JPH0321352B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0321352B2 JPH0321352B2 JP56144348A JP14434881A JPH0321352B2 JP H0321352 B2 JPH0321352 B2 JP H0321352B2 JP 56144348 A JP56144348 A JP 56144348A JP 14434881 A JP14434881 A JP 14434881A JP H0321352 B2 JPH0321352 B2 JP H0321352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dissolving
- glaze
- thick
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサーマルプリンタヘツドの製造方法
に関する。
に関する。
従来、この種のサーマルプリンタヘツドは、一
般に、セラミツク製の基板の表面にグレーズ層を
設け、この表面に一対の導電層を、又両導電層に
またがつて発熱体となる抵抗層をそれぞれ形成し
た構成はよく知られている。しかしこのような構
成によると抵抗層で発生した熱がグレーズ層、基
板を通つて外部に逃げるので、プリントに必要な
熱の発生に際しては、外部に逃げる熱を見越して
発生させる必要があり、それだけ多量のエネルギ
ーを供給しなければならない。
般に、セラミツク製の基板の表面にグレーズ層を
設け、この表面に一対の導電層を、又両導電層に
またがつて発熱体となる抵抗層をそれぞれ形成し
た構成はよく知られている。しかしこのような構
成によると抵抗層で発生した熱がグレーズ層、基
板を通つて外部に逃げるので、プリントに必要な
熱の発生に際しては、外部に逃げる熱を見越して
発生させる必要があり、それだけ多量のエネルギ
ーを供給しなければならない。
これを改善するために、発熱体の裏面と基板と
の間に空間を設けて抵抗層からの熱が基板に向け
て逃げにくいようにすることが考えられている。
の間に空間を設けて抵抗層からの熱が基板に向け
て逃げにくいようにすることが考えられている。
そのための構成として基板の表面に高融点鉛ガ
ラスからなる板を円弧状に形成した台を伏せるよ
うに載置し、その両端を低融点鉛ガラスによつて
基板の表面に固着し、この台の円弧表面に沿つて
抵抗層を、又その両端に一対の導電層を形成する
ことによつて空所を構成したもの、或いは、基板
の表面のガラスグレーズをエツチング液により、
エツチングして溝を形成し、この溝にホトレジス
トを埋め込んでおき、抵抗体、保護膜を形成した
後、前記ホトレジストを除去液により溶解させて
空洞を形成するもの等が知られている。
ラスからなる板を円弧状に形成した台を伏せるよ
うに載置し、その両端を低融点鉛ガラスによつて
基板の表面に固着し、この台の円弧表面に沿つて
抵抗層を、又その両端に一対の導電層を形成する
ことによつて空所を構成したもの、或いは、基板
の表面のガラスグレーズをエツチング液により、
エツチングして溝を形成し、この溝にホトレジス
トを埋め込んでおき、抵抗体、保護膜を形成した
後、前記ホトレジストを除去液により溶解させて
空洞を形成するもの等が知られている。
しかるに、前者は、高融点鉛ガラスからなる板
を円弧状に加工成形しなければならないばかりで
なく、その大きさは0.5〜１mm、幅５〜10mmとい
つた極めて微細なものであるから、その成形加工
が一層困難となるといつた欠点がある。
を円弧状に加工成形しなければならないばかりで
なく、その大きさは0.5〜１mm、幅５〜10mmとい
つた極めて微細なものであるから、その成形加工
が一層困難となるといつた欠点がある。
また、後者は、エツチングによつて基板の表面
を加工して溝を形成し、この溝にホトレジストを
埋め込んでおいてから、抵抗体形成後にそのホト
レジストを溶解除去するものであるから、溝を形
成する工程が必要となり、工程が複雑化するばか
りか、溝を形成するには高度な微細加工技術を要
するという問題があつた。
を加工して溝を形成し、この溝にホトレジストを
埋め込んでおいてから、抵抗体形成後にそのホト
レジストを溶解除去するものであるから、溝を形
成する工程が必要となり、工程が複雑化するばか
りか、溝を形成するには高度な微細加工技術を要
するという問題があつた。
この発明は、このような欠点を伴わない簡便な
方法により所望の空所を設けることのできるサー
マルプリンタヘツドの製造方法を提供するもので
ある。
方法により所望の空所を設けることのできるサー
マルプリンタヘツドの製造方法を提供するもので
ある。
第１図は、発熱体の裏面と基板との間に空所が
設けられた本発明方法に製造されたサーマルプリ
ンタヘツドを示すもので、１はセラミツクなどか
らなる基板、２はその表面に突条状に形成された
グルーズ層（厚み約50μｍ）で、これは非晶質ガ
ラス或いは結晶化ガラス等からなり、ここではス
クリーン印刷による厚膜によつて構成されてあ
る。３はグレーズ層２の両側に互いに相対して設
けられた導電層で、Au等による厚膜（厚さ約50μ
ｍ）からなり、４は両導電層３にまたがつてその
表面に設けられたRuO2等の厚膜（厚み約30μｍ）
からなる抵抗器、５はたとえばガラス等からなる
保護膜（厚み約10μｍ）である。
設けられた本発明方法に製造されたサーマルプリ
ンタヘツドを示すもので、１はセラミツクなどか
らなる基板、２はその表面に突条状に形成された
グルーズ層（厚み約50μｍ）で、これは非晶質ガ
ラス或いは結晶化ガラス等からなり、ここではス
クリーン印刷による厚膜によつて構成されてあ
る。３はグレーズ層２の両側に互いに相対して設
けられた導電層で、Au等による厚膜（厚さ約50μ
ｍ）からなり、４は両導電層３にまたがつてその
表面に設けられたRuO2等の厚膜（厚み約30μｍ）
からなる抵抗器、５はたとえばガラス等からなる
保護膜（厚み約10μｍ）である。
このように構成されたサーマルヘツドはグレー
ズ層２の底面のうち、発熱体部分となる両導電層
間の抵抗層部分４Ａの下方の底面部分が、基板１
の表面と接しないように空所６が形成されてお
り、この空所６によりグレーズ層２の底面が基板
１の表面に接しないようになつている。
ズ層２の底面のうち、発熱体部分となる両導電層
間の抵抗層部分４Ａの下方の底面部分が、基板１
の表面と接しないように空所６が形成されてお
り、この空所６によりグレーズ層２の底面が基板
１の表面に接しないようになつている。
これによつて抵抗層部分４Ａからの熱は表面に
接する感熱紙を加熱するべく有効に利用されるこ
とになる。したがつて空所６を形成しない場合よ
りも供給電力を低減されることができるようにな
る。
接する感熱紙を加熱するべく有効に利用されるこ
とになる。したがつて空所６を形成しない場合よ
りも供給電力を低減されることができるようにな
る。
つぎに、このようなサーマルプリンタヘツドを
製造するための製造方法、即ち、この発明の製造
方法を第２図以降の各図を参照して説明する。
製造するための製造方法、即ち、この発明の製造
方法を第２図以降の各図を参照して説明する。
まずセラミツク基板１の表面に第２図のように
たとえばAg（又はその合金）ペーストを印刷焼成
して厚み約5μｍのAgの膜による溶解層７を形成
する。溶解層７が後記するように溶解され、その
溶解したあとに前記した空所６が形成されるので
ある。ついで第３図の断面図、第４図の平面図に
示すように膜７をまたぐようにしてグレーズ層２
を印刷焼成して厚み約50μｍの膜厚によつて形成
する。そしてこのグルーズ層２の両側に第５図の
断面図、第６図の平面図に示すようにAu等によ
る一対の導電層３を厚膜によつて形成する。
たとえばAg（又はその合金）ペーストを印刷焼成
して厚み約5μｍのAgの膜による溶解層７を形成
する。溶解層７が後記するように溶解され、その
溶解したあとに前記した空所６が形成されるので
ある。ついで第３図の断面図、第４図の平面図に
示すように膜７をまたぐようにしてグレーズ層２
を印刷焼成して厚み約50μｍの膜厚によつて形成
する。そしてこのグルーズ層２の両側に第５図の
断面図、第６図の平面図に示すようにAu等によ
る一対の導電層３を厚膜によつて形成する。
そのあと抵抗層４を導電層３の表面にまたがつ
て厚み30μｍ程度の厚膜によつて形成する（第７
図、第８図参照）。そしてこのあと抵抗層４の表
面を覆うように保護膜５を厚膜によつて第９図、
第１０図に示すように形成する。
て厚み30μｍ程度の厚膜によつて形成する（第７
図、第８図参照）。そしてこのあと抵抗層４の表
面を覆うように保護膜５を厚膜によつて第９図、
第１０図に示すように形成する。
以上のようにして各層又は膜を形成したあと、
溶解層７を溶解する。このときの溶解液としては
溶解層のみを溶解し、他の膜又は層を溶解しない
ものが必要である。又溶解層７の表面にグレーズ
層その他が印刷焼成によつて形成されるので、溶
解層として耐熱性であることが要求される。その
意味では溶解層７をAg又はその合金によつて形
成した場合はこれは耐熱性を具備しているので都
合がよく、又このときの溶解液としてはたとえば
HNO3が適当である。この溶解液は導電層である
Au、抵抗層であるRuO2を溶解しないので都合が
よい。
溶解層７を溶解する。このときの溶解液としては
溶解層のみを溶解し、他の膜又は層を溶解しない
ものが必要である。又溶解層７の表面にグレーズ
層その他が印刷焼成によつて形成されるので、溶
解層として耐熱性であることが要求される。その
意味では溶解層７をAg又はその合金によつて形
成した場合はこれは耐熱性を具備しているので都
合がよく、又このときの溶解液としてはたとえば
HNO3が適当である。この溶解液は導電層である
Au、抵抗層であるRuO2を溶解しないので都合が
よい。
また、各平面図に示すように溶解層の端部７Ａ
はグレーズ層の両側から外部に露出するように形
成されていることが必要である。もし露出してい
ないと溶解液に浸漬しても溶解層は溶解液に接し
ないため溶解されないからである。
はグレーズ層の両側から外部に露出するように形
成されていることが必要である。もし露出してい
ないと溶解液に浸漬しても溶解層は溶解液に接し
ないため溶解されないからである。
溶解層７の溶解は、保護膜５を形成したあとで
行なう必要はない。少なくともグレーズ層２を形
成したあとであればいつでもよい。
行なう必要はない。少なくともグレーズ層２を形
成したあとであればいつでもよい。
溶解層７の溶解によつて、溶解層７の位置に第
１図に示すような空所６がグレーズ層２の底面に
形成されるようになる。
１図に示すような空所６がグレーズ層２の底面に
形成されるようになる。
以上の実施例は導電層、抵抗層を厚膜とした構
成であつたが、これらを薄膜とした場合でもこの
発明は適用される。第１１図に示す実施例はその
例を示し、基板１の表面に厚膜（厚さ約50μｍ）
のグレーズ層２を形成し、その表面にまたがつて
厚さ約0.1μｍの薄膜による抵抗層１４を、又その
両側に厚さ約1μｍの薄膜による導電層１３の一
対をそれぞれ形成する。そしてこれらの表面に厚
さ約5μｍの薄膜による保護膜（たとえばTa2O5、
SiO2等）１５を形成する。これらの各薄膜は蒸
着又はスパツタリングにより行なうことは周知の
とおりである。この実施例においても、グレーズ
層２の底面に空所６を形成する。
成であつたが、これらを薄膜とした場合でもこの
発明は適用される。第１１図に示す実施例はその
例を示し、基板１の表面に厚膜（厚さ約50μｍ）
のグレーズ層２を形成し、その表面にまたがつて
厚さ約0.1μｍの薄膜による抵抗層１４を、又その
両側に厚さ約1μｍの薄膜による導電層１３の一
対をそれぞれ形成する。そしてこれらの表面に厚
さ約5μｍの薄膜による保護膜（たとえばTa2O5、
SiO2等）１５を形成する。これらの各薄膜は蒸
着又はスパツタリングにより行なうことは周知の
とおりである。この実施例においても、グレーズ
層２の底面に空所６を形成する。
第１２図以降の各図によつて第１１図の構成の
ための製造法を説明すると、セラミツク基板１の
表面に厚み約5μｍのAg等からなる溶解層７を形
成（第１２図参照。）し、ついで第１３図のよう
に溶解層７をまたいでグレーズ層２を厚膜により
形成する。そのあとグレーズ層２の表面に抵抗層
１４を、又その両側に導電層１３をそれぞれ薄膜
により形成（第１４図、第１５図参照。）してか
らその表面を保護膜１５で覆う（第１６図参
照。）。そして溶解層７を溶解液で溶解除去すれば
よい。
ための製造法を説明すると、セラミツク基板１の
表面に厚み約5μｍのAg等からなる溶解層７を形
成（第１２図参照。）し、ついで第１３図のよう
に溶解層７をまたいでグレーズ層２を厚膜により
形成する。そのあとグレーズ層２の表面に抵抗層
１４を、又その両側に導電層１３をそれぞれ薄膜
により形成（第１４図、第１５図参照。）してか
らその表面を保護膜１５で覆う（第１６図参
照。）。そして溶解層７を溶解液で溶解除去すれば
よい。
なお以上の各実施例において溶解層７として
Agの代わりにCu又はその合金が使用でき、この
場合の溶解液として例えばFeCl3が使用できる。
Agの代わりにCu又はその合金が使用でき、この
場合の溶解液として例えばFeCl3が使用できる。
以上詳述したようにこの発明によれば、予め溶
解層を形成し、グレーズ層の形成以後に、これを
溶解するようにしたので、グレーズ層の底面と基
板との間に極めて簡単に空所を形成することがで
き、基板への熱の逃げを防止することが可能なサ
ーマルプリントヘツドを得ることができる。
解層を形成し、グレーズ層の形成以後に、これを
溶解するようにしたので、グレーズ層の底面と基
板との間に極めて簡単に空所を形成することがで
き、基板への熱の逃げを防止することが可能なサ
ーマルプリントヘツドを得ることができる。
第１図はこの発明の製造方法によつて製造され
たサーマルプリントヘツドの断面図、第２図ない
し第１０図はこの発明の一実施例の工程を示す断
面図及び平面図、第１１図はこの発明の他の製造
方法によつて製造されたサーマルプリンタヘツド
の断面図、第１２図ないし第１６図はこの発明の
他の実施例の工程を示す図面図である。 １……基板、２……グレーズ層、３，１３……
導電層、４，１４……抵抗層、６……空所、７…
…溶解層。
たサーマルプリントヘツドの断面図、第２図ない
し第１０図はこの発明の一実施例の工程を示す断
面図及び平面図、第１１図はこの発明の他の製造
方法によつて製造されたサーマルプリンタヘツド
の断面図、第１２図ないし第１６図はこの発明の
他の実施例の工程を示す図面図である。 １……基板、２……グレーズ層、３，１３……
導電層、４，１４……抵抗層、６……空所、７…
…溶解層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の表面に耐熱性を有する溶解層を印刷焼
成によつて形成し、 前記溶解層の上部に突条状で厚膜のグレーズ層
を印刷焼成により形成し、さらに該グレーズ層の
表面には、導電層と、当該導電層により発熱され
る発熱体としての抵抗層とを順次形成するサーマ
ルプリンタヘツドの製造方法において、 前記グレーズ層の形成時には、当該グレーズ層
は前記溶解層の端部が外部に露出するように溶解
層をまたいで配設され、 前記グレーズ層の形成後に、該グレーズ層およ
び前記導電層ならびに前記抵抗層を溶解しない溶
解液によつて、前記端部から前記溶解層のみを溶
解してその跡に空所を形成することを特徴とする
サーマルプリンタヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144348A JPS5845972A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144348A JPS5845972A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845972A JPS5845972A (ja) | 1983-03-17 |
| JPH0321352B2 true JPH0321352B2 (ja) | 1991-03-22 |
Family
ID=15360008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144348A Granted JPS5845972A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8179447B2 (en) | 2007-03-16 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Imaging apparatus having blur correction mechanism |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4917719A (en) * | 1983-03-30 | 1990-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Herbicidal isothiazole derivatives |
| JPH0667629B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1994-08-31 | ロ−ム株式会社 | サ−マルプリントヘツド |
| JP4895344B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2012-03-14 | セイコーインスツル株式会社 | 発熱抵抗素子、これを用いたサーマルヘッド及びプリンタ |
| JP5590648B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2014-09-17 | セイコーインスツル株式会社 | サーマルヘッドおよびプリンタ |
| JP4895411B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-03-14 | セイコーインスツル株式会社 | 発熱抵抗素子、サーマルヘッド及びプリンタ |
| JP5774342B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-09-09 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585278A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Nec Corp | 感熱記録ヘツド |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP56144348A patent/JPS5845972A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585278A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Nec Corp | 感熱記録ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8179447B2 (en) | 2007-03-16 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Imaging apparatus having blur correction mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5845972A (ja) | 1983-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0321352B2 (ja) | ||
| JPH036917B2 (ja) | ||
| JPS6153954B2 (ja) | ||
| US4691210A (en) | Thermal head for heat-sensitive recording | |
| JPH0661947B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3172623B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH0314632B2 (ja) | ||
| JPH07137318A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH106541A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JP2550327B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JP3469958B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| WO2001021409A1 (fr) | Tête thermique et procédé de fabrication correspondant | |
| JP2544143B2 (ja) | 端面型サ―マルヘッドの製造方法 | |
| JP2763447B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS62105645A (ja) | サ−マルヘツドの構造 | |
| JPH04319446A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2731453B2 (ja) | サーマルヘッド用基板およびその製造方法 | |
| JPH0825669A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3237198B2 (ja) | 薄膜サーマルヘッド | |
| JPH07186420A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH0124076B2 (ja) | ||
| JPS6242858A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JP2002225325A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH021338A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS60239255A (ja) | 厚膜型感熱記録ヘツドの製造方法 |