JPS6336641Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は薄膜抵抗体のトリミングバー、特に中
間部を切断されたトリミングバーが該抵抗体の定
数に与える経時変化を抑止する構造的改良に関す
る。

例えば、混成集積回路基板上にパターン形成さ
れた薄膜抵抗体の抵抗値は、薄膜形成技術のみに
よつて高精度に制御することが困難である。従つ
て、混成集積回路内で正確な抵抗値が要求される
ときは、トリミング即ち膜形成された抵抗体の一
部に切り込みを入れる等により所要の抵抗値とな
るように修正する必要がある。そのため、第１図
に一部分を平面視で示す如き蛇行形抵抗体１は、
従来、抵抗本体２の所定部間を短絡する複数のト
リミングバー３を一体的にパターン形成する。次
いで、抵抗体１の両端部にそれぞれ膜形成した電
極（図示せず）を介して微少電流を流しながら、
レーザ又は放電等の加工手段によりトリミングバ
ー３の何本かを中間部で切断し、所要抵抗値の抵
抗体を得ていた。第２図ａは第１図の−′断
面矢視図、第２図ｂは第２図ａのトリミングバー
を切断した状態を示したものであり、図中の符号
４はセラミツクス等にてなる基板である。即ち、
第１図の矢印Ａ及びA′方向へレーザ・スポツト
を走査すると、第２図ａに示すトリミングバー
３′は第２図ｂに示す如くその中間部が切断され、
所望定数の抵抗体１′が得られるようになる。

しかし、トリミングバー３′の切断部は切断時
の加熱により酸化されるとともに、切断時の熱応
力により切断面から内側へ向うマイクロクラツク
が発生し易い。一方、抵抗体１′に所定電流を流
すと、該電流は切断されたトリミングバー３′の
残余部３″に一部が蛇行して流れるようになる。
従つて、前記切断部の酸化は経時変化（進行）す
ることにより、抵抗体１′の定数がドリフトし、
該混成集積回路の特性に悪影響を及ぼす欠点があ
つた。

本考案の目的は上記欠点を除去することであ
り、この目的は抵抗層の上に導体層を被着形成し
なることを特徴とした薄膜抵抗体のトリミングバ
ーを提供して達成される。

以下、一実施例に係わる第３図及び第４図を用
いて本考案を説明する。

第３図は基板上に薄膜形成した蛇行形抵抗体の
一部を示す平面図、第４図は前記抵抗体の−
′断面矢視図ａとトリミング後の前記断面矢視
図ｂである。

第３図において、基板上にパターン形成された
蛇行形抵抗体１１は、抵抗膜（例えばTa₂N）に
てなる抵抗本体１２と抵抗本体１２の所定部間を
短絡する複数のトリミングバー１３を具えてな
る。トリミングバー１３は第４図ａに示す如く、
基板１４上の抵抗本体１２と同質材で同時に形成
された抵抗層１５及び抵抗層１５の上に積重被着
した導体（例えばAu）層１６にてなる。かかる
トリミングバー１３′は第４図ｂに示す如く、従
来と同一手法で中間部が切断され、所望定数の抵
抗体１１′が得られる。そして、切断されたトリ
ミングバー１３′の残余部１３″は、残余抵抗層１
５′の上が残余導体層１６′で覆われているため、
抵抗体１１′に所定電流を流すと該電流は、トリ
ミングバー残余部１３″において残余導体層１６
を流れるようになる。従つて、トリミングバー残
余部１３′の切断部酸化が経時変化しても、該変
化は抵抗本体１２に流れる電流、即ち抵抗体１
１′の定数に殆んど影響しない。

以上説明した如く本考案によれば、中間部を切
断したトリミングバーによる抵抗体の定数ドリフ
トを殆んど零にし、該抵抗体を接続した回路の安
定化を実現せしめ得た実用的効果が顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来構成になるトリミングバーを具え
て基板上に薄膜形成された蛇行形抵抗体の一部を
示す平面図、第２図は第１図の−′断面矢視
図ａとトリミング後の前記断面矢視図ｂ、第３図
は本考案の一実施例に係わるトリミングバーを具
えて基板上に薄膜形成された蛇行形抵抗体の一部
を示す平面図、第４図は第３図の−′断面矢
視図ａとトリミング後の前記断面矢視図ｂであ
る。 なお、図中において、１，１１は薄膜抵抗体、
２，１２は抵抗本体、３，３′，１３，１３′はト
リミングバー、４，１４は基板、１５は抵抗層、
１６は導電層を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 本体所定部間を短絡するトリミングバーを一体
   的に具えてパターン形成された一連の薄膜抵抗体
   において、前記トリミングバーは抵抗層の上に導
   体層を被着形成してなることを特徴とした薄膜抵
   抗体のトリミングバー。