JPS586282B2 - コウセイドテイコウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路などを構成する膜抵抗の抵抗温度係数
を高精度に実現することを目的とした高精度抵抗に関す
るものである。

膜抵抗は第１図に示すように、セラミックあるいはガラ
スなどの基板１上に印刷その他適宜の方法で設けた膜電
極２を両端子として膜抵抗３を印刷その他適宜の方法で
形成する構成で作成されている。

この膜抵抗に高精度の抵抗温度係数が必要とされる場合
、基板の表面状態、電極材料、膜抵抗の厚さ、膜抵抗の
形成の際の工程条件、膜抵抗の材料ロットなどにより変
化し、これら条件を全て制御することは不可能であり、
ロツト変動が避けられない。

本発明は前述のような点に鑑みてなされたものであり、
以下本発明の一実施例について第２図とともに説明する
。

本発明の構成は第２図に示すように、基板４上に異なっ
た２種類の膜電極材料による膜電極５，６を各々設け、
この膜電極５，６を膜抵抗Ｔの両端の各々に接続してい
る。

図で８は抵抗値調整の膜抵抗カット部分であり、また膜
電極材料としては金、パラジウム銀などがある。

そして、このように本発明は構成されていることにより
、抵抗温度係数が所望の値より高い方へ偏移して膜抵抗
１が形成された場合には抵抗温度係数が高い方の膜電極
材料による膜電極５（または６）側から抵抗値調整のカ
ットを行い、抵抗温度係数が低い方へ偏移して膜抵抗Ｔ
が形成された場合には抵抗温度係数が低い方の膜電極材
料による膜電極６（または５）側から抵抗値調整のカッ
トを行うことにより、抵抗値調整と同時に抵抗温度係数
の調整も可能としたものである。

例えば厚膜抵抗の場合、抵抗材料のロツトおよび焼成工
程条件による膜抵抗の抵抗温度係数のロツト変動が５
０ ｐｐｍ／℃程度生じるが、膜電極材料を金で構成し
た場合とパラジウム銀で構成した場合とでは、ある膜抵
抗材料の場合金の膜電極材料で構成した膜抵抗の方がパ
ラジウム銀の膜電極材料で構成した膜抵抗より、５０ｐ
ｐｍ７Ｃ程度抵抗温度係数が高く現れる。

したがって、この２種類の膜電極材料による膜電極を膜
抵抗の両端の各々に形成し、膜抵抗の抵抗値調整カット
方向を膜抵抗の抵抗温度係数の値によって決定すること
により、目的とする高精度の抵抗温度係数をもった膜抵
抗を実現することができる。

以上のように本発明は構成されており、本発明を実施す
ることにより従来では不可能であった膜抵抗の抵抗温度
係数の調整が可能となり、高精度の抵抗温度係数をもっ
た膜抵抗が実現でき、しかもその製造法は従来工程の工
法をそのまま利用できることから、その工業的価値は大
きいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図イ、ロは従来における膜抵抗の上面図と断面図、
第２図イ、ロは本発明に係る高精度抵抗の一実施例を示
す上面図と断面図である。 ４・・・・・・基板、５，６・・・・・・膜電極、７・
・・・・・膜抵抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ セラミックあるいはガラスなどの基板上に異なった
   ２種類の膜電極材料による膜電極を各々設け、この膜電
   極の各々を膜抵抗の両端に接続したことを特徴とする高
   精度抵抗。