JPS61110045A - 厚膜型センサ - Google Patents
厚膜型センサInfo
- Publication number
- JPS61110045A JPS61110045A JP59232018A JP23201884A JPS61110045A JP S61110045 A JPS61110045 A JP S61110045A JP 59232018 A JP59232018 A JP 59232018A JP 23201884 A JP23201884 A JP 23201884A JP S61110045 A JPS61110045 A JP S61110045A
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- JP
- Japan
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- thick film
- electrodes
- moisture
- pair
- sensor
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
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- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
この発明は、厚膜の導電状態の変化によって所定の物理
量の大きさを検知する厚膜型センサに関する。
量の大きさを検知する厚膜型センサに関する。
〈発明の概要〉
この発明は、絶縁基板上に設けられた対をなす電極上に
、外部雰囲気における所定の物理１の大きさに応じてそ
の導電状態か変化する厚膜を覆うように形成した厚膜型
センサであって、前記対をなす電極のうち少なくとも一
方のＦ！！極の一部分を切断その他の方法をもってその
電極より分離させ、これによりセンサの抵抗値を調整し
、センサのバラツキを補償するようにしたものである。
、外部雰囲気における所定の物理１の大きさに応じてそ
の導電状態か変化する厚膜を覆うように形成した厚膜型
センサであって、前記対をなす電極のうち少なくとも一
方のＦ！！極の一部分を切断その他の方法をもってその
電極より分離させ、これによりセンサの抵抗値を調整し
、センサのバラツキを補償するようにしたものである。
〈発明の背景〉
例えば従来の原模型湿度センサは、第５図に示す如く、
絶縁基板２上に対向して設けられた１対の櫛型電極３ａ
、３ｂと、これらの電極を含んだ領域を覆うように形成
された感湿厚膜４とを備えている。この１対のｉ極３ａ
、３ｂは、それぞれ接続端子５ａ、５ｂに接続されてお
り、これらの接続端子５ａ、５ｂは、ハンダ５ａ、５ｂ
によって、それぞれ外部引出端子７ａ、７ｂに接続され
ている。
絶縁基板２上に対向して設けられた１対の櫛型電極３ａ
、３ｂと、これらの電極を含んだ領域を覆うように形成
された感湿厚膜４とを備えている。この１対のｉ極３ａ
、３ｂは、それぞれ接続端子５ａ、５ｂに接続されてお
り、これらの接続端子５ａ、５ｂは、ハンダ５ａ、５ｂ
によって、それぞれ外部引出端子７ａ、７ｂに接続され
ている。
ＥＲ湿に膜４は、タトエハＬＮ Ｐ Ｖ （Ｌ １Ｎｂ
０３− Ｐ ｂｏ −ｖ２０５）系材料によって形成さ
れており、外部雰囲気からの吸着水に応じてその電気抵
抗が変化する。この電気抵抗の変化は、電極３ａ、３ｂ
間の電気抵抗の変化をもたらし、それによって湿度の検
知を行なう。
０３− Ｐ ｂｏ −ｖ２０５）系材料によって形成さ
れており、外部雰囲気からの吸着水に応じてその電気抵
抗が変化する。この電気抵抗の変化は、電極３ａ、３ｂ
間の電気抵抗の変化をもたらし、それによって湿度の検
知を行なう。
ところがこのような厚膜型センサ１においては、感湿厚
膜４は厚膜印刷によって形成されるため、材料や電極間
隔のバラツキの他に膜厚のバラツキが生じ、このため、
センサの抵抗値にもバラツキか生ずる。例えば上記ＬＮ
ＰＶ系厚膜ン早度センサ（こおいては、６０％ＲＪ２５
℃（こおいて、２５にΩ〜８０にΩの範囲にわたる抵抗
値のバラツキが観測されている。このため、正確な物理
量検知を行なうには、センサに外部抵抗を接続し、全体
として適当な抵抗値となるように調整すると共に、その
外部抵抗の抵抗値をバラツキに応じて数段階の種類のも
のの中から選択するように構成する必要がある等、幾多
の欠点がある。
膜４は厚膜印刷によって形成されるため、材料や電極間
隔のバラツキの他に膜厚のバラツキが生じ、このため、
センサの抵抗値にもバラツキか生ずる。例えば上記ＬＮ
ＰＶ系厚膜ン早度センサ（こおいては、６０％ＲＪ２５
℃（こおいて、２５にΩ〜８０にΩの範囲にわたる抵抗
値のバラツキが観測されている。このため、正確な物理
量検知を行なうには、センサに外部抵抗を接続し、全体
として適当な抵抗値となるように調整すると共に、その
外部抵抗の抵抗値をバラツキに応じて数段階の種類のも
のの中から選択するように構成する必要がある等、幾多
の欠点がある。
〈発明の目的〉
この発明は、上記欠点を克服するためのものであり、厚
膜印刷に伴なう抵抗値のバラツキ等に影響されず、かつ
、外部抵抗などを要せずに正確な物理量検知を行なうこ
とのできる厚膜型センサを提供することを目的とする。
膜印刷に伴なう抵抗値のバラツキ等に影響されず、かつ
、外部抵抗などを要せずに正確な物理量検知を行なうこ
とのできる厚膜型センサを提供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
上記目的を達成するため、この発明では、厚膜の導電状
態を検出する対をなす電極のうち少なくとも一方の電極
の一部分を切断する等して、その電極から分離するよう
に構成した。
態を検出する対をなす電極のうち少なくとも一方の電極
の一部分を切断する等して、その電極から分離するよう
に構成した。
この発明によれば、電極の分離位置や分離箇所数を適宜
選択することによって、電極と厚膜との間の接触面積を
変化でき、従ってセンサの抵抗値を調整し得、そのバラ
ツキ等を補償することができる。このため、外部抵抗等
を用いることなく、正確な物理量検知を行なうことが可
能となる等、発明目的を達成した顕著な効果を奏する。
選択することによって、電極と厚膜との間の接触面積を
変化でき、従ってセンサの抵抗値を調整し得、そのバラ
ツキ等を補償することができる。このため、外部抵抗等
を用いることなく、正確な物理量検知を行なうことが可
能となる等、発明目的を達成した顕著な効果を奏する。
〈実施例の説明〉
琳１図および第２図は、この発明の第１の実施例である
厚膜型湿度センサを示しており、このセンサ１０は、第
５図に示した従来のセンサと同様に、絶縁基板２上に設
けられた１対の櫛形１極１．３ａ 、 １３ｂと、これ
らの電゛極１３ａ 、 １３ｂ上を償うように形成され
た感湿厚膜１４とを備えている。電極１３ａ、１３ｂの
それぞれの一部分は、レーザによるトリミングによって
形成された切断部１１ａ、ｌｌｂによって、当該電極か
ら分離されており、これら切断部１１ａ、ｌｌｂによっ
て、電極１３ａ、１３ｂと感湿厚膜１４とのそれぞれの
電気的接触面積が、切断部１１ａ、ｌｌｂが存在しない
場合とは異なったものとなっている。従って、感湿、Ｉ
ｌ［膜１４の形成時に生じた抵抗値のバラツキは、この
切断部１１ａ、ｌｌｂの位置や数を適宜選択することに
よって補償されることになり、外部抵抗の接続等による
調整を要しない。
厚膜型湿度センサを示しており、このセンサ１０は、第
５図に示した従来のセンサと同様に、絶縁基板２上に設
けられた１対の櫛形１極１．３ａ 、 １３ｂと、これ
らの電゛極１３ａ 、 １３ｂ上を償うように形成され
た感湿厚膜１４とを備えている。電極１３ａ、１３ｂの
それぞれの一部分は、レーザによるトリミングによって
形成された切断部１１ａ、ｌｌｂによって、当該電極か
ら分離されており、これら切断部１１ａ、ｌｌｂによっ
て、電極１３ａ、１３ｂと感湿厚膜１４とのそれぞれの
電気的接触面積が、切断部１１ａ、ｌｌｂが存在しない
場合とは異なったものとなっている。従って、感湿、Ｉ
ｌ［膜１４の形成時に生じた抵抗値のバラツキは、この
切断部１１ａ、ｌｌｂの位置や数を適宜選択することに
よって補償されることになり、外部抵抗の接続等による
調整を要しない。
尚上記実施例は、電極１３ａ 、１３ｂの一部分を切断
によって分離しているが、これに限らず、感湿厚膜１４
および電極１３ａ、１３ｂのそれぞれの一部分を、サン
ドブラストによって選択的に除去してもよい。具体例と
して、１０本の歯をそれぞれ有する櫛形電極に対して、
１対の歯をレーザトリミングで切断し、また、１対の歯
をサンドブラストによって除去した場合には、センサの
抵抗値が５ＯＫΩ〜５５Ｋｇの範囲の値におさまること
が判明している。
によって分離しているが、これに限らず、感湿厚膜１４
および電極１３ａ、１３ｂのそれぞれの一部分を、サン
ドブラストによって選択的に除去してもよい。具体例と
して、１０本の歯をそれぞれ有する櫛形電極に対して、
１対の歯をレーザトリミングで切断し、また、１対の歯
をサンドブラストによって除去した場合には、センサの
抵抗値が５ＯＫΩ〜５５Ｋｇの範囲の値におさまること
が判明している。
第３図は、この発明の第２実施例の厚１漢型湿度センサ
２０を示すものである。上述した第１実施例では、電極
１３ａ、１３ｂの全体が感湿厚膜４によって榎われてい
るため、電極１３ａ、１３ｂの一部分を分離する際に、
その上を看っている感湿厚膜４に損傷を与えざるを得な
い。特に、レーザトリミングを用いた場合、感湿厚膜４
が゛高温となって焼結が進み、感湿特性に変化を与えた
り、切断部１１ａ、ｌｌｂの結露による特性（寿命）劣
化が生じてしまう。このため、このｆＪ２実施例では、
電極２３λ、２３ｂ上をそれぞれの電極の−部分を残し
て感湿厚膜２４がフうように形成して、例えば切断部２
１ａ、２１ｂを、電極２３ｂのうち、感湿厚膜２４か形
成されていない部分に設けるものである。この実施例に
よれば、切断部２１ａ。
２０を示すものである。上述した第１実施例では、電極
１３ａ、１３ｂの全体が感湿厚膜４によって榎われてい
るため、電極１３ａ、１３ｂの一部分を分離する際に、
その上を看っている感湿厚膜４に損傷を与えざるを得な
い。特に、レーザトリミングを用いた場合、感湿厚膜４
が゛高温となって焼結が進み、感湿特性に変化を与えた
り、切断部１１ａ、ｌｌｂの結露による特性（寿命）劣
化が生じてしまう。このため、このｆＪ２実施例では、
電極２３λ、２３ｂ上をそれぞれの電極の−部分を残し
て感湿厚膜２４がフうように形成して、例えば切断部２
１ａ、２１ｂを、電極２３ｂのうち、感湿厚膜２４か形
成されていない部分に設けるものである。この実施例に
よれば、切断部２１ａ。
２１ｂの形成による感湿厚膜２４への悪影響を防止でき
る。
る。
第４図は、第３実施例を示し、この厚膜型湿度センサ３
０では、トリミングを行なう可能性かある部分だけを残
して、電極３３ａ 、 ３３ｂ上を感湿厚＄３４によっ
て榎うよう形成している。尚切断部３１ａ、３１ｂの形
成は、上記第２の実施例と同様である。
０では、トリミングを行なう可能性かある部分だけを残
して、電極３３ａ 、 ３３ｂ上を感湿厚＄３４によっ
て榎うよう形成している。尚切断部３１ａ、３１ｂの形
成は、上記第２の実施例と同様である。
尚上記実施例では、１対の櫛形電極を備えた厚膜型湿度
センサを考えたが、電極が３個以上設けられるような厚
膜センサや、湿度以外の物理量を検知する厚膜センサに
ついても、この発明を適用できる。また電極の分離も、
レーザによるトリミングやサンドブラストによる除去に
限らず、他の方法でこれを実現することも可能である。
センサを考えたが、電極が３個以上設けられるような厚
膜センサや、湿度以外の物理量を検知する厚膜センサに
ついても、この発明を適用できる。また電極の分離も、
レーザによるトリミングやサンドブラストによる除去に
限らず、他の方法でこれを実現することも可能である。
第１図はこの発明の第１実施例の平面図、第２図は第１
図■−■線に沿う切断端面図、第３図および第４図はそ
れぞれ第２および′ＩＪＪ３の実施例の平面図、第５図
は従来の厚膜型湿度センサの一部を破断した斜視図であ
る。
図■−■線に沿う切断端面図、第３図および第４図はそ
れぞれ第２および′ＩＪＪ３の実施例の平面図、第５図
は従来の厚膜型湿度センサの一部を破断した斜視図であ
る。
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に設けられた対をなす電極上に、外部
雰囲気における所定の物理量の大 きさに応じてその導電状態が変化する厚膜 を覆うように形成した厚膜型センサであつ て、前記対をなす電極のうち少なくとも一 方の電極の一部分がその電極より分離され て成る厚膜型センサ。 - （２）前記分離は、電極の一部分を切断することによつ
て達成されている特許請求の範囲 第１項記載の厚膜型センサ。 - （３）前記分離は、電極の一部分を除去することによつ
て達成されている特許請求の範囲 第１項記載の厚膜型センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232018A JPS61110045A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 厚膜型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232018A JPS61110045A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 厚膜型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110045A true JPS61110045A (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=16932667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232018A Pending JPS61110045A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 厚膜型センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2670012A1 (fr) * | 1990-11-30 | 1992-06-05 | Danfoss As | Procede pour realiser un detecteur de gaz. |
| JP2017092232A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
| US10696366B2 (en) | 2012-05-04 | 2020-06-30 | Samsung Heavy Ind. Co., Ltd. | Propulsion apparatus for ship |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59232018A patent/JPS61110045A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2670012A1 (fr) * | 1990-11-30 | 1992-06-05 | Danfoss As | Procede pour realiser un detecteur de gaz. |
| US10696366B2 (en) | 2012-05-04 | 2020-06-30 | Samsung Heavy Ind. Co., Ltd. | Propulsion apparatus for ship |
| JP2017092232A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
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