JPH0770378B2 - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPH0770378B2 JPH0770378B2 JP61277975A JP27797586A JPH0770378B2 JP H0770378 B2 JPH0770378 B2 JP H0770378B2 JP 61277975 A JP61277975 A JP 61277975A JP 27797586 A JP27797586 A JP 27797586A JP H0770378 B2 JPH0770378 B2 JP H0770378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- substrate
- circuit board
- aluminum nitride
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は窒化アルミニウム基板を用いた回路基板に関す
る。
る。
（従来の技術） セラミックス回路基板は、セラミックス基板の表面に導
体および抵抗体を形成したもので、最近このセラミック
ス回路基板として、ハイブリッドIC用などの用途に高熱
伝導性を持つ窒化アルミニウム（AlN）からなるセラミ
ックス基板を用いた回路基板が開発されつつある。
体および抵抗体を形成したもので、最近このセラミック
ス回路基板として、ハイブリッドIC用などの用途に高熱
伝導性を持つ窒化アルミニウム（AlN）からなるセラミ
ックス基板を用いた回路基板が開発されつつある。
ところで、セラミックス基板に抵抗体を形成する場合に
は、厚膜法により抵抗体を概略の面積で形成し、その後
に抵抗体をトリミングして不要部分を除去し、抵抗体を
必要とする抵抗値が得られる幅に成形する方法が行なわ
れている。そして、抵抗体をトリミングする方法として
は、高いトリミング精度を得ることができることから抵
抗体にレーザ光を照射して抵抗体の不要部分を溶融除去
する方法が採用されている。
は、厚膜法により抵抗体を概略の面積で形成し、その後
に抵抗体をトリミングして不要部分を除去し、抵抗体を
必要とする抵抗値が得られる幅に成形する方法が行なわ
れている。そして、抵抗体をトリミングする方法として
は、高いトリミング精度を得ることができることから抵
抗体にレーザ光を照射して抵抗体の不要部分を溶融除去
する方法が採用されている。
従って、窒化アルミニウム基板を用いた回路基板を製造
する場合においても、抵抗体を形成するために、厚膜法
により抵抗体を形成し、その後にレーザ光で抵抗体をト
リミングする方法を採用することが考えられている。
する場合においても、抵抗体を形成するために、厚膜法
により抵抗体を形成し、その後にレーザ光で抵抗体をト
リミングする方法を採用することが考えられている。
（発明が解決しようとする問題点） しかるに、前述した窒化アルミニウム基板を用いた回路
基板を製造する場合において、レーザ光で厚膜の抵抗体
をトリミングする方法を行うと、次ぎの様な問題があ
る。すなわち、第３図で示す様に抵抗体１に照射したレ
ーザ光は抵抗体１を溶融して除去するだけでなく、抵抗
体１を形成した窒化アルミニウムの基板２の表面部にも
達し、この基板２をも溶融する。この基板２が溶融して
溶融部分が露出すると、基板２を形成している窒化アル
ミニウム（AlN）のアルミニウム（Al）が析出する。こ
こで抵抗体１におけるレーザ光により除去された部分1a
に対応する基板２の部分にアルミニウム３が析出する
と、導電体である析出アルミニウム３により抵抗体１の
除去部1aにおける絶縁抵抗が低下し、この結果抵抗体１
の抵抗値が低下する。すなわち、必要とする設計の抵抗
値を有する抵抗体を正確に形成することができなくな
る。そして、特に高抵抗値の抵抗体を形成する場合にあ
っては、抵抗値の低下を伴うために抵抗体をレーザ光で
トリミングすることが困難となっている。
基板を製造する場合において、レーザ光で厚膜の抵抗体
をトリミングする方法を行うと、次ぎの様な問題があ
る。すなわち、第３図で示す様に抵抗体１に照射したレ
ーザ光は抵抗体１を溶融して除去するだけでなく、抵抗
体１を形成した窒化アルミニウムの基板２の表面部にも
達し、この基板２をも溶融する。この基板２が溶融して
溶融部分が露出すると、基板２を形成している窒化アル
ミニウム（AlN）のアルミニウム（Al）が析出する。こ
こで抵抗体１におけるレーザ光により除去された部分1a
に対応する基板２の部分にアルミニウム３が析出する
と、導電体である析出アルミニウム３により抵抗体１の
除去部1aにおける絶縁抵抗が低下し、この結果抵抗体１
の抵抗値が低下する。すなわち、必要とする設計の抵抗
値を有する抵抗体を正確に形成することができなくな
る。そして、特に高抵抗値の抵抗体を形成する場合にあ
っては、抵抗値の低下を伴うために抵抗体をレーザ光で
トリミングすることが困難となっている。
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、窒化アル
ミニウム基板に必要とする抵抗値をもった厚膜の抵抗体
を正確に形成することができ、特に高抵抗値の抵抗体の
形成に適した回路基板を提供することを目的とする。
ミニウム基板に必要とする抵抗値をもった厚膜の抵抗体
を正確に形成することができ、特に高抵抗値の抵抗体の
形成に適した回路基板を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用） 前記目的を達成するために本発明の回路基板は、窒化ア
ルミニウムの焼結体からなる基板と、この基板の表面に
形成された導体と、前記基板の表面に厚膜法により形成
されレーザ加工によりトリミングされた抵抗体とを具備
し、前記抵抗体をレーザ加工でトリミングすることによ
り露出した前記基板の部分にはアルミナが形成されてい
ることを特徴とするものである。
ルミニウムの焼結体からなる基板と、この基板の表面に
形成された導体と、前記基板の表面に厚膜法により形成
されレーザ加工によりトリミングされた抵抗体とを具備
し、前記抵抗体をレーザ加工でトリミングすることによ
り露出した前記基板の部分にはアルミナが形成されてい
ることを特徴とするものである。
以下本発明の回路基板を図面について説明する。
第１図は本発明の回路基板の一実施例を示している。図
中11は窒化アルミニウム基板、12は窒化アルミニウム基
板11の表面に形成された導体、13は窒化アルミニウム基
板11の表面に形成された抵抗体である。この抵抗体13は
の中間部は、レーザ加工のトリミングにより除去部13a
が形成されている。また、抵抗体13の除去部13aに対応
する窒化アルミニウム基板11の露出部にはアルミナ14が
形成されている。この構成の回路基板によれば、抵抗体
13の除去部13aに対応する窒化アルミニウム基板11の露
出部に形成されたアルミナ14は絶縁体であるから、抵抗
体13を設計した抵抗値を有する様に正確に形成できる。
中11は窒化アルミニウム基板、12は窒化アルミニウム基
板11の表面に形成された導体、13は窒化アルミニウム基
板11の表面に形成された抵抗体である。この抵抗体13は
の中間部は、レーザ加工のトリミングにより除去部13a
が形成されている。また、抵抗体13の除去部13aに対応
する窒化アルミニウム基板11の露出部にはアルミナ14が
形成されている。この構成の回路基板によれば、抵抗体
13の除去部13aに対応する窒化アルミニウム基板11の露
出部に形成されたアルミナ14は絶縁体であるから、抵抗
体13を設計した抵抗値を有する様に正確に形成できる。
本発明の回路基板を製造する方法について説明する。
まず、第２図で示す様に窒化アルミニウムの焼結体から
なる基板11の表面に導体ペーストにより導体12を形成
し、抵抗体ペーストを厚膜法により印刷例えばスクリー
ン印刷した後に焼成して抵抗体13を形成する。
なる基板11の表面に導体ペーストにより導体12を形成
し、抵抗体ペーストを厚膜法により印刷例えばスクリー
ン印刷した後に焼成して抵抗体13を形成する。
次に、第１図で示す様にレーザ照射ヘッド15を用いて窒
化アルミニウム基板11に形成した抵抗体13にレーザ光を
照射してトリミングを行ない、抵抗体13の一部を所定の
面積だけ除去して、抵抗体13を設計の抵抗値が得られる
幅に成形する。この場合、適宜な手段で抵抗体13の抵抗
値を測定しながらトリミングを行うことにより、抵抗体
13を設計の抵抗値が得られる大きさの面積に容易かつ正
確に成形することができる。なお、レーザ光は抵抗体13
を介して窒化アルミニウム基板11に達し基板11を溶かす
ので、抵抗体13の除去部13aに対応する窒化アルミニウ
ム基板11の溶融により露出した部分にアルミニウムが析
出する。このアルミニウム析出体14は抵抗体13の除去部
13aにおける絶縁抵抗の値を低下させるものである。
化アルミニウム基板11に形成した抵抗体13にレーザ光を
照射してトリミングを行ない、抵抗体13の一部を所定の
面積だけ除去して、抵抗体13を設計の抵抗値が得られる
幅に成形する。この場合、適宜な手段で抵抗体13の抵抗
値を測定しながらトリミングを行うことにより、抵抗体
13を設計の抵抗値が得られる大きさの面積に容易かつ正
確に成形することができる。なお、レーザ光は抵抗体13
を介して窒化アルミニウム基板11に達し基板11を溶かす
ので、抵抗体13の除去部13aに対応する窒化アルミニウ
ム基板11の溶融により露出した部分にアルミニウムが析
出する。このアルミニウム析出体14は抵抗体13の除去部
13aにおける絶縁抵抗の値を低下させるものである。
そして、抵抗体13の除去部13aに対応する窒化アルミニ
ウム基板11の露出部分を高温の酸化雰囲気中にさらす処
理を行う。雰囲気温度はアルミニウム析出体15が酸化す
る温度、具体的には600〜1000℃であり、雰囲気ガスと
しては空気を使用する。窒化アルミニウム基板11の露出
部を酸化雰囲気にさらす方法としては、抵抗体13をトリ
ミングする時に同時に行う方法と、トリミングの後に行
う方法がある。前者の方法は、例えば第１図に示すよう
にレーザ照射ヘッド15と並行して移動する噴射ノズル16
から高温の空気を噴射して窒化アルミニウム基板11の露
出部に吹付けるものであり、後者の方法は、基板を加熱
炉の内部に入れて加熱するものである。
ウム基板11の露出部分を高温の酸化雰囲気中にさらす処
理を行う。雰囲気温度はアルミニウム析出体15が酸化す
る温度、具体的には600〜1000℃であり、雰囲気ガスと
しては空気を使用する。窒化アルミニウム基板11の露出
部を酸化雰囲気にさらす方法としては、抵抗体13をトリ
ミングする時に同時に行う方法と、トリミングの後に行
う方法がある。前者の方法は、例えば第１図に示すよう
にレーザ照射ヘッド15と並行して移動する噴射ノズル16
から高温の空気を噴射して窒化アルミニウム基板11の露
出部に吹付けるものであり、後者の方法は、基板を加熱
炉の内部に入れて加熱するものである。
この酸化処理により、窒化アルミニウム基板11の露出部
におけるアルミニウム析出体14は酸化され、アルミナ
（Al2O3）となる。このアルミナ14は絶縁体であるため
に抵抗体13の除去部13aにおける絶縁抵抗が低下する。
この結果抵抗体13の抵抗値が、トリミングした抵抗体13
の面積に基づく抵抗値と同じ大きさになる。これにより
設計の抵抗値を有する抵抗体13を正確に形成することが
出来、特に高い抵抗値の抵抗体のトリミングを正確に行
なえるようになる。
におけるアルミニウム析出体14は酸化され、アルミナ
（Al2O3）となる。このアルミナ14は絶縁体であるため
に抵抗体13の除去部13aにおける絶縁抵抗が低下する。
この結果抵抗体13の抵抗値が、トリミングした抵抗体13
の面積に基づく抵抗値と同じ大きさになる。これにより
設計の抵抗値を有する抵抗体13を正確に形成することが
出来、特に高い抵抗値の抵抗体のトリミングを正確に行
なえるようになる。
（実施例） 次に本発明の実施例について説明する。
AlN基板にAg−Pd系の導体ペーストにより導体を形成
し、その後ルテニウム系抵抗体ペーストを厚膜法により
印刷し、温度850℃、10分の条件で焼成して抵抗体を形
成した。
し、その後ルテニウム系抵抗体ペーストを厚膜法により
印刷し、温度850℃、10分の条件で焼成して抵抗体を形
成した。
次いで、AlN基板に形成した抵抗体の抵抗値を設計値と
するために、抵抗体にYAGレーザを照射してトリミング
を行ない、抵抗体の一部を完全に切断して除去した。こ
の時の抵抗体の除去部における絶縁抵抗を測定した結
果、106Ω以上であった。これはレーザ照射により、AlN
基板からAlが析出して絶縁抵抗が低下したものである。
この状態では抵抗値10KΩ未満の抵抗体については実用
可能であるが、10KΩ以上の抵抗体に対してはトリミン
グが困難である。
するために、抵抗体にYAGレーザを照射してトリミング
を行ない、抵抗体の一部を完全に切断して除去した。こ
の時の抵抗体の除去部における絶縁抵抗を測定した結
果、106Ω以上であった。これはレーザ照射により、AlN
基板からAlが析出して絶縁抵抗が低下したものである。
この状態では抵抗値10KΩ未満の抵抗体については実用
可能であるが、10KΩ以上の抵抗体に対してはトリミン
グが困難である。
そこで、本発明の実施例では前記のトリミングを行う時
に、トリミングにより露出した部分に温度600〜1000℃
の空気つまり熱風を吹付ける酸化処理を行った。これに
よりAlN基板に析出したAlが酸化しアルミナ質となり、
抵抗体の除去部における絶縁抵抗が10-9Ω以上となる。
このため抵抗体の抵抗値は、トリミングにより得た面積
に応じた大きさつまり設計値のとおりになる。このた
め、ルテニウムの割合いが小さい10MΩ以上の高い抵抗
値を有する抵抗体のトリミングも可能となった。
に、トリミングにより露出した部分に温度600〜1000℃
の空気つまり熱風を吹付ける酸化処理を行った。これに
よりAlN基板に析出したAlが酸化しアルミナ質となり、
抵抗体の除去部における絶縁抵抗が10-9Ω以上となる。
このため抵抗体の抵抗値は、トリミングにより得た面積
に応じた大きさつまり設計値のとおりになる。このた
め、ルテニウムの割合いが小さい10MΩ以上の高い抵抗
値を有する抵抗体のトリミングも可能となった。
以上説明したように本発明の回路基板によれば、窒化ア
ルミニウム基板に必要とする抵抗値を持った厚膜の抵抗
体を精度良く形成することができ、特に高い抵抗値を持
った抵抗体を精度良く形成することができる回路基板を
得られる。
ルミニウム基板に必要とする抵抗値を持った厚膜の抵抗
体を精度良く形成することができ、特に高い抵抗値を持
った抵抗体を精度良く形成することができる回路基板を
得られる。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の回路基板を示す平面図お
よび断面図、第２図（ａ）（ｂ）本発明におけるトリミ
ング加工の前の回路基板を示す平面図および断面図、第
３図（ａ）（ｂ）は従来の回路基板を示す平面図および
断面図である。 11……窒化アルミニウム基板、12……導体、13……抵抗
体。14……アルミニウム析出体（アルミナ）。
よび断面図、第２図（ａ）（ｂ）本発明におけるトリミ
ング加工の前の回路基板を示す平面図および断面図、第
３図（ａ）（ｂ）は従来の回路基板を示す平面図および
断面図である。 11……窒化アルミニウム基板、12……導体、13……抵抗
体。14……アルミニウム析出体（アルミナ）。
Claims (1)
- 【請求項１】窒化アルミニウムの焼結体からなる基板
と、この基板の表面に形成された導体と、前記基板の表
面に厚膜法により形成されレーザ加工によりトリミング
された抵抗体とを具備し、前記抵抗体をレーザ加工でト
リミングすることにより露出した前記基板の部分にはア
ルミナが形成されていることを特徴とする回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277975A JPH0770378B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277975A JPH0770378B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131501A JPS63131501A (ja) | 1988-06-03 |
| JPH0770378B2 true JPH0770378B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17590875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61277975A Expired - Lifetime JPH0770378B2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770378B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9168720B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-10-27 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Biaxially elastic nonwoven laminates having inelastic zones |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2861368B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1999-02-24 | 住友電気工業株式会社 | 回路基板の加工方法 |
| JPH0682710U (ja) * | 1993-05-01 | 1994-11-25 | 博美 田村 | ハウス栽培用照明具 |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP61277975A patent/JPH0770378B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9168720B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-10-27 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Biaxially elastic nonwoven laminates having inelastic zones |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63131501A (ja) | 1988-06-03 |
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