WO2022107764A1

WO2022107764A1 - 磁気センサ

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Publication number: WO2022107764A1
Application number: PCT/JP2021/042084
Authority: WO
Inventors: 一宏神田; 正彦大林; 裕樹大山; 秀之谷川; 正孝田川
Original assignee: パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date: 2020-11-23
Filing date: 2021-11-16
Publication date: 2022-05-27
Also published as: CN216900887U; JPWO2022107764A1; US20240003990A1

Abstract

本開示の課題は、支持基板の切断時における磁気抵抗層への影響を低減することである。本開示に係る磁気センサ（１）は、支持基板（１１）と、グレーズ層と、磁気抵抗層（１３）と、を備える。グレーズ層は、支持基板（１１）上に形成されている。磁気抵抗層（１３）は、グレーズ層上に形成されている。支持基板（１１）の厚さ方向からの平面視において、磁気抵抗層（１３）の外縁（１３０）は支持基板（１１）の外縁（１１０）よりも内側に位置している。

Description

磁気センサ

　本開示は、一般に磁気センサに関し、より詳細には、磁気抵抗層を備える磁気センサに関する。

　特許文献１には、グレーズドアルミナ基板（支持基板）を備える強磁性磁気抵抗素子（磁気センサ）が記載されている。特許文献１に記載の強磁性磁気抵抗素子では、グレーズドアルミナ基板上に強磁性磁気抵抗膜パターン（磁気抵抗層）が形成されている。強磁性磁気抵抗膜パターンの一部は、引出電極として、グレーズドアルミナ基板の端部まで引き出されている。

　特許文献１に記載の磁気センサでは、上述したように、強磁性磁気抵抗膜パターンがグレーズドアルミナ基板の端部まで引き出されている。そのため、例えば、ダイシング又はレーザでグレーズドアルミナ基板を切断する際に、グレーズドアルミナ基板の端部に機械的衝撃又は熱的ストレスが加わることで、強磁性磁気抵抗膜パターンが大きく剥がれたり、密着性が低下する場合がある。

特開平５－７５１８０号公報

　本開示の目的は、支持基板の切断時における磁気抵抗層への影響を低減することが可能な磁気センサを提供することにある。

　本開示の一態様に係る磁気センサは、支持基板と、グレーズ層と、磁気抵抗層と、を備える。前記グレーズ層は、前記支持基板上に形成されている。磁気抵抗層は、前記グレーズ層上に形成されている。前記支持基板の厚さ方向からの平面視において、前記磁気抵抗層の外縁は前記支持基板の外縁よりも内側に位置している。

図１は、実施形態に係る磁気センサの外観斜視図である。図２Ａは、同上の磁気センサに関し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。図２Ｂは、図２Ａの要部拡大図である。図３は、同上の磁気センサの検知対象の概略構成図である。図４は、同上の磁気センサの概略回路図である。図５は、同上の磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子パターン部の配置例を示す配置図である。図６Ａは、同上の磁気センサの第１特性を示すグラフである。図６Ｂは、比較例に係る磁気センサの第１特性を示すグラフである。図７Ａは、実施形態に係る磁気センサの第２特性を示すグラフである。図７Ｂは、比較例に係る磁気センサの第２特性を示すグラフである。図８は、実施形態の比較例１に係る磁気センサの要部拡大図である。

　以下、実施形態に係る磁気センサ１について、図１～図８を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図１～図３、図５及び図８は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態）
　（１）概要
　まず、実施形態に係る磁気センサ１の概要について、図１～図３を参照して説明する。

　磁気センサ１は、磁気を利用して検知対象２の位置を検知する。磁気センサ１は、例えば、リニアエンコーダ又はロータリエンコーダ等の位置センサとして用いられる。具体的には、磁気センサ１は、例えば、モータ（リニアモータ又は回転モータ）により駆動されたカメラのレンズ等の位置を検知するための位置センサ（エンコーダ）として用いられる。また、磁気センサ１は、例えば、自動車のブレーキペダル、ブレーキレバー又はシフトレバーの位置を検知するための位置センサとしても用いられる。ただし、磁気センサ１の用途は、上述の用途に限定されない。また、磁気センサ１で検知される「位置」とは、検知対象２の座標と、検知対象２を通る回転軸（仮想軸）を中心とする検知対象２の回転角（検知対象２の向き）と、の両方を含む概念である。つまり、磁気センサ１は、検知対象２の座標と、検知対象２の回転角との少なくとも一方を検知する。

　以下では、磁気センサ１がリニアエンコーダとして用いられる場合を例に説明する。リニアエンコーダは、インクリメント型であってもよいし、アブソリュート型であってもよい。本実施形態では、磁気センサ１は、検知対象２の座標を検知する。

　実施形態に係る磁気センサ１は、支持基板１１と、ガラスグレーズ層（グレーズ層）１２と、磁気抵抗層１３と、を備える。ガラスグレーズ層１２は、支持基板１１上に形成されている。磁気抵抗層１３は、ガラスグレーズ層１２上に形成されている。支持基板１１の厚さ方向（第３方向Ｄ３）からの平面視において、磁気抵抗層１３の外縁１３０は支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置している。

　実施形態に係る磁気センサ１では、上述したように、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、磁気抵抗層１３の外縁１３０は支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置している。これにより、例えば、ダイシング又はレーザを用いて支持基板１１を切断する際に、磁気抵抗層１３の外縁１３０に機械的衝撃又は熱的ストレスが加わりにくい。その結果、ガラスグレーズ層１２から磁気抵抗層１３が剥がれたり、ガラスグレーズ層１２と磁気抵抗層１３との密着性が低下するのを抑制することが可能となる。すなわち、実施形態に係る磁気センサ１によれば、支持基板１１の切断時における磁気抵抗層１３への影響を低減することが可能となる。

　（２）詳細
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の詳細について、図１～図５を参照して説明する。

　（２．１）磁気センサの構造
　まず、実施形態に係る磁気センサ１の構造について、図１、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。

　実施形態に係る磁気センサ１は、図１及び図２Ａに示すように、第１方向Ｄ１に長い直方体状に形成されている。以下では、磁気センサ１の長手方向が第１方向Ｄ１であり、磁気センサ１の幅方向（短手方向）が第２方向Ｄ２であり、磁気センサ１の厚さ方向が第３方向Ｄ３であるとして説明するが、これらの方向は磁気センサ１の使用時の方向を限定する趣旨ではない。また、図面中の「Ｄ１」、「Ｄ２」、「Ｄ３」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。本実施形態では、第１方向Ｄ１は、検知対象２に対して磁気センサ１が移動する方向である。また、本実施形態では、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３は、互いに直交している。

　実施形態に係る磁気センサ１は、図１及び図２Ａに示すように、支持基板１１と、ガラスグレーズ層（グレーズ層）１２と、磁気抵抗層１３と、を備えている。また、実施形態に係る磁気センサ１は、保護膜１４と、複数（例えば４つ）の上面電極１５と、複数（例えば４つ）の端面電極１６と、複数（例えば４つ）の下面電極（裏面電極）１７と、複数（例えば４つ）のめっき層１８と、を更に備えている。複数の上面電極１５と複数の端面電極１６と複数の下面電極１７とは、一対一に対応している。

　支持基板１１は、例えば、セラミック基板である。セラミック基板の材料は、例えば、アルミナ含有率が９６％以上のアルミナ焼結体である。支持基板１１は、磁気センサ１の厚さ方向である第３方向Ｄ３から見て、磁気センサ１の長手方向である第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。支持基板１１は、図２Ａに示すように、第１主面１１１と、第２主面１１２と、外周面１１３と、を有している。第１主面１１１及び第２主面１１２の各々は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方に沿った平面である。第１主面１１１と第２主面１１２とは、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３において互いに対向している。外周面１１３は、第３方向Ｄ３に沿った平面である。また、外周面１１３は、第１主面１１１と第２主面１１２とをつないでいる。

　ガラスグレーズ層（グレーズ層）１２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする。ガラスグレーズ層１２は、支持基板１１の第１主面１１１上に形成されている。ガラスグレーズ層１２は、支持基板１１の第１主面１１１の全体にわたって形成されている。ガラスグレーズ層１２は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１（図２Ａ参照）は、例えば、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下である。実施形態に係る磁気センサ１では、ガラスグレーズ層１２によって磁気抵抗層１３が形成される平面の平滑性が得られる。なお、ガラスグレーズ層１２は、少なくとも複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４（後述する）の配置される領域にあればよい。また、ガラスグレーズ層１２は、鉛酸化物を含んでいてもよい。

　磁気抵抗層１３は、図２Ａに示すように、ガラスグレーズ層１２上に形成されている。磁気抵抗層１３は、複数の第１層と、複数の第２層と、を含む。複数の第１層の各々は、磁性層であって、例えば、ＮｉＦｅＣｏ合金を含む。複数の第２層の各々は、非磁性層であって、例えば、Ｃｕ合金を含む。複数の第１層と複数の第２層とは、ガラスグレーズ層１２上において交互に積層されている。実施形態に係る磁気センサ１では、磁気抵抗層１３によりＧＭＲ（Giant Magnetic Resistance）膜が構成されている。なお、複数の第１層の層数と複数の第２層の層数とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

　保護膜１４は、磁気抵抗層１３を保護するための膜である。保護膜１４の材料は、例えば、エポキシ樹脂である。保護膜１４は、ガラスグレーズ層１２上において、磁気抵抗層１３の一部を覆うように形成されている。実施形態に係る磁気センサ１では、後述の電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４（図４及び図５参照）がそれぞれ複数の上面電極１５のいずれかに接続されるため、保護膜１４は、磁気抵抗層１３のうち、少なくとも電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４を除いた領域を覆うように形成されている。

　複数の上面電極１５は、図１に示すように、支持基板１１の第１主面１１１（図２Ａ参照）上に形成されている。複数の上面電極１５の材料は、例えば、銅ニッケル（ＣｕＮｉ）系合金である。複数の上面電極１５は、第１上面電極１５１と、第２上面電極１５２と、第３上面電極１５３と、第４上面電極１５４と、を含む。複数の上面電極１５の各々は、磁気抵抗層１３のうち、電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４のいずれかに接続されている。より詳細には、複数の上面電極１５のうち、第１上面電極１５１は電源端子２１に接続され、第２上面電極１５２はグランド端子２２に接続されている。また、複数の上面電極１５のうち、第３上面電極１５３は第１出力端子２３に接続され、第４上面電極１５４は第２出力端子２４に接続されている。複数の上面電極１５は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。

　複数の端面電極１６は、図１に示すように、支持基板１１の長手方向（第１方向Ｄ１）に沿って支持基板１１の長手方向の外周面１１３（図２Ａ参照）を覆うように形成されている。複数の端面電極１６の材料は、例えば、銅ニッケル（ＣｕＮｉ）系合金である。複数の端面電極１６は、第１端面電極１６１と、第２端面電極１６２と、第３端面電極１６３と、第４端面電極１６４と、を含む。複数の端面電極１６は、上述したように、複数の上面電極１５と一対一に対応している。より詳細には、第１端面電極１６１は、第１上面電極１５１と対応しており、第１上面電極１５１に接続されている。第２端面電極１６２は、第２上面電極１５２と対応しており、第２上面電極１５２に接続されている。第３端面電極１６３は、第３上面電極１５３と対応しており、第３上面電極１５３に接続されている。第４端面電極１６４は、第４上面電極１５４と対応しており、第４上面電極１５４に接続されている。複数の端面電極１６は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。

　複数の下面電極１７は、図１に示すように、支持基板１１の第２主面１１２（図２Ａ参照）上に形成されている。複数の下面電極１７の材料は、例えば、銅ニッケル（ＣｕＮｉ）系合金である。複数の下面電極１７は、第１下面電極１７１と、第２下面電極１７２と、第３下面電極１７３と、第４下面電極１７４と、を含む。複数の下面電極１７は、上述したように、複数の上面電極１５及び複数の端面電極１６と一対一に対応している。より詳細には、第１下面電極１７１は、第１上面電極１５１及び第１端面電極１６１と対応しており、第１端面電極１６１に接続されている。第２下面電極１７２は、第２上面電極１５２及び第２端面電極１６２と対応しており、第２端面電極１６２に接続されている。第３下面電極１７３は、第３上面電極１５３及び第３端面電極１６３と対応しており、第３端面電極１６３に接続されている。第４下面電極１７４は、第４上面電極１５４及び第４端面電極１６４と対応しており、第４端面電極１６４に接続されている。複数の下面電極１７は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。

　実施形態に係る磁気センサ１では、第１上面電極１５１、第１端面電極１６１及び第１下面電極１７１は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第２上面電極１５２、第２端面電極１６２及び第２下面電極１７２は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第３上面電極１５３、第３端面電極１６３及び第３下面電極１７３は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第４上面電極１５４、第４端面電極１６４及び第４下面電極１７４は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。すなわち、実施形態に係る磁気センサ１では、上面電極１５、端面電極１６及び下面電極１７は、磁気抵抗層１３に電気的に接続されており、支持基板１１の第１主面１１１、外周面１１３及び第２主面１１２に跨って形成されている。実施形態に係る磁気センサ１では、上面電極１５、端面電極１６及び下面電極１７により電極が構成されている。

　実施形態に係る磁気センサ１によれば、磁気センサ１が実装される実装基板に対して複数の下面電極１７により接続することが可能である。

　複数のめっき層１８の各々は、図１に示すように、複数の上面電極１５、複数の端面電極１６及び複数の下面電極１７のうち、対応する上面電極１５、端面電極１６及び下面電極１７を覆うように形成されている。すなわち、複数のめっき層１８の各々は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。複数のめっき層１８の各々は、図２Ｂに示すように、電解銅めっき層１８１と、電解錫めっき層１８２と、を含む。すなわち、複数のめっき層１８の各々は、非磁性のめっき層である。図２Ｂに示す例では、電解銅めっき層１８１が内側（電極側）、電解錫めっき層１８２が外側（電解銅めっき層１８１に対して電極側とは反対側）となるように積層されている。複数のめっき層１８の各々は、図２Ａに示すように、保護膜１４に接している。なお、めっき層１８は、電解錫めっき層１８２の代わりに、電解金めっき層又は無電解金めっき層を含んでいてもよい。

　（２．２）検知対象の構造
　次に、検知対象２の構造について、図３を参照して説明する。

　検知対象２は、例えば、磁気スケールである。検知対象２は、図３に示すように、第１方向Ｄ１に沿って長尺な板状に形成されている。検知対象２は、第３方向Ｄ３（図３の紙面に垂直な方向）において磁気センサ１と対向している。

　検知対象２は、複数の磁極を含む。複数の磁極は、第１方向Ｄ１に沿って配置されている。複数の磁極は、１以上のＮ極と、１以上のＳ極と、を含む。複数の磁極は、１以上のＳ極と１以上のＮ極とが第１方向Ｄ１に交互に並ぶように配置されている。各磁極は、例えば、フェライト磁石又はネオジム磁石である。検知対象２は、複数のフェライト磁石又は複数のネオジム磁石が第１方向Ｄ１に沿って配置されている。検知対象２は、図３に示すように、第１方向Ｄ１において着磁周期λで着磁されている。

　（２．３）磁気センサの回路構成
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の回路構成について、図４を参照して説明する。

　実施形態に係る磁気センサ１は、図４に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１配線パターン部１３５と、第２配線パターン部１３６と、第３配線パターン部１３７と、第４配線パターン部１３８と、第５配線パターン部１３９（図５参照）と、第６配線パターン部１４０（図５参照）と、を備えている。また、実施形態に係る磁気センサ１は、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を更に備えている。実施形態に係る磁気センサ１は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４として、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４を備えている。４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。

　第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４は、フルブリッジ回路を構成している。具体的には、第１磁気抵抗パターン部１３１及び第２磁気抵抗パターン部１３２の直列回路と、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の直列回路と、が互いに並列に接続されている。すなわち、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部１３１及び第２磁気抵抗パターン部１３２と、互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。

　第１磁気抵抗パターン部１３１と第２磁気抵抗パターン部１３２との接続点Ｐ１は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。すなわち、第１出力端子２３に接続されている第３配線パターン部１３７は、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４のうち互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、に接続されている。第１磁気抵抗パターン部１３１における第２磁気抵抗パターン部１３２側とは反対側の端部は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。すなわち、第１配線パターン部１３５は、電源端子２１に接続されている。第２磁気抵抗パターン部１３２における第１磁気抵抗パターン部１３１側とは反対側の端部は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。すなわち、第２配線パターン部１３６は、グランド端子２２に接続されている。

　第３磁気抵抗パターン部１３３と第４磁気抵抗パターン部１３４との接続点Ｐ２は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。すなわち、第２出力端子２４に接続されている第４配線パターン部１３８は、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４のうち互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、に接続されている。第３磁気抵抗パターン部１３３における第４磁気抵抗パターン部１３４側とは反対側の端部は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。第４磁気抵抗パターン部１３４における第３磁気抵抗パターン部１３３側とは反対側の端部は、第２配線パターン部１３６を介してグランド２２に接続されている。

　すなわち、実施形態に係る磁気センサ１では、第１磁気抵抗パターン部１３１と第３磁気抵抗パターン部１３３との接続点Ｐ３は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。言い換えると、第１配線パターン部１３５は、第１磁気抵抗パターン部１３１における第２磁気抵抗パターン部１３２側とは反対側の端部と、第３磁気抵抗パターン部１３３における第４磁気抵抗パターン部１３４側とは反対側の端部と、に接続されている。

　また、実施形態に係る磁気センサ１では、第２磁気抵抗パターン部１３２と第４磁気抵抗パターン部１３４との接続点Ｐ４は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。言い換えると、第２配線パターン部１３６は、第２磁気抵抗パターン部１３２における第１磁気抵抗パターン部１３１側とは反対側の端部と、第４磁気抵抗パターン部１３４における第３磁気抵抗パターン部１３３側とは反対側の端部と、に接続されている。

　電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４は、複数の上面電極１５と一対一に対応している。より詳細には、電源端子２１は、複数の上面電極１５のうち第１上面電極１５１と一対一に対応しており、第１上面電極１５１に接続される。また、グランド端子２２は、複数の上面電極１５のうち第２上面電極１５２と一対一に対応しており、第２上面電極１５２に接続される。また、第１出力端子２３は、複数の上面電極１５のうち第３上面電極１５３と一対一に対応しており、第３上面電極１５３に接続される。また、第２出力端子２４は、複数の上面電極１５のうち第４上面電極１５４と一対一に対応しており、第４上面電極１５４に接続される。以下の説明では、電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第４出力端子２４の各々を、「端子パターン部２１～２４」ともいう。すなわち、本実施形態では、電源端子２１により端子パターン部２１が構成され、グランド端子２２により端子パターン部２２が構成されている。また、第１出力端子２３により端子パターン部２３が構成され、第２出力端子２４により端子パターン部２４が構成されている。

　（２．４）磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子パターン部の配置例
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第６配線パターン部１３５～１４０及び複数（４つ）の端子パターン部２１～２４の配置例について、図５を参照して説明する。図５では、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第６配線パターン部１３５～１４０及び複数の端子パターン部２１～２４を識別しやすいように、これらに対してドットハッチングを施している。

　複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、図５に示すように、磁気センサ１の長手方向である第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、上述したように、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。

　第１磁気抵抗パターン部１３１は、図５に示すように、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を含む。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。すなわち、第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って蛇行した川のような形状に形成されている。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第２方向Ｄ２に沿って形成されている。すなわち、第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々の長手方向は、第２方向Ｄ２に沿った方向である。第１抵抗部１３１１と第２抵抗部１３１２とは、互いに直列に接続されている。より詳細には、第１抵抗部１３１１と第２抵抗部１３１２とは、後述の第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２を介して互いに直列に接続されている。

　第２磁気抵抗パターン部１３２は、図５に示すように、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を含む。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。すなわち、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って蛇行した川のような形状に形成されている。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第２方向Ｄ２に沿って形成されている。すなわち、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々の長手方向は、第２方向Ｄ２に沿った方向である。第１抵抗部１３２１と第２抵抗部１３２２とは、互いに直列に接続されている。より詳細には、第１抵抗部１３２１と第２抵抗部１３２２とは、第６配線パターン部１４０を介して互いに直列に接続されている。

　第３磁気抵抗パターン部１３３は、図５に示すように、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を含む。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。すなわち、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って蛇行した川のような形状に形成されている。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第２方向Ｄ２に沿って形成されている。すなわち、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々の長手方向は、第２方向Ｄ２に沿った方向である。第１抵抗部１３３１と第２抵抗部１３３２とは、互いに直列に接続されている。より詳細には、第１抵抗部１３３１と第２抵抗部１３３２とは、第５配線パターン部１３９を介して互いに直列に接続されている。

　第４磁気抵抗パターン部１３４は、図５に示すように、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を含む。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。すなわち、第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って蛇行した川のような形状に形成されている。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第２方向Ｄ２に沿って形成されている。すなわち、第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々の長手方向は、第２方向Ｄ２に沿った方向である。第１抵抗部１３４１と第２抵抗部１３４２とは、互いに直列に接続されている。より詳細には、第１抵抗部１３４１と第２抵抗部１３４２とは、後述の第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２を介して互いに直列に接続されている。

　実施形態に係る磁気センサ１では、図５に示すように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１方向Ｄ１において、左側から、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１、第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２、第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２、第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２、第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の順に並んでいる。

　ここで、図５に示す例では、複数の第１抵抗部１３１１，１３２１，１３３１，１３４１及び複数の第２抵抗部１３１２，１３２２，１３３２，１３４２のうち、内側の抵抗部１３２１，１３３１，１３１２，１３２２，１３３２，１３４２は、第３方向Ｄ３から見て、同一形状に形成されている。本開示において「内側の抵抗部」とは、第１方向Ｄ１における両側に他の抵抗部が配置されている抵抗部を意味する。すなわち、図５に示す例では、第１抵抗部１３２１，１３３１及び第２抵抗部１３１２，１３２２，１３３２，１３４２が内側の抵抗部である。また、本開示において「外側の抵抗部」とは、第１方向Ｄ１において片側にしか他の抵抗部が配置されていない抵抗部を意味する。すなわち、図５に示す例では、第１抵抗部１３１１，１３４１が外側の抵抗部である。さらに、本開示において「同一形状」とは、完全に同じ形状である場合だけでなく、磁界強度分布の変化に伴う抵抗値の変動が同じ挙動であるとみなせる程度において形状が異なっている場合も含む。したがって、内側の抵抗部１３２１，１３３１，１３１２，１３２２，１３３２，１３４２は、磁界強度分布の変化に伴う抵抗値の変動が同じ挙動であるとみなせる程度であれば互いの形状が異なっていてもよい。

　第１配線パターン部１３５は、図５に示すように、第１磁気抵抗パターン部１３１と端子パターン部（電源端子）２１との間、及び、第３磁気抵抗パターン部１３３と端子パターン部２１との間を接続している。第１配線パターン部１３５は、第１配線部１３５１と、第２配線部１３５２と、を含む。第１配線部１３５１は、第３方向Ｄ３から見て矩形状に形成されており、第１端部において端子パターン部２１に接続されている。第１配線部１３５１の第２端部は、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の第１端部、及び第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の第１端部に接続されている。第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の第２端部は、第５配線パターン部１３９に接続されている。第２配線部１３５２は、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されており、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の第２端部、及び第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の第１端部に接続されている。第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の第２端部は、第３配線パターン部１３７に接続されている。

　第２配線パターン部１３６は、図５に示すように、第２磁気抵抗パターン部１３２と端子パターン部（グランド端子）２２との間、及び、第４磁気抵抗パターン部１３４と端子パターン部２２との間を接続している。第２配線パターン部１３６は、第１配線部１３６１と、第２配線部１３６２と、を含む。第１配線部１３６１は、第３方向Ｄ３から見て矩形状に形成されており、第１端部において端子パターン部２２に接続されている。第１配線部１３６１の第２端部は、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の第１端部、及び第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の第１端部に接続されている。第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０に接続されている。第２配線部１３６２は、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されており、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の第２端部、及び第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の第１端部に接続されている。第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の第２端部は、第４配線パターン部１３８に接続されている。

　第３配線パターン部１３７は、図５に示すように、第１磁気抵抗パターン部１３１と端子パターン部（第１出力端子）２３との間、及び、第２磁気抵抗パターン部１３２と端子パターン部２３との間を接続している。第３配線パターン部１３７は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部において端子パターン部２３に接続されている。第３配線パターン部１３７の第２端部は、上述したように、第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の第２端部、及び第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。

　第４配線パターン部１３８は、図５に示すように、第３磁気抵抗パターン部１３３と端子パターン部（第２出力端子）２４との間、及び、第４磁気抵抗パターン部１３４と端子パターン部２４との間を接続している。第４配線パターン部１３８は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部において端子パターン部２４に接続されている。第４配線パターン部１３８の第２端部は、上述したように、第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の第２端部、及び第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。

　第５配線パターン部１３９は、図５に示すように、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されている。第５配線パターン部１３９は、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１と第２抵抗部１３３２とを接続している。第６配線パターン部１４０は、図５に示すように、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されている。第６配線パターン部１４０は、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１と第２抵抗部１３２２とを接続している。

　実施形態に係る磁気センサ１では、上述の磁気抵抗層１３が、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第６配線パターン部１３５～１４０及び複数の端子パターン部２１～２４を構成している。すなわち、実施形態に係る磁気センサ１では、第１～第６配線パターン部１３５～１４０及び複数の端子パターン部２１～２４は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と同じ材料で形成されている。

　本実施形態では、例えば、検知対象２に対して磁気センサ１が第１方向Ｄ１に沿って移動することによって磁気センサ１と検知対象２との間の磁界強度が変化し、この磁界強度の変化により複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値が変動する。そして、第１出力端子２３及び第２出力端子２４の電位を検出することにより、検知対象２の位置を検知することが可能となる。なお、磁気センサ１と検知対象２とは、相対的に移動するように構成されていればよく、磁気センサ１に対して検知対象２が移動するように構成されていてもよい。

　（２．５）磁気抵抗層の配置
　次に、第１主面１１１上にガラスグレーズ層１２が形成された支持基板１１に対する磁気抵抗層１３の配置について、図１、図２Ａ及び図５を参照して説明する。

　図１及び図２Ａに示すように、第３方向Ｄ３（支持基板１１の厚さ方向）からの平面視において、磁気抵抗層１３の外縁１３０は支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置している。図１に示す例では、磁気抵抗層１３の外縁１３０は、全周にわたって、支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置しているが、磁気抵抗層１３の外縁１３０は、その一部において支持基板１１の外縁１１０と重なっていてもよい。すなわち、「磁気抵抗層１３の外縁１３０が支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置している」とは、磁気抵抗層１３の外縁１３０の少なくとも一部が支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置していることをいう。

　磁気抵抗層１３の外縁１３０は、図１及び図２Ａに示すように、２つの第１外縁１３０１と、２つの第２外縁１３０２と、を有している。すなわち、磁気抵抗層１３は、２つの第１外縁１３０１と、２つの第２外縁１３０２と、を有している。２つの第１外縁１３０１の各々は、第２方向Ｄ２に沿っている。２つの第２外縁１３０２の各々は、第１方向Ｄ１に沿っている。磁気抵抗層１３は、２つの第１外縁１３０１及び２つの第２外縁１３０２によって、第３方向Ｄ３からの平面視において第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。

　一方、支持基板１１の外縁１１０は、図１及び図２Ａに示すように、２つの第１外縁１１０１と、２つの第２外縁１１０２と、を有している。すなわち、支持基板１１０は、２つの第１外縁１１０１と、２つの第２外縁１１０２と、を有している。２つの第１外縁１１０１の各々は、第２方向Ｄ２に沿っている。２つの第２外縁１１０２の各々は、第１方向Ｄ１に沿っている。支持基板１１は、２つの第１外縁１１０１及び２つの第２外縁１１０２によって、第３方向Ｄ３からの平面視において第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。

　図１に示すように、第１方向Ｄ１において、支持基板１１の２つの第１外縁１１０１の各々と磁気抵抗層１３の２つの第１外縁１３０１のうち対応する第１外縁１３０１との間の距離（以下、「第１距離」という）はＬ１１である。また、図１及び図２Ａに示すように、第２方向Ｄ２において、支持基板１１の２つの第２外縁１１０２の各々と磁気抵抗層１３の２つの第２外縁１３０２のうち対応する第２外縁１３０２との間の距離（以下、「第２距離」という）はＬ１２である。第１距離Ｌ１１と第２距離Ｌ１２とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。本実施形態では、第１距離Ｌ１１と第２距離Ｌ１２とが同じであるとして説明する。

　ここで、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１（図２参照）に対する、第３方向Ｄ３（支持基板１１の厚さ方向）からの平面視における支持基板１１の外縁１１０と磁気抵抗層１３の外縁１３０との間の距離（第１距離Ｌ１１、第２距離Ｌ１２）の比率は、０．５以上、かつ、３．０以下であることが好ましい。より好ましくは、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率は、１．０以上、かつ、２．０以下であるのがよい。

　ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１は、上述したように、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下である。ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が０．５である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、５μｍ以上、かつ、２５μｍ以下となる。また、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が３．０である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、３０μｍ以上、かつ、１５０μｍ以下となる。すなわち、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が０．５以上、かつ、３．０以下である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、５μｍ以上、かつ、１５０μｍ以下となる。

　さらに、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が１．０である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、１０μｍ以上、かつ、５０μｍ以下となる。また、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が２．０である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、２０μｍ以上、かつ、１００μｍとなる。すなわち、ガラスグレーズ層１２の厚さＴ１に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々の比率が１．０以上、かつ、２．０以下である場合、第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、１０μｍ以上、かつ、１００μｍ以下となる。要するに、ガラスグレーズ層１２に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、５μｍ以上、かつ、１５０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、ガラスグレーズ層１２に対する第１距離Ｌ１１及び第２距離Ｌ１２の各々は、１０μｍ以上、かつ、１００μｍ以下であるのがよい。

　より詳細には、磁気抵抗層１３は、図５に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、複数（例えば４つ）の端子パターン部２１～２４と、を有している。複数の端子パターン部２１～２４は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の周囲に設けられている。第２方向Ｄ２における端子パターン部（電源端子）２１の外縁２１１は、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、支持基板１１の外縁１１０（第２外縁１１０２）よりも内側に位置している。また、第２方向Ｄ２における端子パターン部（グランド端子）２２の外縁２２１は、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、支持基板１１の外縁１１０（第２外縁１１０２）よりも内側に位置している。また、第２方向Ｄ２における端子パターン部（第１出力端子）２３の外縁２３１は、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、支持基板１１の外縁１１０（第２外縁１１０２）よりも内側に位置している。また、第２方向Ｄ２における端子パターン部（第２出力端子）２４の外縁２４１は、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、支持基板１１の外縁１１０（第２外縁１１０２）よりも内側に位置している。

　上述したように、磁気抵抗層１３の外縁１３０が支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置することで、後述の磁気センサ１の製造方法における第７工程においてダイシング又はレーザを用いて個々の磁気センサ１に切断する際に、支持基板１１に加えられる機械的衝撃又は熱的ストレスが磁気抵抗層１３に加えられるのを抑制することが可能となる。これにより、ガラスグレーズ層１２から磁気抵抗層１３が剥がれたり、ガラスグレーズ層１２と磁気抵抗層１３との密着性が低下するのを抑制することが可能となる。すなわち、実施形態に係る磁気センサ１によれば、支持基板１１の切断時における磁気抵抗層１３への影響を低減することが可能となる。

　（２．６）磁気センサの特性
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の特性について、比較例に係る磁気センサの特性と比較しながら説明する。

　（２．６．１）第１特性
　まず、実施形態に係る磁気センサ１の第１特性について、図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図６Ａ及び図６Ｂの各々の横軸は、入力信号１（磁気センサからの出力信号）であり、図６Ａ及び図６Ｂの各々の縦軸は、入力信号２（磁気センサからの出力信号）である。図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、入力信号１はｓｉｎ信号であり、入力信号２はｃｏｓ信号である。

　実施形態に係る磁気センサ１では、上述したように、めっき層１８は、電解銅めっき層１８１と電解錫めっき層１８２とを含む非磁性のめっき層である。これに対して、比較例に係る磁気センサでは、めっき層は、電解ニッケルめっき層と電解錫めっき層とを含む磁性のめっき層である。

　比較例に係る磁気センサでは、磁気抵抗層に近接しているめっき層が磁性のめっき層であるため、めっき層の抵抗値の変動が大きく、磁気抵抗層に与える影響が大きい。その結果、比較例に係る磁気センサでは、図６Ｂに示すように、リサージュ図形のずれが大きくなる。

　これに対して、実施形態に係る磁気センサ１では、磁気抵抗層１３に近接しているめっき層１８が非磁性のめっき層であるため、検知対象２（磁気スケール）による磁界強度の変動に起因する抵抗値の変化がなく、出力波形に与える外乱影響が小さい。その結果、実施形態に係る磁気センサ１では、図６Ａに示すように、リサージュ図形のずれが小さくなる。

　（２．６．２）第２特性
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の第２特性について、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａ及び図７Ｂの各々の横軸は、基準位置（初期位置）からの距離（μｍ）であり、図７Ａ及び図７Ｂの各々の縦軸は、検知対象２の検知誤差（μｍ）である。

　上述したように、実施形態に係る磁気センサ１では、めっき層１８は非磁性のめっき層であり、比較例に係る磁気センサでは、めっき層は磁性のめっき層である。

　比較例に係る磁気センサでは、図７Ｂに示すように、検知対象２の検知誤差のマイナス側の最大値は約１５μｍであり、検知対象２の検知誤差のプラス側の最大値は約１７μｍである。

　これに対して、実施形態に係る磁気センサ１では、図７Ａに示すように、検知対象２の検知誤差のマイナス側の最大値は約７μｍであり、検知対象２の検知誤差のプラス側の最大値は約８μｍである。

　このように、めっき層１８を非磁性のめっき層にすることで、検知対象２の検知誤差を低減することが可能となる。

　（３）磁気センサの製造方法
　次に、実施形態に係る磁気センサ１の製造方法について説明する。

　磁気センサ１の製造方法は、第１工程～第９工程を有している。

　第１工程では、支持基板１１を準備する。より詳細には、第１工程では、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の元となる基板本体を準備する。基板本体は、例えば、セラミック基板である。基板本体となるセラミック基板の材料は、例えば、アルミナ含有率が９６％以上のアルミナ焼結体である。

　第２工程では、基板本体の第１主面上にガラスグレーズ層１２を形成する。基板本体の第１主面は、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の第１主面１１１となる面である。より詳細には、第２工程では、例えば、支持基板１１の第１主面１１１上にガラスペーストを塗布した後、焼成することによりガラスグレーズ層１２を形成する。

　第３工程では、複数の磁気センサ１の各々の磁気抵抗層１３を形成する。より詳細には、第３工程では、例えば、スパッタリングにより、ガラスグレーズ層１２上に磁気抵抗層１３を形成する。実施形態に係る磁気センサ１では、上述したように、磁気抵抗層１３によりＧＭＲ膜が構成されており、ＮｉＦｅＣｏ合金層（第１層）とＣｕ合金層（第２層）とを交互に形成する。

　第４工程では、保護膜１４を形成する。より詳細には、第４工程では、例えば、磁気抵抗層１３の一部を覆うように、ガラスグレーズ層１２上に、スクリーン印刷にてエポキシ樹脂を塗布した後、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより、保護膜１４を形成する。ここで、少なくとも電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４を除いた領域を覆うように、保護膜１４を形成する。

　第５工程では、複数の磁気センサ１の各々における複数の上面電極１５を基板本体の第１主面上に形成する。より詳細には、第５工程では、例えば、スパッタリングによって基板本体の第１主面上に銅ニッケル系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の上面電極１５を形成する。

　第６工程では、複数の磁気センサ１の各々における複数の下面電極１７を基板本体の第２主面上に形成する。より詳細には、第６工程では、例えば、スパッタリングによって基板本体の第２主面上に銅ニッケル系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の下面電極１７を形成する。基板本体の第２主面は、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の第２主面１１２となる面である。

　第７工程では、第１工程～第６工程によって一体に形成された複数の磁気センサ１を個々の磁気センサ１に切断する。より詳細には、第７工程では、例えば、レーザ又はダイシングを用いて、一体に形成された複数の磁気センサ１を個々の磁気センサ１に切断する。

　第８工程では、個々に切断された磁気センサ１に対して、複数の端面電極１６を形成する。より詳細には、第８工程では、例えば、スパッタリングによって支持基板１１の外周面１１３上に銅ニッケル系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の端面電極１６を形成する。これにより、複数の上面電極１５と複数の下面電極１７とが、複数の端面電極１６を介して接続される。

　第９工程では、複数の磁気センサ１の各々においてめっき層１８を形成する。より詳細には、第９工程では、複数の磁気センサ１の各々に対して、電解銅めっき層１８１と電解錫めっき層１８２とを順次形成する。

　以上説明した第１工程～第９工程によって、実施形態に係る磁気センサ１を製造することが可能となる。

　（４）効果
　実施形態に係る磁気センサ１では、上述したように、支持基板１１の厚さ方向である第３方向Ｄ３からの平面視において、磁気抵抗層１３の外縁１３０は支持基板１１の外縁１１０よりも内側に位置している。これにより、例えば、ダイシング又はレーザを用いて支持基板１１を切断する際に、磁気抵抗層１３の外縁１３０に機械的衝撃又は熱的ストレスが加わりにくい。その結果、ガラスグレーズ層１２から磁気抵抗層１３が剥がれたり、ガラスグレーズ層１２と磁気抵抗層１３との密着性が低下するのを抑制することが可能となる。すなわち、実施形態に係る磁気センサ１によれば、支持基板１１の切断時における磁気抵抗層１３への影響を低減することが可能となる。ここにおいて、磁気抵抗層１３の外縁１３０の全てが支持基板１１の外縁１１０よりも内側にあることは必須ではなく、磁気抵抗層１３の外縁１３０の大部分が支持基板１１の外縁１１０よりも内側にあれば、上述の効果が得られる。したがって、例えば、個々の磁気センサ１に切断する際の切断面に磁気抵抗層１３の一部がかかっていても、上述の効果は大きく損なわれない。

　また、実施形態に係る磁気センサ１では、めっき層１８は、上述したように、非磁性のめっき層である。これにより、めっき層１８が磁気抵抗層１３（磁気抵抗パターン部１３１～１３４）に与える影響を低減することが可能となり、その結果、検知対象２の検知誤差を抑制することが可能となる。

　さらに、実施形態に係る磁気センサ１では、めっき層１８は、上述したように、電解めっき層（電解銅めっき層１８１、電解錫めっき層１８２）である。これにより、めっき層１８が無電解めっき層である場合に比べて、磁気センサ１が実装される実装基板に対する磁気センサ１の固着力を向上させることが可能となる。その結果、実装基板に対する磁気センサ１の接続性を向上させることが可能となる。

　（５）変形例
　上述の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つにすぎない。上述の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。

　（５．１）変形例１
　変形例１に係る磁気センサ１について、図８を参照して説明する。変形例１に係る磁気センサ１では、電極（図８では端面電極１６のみ図示）が第１金属層１６５と第２金属層１６６とを有している点で、上述の実施形態に係る磁気センサ１と相違する。なお、変形例１に係る磁気センサ１では、それ以外の構成については上述の実施形態に係る磁気センサ１と同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

　変形例１に係る磁気センサ１では、端面電極１６は、図８に示すように、第１金属層１６５と、第２金属層１６６と、を有している。第１金属層１６５は、例えば、クロム又はクロム合金を含む。第２金属層１６６は、例えば、銅又は銅ニッケル合金を含む。クロム合金は、クロムを主成分とする合金であり、銅ニッケル合金は、銅ニッケルを主成分とする合金である。変形例１に係る磁気センサ１では、第１金属層１６５が内側（支持基板１１側）、第２金属層１６６が外側（第１金属層１６５に対して支持基板１１側とは反対側）となるように積層されている。なお、図８では上面電極１５及び下面電極１７の図示を省略しているが、上面電極１５及び下面電極１７についても端面電極１６と同様であり、ここでは説明を省略する。このように、第１金属層１６５が内側、第２金属層１６６が外側となるように積層することで、下地材（支持基板１１、ガラスグレーズ層１２及び磁気抵抗層１３）との密着性を向上させつつ、磁気抵抗層１３との導通を確保することが可能となる。

　変形例１では、第１金属層１６５が内側で、第２金属層１６６が外側であるが、第２金属層１６６が内側で、第１金属層１６５が外側であってもよい。

　（５．２）その他の変形例
　以下、その他の変形例を列挙する。

　複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の形状は、ミアンダ形状に限らず、他の形状であってもよい。

　上述の実施形態では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４が２つの抵抗部で構成されているが、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、例えば、１つの抵抗部で構成されていてもよいし、３つ以上の抵抗部で構成されていてもよい。

　上述の実施形態では、電極（上面電極１５、端面電極１６、下面電極１７）が銅ニッケル（ＣｕＮｉ）系合金を含む金属層であるが、電極は、例えば、ニッケルクロムを含む金属層であってもよいし、ニッケルクロム合金を含む金属層であってもよい。ニッケルクロム合金は、ニッケルクロムを主成分とする合金である。

　上述の実施形態では、めっき層１８が電解銅めっき層１８１と電解錫めっき層１８２とを含んでいるが、めっき層１８は、例えば、無電解ニッケル－リンめっき層と電解錫めっき層とを含んでいてもよい。この場合、無電解ニッケル－リンめっき層が内側（電極側）、電解錫めっき層が外側（無電解ニッケル－リンめっき層に対して電極側とは反対側）であってもよいし、その逆であってもよい。また、めっき層１８は、無電解ニッケル－リンめっき層と、電解金めっき層又は無電解金めっき層と、を含んでいてもよい。これらの構成によれば、検知対象２の検知誤差を抑制することが可能であると共に、上述の実装基板に対する磁気センサ１の電気的な接続性を向上させることが可能となる。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る磁気センサ（１）は、支持基板（１１）と、グレーズ層（１２）と、磁気抵抗層（１３）と、を備える。グレーズ層（１２）は、支持基板（１１）上に形成されている。磁気抵抗層（１３）は、グレーズ層（１２）上に形成されている。支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視において、磁気抵抗層（１３）の外縁（１３０）は支持基板（１１）の外縁（１１０）よりも内側に位置している。

　この態様によれば、支持基板（１１）の切断時における磁気抵抗層（１３）への影響を低減することが可能となる。

　第２の態様に係る磁気センサ（１）では、第１の態様において、グレーズ層（１２）の厚さ（Ｔ１）に対する、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視における支持基板（１１）の外縁（１１０）と磁気抵抗層（１３）の外縁（１３０）との間の距離（Ｌ１）の比率は、０．５以上である。

　第３の態様に係る磁気センサ（１）では、第２の態様において、比率は、３．０以下である。

　この態様によれば、磁気センサ（１）の小型化が可能となる。

　第４の態様に係る磁気センサ（１）では、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視における支持基板（１１）の外縁（１１０）と磁気抵抗層（１３）の外縁（１３０）との間の距離（Ｌ１）は、５μｍ以上である。

　第５の態様に係る磁気センサ（１）は、第４の態様において、距離（Ｌ１）は、１５０μｍ以下である。

　第６の態様に係る磁気センサ（１）では、第１～第５の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（１１）は、第１主面（１１１）及び第２主面（１１２）と、外周面（１１３）と、を有する。第１主面（１１１）及び第２主面（１１２）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）において互いに対向している。外周面（１１３）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）に沿っており、第１主面（１１１）と第２主面（１１２）とをつなぐ。磁気センサ（１）は、電極（１５～１７）と、めっき層（１８）と、を更に備える。電極（１５～１７）は、磁気抵抗層（１３）に電気的に接続されており、第１主面（１１１）、外周面（１１３）及び第２主面（１１２）に跨って形成されている。めっき層（１８）は、電極（１５～１７）を覆うように形成されている。

　第７の態様に係る磁気センサ（１）では、第６の態様において、めっき層（１８）は、電解銅めっき層（１８１）と、電解錫めっき層（１８２）と、を含む。

　この態様によれば、磁気センサ（１）が実装される実装基板に対する磁気センサ（１）の電気的な接続性を向上させることが可能となる。

　第８の態様に係る磁気センサ（１）では、第６の態様において、めっき層（１８）は、電解銅めっき層（１８１）と、金めっき層と、を含む。

　第９の態様に係る磁気センサ（１）では、第６の態様において、めっき層（１８）は、無電解ニッケル－リンめっき層と、電解錫めっき層と、を含む。

　第１０の態様に係る磁気センサ（１）では、第６の態様において、めっき層（１８）は、無電解ニッケル－リンめっき層と、金めっき層と、を含む。

　第１１の態様に係る磁気センサ（１）では、第６～第１０の態様のいずれか１つにおいて、電極（１５～１７）は、クロム又はクロム合金を含む少なくとも１つの第１金属層（１６５）と、銅又は銅ニッケル合金を含む少なくとも１つの第２金属層（１６５）と、を有する。

　この態様によれば、下地材（支持基板１１、ガラスグレーズ層１２、磁気抵抗層１３）との密着性を向上させつつ、磁気抵抗層（１３）との導通を確保することが可能となる。

　第１２の態様に係る磁気センサ（１）では、第６～第１０の態様のいずれか１つにおいて、電極（１５～１７）は、ニッケルクロム又はニッケルクロム合金を含む金属層である。

　第１３の態様に係る磁気センサ（１）では、第１～第１２の態様のいずれか１つにおいて、磁気抵抗層（１３）は、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）と、複数の端子パターン部（２１～２４）と、を有する。複数の端子パターン部（２１～２４）は、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の周囲に設けられている。支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視において、複数の端子パターン部（２１～２４）の各々の外縁（２１１～２４１）は支持基板（１１）の外縁（１１０）よりも内側に位置している。

　第２～第１３の態様に係る構成については、磁気センサ（１）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。

１　磁気センサ
１１　支持基板
１２　ガラスグレーズ層（グレーズ層）
１３　磁気抵抗層
１５　上面電極（電極）
１６　端面電極（電極）
１７　下面電極（電極）
１８　めっき層
２１　電源端子（端子パターン部）
２２　グランド端子（端子パターン部）
２３　第１出力端子（端子パターン部）
２４　第２出力端子（端子パターン部）
１１０　外縁
１１１　第１主面
１１２　第２主面
１１３　外周面
１３０　外縁
１３１～１３４　磁気抵抗パターン部
１６５　第１金属層
１６６　第２金属層
１８１　電解銅めっき層
１８２　電解錫めっき層
２１１，２２１，２３１，２４１　外縁
Ｄ３　第３方向（厚さ方向）
Ｌ１　距離
Ｔ１　厚さ

Claims

　支持基板と、
　前記支持基板上に形成されているグレーズ層と、
　前記グレーズ層上に形成されている磁気抵抗層と、を備え、
　前記支持基板の厚さ方向からの平面視において、前記磁気抵抗層の外縁は前記支持基板の外縁よりも内側に位置している、
　磁気センサ。
　前記グレーズ層の厚さに対する、前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視における前記支持基板の前記外縁と前記磁気抵抗層の前記外縁との間の距離の比率は、０．５以上である、
　請求項１に記載の磁気センサ。
　前記比率は、３．０以下である、
　請求項２に記載の磁気センサ。
　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視における前記支持基板の前記外縁と前記磁気抵抗層の前記外縁との間の距離は、５μｍ以上である、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気センサ。
　前記距離は、１５０μｍ以下である、
　請求項４に記載の磁気センサ。
　前記支持基板は、
　　前記支持基板の前記厚さ方向において互いに対向している第１主面及び第２主面と、
　　前記支持基板の前記厚さ方向に沿っており、前記第１主面と前記第２主面とをつなぐ外周面と、を有し、
　前記磁気抵抗層に電気的に接続されており、前記第１主面、前記外周面及び前記第２主面に跨って形成されている電極と、
　前記電極を覆うように形成されているめっき層と、を更に備える、
　請求項１～５のいずれか１項に記載の磁気センサ。
　前記めっき層は、
　　電解銅めっき層と、
　　電解錫めっき層と、を含む、
　請求項６に記載の磁気センサ。
　前記めっき層は、
　　電解銅めっき層と、
　　金めっき層と、を含む、
　請求項６に記載の磁気センサ。
　前記めっき層は、
　　無電解ニッケル－リンめっき層と、
　　電解錫めっき層と、を含む、
　請求項６に記載の磁気センサ。
　前記めっき層は、
　　無電解ニッケル－リンめっき層と、
　　金めっき層と、を含む、
　請求項６に記載の磁気センサ。
　前記電極は、
　　クロム又はクロム合金を含む少なくとも１つの第１金属層と、
　　銅又は銅ニッケル合金を含む少なくとも１つの第２金属層と、を有する、
　請求項６～１０のいずれか１項に記載の磁気センサ。
　前記電極は、ニッケルクロム又はニッケルクロム合金を含む金属層である、
　請求項６～１０のいずれか１項に記載の磁気センサ。
　前記磁気抵抗層は、
　　複数の磁気抵抗パターン部と、
　　前記複数の磁気抵抗パターン部の周囲に設けられている複数の端子パターン部と、を有し、
　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記複数の端子パターン部の外縁は前記支持基板の外縁よりも内側に位置している、
　請求項１～１２のいずれか１項に記載の磁気センサ。