JPH09260741A - 磁気抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子およびその製造方法Info
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- JPH09260741A JPH09260741A JP8067726A JP6772696A JPH09260741A JP H09260741 A JPH09260741 A JP H09260741A JP 8067726 A JP8067726 A JP 8067726A JP 6772696 A JP6772696 A JP 6772696A JP H09260741 A JPH09260741 A JP H09260741A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁性の保護膜と露出電極との間にすきまが
存在すると耐湿等の面で信頼性が得られない。また、す
きまをなくして絶縁性の保護層を形成するとスルーホー
ル内部に絶縁性の保護膜が入り込む可能性があるため、
はんだぬれ性を劣化させる。上述の課題を解決し、信頼
性の向上した磁気抵抗素子およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 少なくとも強磁性薄膜１５を覆うように
かつ配線電極１４の一部が露出するようにかつスルーホ
ールに絶縁性の樹脂が流れ込まないように第１、第２の
絶縁性保護層１６，１７を形成し、少なくとも露出され
た配線電極１４を覆うように導電性保護層１８を設け、
側面電極１２および導電性保護層１８にはんだめっき層
１９を形成することにより、信頼性の向上が得られ、か
つはんだぬれ性の劣化が防止できる。
存在すると耐湿等の面で信頼性が得られない。また、す
きまをなくして絶縁性の保護層を形成するとスルーホー
ル内部に絶縁性の保護膜が入り込む可能性があるため、
はんだぬれ性を劣化させる。上述の課題を解決し、信頼
性の向上した磁気抵抗素子およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 少なくとも強磁性薄膜１５を覆うように
かつ配線電極１４の一部が露出するようにかつスルーホ
ールに絶縁性の樹脂が流れ込まないように第１、第２の
絶縁性保護層１６，１７を形成し、少なくとも露出され
た配線電極１４を覆うように導電性保護層１８を設け、
側面電極１２および導電性保護層１８にはんだめっき層
１９を形成することにより、信頼性の向上が得られ、か
つはんだぬれ性の劣化が防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子およ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来例としては、実願平１−８６４９４
号（実開平３−２７０６０号）のマイクロフィルムのも
のが知られている。
号（実開平３−２７０６０号）のマイクロフィルムのも
のが知られている。
【０００３】図８は従来の磁気抵抗素子の断面図、図９
は同模式図である。図において、１はチップ型基板であ
る。２は基板１の上面と側面を覆うように設けられたグ
レーズ層である。３はグレーズ層２の上面の側部に設け
られた配線電極である。４はそれぞれの配線電極３と電
気的に接続するようにグレーズ層２の上面に設けられた
磁気抵抗体膜である。５は少なくとも磁気抵抗体膜４を
覆うように設けられた絶縁性の保護膜であり、二酸化珪
素等が用いられている。６は配線電極３と電気的に接続
するようにチップ型基板１の側面に略コ字状に設けられ
た露出電極であり、例えばパラジウム銀系材料が用いら
れる。
は同模式図である。図において、１はチップ型基板であ
る。２は基板１の上面と側面を覆うように設けられたグ
レーズ層である。３はグレーズ層２の上面の側部に設け
られた配線電極である。４はそれぞれの配線電極３と電
気的に接続するようにグレーズ層２の上面に設けられた
磁気抵抗体膜である。５は少なくとも磁気抵抗体膜４を
覆うように設けられた絶縁性の保護膜であり、二酸化珪
素等が用いられている。６は配線電極３と電気的に接続
するようにチップ型基板１の側面に略コ字状に設けられ
た露出電極であり、例えばパラジウム銀系材料が用いら
れる。
【０００４】以上のように構成された従来の磁気抵抗素
子について、以下にその製造方法を説明する。
子について、以下にその製造方法を説明する。
【０００５】まず、上面に縦および横方向に切込み線が
形成されるとともにこの縦および横方向の切込み線の交
点に上面から下面にかけて貫通して設けられた円筒上の
スルーホールを有するセラミック板の所定部分にグレー
ズ層２を形成し、次にグレーズ層２の上面のスルーホー
ルの近傍およびスルーホール内部の所定位置に厚膜導体
ペーストを印刷して配線電極３を形成する。
形成されるとともにこの縦および横方向の切込み線の交
点に上面から下面にかけて貫通して設けられた円筒上の
スルーホールを有するセラミック板の所定部分にグレー
ズ層２を形成し、次にグレーズ層２の上面のスルーホー
ルの近傍およびスルーホール内部の所定位置に厚膜導体
ペーストを印刷して配線電極３を形成する。
【０００６】次に、セラミック板の上面のスルーホール
の周囲を囲むように厚膜導体ペーストをスクリーン印刷
し、余分な厚膜導体ペーストをスルーホール内に供給し
露出電極６を形成する。
の周囲を囲むように厚膜導体ペーストをスクリーン印刷
し、余分な厚膜導体ペーストをスルーホール内に供給し
露出電極６を形成する。
【０００７】次に、セラミック板を分割した後に、個々
の磁気抵抗素子を形成する基板１に対して蒸着によりパ
ーマロイ等の磁気抵抗体膜４を形成する。
の磁気抵抗素子を形成する基板１に対して蒸着によりパ
ーマロイ等の磁気抵抗体膜４を形成する。
【０００８】最後に、少なくとも磁気抵抗体膜４を覆い
かつ露出電極６に接しないように二酸化珪素等を塗布・
乾燥し、絶縁性の保護膜５を形成して、磁気抵抗素子を
製造するものである。
かつ露出電極６に接しないように二酸化珪素等を塗布・
乾燥し、絶縁性の保護膜５を形成して、磁気抵抗素子を
製造するものである。
【０００９】以上のように、構成・製造された従来の磁
気抵抗素子について、以下にその動作を説明する。
気抵抗素子について、以下にその動作を説明する。
【００１０】図１０は本発明の一実施の形態における磁
気抵抗素子を磁気式ロータリーエンコーダに組み込んだ
使用例を示す模式した斜視図である。
気抵抗素子を磁気式ロータリーエンコーダに組み込んだ
使用例を示す模式した斜視図である。
【００１１】図１０に示すようにＮ極およびＳ極を交互
に所定のピッチで着磁することにより、エンコーダの出
力パルス数に応じた磁気記録部が回転ドラム８の外周部
に設けられている。図１０で回転ドラム８の磁気記録部
の外側に積層型磁気抵抗素子７が近接して配置されてい
る。ロータリーエンコーダのエンコーダ軸９が回転する
ことで、積層型磁気抵抗素子７の磁気抵抗体膜を通過す
る回転ドラム８のＮ極およびＳ極の磁界を検出し電気信
号に変換する。磁気式ロータリーエンコーダは回転軸の
回転速度および回転角度を検出して制御するために用い
られる。
に所定のピッチで着磁することにより、エンコーダの出
力パルス数に応じた磁気記録部が回転ドラム８の外周部
に設けられている。図１０で回転ドラム８の磁気記録部
の外側に積層型磁気抵抗素子７が近接して配置されてい
る。ロータリーエンコーダのエンコーダ軸９が回転する
ことで、積層型磁気抵抗素子７の磁気抵抗体膜を通過す
る回転ドラム８のＮ極およびＳ極の磁界を検出し電気信
号に変換する。磁気式ロータリーエンコーダは回転軸の
回転速度および回転角度を検出して制御するために用い
られる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
絶縁性の保護膜５と露出電極６との間にすきまがあり、
配線電極３がむき出しになっているため、耐湿性等の面
で信頼性が得られない。また、絶縁性の保護膜５と露出
電極６とのすきまをなくして絶縁性の保護膜５を形成す
ることは、絶縁性の保護膜５と露出電極６との密着性が
悪いために、その部分での信頼性が得られない。また、
絶縁性の保護膜５がスルーホール内部まで入り込む可能
性があり、はんだぬれ性まで劣化させる。更に、絶縁性
の保護膜５と露出電極６との間にすきまがあるため、は
んだめっきを行うと配線電極３と絶縁性の保護膜５との
間にめっき処理液が入り込んでしまい磁気抵抗体膜４に
悪影響を及ぼすという課題を有していた。
絶縁性の保護膜５と露出電極６との間にすきまがあり、
配線電極３がむき出しになっているため、耐湿性等の面
で信頼性が得られない。また、絶縁性の保護膜５と露出
電極６とのすきまをなくして絶縁性の保護膜５を形成す
ることは、絶縁性の保護膜５と露出電極６との密着性が
悪いために、その部分での信頼性が得られない。また、
絶縁性の保護膜５がスルーホール内部まで入り込む可能
性があり、はんだぬれ性まで劣化させる。更に、絶縁性
の保護膜５と露出電極６との間にすきまがあるため、は
んだめっきを行うと配線電極３と絶縁性の保護膜５との
間にめっき処理液が入り込んでしまい磁気抵抗体膜４に
悪影響を及ぼすという課題を有していた。
【００１３】本発明はこのような上述の課題を解決し、
信頼性の向上した磁気抵抗素子およびその製造方法を提
供するものである。
信頼性の向上した磁気抵抗素子およびその製造方法を提
供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、少なくとも露出された配線電極を覆うよう
に設けられた導電性保護層を設けるものである。
に本発明は、少なくとも露出された配線電極を覆うよう
に設けられた導電性保護層を設けるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
基板と、前記基板の少なくとも上面の側部から側面にか
けて設けられた２つ以上の側面電極と、前記基板の略中
央部に前記側面電極と接しないように設けられた平坦層
と、前記側面電極と平坦層とを跨ぐように前記基板の上
面に設けられた配線電極と、前記平坦層と配線電極との
上面に前記配線電極の上面の一部が露出するように設け
られた強磁性薄膜と、少なくとも前記強磁性薄膜を覆う
ように設けられた絶縁性保護層と、少なくとも露出され
た前記配線電極を覆うように設けられた導電性保護層と
からなるものである。
基板と、前記基板の少なくとも上面の側部から側面にか
けて設けられた２つ以上の側面電極と、前記基板の略中
央部に前記側面電極と接しないように設けられた平坦層
と、前記側面電極と平坦層とを跨ぐように前記基板の上
面に設けられた配線電極と、前記平坦層と配線電極との
上面に前記配線電極の上面の一部が露出するように設け
られた強磁性薄膜と、少なくとも前記強磁性薄膜を覆う
ように設けられた絶縁性保護層と、少なくとも露出され
た前記配線電極を覆うように設けられた導電性保護層と
からなるものである。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明の絶縁性保護層は、少なくとも２層以上であ
る。
載の発明の絶縁性保護層は、少なくとも２層以上であ
る。
【００１７】また、請求項３記載の発明は、スルーホー
ルを有する原基板の前記スルーホールに側面電極を形成
する工程と、前記原基板の隣接するスルーホールの交点
の略中央に平坦層を形成する工程と、前記側面電極と平
坦層とを跨ぐように配線電極を形成する工程と、前記配
線電極と平坦層を上面に前記配線電極の一部が露出する
ように強磁性薄膜を形成する工程と、少なくとも前記強
磁性薄膜を覆うように絶縁性保護層を形成する工程と、
露出された前記配線電極を覆うように導電性保護層を形
成する工程と、前記スルーホール間を切断する工程とか
らなるものである。
ルを有する原基板の前記スルーホールに側面電極を形成
する工程と、前記原基板の隣接するスルーホールの交点
の略中央に平坦層を形成する工程と、前記側面電極と平
坦層とを跨ぐように配線電極を形成する工程と、前記配
線電極と平坦層を上面に前記配線電極の一部が露出する
ように強磁性薄膜を形成する工程と、少なくとも前記強
磁性薄膜を覆うように絶縁性保護層を形成する工程と、
露出された前記配線電極を覆うように導電性保護層を形
成する工程と、前記スルーホール間を切断する工程とか
らなるものである。
【００１８】以下、本発明の一実施の形態における磁気
抵抗素子について、図面を参照しながら説明する。
抵抗素子について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施の形態における磁気
抵抗素子の断面図、図２は同要部である絶縁性保護層と
導電性保護層とはんだめっき層とを外した上面図であ
る。
抵抗素子の断面図、図２は同要部である絶縁性保護層と
導電性保護層とはんだめっき層とを外した上面図であ
る。
【００２０】１１は四隅に切り欠きを有するアルミナか
らなる角型の基板である。１２は基板１１の４箇所のそ
れぞれの切り欠きの上面から側面を経て下面の側部に設
けられた銀−パラジウム等からなる側面電極である。１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄはそれぞれ図１において
基板１１の四隅に設けられた側面電極である。１３は基
板１１の上面の略中央に側面電極１２と接しないように
設けられたガラスからなる平坦層である。この平坦層１
３は後述するパーマロイからなる強磁性薄膜を精度よく
パターン形成するために形成している。また、後から形
成する強磁性薄膜に大きな段差を発生しないように、そ
の周辺部においては、その厚みに緩やかな傾斜をもたせ
て形成している。１４は基板１１の上面に形成されたそ
れぞれの側面電極１２と平坦層１３とを跨ぐように設け
られたニクロムとニッケルとからなる配線電極であり、
平坦層１３と後述するパーマロイからなる強磁性薄膜と
の段差部を補強し、強磁性薄膜と側面電極１２との電気
的導通を得るために設けており、厚みは総厚３０００Å
とした。１５は平坦層１３と配線電極１４との上面に配
線電極１４の一部が露出するように設けられたパーマロ
イからなる所望のパターンを有する強磁性薄膜であり、
その磁気的および電気的特性から総厚５００〜２０００
Åで形成している。Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４はそれぞれ
図１の基板上面からみた強磁性薄膜の磁気感知部であ
る。１６，１７は少なくとも強磁性薄膜１５を覆うよう
に設けられたフェノール系の樹脂等からなる第１、第２
の絶縁性保護層である。ここで、絶縁性保護層を２層形
成することでピンホールの影響が除去でき総厚３０μｍ
とした。また、その強磁性薄膜１５を外的要因から保護
する目的からは全面に形成されるのが良いが、印刷時に
絶縁性の樹脂がスルーホール内部に流れ込み側面電極１
２を覆ってしまうため、はんだ付け性が悪くなる。した
がって本実施の形態では粘度３００〜６００ＰＳの絶縁
性樹脂を用いて、かつ側面電極１２と第１、第２の絶縁
性保護層１６，１７との間に２００〜５００μｍのすき
まをもたせることで絶縁性樹脂がスルーホールに流れ込
むのを防いでいる。１８は少なくとも露出された配線電
極１４を覆うように設けられた銀−レジン等からなる導
電性保護層であり、スルーホール内部にも流れ込むよう
に約３０μｍで形成した。１９ははんだ付け性を確保す
るために側面電極１２と導電性保護層１８とを覆うよう
に設けられた錫−鉛合金等からなるはんだめっき層であ
る。
らなる角型の基板である。１２は基板１１の４箇所のそ
れぞれの切り欠きの上面から側面を経て下面の側部に設
けられた銀−パラジウム等からなる側面電極である。１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄはそれぞれ図１において
基板１１の四隅に設けられた側面電極である。１３は基
板１１の上面の略中央に側面電極１２と接しないように
設けられたガラスからなる平坦層である。この平坦層１
３は後述するパーマロイからなる強磁性薄膜を精度よく
パターン形成するために形成している。また、後から形
成する強磁性薄膜に大きな段差を発生しないように、そ
の周辺部においては、その厚みに緩やかな傾斜をもたせ
て形成している。１４は基板１１の上面に形成されたそ
れぞれの側面電極１２と平坦層１３とを跨ぐように設け
られたニクロムとニッケルとからなる配線電極であり、
平坦層１３と後述するパーマロイからなる強磁性薄膜と
の段差部を補強し、強磁性薄膜と側面電極１２との電気
的導通を得るために設けており、厚みは総厚３０００Å
とした。１５は平坦層１３と配線電極１４との上面に配
線電極１４の一部が露出するように設けられたパーマロ
イからなる所望のパターンを有する強磁性薄膜であり、
その磁気的および電気的特性から総厚５００〜２０００
Åで形成している。Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４はそれぞれ
図１の基板上面からみた強磁性薄膜の磁気感知部であ
る。１６，１７は少なくとも強磁性薄膜１５を覆うよう
に設けられたフェノール系の樹脂等からなる第１、第２
の絶縁性保護層である。ここで、絶縁性保護層を２層形
成することでピンホールの影響が除去でき総厚３０μｍ
とした。また、その強磁性薄膜１５を外的要因から保護
する目的からは全面に形成されるのが良いが、印刷時に
絶縁性の樹脂がスルーホール内部に流れ込み側面電極１
２を覆ってしまうため、はんだ付け性が悪くなる。した
がって本実施の形態では粘度３００〜６００ＰＳの絶縁
性樹脂を用いて、かつ側面電極１２と第１、第２の絶縁
性保護層１６，１７との間に２００〜５００μｍのすき
まをもたせることで絶縁性樹脂がスルーホールに流れ込
むのを防いでいる。１８は少なくとも露出された配線電
極１４を覆うように設けられた銀−レジン等からなる導
電性保護層であり、スルーホール内部にも流れ込むよう
に約３０μｍで形成した。１９ははんだ付け性を確保す
るために側面電極１２と導電性保護層１８とを覆うよう
に設けられた錫−鉛合金等からなるはんだめっき層であ
る。
【００２１】以上のように構成された磁気抵抗素子につ
いて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明す
る。
いて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明す
る。
【００２２】図３は本発明の一実施の形態における磁気
抵抗素子の工程図、図４は同断面を示す工程図である。
抵抗素子の工程図、図４は同断面を示す工程図である。
【００２３】まず、図３（ａ）に示すように、スルーホ
ール２１を有するアルミナからなる原基板２２の上面に
銀−パラジウムからなる厚膜導体ペーストを印刷・乾燥
した後、下面に銀−パラジウムからなる厚膜導体ペース
トを印刷しスルーホール２１内に余分な厚膜導体ペース
トを供給し焼成することで側面電極１２を形成する。
ール２１を有するアルミナからなる原基板２２の上面に
銀−パラジウムからなる厚膜導体ペーストを印刷・乾燥
した後、下面に銀−パラジウムからなる厚膜導体ペース
トを印刷しスルーホール２１内に余分な厚膜導体ペース
トを供給し焼成することで側面電極１２を形成する。
【００２４】次に、側面電極１２に接しないように設け
られたパターンを有するマスクを用いて図３（ｂ）に示
すように、原基板２２の上面にガラスからなるペースト
を印刷・焼成することで平坦層２３を形成する。
られたパターンを有するマスクを用いて図３（ｂ）に示
すように、原基板２２の上面にガラスからなるペースト
を印刷・焼成することで平坦層２３を形成する。
【００２５】次に、図３（ｃ）に示すように、原基板２
２の上面に側面電極１２と平坦層２３とを跨ぐように設
けられたパターンを有するマスクを重ねて、第１層にニ
クロム、第２層にニッケルとを真空蒸着して、配線電極
１４を形成する。
２の上面に側面電極１２と平坦層２３とを跨ぐように設
けられたパターンを有するマスクを重ねて、第１層にニ
クロム、第２層にニッケルとを真空蒸着して、配線電極
１４を形成する。
【００２６】次に、図３（ｄ）に示すように、原基板２
２の配線電極１４と平坦層２３との上面にパーマロイか
らなる強磁性材料を真空蒸着しエッチングすることで、
所望パターンを有する強磁性薄膜１５を形成する。
２の配線電極１４と平坦層２３との上面にパーマロイか
らなる強磁性材料を真空蒸着しエッチングすることで、
所望パターンを有する強磁性薄膜１５を形成する。
【００２７】次に、図３（ｅ）に示すように、原基板２
２の上面に少なくとも強磁性薄膜１５を覆うようにかつ
スルーホール２１に絶縁性の樹脂が流れ込まないように
かつ配線電極１４の一部が露出するように設けられたマ
スクを用いて、フェノール系からなる樹脂を印刷・焼成
することで第１、第２の絶縁性保護層１６，１７を形成
する。
２の上面に少なくとも強磁性薄膜１５を覆うようにかつ
スルーホール２１に絶縁性の樹脂が流れ込まないように
かつ配線電極１４の一部が露出するように設けられたマ
スクを用いて、フェノール系からなる樹脂を印刷・焼成
することで第１、第２の絶縁性保護層１６，１７を形成
する。
【００２８】次に、図３（ｆ）に示すように、原基板２
２の上面に少なくとも露出された配線電極１４を覆うよ
うに設けられたマスクを用いて、導電材料からなる樹脂
を印刷・焼成することで導電性保護層１８を形成する。
２の上面に少なくとも露出された配線電極１４を覆うよ
うに設けられたマスクを用いて、導電材料からなる樹脂
を印刷・焼成することで導電性保護層１８を形成する。
【００２９】次に、図３（ｆ）に示すように、原基板２
２において、隣接するスルーホール間で分割し図４
（ｆ）に示すように個片にする。
２において、隣接するスルーホール間で分割し図４
（ｆ）に示すように個片にする。
【００３０】最後に、図４（ｇ）に示すように、基板１
１の側面電極１２および導電性保護層１８に錫−鉛合金
等からなるはんだめっき層１９を形成して、磁気抵抗素
子を製造するものである。
１の側面電極１２および導電性保護層１８に錫−鉛合金
等からなるはんだめっき層１９を形成して、磁気抵抗素
子を製造するものである。
【００３１】以上のように構成・製造された本発明の一
実施の形態における磁気抵抗素子について以下に信頼性
試験を行った結果を説明する。
実施の形態における磁気抵抗素子について以下に信頼性
試験を行った結果を説明する。
【００３２】まず、湿中通電試験において従来構造品で
は約５００時間で断線不良が発生していたが、本構造品
においては寿命が約３倍まで改善される結果が得られ
た。また、はんだめっき層を形成した後、湿中通電試験
を行うと従来構造品では約２５０時間で断線不良が発生
していたが、本構造品においては寿命が約４倍まで改善
される結果が得られた。
は約５００時間で断線不良が発生していたが、本構造品
においては寿命が約３倍まで改善される結果が得られ
た。また、はんだめっき層を形成した後、湿中通電試験
を行うと従来構造品では約２５０時間で断線不良が発生
していたが、本構造品においては寿命が約４倍まで改善
される結果が得られた。
【００３３】以上のように構成・製造された本発明の一
実施の形態における磁気抵抗素子について以下にその動
作を説明する。
実施の形態における磁気抵抗素子について以下にその動
作を説明する。
【００３４】図５は本発明の一実施の形態における磁気
抵抗素子の等価回路図、図６は同要部である磁気抵抗素
子の磁気感知部に対する磁界印加方向を表した模式図、
図７は同使用例を示す斜視図である。
抵抗素子の等価回路図、図６は同要部である磁気抵抗素
子の磁気感知部に対する磁界印加方向を表した模式図、
図７は同使用例を示す斜視図である。
【００３５】強磁性薄膜を用いた磁気抵抗素子は一般的
に長手方向を有する短冊に形状を加工することで形状磁
気異方性を得ることが知られており、長手方向と直角に
磁界が加わるとその抵抗値が減少することが知られてい
る。図２においてＰ１からＰ４はそのような目的で形成
された磁気感知部であり、図５に示すＲ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４はそれぞれ磁気感知部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４
の抵抗値である。図６に示すように磁気抵抗素子に磁界
が加わると前述の形状磁気異方性の関係からＲ１とＲ３
が、またこの磁界と直角に同じ強度の磁界が加わるとＲ
２とＲ４が同等な抵抗値変化を示すことになる。
に長手方向を有する短冊に形状を加工することで形状磁
気異方性を得ることが知られており、長手方向と直角に
磁界が加わるとその抵抗値が減少することが知られてい
る。図２においてＰ１からＰ４はそのような目的で形成
された磁気感知部であり、図５に示すＲ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４はそれぞれ磁気感知部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４
の抵抗値である。図６に示すように磁気抵抗素子に磁界
が加わると前述の形状磁気異方性の関係からＲ１とＲ３
が、またこの磁界と直角に同じ強度の磁界が加わるとＲ
２とＲ４が同等な抵抗値変化を示すことになる。
【００３６】図７に示すように実装基板３２に、Ｎ極お
よびＳ極が交互に着磁された回転ドラム３３と回転ドラ
ムの外周部に磁気抵抗素子３１とがはんだ付けされて設
けられている。図７に示すように回転ドラム３３が回転
することで、磁気抵抗素子３１に回転ドラムからの漏れ
磁界が印加される。そうすると図５の等価回路図におい
てＲ１およびＲ３の抵抗値が変動する。そのためＲ１‖
Ｒ２，Ｒ３‖Ｒ４における抵抗の分圧比が変動する。と
ころで１２ａ−１２ｃ間に定電圧が印加されているた
め、この漏れ磁界強度が変動すると１２ｂおよび１２ｄ
の出力電圧が磁界強度Ｈに応じて正弦波的に変動する。
この出力電圧の変動を検出することで、回転ドラム３３
の回転速度および回転角度を検出して制御する。
よびＳ極が交互に着磁された回転ドラム３３と回転ドラ
ムの外周部に磁気抵抗素子３１とがはんだ付けされて設
けられている。図７に示すように回転ドラム３３が回転
することで、磁気抵抗素子３１に回転ドラムからの漏れ
磁界が印加される。そうすると図５の等価回路図におい
てＲ１およびＲ３の抵抗値が変動する。そのためＲ１‖
Ｒ２，Ｒ３‖Ｒ４における抵抗の分圧比が変動する。と
ころで１２ａ−１２ｃ間に定電圧が印加されているた
め、この漏れ磁界強度が変動すると１２ｂおよび１２ｄ
の出力電圧が磁界強度Ｈに応じて正弦波的に変動する。
この出力電圧の変動を検出することで、回転ドラム３３
の回転速度および回転角度を検出して制御する。
【００３７】なお、本発明の一実施の形態では強磁性薄
膜にパーマロイを例にして説明したが、これは磁気抵抗
効果を有する強磁性材料としても同様の効果が得られ
る。
膜にパーマロイを例にして説明したが、これは磁気抵抗
効果を有する強磁性材料としても同様の効果が得られ
る。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電性保
護層を設けることで側面電極と絶縁性保護層とのすきま
がなくなるため、耐湿性等の面での信頼性を得ることが
できるという有利な効果が得られる。また、スルーホー
ル内部へ導電性保護層樹脂が流れ込んでも、側面電極の
はんだぬれ性が劣化せず、従来と同等である。
護層を設けることで側面電極と絶縁性保護層とのすきま
がなくなるため、耐湿性等の面での信頼性を得ることが
できるという有利な効果が得られる。また、スルーホー
ル内部へ導電性保護層樹脂が流れ込んでも、側面電極の
はんだぬれ性が劣化せず、従来と同等である。
【００３９】また、本実施例に示した導電性保護層を設
けることでめっき処理液の浸入が防止でき、容易にはん
だめっき層が形成できる。
けることでめっき処理液の浸入が防止でき、容易にはん
だめっき層が形成できる。
【図１】本発明の一実施の形態における磁気抵抗素子を
示す断面図
示す断面図
【図２】同要部である絶縁性保護層と導電性保護層とは
んだめっき層とを外した上面図
んだめっき層とを外した上面図
【図３】同工程図
【図４】同断面を示す工程図
【図５】同等価回路図
【図６】同要部である磁気抵抗素子の磁気感知部に対す
る磁界印加方向を表した模式図
る磁界印加方向を表した模式図
【図７】同使用例を示す斜視図
【図８】従来の磁気抵抗素子の断面図
【図９】同模式図
【図１０】同使用例を模式した斜視図
１１ 基板 １２ 側面電極 １３ 平坦層 １４ 配線電極 １５ 強磁性薄膜 １６ 第１の絶縁性保護層 １７ 第２の絶縁性保護層 １８ 導電性保護層 ２１ スルーホール ２２ 原基板 ２３ 平坦層 ３１ 磁気抵抗素子
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、前記基板の少なくとも上面の側
部から側面にかけて設けられた２つ以上の側面電極と、
前記基板の略中央部に前記側面電極と接しないように設
けられた平坦層と、前記側面電極と平坦層とを跨ぐよう
に設けられた配線電極と、前記平坦層と配線電極との上
面に前記配線電極の上面の一部が露出するように設けら
れた強磁性薄膜と、少なくとも前記強磁性薄膜を覆うよ
うに設けられた絶縁性保護層と、少なくとも露出された
前記配線電極を覆うように設けられた導電性保護層とか
らなる磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 絶縁性保護層は、少なくとも２層以上で
ある請求項１記載の磁気抵抗素子。 - 【請求項３】 スルーホールを有する原基板の前記スル
ーホールに側面電極を形成する工程と、前記原基板の隣
接するスルーホールの交点の略中央に平坦層を形成する
工程と、前記側面電極と平坦層とを跨ぐように配線電極
を形成する工程と、前記配線電極と平坦層を上面に前記
配線電極の一部が露出するように強磁性薄膜を形成する
工程と、少なくとも前記強磁性薄膜を覆うように絶縁性
保護層を形成する工程と、露出された前記配線電極を覆
うように導電性保護層を形成する工程と、前記スルーホ
ール間を切断する工程とからなる磁気抵抗素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06772696A JP3684658B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06772696A JP3684658B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260741A true JPH09260741A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3684658B2 JP3684658B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=13353262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06772696A Expired - Fee Related JP3684658B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3684658B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077742A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JP2000150983A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Asahi Kasei Denshi Kk | ホ―ル素子およびその製造方法 |
| JP4846955B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2011-12-28 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁電変換素子 |
| JP2020178045A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
| WO2022107764A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP06772696A patent/JP3684658B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150983A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Asahi Kasei Denshi Kk | ホ―ル素子およびその製造方法 |
| JP2000077742A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JP4846955B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2011-12-28 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁電変換素子 |
| JP2020178045A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
| WO2022107764A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3684658B2 (ja) | 2005-08-17 |
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Legal Events
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