JP2526622B2 - 化合物系抵抗体の低抗値制御方法 - Google Patents
化合物系抵抗体の低抗値制御方法Info
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- JP2526622B2 JP2526622B2 JP63034413A JP3441388A JP2526622B2 JP 2526622 B2 JP2526622 B2 JP 2526622B2 JP 63034413 A JP63034413 A JP 63034413A JP 3441388 A JP3441388 A JP 3441388A JP 2526622 B2 JP2526622 B2 JP 2526622B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は化合物系抵抗体の抵抗値制御方法に関し、
特に化合物系抵抗体上に高分子材料から成る膜を形成し
た後にこの化合物系抵抗体の抵抗値を制御する方法に関
するものである。
特に化合物系抵抗体上に高分子材料から成る膜を形成し
た後にこの化合物系抵抗体の抵抗値を制御する方法に関
するものである。
〔従来の技術〕 第３図は、雑誌「電子材料」1984年５月号第92頁〜第
98頁に記載された従来の化合物系抵抗体の抵抗値制御方
法に示す構成図である。図において、（１）は抵抗値を
制御される化合物系抵抗体で、例えば金属酸化物系厚膜
抵抗体（以下、抵抗体と記す）、（２）はこの抵抗体
（１）に接続された導体、（３）は導体（２）に接触す
る探針、（４）は抵抗体（１）の抵抗値を測定すること
によつて、レーザ光のON、OFFとレーザ光の走査を制御
するコントローラー、（５）はレーザ光で、例えば連続
発振レーザ光、又はＱスイツチレーザ光である。
98頁に記載された従来の化合物系抵抗体の抵抗値制御方
法に示す構成図である。図において、（１）は抵抗値を
制御される化合物系抵抗体で、例えば金属酸化物系厚膜
抵抗体（以下、抵抗体と記す）、（２）はこの抵抗体
（１）に接続された導体、（３）は導体（２）に接触す
る探針、（４）は抵抗体（１）の抵抗値を測定すること
によつて、レーザ光のON、OFFとレーザ光の走査を制御
するコントローラー、（５）はレーザ光で、例えば連続
発振レーザ光、又はＱスイツチレーザ光である。
上記のように構成された装置において、まずレーザ光
（５）を適当な光学系を用いて集光し、抵抗値を制御さ
れるべき抵抗体（１）上に焦点を合わせる。探針（３）
を両端に接続された導体（２）に接触させ、抵抗体
（１）の抵抗値を測定しながらレーザ光（５）を照射す
る。この照射により瞬間的に抵抗体（１）を蒸発させる
と、抵抗体（１）は切削されてその抵抗値が高くなる。
従つてレーザ光（５）の走査によつて所望の抵抗値まで
切削すれば、所望の抵抗値を有する抵抗体が得られる。
（５）を適当な光学系を用いて集光し、抵抗値を制御さ
れるべき抵抗体（１）上に焦点を合わせる。探針（３）
を両端に接続された導体（２）に接触させ、抵抗体
（１）の抵抗値を測定しながらレーザ光（５）を照射す
る。この照射により瞬間的に抵抗体（１）を蒸発させる
と、抵抗体（１）は切削されてその抵抗値が高くなる。
従つてレーザ光（５）の走査によつて所望の抵抗値まで
切削すれば、所望の抵抗値を有する抵抗体が得られる。
この時用いられるレーザ光（５）の一例としてＱスイ
ツチパルスの時間に対するエネルギーを第４図に示す。
このレーザ光は、出力エネルギーが30μJ/P程度、パル
ス幅（A:ピーク強度（Ｐ）の1/2における幅）が200ns程
度、パルス繰り返しは3KHz程度のものであり、波長は1.
03μｍ程度の近赤外光である。
ツチパルスの時間に対するエネルギーを第４図に示す。
このレーザ光は、出力エネルギーが30μJ/P程度、パル
ス幅（A:ピーク強度（Ｐ）の1/2における幅）が200ns程
度、パルス繰り返しは3KHz程度のものであり、波長は1.
03μｍ程度の近赤外光である。
従来の化合物系抵抗体の抵抗値制御方法は以上のよう
に構成されているのであるが、化合物系抵抗体の形成工
程において、必然的に化合物系抵抗体（１）上に例えば
ポリイミドなどの高分子材料から成る膜（６）が形成さ
れることがある。このような場合において、化合物系抵
抗体（１）を切削する作用を有する連続発振レーザ光や
第４図に示すＱスイツチレーザ光を照射して化合物系抵
抗体（１）の抵抗値を制御すると、レーザ光の熱的作用
により高分子材料（６）のレーザ光照射部が第５図に示
すように炭化してしまう。この炭化した高分子材料が化
合物系抵抗体（１）の切削溝のまわりに付着し、切削後
の抵抗値が不安定になるという問題点があつた。
に構成されているのであるが、化合物系抵抗体の形成工
程において、必然的に化合物系抵抗体（１）上に例えば
ポリイミドなどの高分子材料から成る膜（６）が形成さ
れることがある。このような場合において、化合物系抵
抗体（１）を切削する作用を有する連続発振レーザ光や
第４図に示すＱスイツチレーザ光を照射して化合物系抵
抗体（１）の抵抗値を制御すると、レーザ光の熱的作用
により高分子材料（６）のレーザ光照射部が第５図に示
すように炭化してしまう。この炭化した高分子材料が化
合物系抵抗体（１）の切削溝のまわりに付着し、切削後
の抵抗値が不安定になるという問題点があつた。
この発明にかかる問題点を解決するためになされたも
ので、高分子材料および炭化などの化学的変化をさせる
ことなく、化合物系抵抗体の抵抗値を所望の抵抗値に調
整して、調整後の抵抗値が安定になる化合物系抵抗体の
抵抗値制御方法を提供することを目的とする。
ので、高分子材料および炭化などの化学的変化をさせる
ことなく、化合物系抵抗体の抵抗値を所望の抵抗値に調
整して、調整後の抵抗値が安定になる化合物系抵抗体の
抵抗値制御方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、この発明の抵抗値制御方
法においては、高分子材料に対しては化学的変化を及ぼ
さず、化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させる
ようなレーザ光を使用するものである。
法においては、高分子材料に対しては化学的変化を及ぼ
さず、化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させる
ようなレーザ光を使用するものである。
また、高分子材料を一部取り除く場合には高分子材料
に対してはエツチングの作用をし、上記化合物系抵抗体
に対しては化学状態を変化させるようなレーザ光を使用
するものである。
に対してはエツチングの作用をし、上記化合物系抵抗体
に対しては化学状態を変化させるようなレーザ光を使用
するものである。
化合物系抵抗体に形成された高分子化合物は一般に近
赤外光域の波長の光に対して半透明であり、ピークエネ
ルギーが高くなると、化学的変化を受ける。
赤外光域の波長の光に対して半透明であり、ピークエネ
ルギーが高くなると、化学的変化を受ける。
この発明におけるレーザ光は、ピークエネルギーを低
くして高分子材料に対しては化学的変化を及ぼさず、か
つ、化合物系抵抗体の抵抗値を低下させて抵抗値を制御
する。このため、化合物系抵抗体のレーザ光による照射
部分の高分子材料が炭化することなく、導電性を有する
炭素が付着することはない。
くして高分子材料に対しては化学的変化を及ぼさず、か
つ、化合物系抵抗体の抵抗値を低下させて抵抗値を制御
する。このため、化合物系抵抗体のレーザ光による照射
部分の高分子材料が炭化することなく、導電性を有する
炭素が付着することはない。
また、レーザ光として、高分子材料に対してはエツチ
ングの作用をし、化合物系低抗体に対してはその抵抗値
を変化させるようなものを用いれば、高分子材料の一部
が抵抗値制御と同時に除去され、後の工程が簡略化でき
る。
ングの作用をし、化合物系低抗体に対してはその抵抗値
を変化させるようなものを用いれば、高分子材料の一部
が抵抗値制御と同時に除去され、後の工程が簡略化でき
る。
この発明の一実施例を図について説明する。第１図は
この発明の一実施例による化合物系抵抗体の抵抗値制御
方法を示す構成図である。図において、（１）〜（５）
は従来と同一、又は相当部分であり、化合物系抵抗体
（１）は、例えば、酸化ルテニウム（RuO2）系厚膜抵抗
体などの金属酸化物系厚膜抵抗体（以下抵抗体と記
す）、基板（２）はアルミナセラミツク基板、レーザ光
（５）はパルスレーザ光で、この場合はパルスYAGレー
ザ光を使用する。（６）は抵抗体（１）の形成工程にお
いて形成された高分子材料から成る膜で、この場合は厚
さ７μｍ程度のポリイミド膜である。レーザ光（５）は
高分子材料（６）に対しては化学的変化を及ぼさず、抵
抗体（１）に対しては化学状態を変化させて抵抗体固有
の固体抵抗率を変化させるものを用いている。実施例と
して、パルスYAGレーザ光（５）をパルス幅50μｓ出力
エネルギー1mJ/Pで、初期抵抗31KΩの抵抗体（１）に数
パルス照射したところ所望の抵抗値25KΩが得られた。
これは、抵抗体（１）中に含まれる各種の酸化物がパル
スレーザ光の照射によつて還元されて化学状態が変化
し、照射した部分の固体抵抗率が変化することにより比
抵抗が減少した結果であると考えられる。尚、この際、
ポリイミド膜（６）は、レーザ光が近赤外光域の単一波
長の光のパルス出力であるため著しい熱的作用を受け
ず、抵抗体（１）を切削する作用を有するＱスイツチYA
Gレーザ光を照射した時に生じるような炭化は認められ
なかつた。
この発明の一実施例による化合物系抵抗体の抵抗値制御
方法を示す構成図である。図において、（１）〜（５）
は従来と同一、又は相当部分であり、化合物系抵抗体
（１）は、例えば、酸化ルテニウム（RuO2）系厚膜抵抗
体などの金属酸化物系厚膜抵抗体（以下抵抗体と記
す）、基板（２）はアルミナセラミツク基板、レーザ光
（５）はパルスレーザ光で、この場合はパルスYAGレー
ザ光を使用する。（６）は抵抗体（１）の形成工程にお
いて形成された高分子材料から成る膜で、この場合は厚
さ７μｍ程度のポリイミド膜である。レーザ光（５）は
高分子材料（６）に対しては化学的変化を及ぼさず、抵
抗体（１）に対しては化学状態を変化させて抵抗体固有
の固体抵抗率を変化させるものを用いている。実施例と
して、パルスYAGレーザ光（５）をパルス幅50μｓ出力
エネルギー1mJ/Pで、初期抵抗31KΩの抵抗体（１）に数
パルス照射したところ所望の抵抗値25KΩが得られた。
これは、抵抗体（１）中に含まれる各種の酸化物がパル
スレーザ光の照射によつて還元されて化学状態が変化
し、照射した部分の固体抵抗率が変化することにより比
抵抗が減少した結果であると考えられる。尚、この際、
ポリイミド膜（６）は、レーザ光が近赤外光域の単一波
長の光のパルス出力であるため著しい熱的作用を受け
ず、抵抗体（１）を切削する作用を有するＱスイツチYA
Gレーザ光を照射した時に生じるような炭化は認められ
なかつた。
これにより得られた抵抗体（１）は、レーザ光の照射
部分に炭素が付着することはないので、調整後の抵抗値
が不安定になることはない。
部分に炭素が付着することはないので、調整後の抵抗値
が不安定になることはない。
抵抗体（１）の抵抗値の減少量は、レーザ光（５）の
照射条件、例えばパルス数、パルス幅、出力、パルス間
隔、焦点はずし距離などに依存する。このため、レーザ
光（５）の照射条件によつて抵抗体材（１）の抵抗値を
制御し、所望の抵抗値を有する抵抗体（１）を得ること
ができる。
照射条件、例えばパルス数、パルス幅、出力、パルス間
隔、焦点はずし距離などに依存する。このため、レーザ
光（５）の照射条件によつて抵抗体材（１）の抵抗値を
制御し、所望の抵抗値を有する抵抗体（１）を得ること
ができる。
また、上記実施例では、抵抗体（１）が酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体についてのみ述べているが、Cr2O3・TiO
2などの金属酸化物系抵抗体、AlN.Si3N4などの金属チツ
化物系抵抗体、SiC.WCなどの金属炭化物系抵抗体などに
おいても、レーザ光による比抵抗（Ω・ｍ）の減少が生
じるため、応用可能である。
ム系厚膜抵抗体についてのみ述べているが、Cr2O3・TiO
2などの金属酸化物系抵抗体、AlN.Si3N4などの金属チツ
化物系抵抗体、SiC.WCなどの金属炭化物系抵抗体などに
おいても、レーザ光による比抵抗（Ω・ｍ）の減少が生
じるため、応用可能である。
さらに、レーザ光は赤外光域のパルスYAGレーザ光を
用いているが、これに限らず抵抗体（１）の材質によつ
ては、紫外光域又は可視光域のレーザ光も応用可能であ
る。
用いているが、これに限らず抵抗体（１）の材質によつ
ては、紫外光域又は可視光域のレーザ光も応用可能であ
る。
さらに、高分子材料から成る膜（６）としてはポリイ
ミド膜を用いているが、アクリル系やエポキシ系など、
他の高分子材料から成る膜であつても、レーザ光の種類
と出力を化学的変化を及ぼさないように適当に選定すれ
ば応用が可能である。
ミド膜を用いているが、アクリル系やエポキシ系など、
他の高分子材料から成る膜であつても、レーザ光の種類
と出力を化学的変化を及ぼさないように適当に選定すれ
ば応用が可能である。
また、上記実施例でのポリイミド膜に対するパルスYA
Gレーザ光の照射では、ポリイミド膜はほとんど変化す
ることなく、抵抗体の抵抗値が低下する。したがつて、
抵抗値制御後も第１図に示すような構成になるが、後の
工程において、第２図に示すように、ポリイミド膜
（６）の一部を除去しなければならない場合には、レー
ザ光（５）として紫外光域の波長を有するエキシマレー
ザ光や可視光域の波長を有するキセノンレーザ光を用い
ればよい。上記のようなレーザ光（５）を照射すると、
ポリイミド膜（６）は炭化することなくエツチングされ
て除去されるとともに、抵抗体（１）の抵抗値を低下さ
せることができる。これは高分子材料（６）のエツチン
グ処理と、抵抗体（１）の抵抗値制御を２工程で行なう
こともできるが、レーザ光の種類を変える必要があり、
この発明によれば同時にできるため、工程が簡略化でき
る。
Gレーザ光の照射では、ポリイミド膜はほとんど変化す
ることなく、抵抗体の抵抗値が低下する。したがつて、
抵抗値制御後も第１図に示すような構成になるが、後の
工程において、第２図に示すように、ポリイミド膜
（６）の一部を除去しなければならない場合には、レー
ザ光（５）として紫外光域の波長を有するエキシマレー
ザ光や可視光域の波長を有するキセノンレーザ光を用い
ればよい。上記のようなレーザ光（５）を照射すると、
ポリイミド膜（６）は炭化することなくエツチングされ
て除去されるとともに、抵抗体（１）の抵抗値を低下さ
せることができる。これは高分子材料（６）のエツチン
グ処理と、抵抗体（１）の抵抗値制御を２工程で行なう
こともできるが、レーザ光の種類を変える必要があり、
この発明によれば同時にできるため、工程が簡略化でき
る。
以上述べたように、この発明によれば、絶縁性基板に
形成された化合物系低抗体、この化合物系抵抗体に接触
するように形成された導体、及に化合物系抵抗体を被覆
する高分子材料で形成された積層体レーザ光を照射する
ことにより、化合物系抵抗体の化学状態を変化させてそ
の化合物系抵抗体固有の固体抵抗率を変化させ、その抵
抗値を低下させるようにした化合物系抵抗体の抵抗値制
御方法であって、高分子材料に対しては化学的変化を及
ぼさず、化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させ
るようなレーザ光を使用することにより、高分子材料に
対する照射は著しい熱的作用を及ぼさず、化合物系抵抗
体に対する照射では比抵抗を減少させる作用を有するレ
ーザ光を照射し、所望の抵抗値を得るようにしたので、
調整後の抵抗値が不安定になるのを防止できる化合物系
抵抗体の抵抗値制御方法を提供できる効果がある。
形成された化合物系低抗体、この化合物系抵抗体に接触
するように形成された導体、及に化合物系抵抗体を被覆
する高分子材料で形成された積層体レーザ光を照射する
ことにより、化合物系抵抗体の化学状態を変化させてそ
の化合物系抵抗体固有の固体抵抗率を変化させ、その抵
抗値を低下させるようにした化合物系抵抗体の抵抗値制
御方法であって、高分子材料に対しては化学的変化を及
ぼさず、化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させ
るようなレーザ光を使用することにより、高分子材料に
対する照射は著しい熱的作用を及ぼさず、化合物系抵抗
体に対する照射では比抵抗を減少させる作用を有するレ
ーザ光を照射し、所望の抵抗値を得るようにしたので、
調整後の抵抗値が不安定になるのを防止できる化合物系
抵抗体の抵抗値制御方法を提供できる効果がある。
また、高分子材料に対してはエツチングの作用をし、
上記化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させるよ
うなレーザ光を使用することにより後の工程を簡略化で
き、調整後の抵抗値が不安定になるのを防止できる化合
物系抵抗体の抵抗値制御方法を提供できる効果がある。
上記化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させるよ
うなレーザ光を使用することにより後の工程を簡略化で
き、調整後の抵抗値が不安定になるのを防止できる化合
物系抵抗体の抵抗値制御方法を提供できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による化合物系抵抗体の抵
抗値制御方法を示す構成図、第２図はこの発明の他の実
施例による化合物系抵抗体の抵抗値制御方法を示す構成
図、第３図は従来の化合物系抵抗体の抵抗値制御方法を
示す構成図、第４図は従来の制御方法に係るレーザ光の
特性を時間に対するエネルギーで示す特性図、第５図は
従来の制御方法によつて形成された化合物系抵抗体を示
す構成図である。 図において、（１）……化合物系抵抗体、（５）……レ
ーザ光、（６）は高分子材料である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
抗値制御方法を示す構成図、第２図はこの発明の他の実
施例による化合物系抵抗体の抵抗値制御方法を示す構成
図、第３図は従来の化合物系抵抗体の抵抗値制御方法を
示す構成図、第４図は従来の制御方法に係るレーザ光の
特性を時間に対するエネルギーで示す特性図、第５図は
従来の制御方法によつて形成された化合物系抵抗体を示
す構成図である。 図において、（１）……化合物系抵抗体、（５）……レ
ーザ光、（６）は高分子材料である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板に形成された化合物系抵抗体、
この化合物系抵抗体に接触するように形成された導体、
及び上記化合物系抵抗体を被覆する高分子材料で形成さ
れた積層体にレーザ光を照射することにより、上記化合
物系抵抗体の化学状態を変化させてその化合物系抵抗体
固有の固体抵抗率を変化させ、その抵抗値を低下させる
ようにした化合物系抵抗体の抵抗値制御方法であって、
上記高分子材料に対しては化学的変化を及ぼさず、上記
化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させるような
レーザ光を使用することを特徴とする化合物系抵抗体の
抵抗値制御方法。 - 【請求項２】絶縁性基板に形成された化合物系抵抗体、
この化合物系抵抗体に接触するように形成された導体、
及び上記化合物系抵抗体を被覆する高分子材料で形成さ
れた積層体にレーザ光を照射することにより、上記化合
物系抵抗体の化学状態を変化させてその化合物系抵抗体
固有の固体抵抗率を変化させ、その抵抗値を低下させる
ようにした化合物系抵抗体の抵抗値制御方法であって、
上記高分子材料に対してはエッチングの作用をし、上記
化合物系抵抗体に対しては化学状態を変化させるような
レーザ光を使用することを特徴とする化合物系抵抗体の
抵抗値制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63034413A JP2526622B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 化合物系抵抗体の低抗値制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63034413A JP2526622B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 化合物系抵抗体の低抗値制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208810A JPH01208810A (ja) | 1989-08-22 |
| JP2526622B2 true JP2526622B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=12413506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63034413A Expired - Lifetime JP2526622B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 化合物系抵抗体の低抗値制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526622B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483623B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2005-04-18 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판, 이의 제조방법, 및이의 최적화방법 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63034413A patent/JP2526622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01208810A (ja) | 1989-08-22 |
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