CN108628021B - 液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器 - Google Patents

液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器，本申请的液晶面板的制造方法包括获取第一基板；在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域；将切割区域划分为至少两个切割子区域，相邻的两个切割子区域由保留区域进行间隔；在获取第一基板的同时，获取第二基板，第二基板上设有金属层；在第一基板和第二基板之间注入液晶，由于切割子区域的电阻大于金属层的电阻，通过将至少一个切割子区域分别与金属层并联能降低切割子区域的电阻，从而对保留区域和切割区域分别施加信号时能降低子区域的信号衰减延迟的风险，进而更精确的使液晶形成所需的预倾角。

Description

液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器。
背景技术
在液晶显示面板的制造过程中，一般需要使液晶形成预倾角。而在液晶形成预倾角的过程中，由于受限于黑矩阵，在进行激光切割时需要绕开黑矩阵，这样会导致施加低信号区域的面积变小，从而低信号区域的阻值变大，致使低信号区域存在信号衰减延迟的风险，进而无法精确的使液晶形成所需的预倾角。
因此，有必要提供一种液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器以解决上述技术问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器，该制造方法能够降低低信号区域的电阻，从而降低低信号区域的信号衰减的风险，进而精确的使液晶形成所需的预倾角。
为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是提供一种液晶面板的制造方法，该方法包括：
获取第一基板；
在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域；
将切割区域划分为至少二个切割子区域，相邻的二个切割子区域由保留区域进行间隔；
获取第二基板，第二基板上设置有金属层；
在第一基板和第二基板之间注入液晶，并将至少一个切割子区域分别与金属层并联，以降低至少一个子区域的电阻；
对第一基板的保留区域和切割区域分别施加信号，以使液晶形成预倾角。
为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是提供一种液晶面板，该液晶面板包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，该液晶面板通过上述的制造方法形成。
为解决上述技术问题，本申请采用的第三个技术方案是提供一种液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，该液晶面板通过上述的制造方法形成。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的液晶面板的制造方法包括获取第一基板；在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域；将切割区域划分为至少两个切割子区域，相邻的两个切割子区域由保留区域进行间隔；在获取第一基板的同时，获取第二基板，第二基板上设有金属层；在第一基板和第二基板之间注入液晶，由于切割子区域的电阻大于金属层的电阻，通过将至少一个切割子区域分别与金属层并联能降低切割子区域的电阻，从而对保留区域和切割区域分别施加信号时能降低子区域的信号衰减延迟的风险，进而更精确的使液晶形成所需的预倾角。
附图说明
图1是本申请提供的液晶面板的制造方法一实施方式的具体流程示意图；
图2是本申请提供的液晶面板的俯视面上的结构示意图；
图3是本申请提供的液晶面板截面的结构示意图；
图4是本申请提供的像素电极与金属层并联的第一原理示意图；
图5是本申请提供的像素电极与金属层并联的第二原理示意图；
图6是本申请提供的液晶面板一实施方式的结构示意图；
图7是本申请提供的液晶显示器一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
本申请提供，为使本申请的目的、技术方案和技术效果更加明确、清楚，以下对本申请进一步详细说明，应当理解此处所描述的具体实施条例仅用于解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请为了更精确的使液晶形成所需的预倾角，在液晶面板中注入液晶的同时，将第一基板上的切割区域与第二基板上的金属层并联，从而降低切割区域的电阻，降低切割区域的信号衰减延迟的风险，进而精确的使液晶形成所需的预倾角。以下，以液晶面板包括三个切割区域为例进行说明。
请参阅图1，图1是本申请提供的液晶面板的制造方法一实施方式的具体流程示意图。
步骤101：获取第一基板。
本步骤101主要是通过丙酮、乙醇、去离子水对第一基板进行清洗，以去除第一基板表面的油污及杂质，清洗完后在氮气的氛围中对第一基板进行干燥，干燥后的第一基板用于下一步骤中。
本实施例中，第一基板为玻璃基板，在其他实施例中，第一基板也可以透明塑料，在此不做具体限定。
步骤102：在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域。
本实施例中，第一基板包括切割区域和保留区域，通过物理或化学镀膜的方式在玻璃基板上的切割区域和保留区域先形成黑矩阵层，通过使用掩膜板对黑矩阵层进行图案化以形成所需要的图案，再在黑矩阵层上形成像素电极，像素电极覆盖黑矩阵层。
本实施例中，像素电极的材质为氧化铟锡，在其他实施方式中，像素电极的材质也可以为其它材质，在此不做具体限定。
步骤103：将切割区域划分为至少两个切割子区域，相邻的两个切割子区域由保留区域进行间隔。
本实施方式中，第一基板的切割区域包括三个切割子区域，保留区域包括两个保留子区域，且相邻的两个切割子区域由保留子区域进行间隔。在其他实施方式中，切割区域和保留区域也可以分别包括其他不同数量的切割子区域和保留子区域，在此不作限定。
步骤104：获取第二基板，第二基板上设置有金属层。
本实施例中，通过物理或化学镀膜的方式在第二基板上形成金属层，该金属层为薄膜晶体管器件层，然后在该金属层上形成一绝缘层，该绝缘层为氮化硅或氧化硅，在其他实施例中，该绝缘层也可以为其它绝缘材料，该绝缘层主要对金属层起钝化保护的作用。
形成绝缘层后，再通过蚀刻的方式在该绝缘层上形成通孔，形成的通孔位于金属层远离玻璃基板的一侧表面。
本实施例中的第二基板为玻璃基板，在其他实施方式中也可以为其它透明基板，在此不做具体限定。
步骤105：在第一基板和第二基板之间注入液晶，并将至少一个切割子区域分别与金属层并联，以降低至少一个切割子区域的电阻。
在两块玻璃基板之间注入液晶，同时将至少一个切割子区域通过金属引线和通孔分别与金属层并联。
本实施例中，将三个切割子区域通过金属引线和通孔分别与金属层并联，因切割子区域的材质为氧化铟锡，氧化铟锡的电阻值高于金属层的电阻组，通过将切割子区域与金属层并联能降低切割子区域的电阻。
在其他实施方式中，也可以将三个切割子区域中的一个或两个切割子区域与金属层并联，在此不做具体限定。
在一具体实施方式中，金属引线的材质可以为金线、铜线、银线或铝线或合金线中的任一种，在此不做具体限定。
步骤106：对第一基板的保留区域和切割区域分别施加信号，以使液晶形成预倾角。
具体地，对第一基板的两个保留子区域施加第一电平信号，对切割区域的三个切割子区域施加第二电平信号，且第一电平信号的电压值高于第二电平信号的电压值。
本步骤106使液晶分子形成预倾角后，再通过激光切割的方式将三个切割子区域切割掉。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的液晶面板的制造方法包括获取第一基板；在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域；将切割区域划分为至少两个切割子区域，相邻的两个切割子区域由保留区域进行间隔；在获取第一基板的同时，获取第二基板，第二基板上设有金属层；在第一基板和第二基板之间注入液晶，由于切割子区域的电阻大于金属层的电阻，通过将至少一个切割子区域分别与金属层并联能降低切割子区域的电阻，从而对保留区域和切割区域分别施加信号时能降低子区域的信号衰减延迟的风险，进而更精确的使液晶形成所需的预倾角。
为了进行更详细的说明，请参阅图2～图3。图2是本申请提供的液晶面板的俯视面上的结构示意图。如图2所示，液晶面板包括第一基板20、与第一基板20相对设置的第二基板以及夹在第一基板20和第二基板之间的液晶，图2中只示出了第一基板20。如图2所示，第一基板20包括切割区域201和保留区域202，切割区域201包括三个切割子区域2011、2012和2013，保留区域202包括两个保留子区域2021和2022，三个切割子区域2011、2012和2013由两个保留子区域2021和2022间隔开。其中，保留子区域2021中包括三个大尺寸屏2023，保留子区域2022中包括三个小尺寸屏2024。第二基板上设置有金属层，金属层的电阻小于第一基板20上切割区域201的电阻。
本实施例中，将三个切割子区域2011、2012和2013分别和金属层并联，在其他实施方式中，也可以将三个切割子区域2011、2012和2013中的一个或两个与金属层并联，以降低切割子区域的电阻。
请参阅图3，图3是本申请提供的液晶面板截面的结构示意图。如图3所示，液晶面板30包括第一基板301和第二基板302。第一基板301包括依次设置的玻璃基板3011、黑矩阵层3012、像素电极3013，第一基板301包括保留区域和切割区域。其中，黑矩阵层3012镀在玻璃基板3011上，并对其进行图案化，像素电极3013覆盖于黑矩阵层3012上，黑矩阵层3012和像素电极3013覆盖第一基板301的保留区域和切割区域。第二基板302包括依次设置的玻璃基板3021、金属层3022、绝缘层3023，金属层3022为薄膜晶体管器件层，绝缘层3023的材质为氮化硅或氧化硅。在获取第二基板302的过程中，在形成的绝缘层3023上通过蚀刻的方式在绝缘层3023上形成通孔3024。
在第一基板301和第二基板302之间注入液晶，并将第一基板301上的像素电极3013通过通孔3024和金属引线303与第二基板302上的金属层3022并联。其中，像素电极3013是位于切割区域201中的像素电极3013。图3中示出了将像素电极3013通过两条金属引线303与第二基板302上的金属层3022并联。
本实施方式中，金属引线为金线、铜线、银线或铝线或合金线中的任一种。
在一具体实施方式中，将切割区域201的三个切割子区域2011、2012和2013均与金属层3022并联，且每一切割子区域均通过两条金属引线303与金属层3022并联。
在另一具体实施方式中，将切割区域201的三个切割子区域2011、2012和2013均与金属层3022并联，且每一切割子区域均通过四条金属引线303与金属层3022并联。具体地，请参阅图4，图4是本申请提供的像素电极与金属层并联的第一原理示意图。如图4所示，用R1A、R1B、R1C、R1D、R1E代表切割子区域中的电阻，R1A、R1B、R1C、R1D、R1E的阻值大小分别为540欧姆、4500欧姆、400欧姆、4500欧姆、540欧姆，即每个切割子区域的电阻总值为540+4500+400+4500+540＝10480欧姆。将其中阻值大的R1B和R1D分别并联R2B和R2D，R2B和R2D代表并联的第二基板上的金属层的电阻，R2B和R2D分别为150欧姆和160欧姆。通过计算得到R1B和R2B并联后的电阻值为145欧姆，R1D和R2D并联后的电阻值为155欧姆，则并联电阻R2B和R2D后的每个切割子区域的电阻总值为540+145+400+155+540＝1780欧姆。可以得到，每个切割子区域的电阻总值由并联前的10480欧姆降低到1780欧姆，即通过并联金属层后，切割子区域的电阻总值明显的降低了，进而能降低信号的衰减延迟风险。
本实施例中，将每一切割子区域均通过四条金属引线303与金属层3022并联，在其他实施例中，也可以是用六条或八条金属引线303，具体不做限定。
在另一具体实施例中，请参阅图5，图5是本申请提供的像素电极与金属层并联的第二原理示意图。如图5所示，用R1a、R1b、R1c、R1d、R1e、R1f、R1g代表切割子区域中的电阻，R1a、R1b、R1c、R1d、R1e、R1f、R1g的阻值大小分别为540欧姆、3000欧姆、400欧姆、3000欧姆、400欧姆、3000欧姆、540欧姆，即每个切割子区域的电阻总值为540+3000+400+3000+400+3000+540＝10880欧姆。将其中阻值大的R1b、R1d和R1f分别并联R2b、R2d和R2f，R2b、R2d和R2f代表并联的第二基板上的金属层的电阻，R2b、R2d和R2f均为150欧姆。通过计算得到R1b和R2b并联后的电阻值为143欧姆，同理，R1d和R2d并联后的电阻值为143欧姆，R1f和R2f并联后的电阻值为143欧姆，则并联电阻R2b、R2d和R2f后的每个切割子区域的电阻总值为540+143+400+143+400+143+540＝2309欧姆。可以得到，每个切割子区域的电阻总值由并联前的10880欧姆降低到2309欧姆，即通过并联金属层后，切割子区域的电阻总值明显的降低了，进而能降低信号的衰减延迟风险。
图4中并联了R2B和R2D两个电阻，图5中并联了R2b、R2d和R2f三个电阻，在其他实施方式中，也可以并联一个、四个、六个或其它个数的电阻，在此不做具体限定。
本实施例中，将每个切割子区域并联的电阻个数设置为相同，在其他实施例中，也可以将每个子区域并联的电阻个数设置为不同；也可以将一部分切割子区域并联电阻，另一部分切割子区域不并联电阻。
图4和图5中的切割子区域的电阻值和金属层的电阻值只是具体的实施方式，在其他实施例中可以为其它电阻值，具体根据实际情况而定。
将切割子区域2011、2012和2013中的像素电极与金属层3022并联，并在第一基板301和第二基板302之间注入液晶后，给保留区域202和切割区域201分别施加第一电平信号和第二电平信号，且第一电平信号的电压值高于第二电平信号的电压值，进而使液晶精确的形成所需的预倾角。
通过将切割区域201与金属层3022并联，使液晶更精确的形成所需的预倾角后，通过激光切割的方式将切割区域201切割掉，以及将第二基板上并联的金属层也切割掉。
请参阅图6，图6是本申请提供的液晶面板一实施方式的结构示意图。该液晶面板60包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶(图6未示出)，该液晶面板60通过上述的制造方法形成。
请参阅图7，图7是本申请提供的液晶显示器一实施方式的结构示意图。该液晶显示器70包括液晶面板701，液晶面板701包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶(图7未示出)，该液晶面板701通过上述的制造方法形成。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的液晶面板的制造方法包括获取第一基板；在第一基板上形成像素电极，像素电极覆盖第一基板的保留区域和切割区域；将切割区域划分为至少两个切割子区域，相邻的两个切割子区域由保留区域进行间隔；在获取第一基板的同时，获取第二基板，第二基板上设有金属层；在第一基板和第二基板之间注入液晶，由于切割子区域的电阻大于金属层的电阻，通过将至少一个切割子区域分别与金属层并联能降低切割子区域的电阻，从而对保留区域和切割区域分别施加信号时能降低子区域的信号衰减延迟的风险，进而更精确的使液晶形成所需的预倾角。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种液晶面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
获取第一基板；
在第一基板上形成像素电极，所述像素电极覆盖所述第一基板的保留区域和切割区域；
将所述切割区域划分为至少二个切割子区域，相邻的二个所述切割子区域由所述保留区域进行间隔；
获取第二基板，所述第二基板上设置有金属层；
在所述第一基板和所述第二基板之间注入液晶，并将至少一个所述切割子区域中的所述像素电极分别与所述金属层并联，以降低至少一个所述切割子区域的电阻；
对所述第一基板的所述保留区域和所述切割区域分别施加信号，以使所述液晶形成预倾角。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在第一基板上形成像素电极，所述像素电极覆盖所述第一基板的保留区域和切割区域的步骤之前还包括：
在所述第一基板上形成黑矩阵层，所述像素电极覆盖所述黑矩阵层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述获取第二基板，所述第二基板上设置有金属层的步骤中，所述金属层上还覆盖有绝缘层，所述金属层位于所述第二基板和所述绝缘层之间；
所述将至少一个所述切割子区域中的所述像素电极分别与所述金属层并联的步骤具体包括：
在所述第二基板的所述绝缘层上形成通孔；
将至少一个所述切割子区域中的所述像素电极通过金属引线和所述通孔分别与所述金属层并联。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二基板的所述绝缘层上形成通孔的步骤具体包括：
通过蚀刻的方式在所述第二基板的所述绝缘层上形成通孔。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述金属引线为金线、铜线、银线或铝线或合金线中的任一种。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一基板的所述保留区域和所述切割区域分别施加信号的步骤具体包括：
对所述第一基板的所述保留区域施加第一电平信号，对所述切割区域施加第二电平信号，所述第一电平信号的电压值高于所述第二电平信号的电压值。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板为玻璃基板。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一基板的所述保留区域和所述切割区域分别施加信号，以使所述液晶形成预倾角的步骤之后还包括：
通过激光切割的方式将所述切割区域切割掉。
9.一种液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，其特征在于，所述液晶面板通过上述权利要求1～8任一项所述的制造方法形成。
10.一种液晶显示器，所述液晶显示器包括液晶面板，所述液晶面板包括第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，其特征在于，所述液晶面板通过上述权利要求1～8任一项所述的制造方法形成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108628021B (zh) * 2018-06-22 2020-07-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器
CN109979318B (zh) * 2019-04-09 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示母板及其制造和切割方法、显示基板及装置
CN112904607B (zh) * 2021-03-02 2022-07-29 Tcl华星光电技术有限公司 一种走线结构及液晶显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104166254A (zh) * 2014-08-20 2014-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 测量液晶层盒厚与预倾角的方法
CN105954936A (zh) * 2016-07-01 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 垂直配向型液晶面板及液晶面板制作方法
CN107065275A (zh) * 2017-06-19 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 Psva液晶面板的制作方法
CN107291303A (zh) * 2017-08-02 2017-10-24 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003161935A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Sharp Corp 偏光板貼付装置
KR100761477B1 (ko) * 2005-01-20 2007-09-27 삼성전자주식회사 액정패널 스크라이빙방법 및 장치와 액정패널 제조방법
JP5299873B2 (ja) * 2010-11-30 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
KR20120081652A (ko) * 2010-12-06 2012-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 포토마스크 및 그를 이용한 액정표시장치의 제조방법
CN102591048A (zh) * 2012-03-26 2012-07-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制造方法以及液晶显示装置
CN107526202A (zh) * 2016-11-09 2017-12-29 惠科股份有限公司 一种液晶面板、液晶显示器及液晶面板的制造方法
CN108628021B (zh) * 2018-06-22 2020-07-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶面板的制造方法、液晶面板及液晶显示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104166254A (zh) * 2014-08-20 2014-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 测量液晶层盒厚与预倾角的方法
CN105954936A (zh) * 2016-07-01 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 垂直配向型液晶面板及液晶面板制作方法
CN107065275A (zh) * 2017-06-19 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 Psva液晶面板的制作方法
CN107291303A (zh) * 2017-08-02 2017-10-24 厦门天马微电子有限公司 触控显示面板和触控显示装置

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