228535A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290701A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Techno Quartz Kk | 基板のエッチング方法 |
| WO2006129848A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Intelligent Cosmos Research Institute | ガラス貫通配線基板の製造方法、ガラス貫通配線基板、並びにガラス貫通配線基板を用いたプローブカード及びパッケージング素子 |
| JP2008262202A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2010087254A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Brother Ind Ltd | 配線部材の製造方法、配線部材及び液体移送装置 |
| JP2014121081A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Figla Co Ltd | ガラスアンテナ |
| CN106324922A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-11 | 贵州乾萃科技有限公司 | 一种在基片上快速制备所需形状功能电极层的方法 |
| WO2022215664A1 (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | Ａｇｃ株式会社 | 無機膜付き基板及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62061265A patent/JPS63228535A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290701A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Techno Quartz Kk | 基板のエッチング方法 |
| JP4729763B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-07-20 | テクノクオーツ株式会社 | 基板のエッチング方法 |
| WO2006129848A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Intelligent Cosmos Research Institute | ガラス貫通配線基板の製造方法、ガラス貫通配線基板、並びにガラス貫通配線基板を用いたプローブカード及びパッケージング素子 |
| JP2008262202A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2010087254A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Brother Ind Ltd | 配線部材の製造方法、配線部材及び液体移送装置 |
| JP2014121081A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Figla Co Ltd | ガラスアンテナ |
| CN106324922A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-11 | 贵州乾萃科技有限公司 | 一种在基片上快速制备所需形状功能电极层的方法 |
| WO2022215664A1 (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | Ａｇｃ株式会社 | 無機膜付き基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584606B2 (ja) | 1993-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5846854A (en) | Electrical circuits with very high conductivity and high fineness, processes for fabricating them, and devices comprising them | |
| US4859036A (en) | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes | |
| US5147519A (en) | Method of manufacturing elastomers containing fine line conductors | |
| CN108231797A (zh) | 一种导电结构图案及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| JPS63228535A (ja) | 電極パタ−ン形成方法 | |
| KR20060009859A (ko) | 복수의 도전층을 갖는 기판과 그 제조 및 이용 방법 | |
| CN108628021B (zh) | 液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器 | |
| JPS6235693A (ja) | 回路基板 | |
| JPS5812315A (ja) | 薄膜コイルの製造方法 | |
| JPH0279308A (ja) | 電極形成方法 | |
| US5986391A (en) | Transparent electrodes | |
| JP2990815B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| KR19990036273A (ko) | 스텐실 인쇄 방법에 의해 평면 기판상에 트랙을 제공하는 방법 | |
| EP0464810A2 (en) | Method for producing an element substrate for a liquid crystal display device | |
| JPH0321352B2 (ja) | ||
| JPH0653632A (ja) | 配線基板 | |
| JPH0621052A (ja) | 導電膜の製造方法 | |
| JPS63216398A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPS58198814A (ja) | タツチ式座標検出パネルの製造方法 | |
| JP2523486B2 (ja) | 液晶表示パネル及びその製造法 | |
| JPS6234130A (ja) | 透明導電膜付き基板 | |
| JPS62280721A (ja) | 強誘電性液晶表示パネル | |
| JPH01120539A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100757421B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 금속전극 제조방법 | |
| JPH0373083B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |