JPH0314632B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0314632B2 JPH0314632B2 JP56144347A JP14434781A JPH0314632B2 JP H0314632 B2 JPH0314632 B2 JP H0314632B2 JP 56144347 A JP56144347 A JP 56144347A JP 14434781 A JP14434781 A JP 14434781A JP H0314632 B2 JPH0314632 B2 JP H0314632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- conductors
- layer
- dissolving
- printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサーマルプリンタヘツド、特に発熱
体として使用する抵抗体を厚膜とするサーマルプ
リンタヘツドの製造法に関する。
体として使用する抵抗体を厚膜とするサーマルプ
リンタヘツドの製造法に関する。
従来のこの種サーマルプリンタヘツドは、セラ
ミツク製の基板の表面にグレーズ層を設け、その
表面に相対する一対の導体を形成し、この両導体
間にまたがるように発熱用の厚膜の抵抗体を設置
して構成され、前記両導体が発熱用電源に接続さ
れたとき、前記抵抗体が発熱するようにしてあ
る。しかしこの構成によると、抵抗体で発生した
熱がグレーズ層及びセラミツク製の基板を通つて
外部に放散されやすく、抵抗体の発熱量をプリン
トのために有効に利用できない欠点があつた。そ
のためプリントに必要な熱を発生させるのに要す
る電力もこれに応じて大きくしなければならない
不便があつた。
ミツク製の基板の表面にグレーズ層を設け、その
表面に相対する一対の導体を形成し、この両導体
間にまたがるように発熱用の厚膜の抵抗体を設置
して構成され、前記両導体が発熱用電源に接続さ
れたとき、前記抵抗体が発熱するようにしてあ
る。しかしこの構成によると、抵抗体で発生した
熱がグレーズ層及びセラミツク製の基板を通つて
外部に放散されやすく、抵抗体の発熱量をプリン
トのために有効に利用できない欠点があつた。そ
のためプリントに必要な熱を発生させるのに要す
る電力もこれに応じて大きくしなければならない
不便があつた。
この発明は厚膜で構成した抵抗体を使用するサ
ーマルプリンタヘツドにおいて、プリントに必要
な発熱のために要する電力を低減させることを日
的とする。
ーマルプリンタヘツドにおいて、プリントに必要
な発熱のために要する電力を低減させることを日
的とする。
この発明は厚膜からなる抵抗体の底面と基板と
の間に空所を形成し、この空所の存在によつて抵
抗体が基板に極力接触しないように構成すること
を特徴とするものである。抵抗体が基板に極力接
触しないようにすれば、抵抗体からの熱が基板に
向かつて逃げることがなくなるようになる。
の間に空所を形成し、この空所の存在によつて抵
抗体が基板に極力接触しないように構成すること
を特徴とするものである。抵抗体が基板に極力接
触しないようにすれば、抵抗体からの熱が基板に
向かつて逃げることがなくなるようになる。
この発明の実施例方法によつて製作されたヘツ
ドを第１図によつて説明する。１はセラミツク製
基板、２は基板１の表表面に平たんに形成された
グレーズ層で、これによつてヘツド基板３が構成
される。４はグレーズ層２の表面に沿つて形成さ
れた厚膜よりなる一対の導体（たとえばAuのペ
ーストを塗布焼成して構成される。）、５は両導体
４にまたがつて形成された厚膜よりなる抵抗体で
ある。これは抵抗ペースト（たとえばRuO2）を
所要の厚さ（たとえば約30μｍ）に印刷塗布し焼
成することによつて形成される。６は抵抗体５の
表面を覆う厚膜からなる保護膜（たとえばガラ
ス）である。
ドを第１図によつて説明する。１はセラミツク製
基板、２は基板１の表表面に平たんに形成された
グレーズ層で、これによつてヘツド基板３が構成
される。４はグレーズ層２の表面に沿つて形成さ
れた厚膜よりなる一対の導体（たとえばAuのペ
ーストを塗布焼成して構成される。）、５は両導体
４にまたがつて形成された厚膜よりなる抵抗体で
ある。これは抵抗ペースト（たとえばRuO2）を
所要の厚さ（たとえば約30μｍ）に印刷塗布し焼
成することによつて形成される。６は抵抗体５の
表面を覆う厚膜からなる保護膜（たとえばガラ
ス）である。
この発明にしたがい、抵抗体５の底面がヘツド
基板３の表面に接しないように抵抗体５の底面と
ヘツド基板３の表面との間に空所７を設ける。図
の例では空所７の両側において抵抗体５とヘツド
基板３とが接しているが、僅かな接触であればあ
まり問題はないし、又この接触を完全になくすよ
うに構成することも可能である。
基板３の表面に接しないように抵抗体５の底面と
ヘツド基板３の表面との間に空所７を設ける。図
の例では空所７の両側において抵抗体５とヘツド
基板３とが接しているが、僅かな接触であればあ
まり問題はないし、又この接触を完全になくすよ
うに構成することも可能である。
このように空所７を抵抗体５の底面とヘツド基
板３との間に形成しておくと、抵抗体５から発生
した熱は基板方向へ逃げることがなくなり、その
ため小さな電力によつても抵抗体５の温度は充分
上昇するようになる。したがつてプリントに必要
な温度にまで抵抗体５を発熱させるのに、従来に
比較して小電力で足りるようになるのである。
板３との間に形成しておくと、抵抗体５から発生
した熱は基板方向へ逃げることがなくなり、その
ため小さな電力によつても抵抗体５の温度は充分
上昇するようになる。したがつてプリントに必要
な温度にまで抵抗体５を発熱させるのに、従来に
比較して小電力で足りるようになるのである。
つぎにこの発明によるサーマルプリンタヘツド
の製造法について第２図以降の各図を参照して説
明する。まずセラミツク基板１、グレーズ層２か
らなるヘツド基板３の表面に、金ペーストを印刷
塗布して焼成し、厚み約5μｍの厚膜による導体
４の一対を形成する。つぎに第２図に示すように
両導体４間に溶解層８を厚膜により形成する。溶
解層８は後記するようにあとで適当な溶解液で溶
解除去されるものであるが、以下に述べる次工程
においてその表面に抵抗体を印刷焼成するのの
で、その焼成が可能である程度に耐熱性であるこ
とが必要であり、かつその溶解に際し、導体４、
抵抗体などを溶解し或いはこれらと反応しない溶
解液の使用が可能であることが必要である。
の製造法について第２図以降の各図を参照して説
明する。まずセラミツク基板１、グレーズ層２か
らなるヘツド基板３の表面に、金ペーストを印刷
塗布して焼成し、厚み約5μｍの厚膜による導体
４の一対を形成する。つぎに第２図に示すように
両導体４間に溶解層８を厚膜により形成する。溶
解層８は後記するようにあとで適当な溶解液で溶
解除去されるものであるが、以下に述べる次工程
においてその表面に抵抗体を印刷焼成するのの
で、その焼成が可能である程度に耐熱性であるこ
とが必要であり、かつその溶解に際し、導体４、
抵抗体などを溶解し或いはこれらと反応しない溶
解液の使用が可能であることが必要である。
その意味において、溶解層８の一例としてAg
又はその合金が使用できる。これは例えばHNO3
を溶解液として溶解可能であり、又耐熱性も充分
である。前記溶解液は導体４であるAu、抵抗体
であるRuO2を溶解することもない。溶解層８の
他の例としてCu又はその合金の使用も可能であ
る。この場合に使用できる溶解液としては例えば
FeCl3があげられる。溶解層８は、そのペースト
を印刷塗布し焼成し、約5μｍの厚みに形成され
る。この形成は導体４と同様に印刷焼成によつて
行われるので、極めて容易である。なお溶解層８
は第２図のｂに示すように導体４の幅方向に沿つ
てその幅より充分長く形成するようにしてある。
すなわち次工程で説明する抵抗体の幅方向の端面
から外部に端部８Ａが露出する程度（保護膜６の
形成後に溶解しようとするときは、保護膜６の端
面から外部に端部８Ａが露出する程度）に長く形
成しておく。
又はその合金が使用できる。これは例えばHNO3
を溶解液として溶解可能であり、又耐熱性も充分
である。前記溶解液は導体４であるAu、抵抗体
であるRuO2を溶解することもない。溶解層８の
他の例としてCu又はその合金の使用も可能であ
る。この場合に使用できる溶解液としては例えば
FeCl3があげられる。溶解層８は、そのペースト
を印刷塗布し焼成し、約5μｍの厚みに形成され
る。この形成は導体４と同様に印刷焼成によつて
行われるので、極めて容易である。なお溶解層８
は第２図のｂに示すように導体４の幅方向に沿つ
てその幅より充分長く形成するようにしてある。
すなわち次工程で説明する抵抗体の幅方向の端面
から外部に端部８Ａが露出する程度（保護膜６の
形成後に溶解しようとするときは、保護膜６の端
面から外部に端部８Ａが露出する程度）に長く形
成しておく。
ついで両導体４間にまたがつて厚膜による抵抗
体５を形成する。これはたとえばRuO2のペース
トを印刷塗布し焼成して約30μｍの厚みに形成す
る（第３図のａ（断面図）及びｂ（平面図）参
照。）。ついで抵抗体５の表面を覆うように保護膜
６を形成する。これもたとえばガラスペーストを
印刷塗布して焼成し、約10μｍの厚みに形成する
（第４図のａ（断面図）及びｂ（平面図）参照。）。
体５を形成する。これはたとえばRuO2のペース
トを印刷塗布し焼成して約30μｍの厚みに形成す
る（第３図のａ（断面図）及びｂ（平面図）参
照。）。ついで抵抗体５の表面を覆うように保護膜
６を形成する。これもたとえばガラスペーストを
印刷塗布して焼成し、約10μｍの厚みに形成する
（第４図のａ（断面図）及びｂ（平面図）参照。）。
以上の工程のあと、これを前述したような溶解
液に浸し溶解層８を溶解する。このとき溶解層８
の端部８Ａは外部に露出しているので、この露出
した端部８Ａから次第に溶解されていく。溶解さ
れた跡に空所７が形成される。なお溶解層８の溶
解は、保護膜６の形成前に行なつてもよい。
液に浸し溶解層８を溶解する。このとき溶解層８
の端部８Ａは外部に露出しているので、この露出
した端部８Ａから次第に溶解されていく。溶解さ
れた跡に空所７が形成される。なお溶解層８の溶
解は、保護膜６の形成前に行なつてもよい。
導体４の複数対をもつてプリンタヘツドを構成
する場合、第５図の平面図に示すように、対をな
す導体４ａ〜４ｎのすべてにまたがつて抵抗体５
を形成するとき、この発明にしたがつて抵抗体５
の形成にさきだち対をなすすべての導体間に連続
して溶解層８を形成する。この場合でも端部８Ａ
は抵抗体５（保護膜６の形成後に溶解するときは
そのその保護膜）より外部に露出する程度に形成
する。溶解液による溶解層８の溶解は端部８Ａよ
り溶解されていく。このとき溶解を早める必要の
あるとき抵抗体５の表面のうち隣接する導体間の
区域（鎖線で仕切つた区域）５Ａをたとえばレー
ザ光線で切開して溶解層８を部分的に露出するよ
うにしておくとよい。このようにしておけば露出
した溶解層も溶解液に接するので端部８Ａからの
みならず、この露出した部分からも同時に溶解し
ていくようになるので、溶解層全体を溶解するの
に要する時間が短縮されるようになる。保護層形
成後に溶解するときはこの保護層と抵抗体とを切
開することは当然である。
する場合、第５図の平面図に示すように、対をな
す導体４ａ〜４ｎのすべてにまたがつて抵抗体５
を形成するとき、この発明にしたがつて抵抗体５
の形成にさきだち対をなすすべての導体間に連続
して溶解層８を形成する。この場合でも端部８Ａ
は抵抗体５（保護膜６の形成後に溶解するときは
そのその保護膜）より外部に露出する程度に形成
する。溶解液による溶解層８の溶解は端部８Ａよ
り溶解されていく。このとき溶解を早める必要の
あるとき抵抗体５の表面のうち隣接する導体間の
区域（鎖線で仕切つた区域）５Ａをたとえばレー
ザ光線で切開して溶解層８を部分的に露出するよ
うにしておくとよい。このようにしておけば露出
した溶解層も溶解液に接するので端部８Ａからの
みならず、この露出した部分からも同時に溶解し
ていくようになるので、溶解層全体を溶解するの
に要する時間が短縮されるようになる。保護層形
成後に溶解するときはこの保護層と抵抗体とを切
開することは当然である。
以上詳述したようにこの発明によれば、厚膜に
よつて抵抗体を形成するプリンタヘツドにおいて
抵抗体とヘツド基板との間に空所を設けることに
よつてプリントに要する電力の低減を図るにあた
り、溶解層を利用するようにしているので、前記
空所を抵抗体が厚膜である場合でも確実にかつ簡
単に形成することができる効果を奏する。
よつて抵抗体を形成するプリンタヘツドにおいて
抵抗体とヘツド基板との間に空所を設けることに
よつてプリントに要する電力の低減を図るにあた
り、溶解層を利用するようにしているので、前記
空所を抵抗体が厚膜である場合でも確実にかつ簡
単に形成することができる効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例方法によつて製作さ
れたヘツドの断面図、第２図乃至第４図はこの発
明の実施例の工程を示す断面図及び平面図、第５
図はこの発明の実施態様を示す平面図である。 ３……ヘツド基板、４……導体、５……抵抗
体、６……保護層、７……空所、８……溶解層。
れたヘツドの断面図、第２図乃至第４図はこの発
明の実施例の工程を示す断面図及び平面図、第５
図はこの発明の実施態様を示す平面図である。 ３……ヘツド基板、４……導体、５……抵抗
体、６……保護層、７……空所、８……溶解層。
Claims (1)
- １ ヘツド基板の表面に対をなす導体を印刷焼成
によつて形成するとともに、前記両導体間に、発
熱用の抵抗体の焼成に際して耐え得る程度の耐熱
性を有し、かつ前記導体および発熱用の抵抗体を
溶解しない溶解液によつて溶解が可能な溶解層
を、印刷焼成によつて前記導体の幅方向に沿つて
その幅よりも長く形成してから、前記両導体にま
たがつて、前記溶解層の端部が露出する程度に発
熱用の厚膜からなる抵抗体を形成し、そのあとで
前記溶解層を前記溶解液で溶解してその跡に空所
を形成したことを特徴とするサーマルプリンタヘ
ツドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144347A JPS5845971A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144347A JPS5845971A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845971A JPS5845971A (ja) | 1983-03-17 |
| JPH0314632B2 true JPH0314632B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=15359987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144347A Granted JPS5845971A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | サ−マルプリンタヘッドとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845971A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61254361A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真プリンタ用記録ヘッドの製造方法 |
| JPS62146921A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Teijin Ltd | 改質ポリエステルの連続製造方法 |
| CN103025791B (zh) | 2010-07-23 | 2015-02-25 | 瑞来斯实业公司 | 使用剧烈搅拌容器的连续聚合工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585278A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Nec Corp | 感熱記録ヘツド |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP56144347A patent/JPS5845971A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585278A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Nec Corp | 感熱記録ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5845971A (ja) | 1983-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002025802A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH0314632B2 (ja) | ||
| JPH0321352B2 (ja) | ||
| JP4633442B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3108021B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS6034875A (ja) | サ−マルヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0661947B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH01113261A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2832977B2 (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3645741B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH03222760A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS59195803A (ja) | サ−ミスタの製造方法 | |
| JP3129912B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH02145354A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS643670B2 (ja) | ||
| JP3365530B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP4164064B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JP2000141728A (ja) | サーマルヘッド | |
| JPS6250166A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0245595B2 (ja) | ||
| JPH0770378B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2539498B2 (ja) | サ―マルヘッド | |
| JP3323140B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH0717070B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS6342579B2 (ja) |