WO2022107766A1 - 磁気センサ - Google Patents

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WO2022107766A1
WO2022107766A1 PCT/JP2021/042086 JP2021042086W WO2022107766A1 WO 2022107766 A1 WO2022107766 A1 WO 2022107766A1 JP 2021042086 W JP2021042086 W JP 2021042086W WO 2022107766 A1 WO2022107766 A1 WO 2022107766A1
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resistance
magnetic
pattern
magnetic resistance
pattern portion
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PCT/JP2021/042086
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French (fr)
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裕樹 大山
一宏 神田
正彦 大林
秀之 谷川
正孝 田川
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • H10N50/01—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present disclosure relates to a magnetic sensor in general, and more particularly to a magnetic sensor having a plurality of magnetoresistance pattern portions.
  • Patent Document 1 describes a magnetoresistive element (magnetic sensor) including an insulating substrate (supporting substrate) and a magnetoresistive film provided on the insulating substrate.
  • the magnetoresistive film includes a plurality of double zigzag magnetically sensitive pattern units (magnetic resistance pattern portions). The plurality of double zigzag magnetic pattern units are arranged along the moving direction of the magnet with respect to the magnetoresistive element.
  • the magnetoresistive element described in Patent Document 1 has a problem of increasing in size.
  • the purpose of this disclosure is to provide a magnetic sensor that can be miniaturized.
  • the magnetic sensor is a magnetic sensor that detects the position of the detection target based on the change in the magnetic field strength caused by the relative movement of the detection target along the first direction.
  • the detection target is magnetized at a predetermined magnetization cycle in the first direction.
  • the magnetic sensor includes a plurality of magnetic resistance pattern portions.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions form a bridge circuit.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions are arranged along the first direction.
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions is formed along a second direction orthogonal to the first direction.
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions is formed in a meander shape when viewed from a third direction orthogonal to both the first direction and the second direction.
  • the center of gravity of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions is located on the center line of the plurality of magnetic resistance pattern portions in the second direction when viewed from the third direction.
  • FIG. 1 is an external perspective view of the magnetic sensor according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 1 with respect to the magnetic sensor of the same.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a detection target of the same magnetic sensor.
  • FIG. 4 is a schematic circuit diagram of the same magnetic sensor.
  • FIG. 5 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the same magnetic sensor.
  • FIG. 6 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the magnetic sensor according to the comparative example.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the pattern width of the magnetoresistance pattern portion and the error of the detection position of the detection target.
  • FIG. 8 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the magnetic sensor according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the magnetic sensor according to the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a layout diagram showing an arrangement example of a magnetic resistance pattern portion, a wiring pattern portion, and a terminal of the magnetic sensor according to the third modification of the first embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged view of the A1 part of FIG.
  • FIG. 12 is an enlarged view of part B1 of FIG. FIG.
  • FIG. 13 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the magnetic sensor according to the modified example 4 of the first embodiment.
  • FIG. 14 is an enlarged view of the A2 portion of FIG.
  • FIG. 15 is an enlarged view of part B2 of FIG.
  • FIG. 16 is a layout diagram showing an arrangement example of the magnetic resistance pattern portion, the wiring pattern portion, and the terminals of the magnetic sensor according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is an enlarged view of the A3 part of FIG.
  • FIGS. 1 to 17 1 to 3
  • FIG. 5, FIG. 6, and FIGS. 8 to 17 referred to in the following embodiments and the like are all schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure. However, it does not always reflect the actual dimensional ratio.
  • the magnetic sensor 1 detects the position of the detection target 2 using magnetism.
  • the magnetic sensor 1 is used as a position sensor for, for example, a linear encoder or a rotary encoder.
  • the magnetic sensor 1 is used, for example, as a position sensor (encoder) for detecting the position of a camera lens or the like driven by a motor (linear motor or rotary motor).
  • the magnetic sensor 1 is also used, for example, as a position sensor for detecting the position of a brake pedal, a brake lever, or a shift lever of an automobile.
  • the application of the magnetic sensor 1 is not limited to the above-mentioned application.
  • the "position” detected by the magnetic sensor 1 is the coordinates of the detection target 2 and the rotation angle of the detection target 2 about the rotation axis (virtual axis) passing through the detection target 2 (direction of the detection target 2). It is a concept that includes both. That is, the magnetic sensor 1 detects at least one of the coordinates of the detection target 2 and the rotation angle of the detection target 2.
  • the linear encoder may be an increment type or an absolute type.
  • the magnetic sensor 1 detects the coordinates of the detection target 2.
  • the magnetic sensor 1 is a magnetic sensor that detects the position of the detection target 2 based on the change in the magnetic field strength caused by the relative movement of the detection target 2 along the first direction D1.
  • the detection target 2 is magnetized in the first direction D1 with a predetermined magnetizing period ⁇ .
  • the magnetic sensor 1 includes a plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 form a bridge circuit.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are arranged along the first direction D1.
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is formed along the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 orthogonal to both the first direction D1 and the second direction D2.
  • the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the second direction D2 when viewed from the third direction D3.
  • "along the first direction or the second direction” is not only when it is parallel to the first direction or the second direction, but also at a predetermined angle (for example, 5 degrees) with respect to the first direction or the second direction. Including the case of tilting.
  • the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are located on the center line L2 when viewed from the third direction D3. There is.
  • the plurality of magnetic resistance patterns in the second direction D2 are compared with the case where the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are displaced in the second direction D2 with respect to the center line L2. It is possible to reduce the dimensions of the portions 131 to 134, and as a result, it is possible to reduce the size of the magnetic sensor 1.
  • the resistances of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 due to the variation in the magnetic field intensity distribution applied to the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 It is possible to suppress the amount of fluctuation in the value, and as a result, it is possible to reduce the detection error of the position of the detection target 2.
  • the magnetic sensor 1 is formed in a long rectangular parallelepiped shape in the first direction D1.
  • the longitudinal direction of the magnetic sensor 1 is the first direction D1
  • the width direction (short direction) of the magnetic sensor 1 is the second direction D2
  • the thickness direction of the magnetic sensor 1 is the third direction D3.
  • these directions are not intended to limit the directions when the magnetic sensor 1 is used.
  • the arrows indicating "D1", “D2", and “D3" in the drawings are shown only for the sake of explanation, and none of them is accompanied by an entity.
  • the first direction D1 is the direction in which the magnetic sensor 1 moves with respect to the detection target 2.
  • the first direction D1, the second direction D2, and the third direction D3 are orthogonal to each other.
  • the magnetic sensor 1 according to the first embodiment includes a support substrate 11, a glass glaze layer 12, a magnetoresistive layer 13, and a protective film 14. Further, in the magnetic sensor 1 according to the first embodiment, a plurality of (for example, four) top surface electrodes 15, a plurality of (for example, four) end face electrodes 16 and a plurality of (for example, four) bottom surface electrodes (back surface electrodes) 17 are provided. And a plurality of (for example, four) plating layers 18. The plurality of top surface electrodes 15, the plurality of end face electrodes 16, and the plurality of bottom surface electrodes 17 have a one-to-one correspondence.
  • the support substrate 11 is, for example, a ceramic substrate.
  • the material of the ceramic substrate is, for example, an alumina sintered body having an alumina content of 96% or more.
  • the support substrate 11 is formed in a long rectangular shape in the first direction D1 which is the longitudinal direction of the magnetic sensor 1 when viewed from the third direction D3 which is the thickness direction of the magnetic sensor 1.
  • the support substrate 11 has a first main surface 111, a second main surface 112, and an outer peripheral surface 113.
  • Each of the first main surface 111 and the second main surface 112 is a plane along both the first direction D1 and the second direction D2.
  • the first main surface 111 and the second main surface 112 face each other in the third direction D3.
  • the outer peripheral surface 113 includes four planes along the third direction D3.
  • the glass glaze layer 12 contains, for example, silicon dioxide as a main component.
  • the glass glaze layer 12 is formed on the first main surface 111 (see FIG. 2) of the support substrate 11.
  • the glass glaze layer 12 is formed over the entire first main surface 111 of the support substrate 11.
  • the glass glaze layer 12 is formed in a long rectangular shape in the first direction D1 when viewed from the third direction D3.
  • the smoothness of the plane on which the magnetic resistance layer 13 is formed by the glass glaze layer 12 can be obtained.
  • the glass glaze layer 12 may be located in a region where at least a plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are arranged. Further, the glass glaze layer 12 may contain lead oxide.
  • the magnetoresistive layer 13 is formed on the glass glaze layer 12.
  • the magnetoresistive layer 13 includes a plurality of first layers and a plurality of second layers.
  • Each of the plurality of first layers is a magnetic layer and contains, for example, a NiFeCo alloy.
  • Each of the plurality of second layers is a non-magnetic layer and contains, for example, a Cu alloy.
  • the plurality of first layers and the plurality of second layers are alternately laminated on the glass glaze layer 12.
  • a GMR (Giant Magnetic Resistance) film is formed by the magnetic resistance layer 13.
  • the number of layers of the plurality of first layers and the number of layers of the plurality of second layers may be the same or different.
  • the protective film 14 is a film for protecting the magnetic resistance layer 13.
  • the material of the protective film 14 is, for example, an epoxy resin.
  • the protective film 14 is formed on the glass glaze layer 12 so as to cover a part of the magnetoresistive layer 13.
  • the power supply terminal 21, the ground terminal 22, the first output terminal 23, and the second output terminal 24 are each on one of the plurality of top electrodes 15.
  • the protective film 14 is formed so as to cover at least a region of the magnetic resistance layer 13 excluding the power supply terminal 21, the ground terminal 22, the first output terminal 23, and the second output terminal 24.
  • the plurality of top electrode 15s are formed on the first main surface 111 (see FIG. 2) of the support substrate 11.
  • the material of the plurality of top electrodes 15 is, for example, a CuNi (copper nickel) alloy.
  • the plurality of top surface electrodes 15 include a first top surface electrode 151, a second top surface electrode 152, a third top surface electrode 153, and a fourth top surface electrode 154.
  • Each of the plurality of top electrodes 15 is connected to any one of the power supply terminal 21, the ground terminal 22, the first output terminal 23, and the second output terminal 24 in the magnetic resistance layer 13.
  • the first top surface electrode 151 is connected to the power supply terminal 21, and the second top surface electrode 152 is connected to the ground terminal 22. Further, among the plurality of top surface electrodes 15, the third top surface electrode 153 is connected to the first output terminal 23, and the fourth top surface electrode 154 is connected to the second output terminal 24.
  • the plurality of top electrodes 15 are, for example, sputtered films formed by sputtering.
  • the plurality of end face electrodes 16 are formed so as to cover the outer peripheral surface 113 (see FIG. 2) in the longitudinal direction of the support substrate 11 along the longitudinal direction (first direction D1) of the support substrate 11. ing.
  • the material of the plurality of end face electrodes 16 is, for example, a CuNi (copper nickel) -based alloy.
  • the plurality of end face electrodes 16 include a first end face electrode 161, a second end face electrode 162, a third end face electrode 163, and a fourth end face electrode 164. As described above, the plurality of end face electrodes 16 have a one-to-one correspondence with the plurality of top surface electrodes 15.
  • the first end face electrode 161 corresponds to the first upper surface electrode 151 and is connected to the first upper surface electrode 151.
  • the second end face electrode 162 corresponds to the second upper surface electrode 152 and is connected to the second upper surface electrode 152.
  • the third end face electrode 163 corresponds to the third upper surface electrode 153 and is connected to the third upper surface electrode 153.
  • the fourth end face electrode 164 corresponds to the fourth upper surface electrode 154 and is connected to the fourth upper surface electrode 154.
  • the plurality of end face electrodes 16 are, for example, sputtered films formed by sputtering.
  • the plurality of bottom electrode 17s are formed on the second main surface 112 (see FIG. 2) of the support substrate 11.
  • the material of the plurality of bottom electrodes 17 is, for example, a CuNi (copper nickel) -based alloy.
  • the plurality of bottom surface electrodes 17 include a first bottom surface electrode 171, a second bottom surface electrode 172, a third bottom surface electrode 173, and a fourth bottom surface electrode 174.
  • the plurality of bottom surface electrodes 17 correspond one-to-one with the plurality of top surface electrodes 15 and the plurality of end face electrodes 16. More specifically, the first bottom surface electrode 171 corresponds to the first top surface electrode 151 and the first end face electrode 161 and is connected to the first end face electrode 161.
  • the second bottom surface electrode 172 corresponds to the second top surface electrode 152 and the second end face electrode 162, and is connected to the second end face electrode 162.
  • the third bottom surface electrode 173 corresponds to the third top surface electrode 153 and the third end face electrode 163, and is connected to the third end face electrode 163.
  • the fourth bottom surface electrode 174 corresponds to the fourth top surface electrode 154 and the fourth end face electrode 164, and is connected to the fourth end face electrode 164.
  • the plurality of bottom electrodes 17 are, for example, sputtered films formed by sputtering.
  • the first upper surface electrode 151, the first end surface electrode 161 and the first lower surface electrode 171 are formed in a U shape when viewed from the first direction D1.
  • the second upper surface electrode 152, the second end surface electrode 162, and the second lower surface electrode 172 are formed in a U shape when viewed from the first direction D1.
  • the third upper surface electrode 153, the third end surface electrode 163, and the third lower surface electrode 173 are formed in a U shape when viewed from the first direction D1.
  • the fourth upper surface electrode 154, the fourth end surface electrode 164, and the fourth lower surface electrode 174 are formed in a U shape when viewed from the first direction D1.
  • the magnetic sensor 1 According to the magnetic sensor 1 according to the first embodiment, it is possible to connect to the mounting board on which the magnetic sensor 1 is mounted by a plurality of bottom electrodes 17.
  • each of the plurality of plating layers 18 has a plurality of top surface electrodes 15, a plurality of end face electrodes 16 and a plurality of bottom surface electrodes 17, and the corresponding top surface electrodes 15, end face electrodes 16 and bottom surface electrodes 17 are provided. It is formed to cover. That is, each of the plurality of plating layers 18 is formed in a U shape when viewed from the first direction D1. Each of the plurality of plating layers 18 includes an electrolytic copper plating layer and an electrolytic tin plating layer. Each of the plurality of plating layers 18 is in contact with the protective film 14 as shown in FIG.
  • the detection target 2 is, for example, a magnetic scale. As shown in FIG. 3, the detection target 2 is formed in a long plate shape along the first direction D1. The detection target 2 faces the magnetic sensor 1 in the third direction D3 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 3).
  • the detection target 2 includes a plurality of magnetic poles.
  • the plurality of magnetic poles are arranged along the first direction D1.
  • the plurality of magnetic poles include one or more N poles and one or more S poles.
  • the plurality of magnetic poles are arranged so that one or more S poles and one or more N poles are alternately arranged in the first direction D1.
  • Each magnetic pole is, for example, a ferrite magnet or a neodymium magnet.
  • a plurality of ferrite magnets or a plurality of neodymium magnets are arranged along the first direction D1. As shown in FIG. 3, the detection target 2 is magnetized in the first direction D1 with a magnetizing period ⁇ .
  • the magnetic sensor 1 according to the first embodiment has a plurality of (for example, four) magnetic resistance pattern portions 131 to 134, a first wiring pattern portion 135, a second wiring pattern portion 136, and a first. It includes a 3 wiring pattern portion 137 and a 4th wiring pattern portion 138. Further, the magnetic sensor 1 according to the first embodiment further includes a power supply terminal 21, a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24.
  • the magnetic sensor 1 according to the first embodiment includes four magnetoresistance pattern portions 131 to 134 as a plurality of magnetoresistance pattern portions 131 to 134.
  • the four reluctance pattern units 131 to 134 include a first reluctance pattern unit 131, a second reluctance pattern unit 132, a third reluctance pattern unit 133, and a fourth reluctance pattern unit 134.
  • the first reluctance pattern unit 131, the second reluctance pattern unit 132, the third reluctance pattern unit 133, and the fourth reluctance pattern unit 134 form a full bridge circuit.
  • the series circuit of the first magnetoresistive pattern unit 131 and the second magnetic resistance pattern unit 132 and the series circuit of the third magnetic resistance pattern unit 133 and the fourth magnetic resistance pattern unit 134 are connected in parallel to each other.
  • the plurality of magnetoresistance pattern portions 131 to 134 are connected to the first magnetic resistance pattern portion 131 and the second magnetic resistance pattern portion 132 connected in series to each other, and the third magnetic resistance pattern portion connected to each other in series. It includes 133 and a fourth magnetoresistive pattern portion 134.
  • connection point P1 between the first magnetic resistance pattern unit 131 and the second magnetic resistance pattern unit 132 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern unit 137. That is, the third wiring pattern portion 137 connected to the first output terminal 23 has the first magnetic resistance pattern portion 131 connected in series with each other among the four magnetoresistance pattern portions 131 to 134 and the second magnetic resistance portion 131. It is connected to the resistance pattern portion 132.
  • the end portion (left end portion in FIG. 4) of the first magnetoresistance pattern portion 131 opposite to the second magnetic resistance pattern portion 132 side is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring pattern portion 135. That is, the first wiring pattern portion 135 is connected to the power supply terminal 21.
  • the end portion (right end portion in FIG. 4) of the second magnetoresistance pattern portion 132 opposite to the first magnetic resistance pattern portion 131 side is connected to the ground terminal 22 via the second wiring pattern portion 136. That is, the second wiring pattern portion 136 is connected to the ground terminal 22.
  • connection point P2 between the third magnetic resistance pattern portion 133 and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138. That is, the fourth wiring pattern portion 138 connected to the second output terminal 24 has the third magnetoresistance pattern portion 133 connected in series with each other among the four magnetoresistance pattern portions 131 to 134 and the fourth magnetic resistance portion 138. It is connected to the resistance pattern portion 134.
  • the end portion (left end portion in FIG. 4) of the third magnetoresistance pattern portion 133 on the side opposite to the fourth magnetic resistance pattern portion 134 side is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring pattern portion 135.
  • the end portion (right end portion in FIG. 4) of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 opposite to the third magnetic resistance pattern portion 133 side is connected to the ground terminal 22 via the second wiring pattern portion 136.
  • the connection point P3 between the first magnetic resistance pattern unit 131 and the third magnetic resistance pattern unit 133 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring pattern unit 135.
  • the first wiring pattern portion 135 includes an end portion of the first magnetic resistance pattern portion 131 opposite to the second magnetic resistance pattern portion 132 side and a fourth magnetic resistance pattern portion of the third magnetic resistance pattern portion 133. It is connected to the end on the opposite side of the 134 side.
  • connection point P4 between the second magnetic resistance pattern portion 132 and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is connected to the ground terminal 22 via the second wiring pattern portion 136.
  • the second wiring pattern portion 136 has an end portion of the second magnetic resistance pattern portion 132 opposite to the first magnetic resistance pattern portion 131 side and a third magnetic resistance pattern portion of the fourth magnetic resistance pattern portion 134. It is connected to the end on the opposite side of the 133 side.
  • the power supply terminal 21, ground terminal 22, first output terminal 23, and second output terminal 24 have a one-to-one correspondence with a plurality of top electrodes 15. More specifically, the power supply terminal 21 has a one-to-one correspondence with the first upper surface electrode 151 among the plurality of upper surface electrodes 15, and is connected to the first upper surface electrode 151. Further, the ground terminal 22 has a one-to-one correspondence with the second upper surface electrode 152 among the plurality of upper surface electrodes 15, and is connected to the second upper surface electrode 152. Further, the first output terminal 23 has a one-to-one correspondence with the third upper surface electrode 153 among the plurality of upper surface electrodes 15, and is connected to the third upper surface electrode 153. Further, the second output terminal 24 has a one-to-one correspondence with the fourth upper surface electrode 154 among the plurality of upper surface electrodes 15, and is connected to the fourth upper surface electrode 154.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are arranged along the first direction D1 which is the longitudinal direction of the magnetic sensor 1.
  • the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern portion 131, a second magnetic resistance pattern portion 132, a third magnetic resistance pattern portion 133, and a fourth magnetic resistance pattern portion 134. And, including.
  • Each of the first magnetoresistive pattern portion 131, the second magnetic resistance pattern portion 132, the third magnetic resistance pattern portion 133, and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is from the third direction D3 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 5). As you can see, it is formed in the shape of a reluctance. "Each of the first magnetic resistance pattern portion 131, the second magnetic resistance pattern portion 132, the third magnetic resistance pattern portion 133, and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is formed in a meander shape" means that the third direction D3.
  • Each of the first magnetic resistance pattern part 131, the second magnetic resistance pattern part 132, the third magnetic resistance pattern part 133, and the fourth magnetic resistance pattern part 134 is formed linearly along the second direction D2.
  • each of the first magnetoresistive pattern portion 131, the second magnetic resistance pattern portion 132, the third magnetic resistance pattern portion 133, and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is formed along the second direction D2 as shown in FIG. Has been done. That is, the longitudinal direction of each of the first magnetoresistive pattern portion 131, the second magnetic resistance pattern portion 132, the third magnetic resistance pattern portion 133, and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is a direction along the second direction D2. .. Further, as shown in FIG. 5, the first magnetic resistance pattern portion 131, the second magnetic resistance pattern portion 132, the third magnetic resistance pattern portion 133, and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 are included in the region R1. It is configured.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 have the first magnetic resistance pattern portion 131 and the third magnetic resistance pattern from the left side in the first direction D1.
  • Section 133, the second magnetoresistance pattern section 132, and the fourth magnetoresistance pattern section 134 are arranged in this order.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are formed in the same shape when viewed from the third direction D3.
  • the "same shape” includes not only the case where the shape is exactly the same, but also the case where the shape is different to the extent that the fluctuation of the resistance value due to the change in the magnetic field strength distribution can be regarded as the same behavior. Therefore, the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 may have different shapes from each other as long as the fluctuation of the resistance value due to the change of the magnetic field intensity distribution can be regarded as the same behavior.
  • the first wiring pattern unit 135 is connected between the first magnetic resistance pattern unit 131 and the power supply terminal 21 and between the third magnetic resistance pattern unit 133 and the power supply terminal 21. There is.
  • the first wiring pattern unit 135 includes a first wiring unit 1351 and a second wiring unit 1352.
  • the first wiring portion 1351 is formed in an L shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the power supply terminal 21 at the first end portion.
  • the second wiring portion 1352 is formed in a U shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the second end portion of the first wiring portion 1351.
  • the first end of the second wiring portion 1352 is connected to the first end of the first magnetoresistive pattern portion 131.
  • the second end of the second wiring portion 1352 is connected to the first end of the third magnetoresistance pattern portion 133.
  • the second wiring pattern portion 136 is connected between the second magnetic resistance pattern portion 132 and the ground terminal 22 and between the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the ground terminal 22.
  • the second wiring pattern unit 136 includes a first wiring unit 1361 and a second wiring unit 1362.
  • the first wiring portion 1361 is formed in an L shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the ground terminal 22 at the first end portion.
  • the second wiring portion 1362 is formed in a U shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the second end portion of the first wiring portion 1361.
  • the first end of the second wiring portion 1362 is connected to the first end of the second magnetoresistance pattern portion 132.
  • the second end of the second wiring portion 1362 is connected to the first end of the fourth magnetoresistance pattern portion 134.
  • the third wiring pattern unit 137 is between the first magnetic resistance pattern unit 131 and the first output terminal 23, and between the second magnetic resistance pattern unit 132 and the first output terminal 23. Is connected.
  • the third wiring pattern unit 137 includes a first wiring unit 1371 and a second wiring unit 1372.
  • the first wiring portion 1371 is formed in an L shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the first output terminal 23 at the first end portion.
  • the second wiring portion 1372 is formed in a long shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, and is connected to the second end portion of the first wiring portion 1371.
  • the first end portion of the second wiring portion 1372 is connected to the second end portion of the first magnetoresistive pattern portion 131.
  • the second end portion of the second wiring portion 1372 is connected to the second end portion of the second magnetoresistance pattern portion 132.
  • the fourth wiring pattern unit 138 is located between the third magnetic resistance pattern unit 133 and the second output terminal 24, and between the fourth magnetic resistance pattern unit 134 and the second output terminal 24. Is connected.
  • the fourth wiring pattern unit 138 includes a first wiring unit 1381 and a second wiring unit 1382.
  • the first wiring portion 1381 is formed in an L shape when viewed from the third direction D3, and is connected to the second output terminal 24 at the first end portion.
  • the second wiring portion 1382 is formed long along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, and is connected to the second end portion of the first wiring portion 1381.
  • the first end of the second wiring portion 1382 is connected to the second end of the third magnetoresistance pattern portion 133.
  • the second end portion of the second wiring portion 1382 is connected to the second end portion of the fourth magnetoresistance pattern portion 134.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135 and the second wiring pattern portion 136. It is contained in the area surrounded by the wiring portion 1362, the second wiring portion 1372 of the third wiring pattern portion 137, and the second wiring portion 1382 of the fourth wiring pattern portion 138.
  • the above-mentioned magnetic resistance layer 13 constitutes a plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134, first to fourth wiring pattern portions 135 to 138, and four terminals 21 to 24. is doing. That is, in the magnetic sensor 1 according to the first embodiment, the first to fourth wiring pattern portions 135 to 138 and the four terminals 21 to 24 are formed of the same material as the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134.
  • the magnetic sensor 1 moves along the first direction D1 with respect to the detection target 2
  • the magnetic field strength between the magnetic sensor 1 and the detection target 2 changes, and the change in the magnetic field strength.
  • the resistance values of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 133 fluctuate.
  • the position of the detection target 2 can be detected by detecting the potentials of the first output terminal 23 and the second output terminal 24.
  • the magnetic sensor 1 and the detection target 2 may be configured to move relative to each other, and the detection target 2 may be configured to move relative to the magnetic sensor 1.
  • FIG. 6 is a layout diagram showing an arrangement example of a plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134, first to fourth wiring pattern portions 135 to 138, and four terminals 21 to 24 of the magnetic sensor according to the comparative example.
  • each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 has a linear portion and a meander portion.
  • the straight line portion is formed in a straight line along the second direction D2.
  • the meander portion is formed in a meander shape along the second direction D2.
  • the linear portion and the meander portion are arranged in the second direction D2. More specifically, in each of the first magnetoresistive pattern portion 131 and the second magnetic resistance pattern portion 132, the straight line portion is on one end side (upper side in FIG. 6) and the meander portion is on the other end side (FIG. 6) in the second direction D2. (Lower side).
  • the meander portion is on one end side (upper side in FIG. 6) and the straight portion is on the other end side (lower side in FIG. 6) in the second direction D2. ).
  • c21 in FIG. 5 and “c21” in FIG. 6 are the center points of the first magnetoresistive pattern portion 131 when viewed from the third direction D3, and are “c22” in FIG. 5 and “c21” in FIG. “C22” is the center point of the second magnetoresistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3.
  • “c23” in FIG. 5 and “c23” in FIG. 6 are center points of the third magnetoresistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3, and are “c24” in FIG. 5 and “c24” in FIG. "c24” is the center point of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 when viewed from the third direction D3.
  • the "center point of the magnetic resistance pattern portion” means the second direction D2 passing through both ends of the magnetic resistance pattern portion in the first direction D1 when viewed from the third direction D3. Refers to the center of a rectangular region surrounded by two straight lines extending along the first direction D1 and two straight lines extending along the first direction D1 through both ends of the magnetic resistance pattern portion in the second direction D2.
  • both ends of the magnetoresistance pattern portion in the first direction D1 are a portion located on the leftmost side of the magnetoresistance pattern portion and a portion located on the rightmost side of the magnetoresistance pattern portion in FIGS. 5 and 6. To say.
  • both ends of the magnetic resistance pattern portion in the second direction D2 are a portion located on the uppermost side of the magnetic resistance pattern portion and a portion located on the lowermost side of the magnetic resistance pattern portion in FIGS. 5 and 6.
  • the center point c21 of the first magnetoresistive pattern portion 131 is an intersection of the center line L11 in the first direction D1 and the center line L2 in the second direction D2.
  • the center point c22 of the second magnetoresistive pattern portion 132 is an intersection of the center line L12 in the first direction D1 and the center line L2 in the second direction D2.
  • center point c23 of the third magnetic resistance pattern portion 133 is an intersection of the center line L13 in the first direction D1 and the center line L2 in the second direction D2.
  • center point c24 of the fourth magnetoresistive pattern portion 134 is an intersection of the center line L14 in the first direction D1 and the center line L2 in the second direction D2.
  • the "center of the magnetic resistance pattern portion” is the center of the figure of the portion where the resistance value fluctuates, and is a point that satisfies the equations (1) and (2). It means (x 0 , y 0 ).
  • x 0 is the coordinates of the center of gravity in the first direction D1
  • y 0 is the coordinates of the center of gravity in the second direction D2.
  • x 1 is the coordinates of an arbitrary point of the magnetoresistance pattern portion in the first direction D1
  • y 1 is the coordinates of an arbitrary point of the magnetoresistance pattern portion in the second direction D2.
  • A is the area of the magnetoresistance pattern portion
  • dA is the minute area at the point (x 1 , y 1 ).
  • the centroid c11 of the first magnetic resistance pattern portion 131 is located on the meander portion side (lower side of FIG. 6) with respect to the center point c21 of the first magnetic resistance pattern portion 131 in the second direction D2. ) Is located. Further, the centroid c12 of the second magnetic resistance pattern portion 132 is located on the meander portion side (lower side of FIG. 6) with respect to the center point c22 of the second magnetic resistance pattern portion 132 in the second direction D2. .. Further, the centroid c13 of the third magnetic resistance pattern portion 133 is located on the meander portion side (upper side of FIG. 6) with respect to the center point c23 of the third magnetic resistance pattern portion 133 in the second direction D2.
  • centroid c14 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 is located on the meander portion side (upper side of FIG. 6) with respect to the center point c24 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 in the second direction D2. That is, in the magnetic sensor according to the comparative example, the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are in the second direction D2 when viewed from the third direction D3 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 6). It is not located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134.
  • the centroids c11 to c14 of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are not located on the center line L2 and are displaced in the second direction D2.
  • the magnetic field strength distributions of the plurality of magnetoresistance pattern portions 131 to 134 are dispersed, and the plurality of magnetoresistance pattern portions 131 to 134 are dispersed.
  • the amount of fluctuation in the resistance value of is also variable. As a result, the detection error of the position of the detection target 2 becomes large.
  • the center point c21 and the centroid c11 of the first magnetoresistive pattern portion 131 coincide with each other, and the center of the second magnetic resistance pattern portion 132.
  • the point c22 and the centroid c12 coincide with each other.
  • the center point c23 of the third magnetoresistive pattern portion 133 and the centroid c13 coincide with each other, and the center point c24 and the centroid c14 of the fourth magnetoresistive pattern portion 134 coincide with each other.
  • the centroids c11 to c14 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are in the second direction D2 when viewed from the third direction D3. It is located on the center line (central axis) L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the above.
  • the center line L2 is a center line along the first direction D1.
  • the second direction As compared with the case where the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are displaced in the second direction D2 with respect to the center line L2 as in the magnetic sensor according to the comparative example, the second direction. It is possible to reduce the dimensions of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in D2. As a result, it becomes possible to reduce the size of the magnetic sensor 1 in the second direction D2.
  • each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3. More specifically, a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 overlaps with a part of the adjacent magnetic resistance pattern portions in the first direction D1 in the second direction D2. Protrudes toward the adjacent magnetoresistive pattern portion. A part of the first magnetoresistance pattern portion 131 projects toward the adjacent third magnetoresistance pattern portion 133 in the first direction D1. A part of the second magnetoresistance pattern portion 132 projects to the adjacent third magnetoresistance pattern portion 133 side and the fourth magnetic resistance pattern portion 134 side in the first direction D1, respectively.
  • a part of the third magnetoresistive pattern portion 133 projects toward the adjacent first magnetic resistance pattern portion 131 side and the second magnetic resistance pattern portion 132 side in the first direction D1, respectively.
  • a part of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 projects toward the adjacent second magnetoresistance pattern portion 132 in the first direction D1.
  • the detection target 2 when the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is less than 15% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2, the detection target 2 is relative along the first direction D1. When moving to, it reacts sharply to changes in magnetic field strength, and as a result, the distortion waveform may increase the error.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 exceeds 25% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2, the two adjacent magnetoresistance pattern portions are the same as the detection target 2. It reacts to the magnetic poles, and as a result, the detection accuracy of the position of the detection target 2 may decrease.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is 15% or more and 25% or less of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2.
  • each of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 can be set to 15% or more and 25% or less of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the pattern width W3 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 and the detection error of the position of the detection target 2.
  • the horizontal axis of FIG. 7 shows the ratio (%) of the pattern width W3 to the magnetizing period ⁇ of the detection target 2.
  • the vertical axis on the left side of FIG. 7 shows the detection error ( ⁇ m) of the position of the detection target 2.
  • the vertical axis on the right side of FIG. 7 shows the ratio (%) of the detection error of the position of the detection target 2 to the magnetism period ⁇ of the detection target 2.
  • the magnetizing period ⁇ of the detection target 2 is, for example, 800 ⁇ m.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 is 30 ⁇ m, and the ratio of the pattern width W3 to the magnetizing period ⁇ is 4%.
  • the detection error of the position of the detection target 2 is 8.35 ⁇ m, and the ratio of the detection error to the magnetizing period ⁇ is 1.04%.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 is 70 ⁇ m, and the ratio of the pattern width W3 to the magnetizing period ⁇ is 9%.
  • the detection error of the position of the detection target 2 is 6.91 ⁇ m, and the ratio of the detection error to the magnetizing period ⁇ is 0.86%.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 is 90 ⁇ m, and the ratio of the pattern width W3 to the magnetizing period ⁇ is 11%.
  • the detection error of the position of the detection target 2 is 4.89 ⁇ m, and the ratio of the detection error to the magnetizing period ⁇ is 0.61%.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 is 132 ⁇ m, and the ratio of the pattern width W3 to the magnetizing period ⁇ is 17%.
  • the detection error of the position of the detection target 2 is 3.80 ⁇ m, and the ratio of the detection error to the magnetizing period ⁇ is 0.48%.
  • the ratio of the detection error to the magnetizing period ⁇ can be set to 0.5% or less.
  • the manufacturing method of the magnetic sensor 1 includes the first step to the ninth step.
  • the support substrate 11 is prepared. More specifically, in the first step, a substrate main body that is a source of each support substrate 11 of the plurality of magnetic sensors 1 is prepared.
  • the substrate body is, for example, a ceramic substrate.
  • the material of the ceramic substrate to be the substrate body is, for example, an alumina sintered body having an alumina content of 96% or more.
  • the glass glaze layer 12 is formed on the first main surface of the substrate body.
  • the first main surface of the board body is a surface that becomes the first main surface 111 of each of the support boards 11 of the plurality of magnetic sensors 1. More specifically, in the second step, for example, the glass paste is applied on the first main surface 111 of the support substrate 11 and then fired to form the glass glaze layer 12.
  • the magnetic resistance layer 13 of each of the plurality of magnetic sensors 1 is formed. More specifically, in the third step, the magnetoresistive layer 13 is formed on the glass glaze layer 12 by, for example, sputtering.
  • the GMR film is formed by the magnetoresistive layer 13, and the NiFeCo alloy layer (first layer) and the Cu alloy layer (second layer) are alternately formed. do.
  • the protective film 14 is formed. More specifically, in the fourth step, for example, an epoxy resin is applied on the glass glaze layer 12 by screen printing so as to cover a part of the magnetoresistive layer 13, and then the epoxy resin is thermally cured. , A protective film 14 is formed. Here, the protective film 14 is formed so as to cover at least the region excluding the power supply terminal 21, the ground terminal 22, the first output terminal 23, and the second output terminal 24.
  • a plurality of top electrodes 15 in each of the plurality of magnetic sensors 1 are formed on the first main surface of the substrate main body. More specifically, in the fifth step, for example, by forming a CuNi-based alloy film on the first main surface of the substrate body by sputtering, a plurality of top electrodes 15 in each of the plurality of magnetic sensors 1 are formed.
  • a plurality of bottom electrodes 17 in each of the plurality of magnetic sensors 1 are formed on the second main surface of the substrate body. More specifically, in the sixth step, for example, by forming a CuNi-based alloy film on the second main surface of the substrate body by sputtering, a plurality of bottom electrodes 17 in each of the plurality of magnetic sensors 1 are formed.
  • the second main surface of the board body is a surface that becomes the second main surface 112 of each of the support boards 11 of the plurality of magnetic sensors 1.
  • the plurality of magnetic sensors 1 integrally formed by the first to sixth steps are cut into individual magnetic sensors 1. More specifically, in the seventh step, for example, a laser or dicing is used to cut a plurality of integrally formed magnetic sensors 1 into individual magnetic sensors 1.
  • a plurality of end face electrodes 16 are formed for the individually cut magnetic sensors 1. More specifically, in the eighth step, for example, by forming a CuNi-based alloy film on the outer peripheral surface 113 of the support substrate 11 by sputtering, a plurality of end face electrodes 16 in each of the plurality of magnetic sensors 1 are formed. As a result, the plurality of top surface electrodes 15 and the plurality of bottom surface electrodes 17 are connected via the plurality of end face electrodes 16.
  • the plating layer 18 is formed in each of the plurality of magnetic sensors 1. More specifically, in the ninth step, the electrolytic copper plating layer and the electrolytic tin plating layer constituting the plating layer 18 are sequentially formed for each of the plurality of magnetic sensors 1.
  • the magnetic sensor 1 according to the embodiment can be manufactured by the first to ninth steps described above.
  • the centroids c11 to c14 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are in the second direction D2 when viewed from the third direction D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the above.
  • the size of the magnetic sensor 1 can be reduced in the second direction D2 as compared with the case where the centroids c11 to c14 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are displaced in the second direction D2 with respect to the center line L2. It is possible to plan.
  • the pattern width W3 (see FIG. 5) of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 has the magnetizing period ⁇ of the detection target 2 (FIG. 3). See) 15% or more.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is less than 15% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2
  • the change in the magnetic flux density due to the relative movement of the detection target 2 is observed.
  • the reaction does not become steep, and as a result, it becomes possible to reduce the error due to the strain waveform.
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is adjacent to the magnetic resistance pattern portion in the first direction D2 in the second direction D2. It protrudes toward the adjacent magnetoresistive pattern portion in the first direction D1 so as to overlap a part of the above.
  • the distance between the adjacent magnetic resistance pattern portions 131 to 134 can be shortened, and as a result, the magnetic sensor 1 can be further miniaturized.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 exceeds 25% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2, two magnetic resistances adjacent to the same magnetic pole of the detection target 2 are obtained.
  • the pattern portion may react at the same time, and the detection accuracy of the position of the detection target 2 may decrease.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is 25% or less of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2. .. Therefore, it is unlikely that two adjacent reluctance pattern portions react to the same magnetic pole of the detection target 2 at the same time, and it is possible to suppress a decrease in the detection accuracy of the position of the detection target 2.
  • the center points c21 to c24 and the centroids c11 to c14 when viewed from the third direction D3. And each match. This makes it possible to minimize the error due to the deviation between the center points c21 to c24 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 and the centroids c11 to c14.
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is overlapped with a part of the adjacent magnetic resistance pattern portions in the second direction D2. In addition, it protrudes toward the adjacent magnetoresistive pattern portion in the first direction D1.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 can be set to 15% or more of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2.
  • Modification Example 1 is only one of various embodiments of the present disclosure.
  • the first embodiment can be changed in various ways depending on the design and the like as long as the object of the present disclosure can be achieved.
  • modified examples of the first embodiment are listed. The modifications described below can be applied in combination as appropriate.
  • the magnetic sensor according to the first modification is different from the magnetic sensor 1 according to the first embodiment in that each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is composed of a plurality of resistance portions.
  • the magnetic sensor according to the modified example 1 has the same configuration as the magnetic sensor 1 according to the above-described embodiment except for the configuration, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the magnetic sensor according to the first modification will be described with reference to FIG.
  • the magnetic sensor according to the first modification includes a plurality of (for example, four) magnetoresistance pattern portions 131 to 134, first to eighth wiring pattern portions 135 to 142, and a power supply terminal 21. It includes a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24.
  • the plurality of magnetoresistive pattern units 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern unit 131, a second magnetic resistance pattern unit 132, a third magnetic resistance pattern unit 133, and a fourth magnetic resistance pattern unit 134.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131 has a first resistance unit 1311 and a second resistance unit 1312. Each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 8).
  • the first end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1312 via the fifth wiring pattern portion 139.
  • the first end portion of the second resistance portion 1312 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the second magnetic resistance pattern unit 132 has a first resistance unit 1321 and a second resistance unit 1322.
  • Each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the ground terminal 22 via the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1322 via the sixth wiring pattern portion 140.
  • the first end portion of the second resistance portion 1322 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the third magnetic resistance pattern unit 133 has a first resistance unit 1331 and a second resistance unit 1332.
  • Each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1332 via the seventh wiring pattern portion 141.
  • the first end portion of the second resistance portion 1332 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the fourth magnetoresistance pattern unit 134 has a first resistance unit 1341 and a second resistance unit 1342.
  • Each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the ground terminal 22 via the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1342 via the eighth wiring pattern portion 142.
  • the first end portion of the second resistance portion 1342 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131, the second magnetic resistance pattern unit 132, the third magnetic resistance pattern unit 133, and the fourth magnetic resistance pattern unit 134 have regions as shown in FIG. It is composed of a part contained in R2.
  • the center point c211 and the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetic resistance pattern portion 131 when viewed from the third direction D3 coincide with each other, and the third direction
  • the center point c212 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 and the centroid c112 when viewed from D3 coincide with each other.
  • the center point c221 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3 and the centroid c121 coincide with each other, and the second direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c222 of the second resistance portion 1322 of the magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 coincide with each other.
  • the center point c231 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c131, and the third direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c232 of the second resistance portion 1332 of the magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 coincide with each other.
  • the center point c241 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c141, and the fourth when viewed from the third direction D3.
  • the center point c242 of the second resistance portion 1342 of the magnetic resistance pattern portion 134 coincides with the centroid c142.
  • the centroids c111, c112, c121, c122, c131, c132, c141, and c142 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are the third directions D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the two-way D2. More specifically, the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetoresistive pattern portion 131 and the centroid c112 of the second resistance portion 1312 are located on the center line L2.
  • centroid c121 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 of the second resistance portion 1322 are located on the center line L2. Further, the centroid c131 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 of the second resistance portion 1332 are located on the center line L2. Further, the center of gravity c141 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the center of gravity c142 of the second resistance portion 1342 are located on the center line L2.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 can be set to 15% or more and 25% or less, and as a result, the position of the detection target 2 can be detected. It is possible to reduce the error.
  • the resistance portion located outside in the first direction D1 among the plurality of resistance portions constituting the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is the first magnetic resistance pattern portion 131 and the power supply terminal.
  • the magnetic sensor according to the modified example 2 has the same configuration as the magnetic sensor according to the modified example 1 described above, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the magnetic sensor according to the second modification will be described with reference to FIG.
  • the magnetic sensors according to the second modification include a plurality of (for example, four) magnetoresistance pattern portions 131 to 134, and a plurality of (for example, four) magnetic resistance pattern portions 135 to 140. ) Terminals 21 to 24.
  • the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern portion 131, a second magnetic resistance pattern portion 132, a third magnetic resistance pattern portion 133, and a fourth magnetic resistance pattern portion 134.
  • the plurality of terminals 21 to 24 include a power supply terminal 21, a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24, as described above.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131 has a first resistance unit 1311 and a second resistance unit 1312. Each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9).
  • the first end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1312 via the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135.
  • the first end portion of the second resistance portion 1312 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the second magnetic resistance pattern unit 132 has a first resistance unit 1321 and a second resistance unit 1322.
  • Each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1322 via the sixth wiring pattern portion 140.
  • the first end portion of the second resistance portion 1322 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the third magnetic resistance pattern unit 133 has a first resistance unit 1331 and a second resistance unit 1332.
  • Each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1332 via the fifth wiring pattern portion 139.
  • the first end portion of the second resistance portion 1332 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the fourth magnetoresistance pattern unit 134 has a first resistance unit 1341 and a second resistance unit 1342.
  • Each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the first end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1342 via the second wiring portion 1362 of the second wiring pattern portion 136.
  • the first end portion of the second resistance portion 1342 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the first wiring portion 1351 and the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135 connected to the power supply terminal 21 are connected via the outer first resistance portion 1311. ing. Further, in the magnetic sensor according to the second modification, the first wiring portion 1361 and the second wiring portion 1362 of the second wiring pattern portion 136 connected to the ground terminal 22 are interposed via the outer first resistance portion 1341. It is connected.
  • the "outer resistance portion” is a resistance portion in which another resistance portion is provided only on one side in the first direction D1 among a plurality of resistance portions arranged along the first direction D1. To say.
  • the resistance portions 1311, 1312, 1321, 1322, 1331, 1332, 1341, 1342 are the outer resistance portions. It becomes.
  • the other resistance portions are inner resistance portions.
  • the "inner resistance portion” refers to a resistance portion in which other resistance portions are provided on both sides in the first direction D1 among a plurality of resistance portions arranged along the first direction D1.
  • 1321, 1322, 1331, 1332, 1342 serve as inner resistance portions.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131, the second magnetic resistance pattern unit 132, the third magnetic resistance pattern unit 133, and the fourth magnetic resistance pattern unit 134 are as shown in FIG. , It is composed of a portion included in the region R3.
  • the center point c211 and the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetic resistance pattern portion 131 when viewed from the third direction D3 coincide with each other, and the third direction
  • the center point c212 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 and the centroid c112 when viewed from D3 coincide with each other.
  • the center point c221 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3 and the centroid c121 coincide with each other, and the second direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c222 of the second resistance portion 1322 of the magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 coincide with each other.
  • the center point c231 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c131, and the third direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c232 of the second resistance portion 1332 of the magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 coincide with each other.
  • the center point c241 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c141, and the fourth when viewed from the third direction D3.
  • the center point c242 of the second resistance portion 1342 of the magnetic resistance pattern portion 134 coincides with the centroid c142.
  • the centroids c111, c112, c121, c122, c131, c132, c141, and c142 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are the third directions D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the two-way D2. More specifically, the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetoresistive pattern portion 131 and the centroid c112 of the second resistance portion 1312 are located on the center line L2.
  • centroid c121 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 of the second resistance portion 1322 are located on the center line L2. Further, the centroid c131 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 of the second resistance portion 1332 are located on the center line L2. Further, the center of gravity c141 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the center of gravity c142 of the second resistance portion 1342 are located on the center line L2.
  • the pattern width W3 of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 can be set to 15% or more and 25% or less, and as a result, the position of the detection target 2 can be detected. It is possible to reduce the error.
  • the magnetic sensor according to the modified example 3 is different from the magnetic sensor according to the modified example 2 in that the line width of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 is narrowed.
  • the magnetic sensor according to the modified example 3 has the same configuration as the magnetic sensor according to the modified example 2 described above, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the magnetic sensor according to the modified example 3 will be described with reference to FIGS. 10 to 12.
  • the magnetic sensors according to the third modification include a plurality of (for example, four) magnetoresistance pattern portions 131 to 134, and a plurality of (for example, four) magnetic resistance pattern portions 135 to 140. ) Terminals 21 to 24.
  • the plurality of magnetoresistive pattern units 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern unit 131, a second magnetic resistance pattern unit 132, a third magnetic resistance pattern unit 133, and a fourth magnetic resistance pattern unit 134.
  • the plurality of terminals 21 to 24 include a power supply terminal 21, a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131 has a first resistance unit 1311 and a second resistance unit 1312.
  • Each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10). More specifically, the first resistance portion 1311 meanders in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, from one end side (upper side in FIG. 10) to the other end in the second direction D2. It extends toward the side (lower side of FIG. 10). Further, the second resistance portion 1312 meanders in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, from one end side (upper side in FIG.
  • both ends of the second resistance portion 1312 are located on one end side (upper side in FIG. 10) in the second direction D2.
  • the first pattern portion heading from one end side to the other end side in the second direction D2 and the second pattern portion heading from the other end side to the one end side in the second direction D2 are first. It is formed in the shape of comb teeth that alternately enter in the direction D1. This makes it possible to narrow the pattern width of the second resistance portion 1312 in the first direction D1.
  • the first end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1312 via the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135.
  • the first end portion of the second resistance portion 1312 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the second magnetic resistance pattern unit 132 has a first resistance unit 1321 and a second resistance unit 1322.
  • Each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10). More specifically, each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 meanders in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, and one end side in the second direction D2 (more specifically. It extends from the upper end side of FIG. 10 toward the other end side (lower side of FIG. 10), and further extends from the other end side in the second direction D2 toward one end side while meandering along the first direction D1. (See FIGS. 11 and 12).
  • both ends of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 are located on one end side (upper side in FIG. 10) in the second direction D2.
  • the first pattern portion 1323 (see FIG. 11) from one end side to the other end side in the second direction D2 and the other end side in the second direction D2.
  • the second pattern portion 1324 (see FIG. 11) toward one end side is formed in a comb-teeth shape alternately inserted in the first direction D1. This makes it possible to narrow the pattern widths of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 in the first direction D1.
  • the first end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1322 via the sixth wiring pattern portion 140.
  • the first end portion of the second resistance portion 1322 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the third magnetic resistance pattern unit 133 has a first resistance unit 1331 and a second resistance unit 1332.
  • Each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10). More specifically, each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 meanders in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, and one end side in the second direction D2 ( It extends from the lower side of FIG. 10 toward the other end side (upper side of FIG. 10), and further extends from the other end side in the second direction D2 toward one end side while meandering along the first direction D1. There is.
  • both ends of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 are located on one end side (lower side in FIG. 10) in the second direction D2. Further, in each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332, the first pattern portion toward the other end side from the one end side in the second direction D2 and the first pattern portion toward the other end side in the second direction D2.
  • the two pattern portions are formed in a comb-teeth shape in which they are alternately inserted in the first direction D1. This makes it possible to narrow the pattern widths of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 in the first direction D1.
  • the first end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1332 via the fifth wiring pattern portion 139.
  • the first end portion of the second resistance portion 1332 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion
  • the fourth magnetoresistance pattern unit 134 has a first resistance unit 1341 and a second resistance unit 1342.
  • Each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10). More specifically, the first resistance portion 1341 meanders in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, from one end side (upper side in FIG. 10) to the other end in the second direction D2. It extends toward the side (lower side of FIG. 10) (see FIG. 11).
  • the second resistance portion 1342 is meandering in a U shape along the first direction D1 when viewed from the third direction D3, from the other end side (lower side in FIG. 10) to the one end side (lower side in FIG. 10) in the second direction D2. It extends toward the upper side of FIG. 10), and further extends from one end side to the other end side in the second direction D2 while meandering along the first direction D1 (see FIG. 12). As a result, both ends of the second resistance portion 1342 are located on the other end side (lower side of FIG. 10) in the second direction D2. Further, in the second resistance portion 1342, the first pattern portion 1344 (see FIG.
  • the portions 1345 are formed in a comb-teeth shape in which the portions 1345 (see FIG. 12) are alternately inserted in the first direction D1. This makes it possible to narrow the pattern width of the second resistance portion 1342 in the first direction D1.
  • the first end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1342 via the second wiring portion 1362 of the second wiring pattern portion 136.
  • the first end portion of the second resistance portion 1342 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the center point c211 and the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetic resistance pattern portion 131 when viewed from the third direction D3 coincide with each other, and the third direction
  • the center point c212 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 and the centroid c112 when viewed from D3 coincide with each other.
  • the center point c221 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3 and the centroid c121 coincide with each other, and the second direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c222 of the second resistance portion 1322 of the magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 coincide with each other.
  • the center point c231 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c131, and the third direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c232 of the second resistance portion 1332 of the magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 coincide with each other.
  • the center point c241 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c141, and the fourth when viewed from the third direction D3.
  • the center point c242 of the second resistance portion 1342 of the magnetic resistance pattern portion 134 coincides with the centroid c142.
  • the centroids c111, c112, c121, c122, c131, c132, c141, and c142 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are the third directions D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the two-way D2. More specifically, the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetoresistive pattern portion 131 and the centroid c112 of the second resistance portion 1312 are located on the center line L2.
  • centroid c121 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 of the second resistance portion 1322 are located on the center line L2. Further, the centroid c131 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 of the second resistance portion 1332 are located on the center line L2. Further, the center of gravity c141 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the center of gravity c142 of the second resistance portion 1342 are located on the center line L2.
  • each magnetic resistance pattern unit is similar to the magnetic sensor 1 according to the first embodiment and the magnetic sensor according to the modification 1 described above.
  • 131 to 134 are composed of, for example, an artificial lattice film in which magnetic layers containing a NiFeCo alloy and non-magnetic layers containing a Cu alloy are alternately laminated.
  • the line width of each magnetic resistance pattern portion 131 to 134 is, for example, 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the resistance value of the bridge circuit composed of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is, for example, 1 k ⁇ or more and 5 k ⁇ or less.
  • the line width of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 is, for example, 5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less. Further, the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modification 3 is 1 ⁇ 2 of the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modification 2. Therefore, for example, if the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modified example 2 is 10 ⁇ m, the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modified example 3 is 5 ⁇ m. Is. In the magnetic sensor according to the third modification, the resistance value of the bridge circuit composed of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is, for example, 5 k ⁇ or more and 10 k ⁇ or less.
  • each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 By narrowing the line width of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 as in the magnetic sensor according to the modification 3, it is possible to increase the resistance values of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134. This makes it possible to reduce the power consumption required to obtain the desired signal output. That is, according to the magnetic sensor according to the modification 3, it is possible to increase the signal output per power consumption.
  • the magnetic sensor according to the modified example 4 is different from the magnetic sensor according to the modified example 3 in that the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are formed along the second direction D2.
  • the magnetic sensor according to the modified example 4 has the same configuration as the magnetic sensor according to the modified example 3 described above, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the magnetic sensor according to the modified example 4 will be described with reference to FIGS. 13 to 15.
  • the magnetic sensors according to the modified example 4 include a plurality of (for example, four) magnetoresistance pattern portions 131 to 134, and a plurality of (for example, four) magnetic resistance pattern portions 135 to 140. ) Terminals 21 to 24.
  • the plurality of magnetoresistive pattern units 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern unit 131, a second magnetic resistance pattern unit 132, a third magnetic resistance pattern unit 133, and a fourth magnetic resistance pattern unit 134.
  • the plurality of terminals 21 to 24 include a power supply terminal 21, a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131 has a first resistance unit 1311 and a second resistance unit 1312.
  • Each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 13). More specifically, each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 meanders in a U shape along the second direction D2 when viewed from the third direction D3, and one end side in the first direction D1 ( It extends from the left side of FIG. 13 to the other end side (right side of FIG. 13). Further, as shown in FIG. 13, the first resistance portion 1311 has a pair of overhanging portions 1313 and 1313.
  • the pair of overhanging portions 1313 and 1313 project in a rectangular shape in a direction approaching each other at the central portion of the first resistance portion 1311 in the first direction D1.
  • the first resistance portion 1311 has a point-symmetrical shape with the center point c211 as the point of symmetry (center of symmetry).
  • the second resistance portion 1312 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L112 along the second direction D2.
  • the first end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1312 via the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135.
  • the first end portion of the second resistance portion 1312 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the second magnetic resistance pattern unit 132 has a first resistance unit 1321 and a second resistance unit 1322.
  • Each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 13). More specifically, each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 meanders in a U shape along the second direction D2 when viewed from the third direction D3, and one end side in the first direction D1 ( It extends from the left side of FIG. 13 to the other end side (right side of FIG. 13).
  • the first resistance portion 1321 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L121 along the second direction D2.
  • the second resistance portion 1322 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L122 along the second direction D2.
  • the first end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1322 via the sixth wiring pattern portion 140.
  • the first end portion of the second resistance portion 1322 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the third magnetic resistance pattern unit 133 has a first resistance unit 1331 and a second resistance unit 1332.
  • Each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 13). More specifically, each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 meanders in a U shape along the second direction D2 when viewed from the third direction D3, and one end side in the first direction D1 ( It extends from the left side of FIG. 13 to the other end side (right side of FIG. 13).
  • the first resistance portion 1331 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L111 along the second direction D2.
  • the second resistance portion 1332 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L132 along the second direction D2.
  • the first end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1332 via the fifth wiring pattern portion 139.
  • the first end portion of the second resistance portion 1332 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the fourth magnetoresistance pattern unit 134 has a first resistance unit 1341 and a second resistance unit 1342.
  • Each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 13). More specifically, each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 meanders in a U shape along the second direction D2 when viewed from the third direction D3, and one end side in the first direction D1 ( It extends from the right side of FIG. 13 to the other end side (left side of FIG. 13). Further, as shown in FIG. 14, the first resistance portion 1341 has a pair of overhanging portions 1343 and 1343.
  • the pair of overhanging portions 1343 and 1343 project in a rectangular shape in a direction approaching each other at the central portion of the first resistance portion 1341 in the first direction D1.
  • the first resistance portion 1341 has a point-symmetrical shape with the center point c241 as the point of symmetry (center of symmetry).
  • the second resistance portion 1342 has a shape that is axisymmetric with respect to the center line (axis of symmetry) L142 along the second direction D2.
  • the first end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1342 via the second wiring portion 1362 of the second wiring pattern portion 136.
  • the first end portion of the second resistance portion 1342 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the center point c211 and the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetic resistance pattern portion 131 when viewed from the third direction D3 are coincident with each other, and the third direction
  • the center point c212 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 and the centroid c112 when viewed from D3 coincide with each other.
  • the center point c221 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3 and the centroid c121 coincide with each other, and the second direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c222 of the second resistance portion 1322 of the magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 coincide with each other.
  • the center point c231 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c131, and the third direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c232 of the second resistance portion 1332 of the magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 coincide with each other.
  • the center point c241 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetoresistance pattern portion 134 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c141, and the fourth when viewed from the third direction D3.
  • the center point c242 of the second resistance portion 1342 of the magnetic resistance pattern portion 134 coincides with the centroid c142.
  • the centroids c111, c112, c121, c122, c131, c132, c141, and c142 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are the third directions D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 in the two-way D2. More specifically, the centroid c111 of the first resistance portion 1311 of the first magnetoresistive pattern portion 131 and the centroid c112 of the second resistance portion 1312 are located on the center line L2.
  • centroid c121 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 of the second resistance portion 1322 are located on the center line L2. Further, the centroid c131 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 of the second resistance portion 1332 are located on the center line L2. Further, the center of gravity c141 of the first resistance portion 1341 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the center of gravity c142 of the second resistance portion 1342 are located on the center line L2.
  • the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is narrower than the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modified example 2. This makes it possible to increase the resistance value of the bridge circuit composed of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134, and as a result, it is possible to reduce the power consumption required to obtain the desired signal output. Become.
  • each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is not limited to the meander shape, and may be another shape.
  • each magnetoresistance pattern section 131 to 134 is composed of one or two resistance sections, but each magnetoresistance pattern section 131 is composed of one or two resistance sections.
  • ⁇ 134 may be composed of, for example, three or more resistance portions.
  • the magnetic sensor according to the second embodiment is different from the magnetic sensor 1 according to the first embodiment in that each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is composed of a plurality of resistance portions. Further, the magnetic sensor according to the second embodiment is different from the magnetic sensor 1 according to the first embodiment in that the line width of each of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is narrowed.
  • Patent Document 1 describes a magnetoresistive element (magnetic sensor) including an insulating substrate (supporting substrate) and a magnetoresistive film provided on the insulating substrate.
  • the magnetoresistive film includes a plurality of double zigzag magnetically sensitive pattern units (magnetic resistance pattern portions).
  • the plurality of double zigzag magnetic pattern units are arranged along the moving direction of the magnet with respect to the magnetoresistive element.
  • the magnetoresistive element described in Patent Document 1 described above can reduce an error due to a strain waveform, but has a problem of increasing the size as a whole.
  • the magnetic sensor according to the second embodiment adopts the following configuration in order to solve the above-mentioned problem.
  • the magnetic sensor according to the second embodiment detects the position of the detection target 2 based on the change in the magnetic field strength caused by the relative movement of the detection target 2 (see FIG. 3) along the first direction D1. It is a magnetic sensor.
  • the detection target 2 is magnetized in the first direction D1 with a predetermined magnetizing period ⁇ (see FIG. 3).
  • the magnetic sensor includes a plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 form a bridge circuit.
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are arranged along the first direction D1.
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is formed along the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • the pattern width W3 (see FIG.
  • each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is 15% or more and 25% or less of the magnetizing period ⁇ .
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3.
  • the third direction D3 is a direction orthogonal to both the first direction D1 and the second direction D2.
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 overlaps with a part of the adjacent magnetic resistance pattern portions in the first direction D2 in the second direction D2, so that the adjacent magnetic resistances in the first direction D1 are overlapped with each other. It protrudes toward the pattern part.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is 15% or more of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is less than 15% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2
  • the reaction does not become steep, and as a result, it becomes possible to reduce the error due to the strain waveform.
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is overlapped with a part of the adjacent magnetic resistance pattern portions in the first direction D2 in the second direction D2. In addition, it protrudes toward the adjacent magnetoresistive pattern portion in the first direction D1. This makes it possible to shorten the distance between the adjacent magnetic resistance pattern portions 131 to 134, and as a result, it is possible to reduce the size of the magnetic sensor 1. That is, according to the magnetic sensor according to the second embodiment, it is possible to reduce the size while reducing the error due to the distortion waveform.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 exceeds 25% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2, two magnetic resistances adjacent to the same magnetic pole of the detection target 2 The pattern portion may react at the same time, and the detection accuracy of the position of the detection target 2 may decrease.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistance pattern portions 131 to 134 is 25% or less of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2. Therefore, it is unlikely that two adjacent reluctance pattern portions react to the same magnetic pole of the detection target 2 at the same time, and it is possible to suppress a decrease in the detection accuracy of the position of the detection target 2.
  • the magnetic sensors according to the second embodiment include a plurality (for example, four) magnetoresistance pattern portions 131 to 134 and a plurality of first to sixth wiring pattern portions 135 to 140.
  • terminals 21 to 24 are provided.
  • the plurality of magnetoresistive pattern units 131 to 134 include a first magnetic resistance pattern unit 131, a second magnetic resistance pattern unit 132, a third magnetic resistance pattern unit 133, and a fourth magnetic resistance pattern unit 134.
  • the plurality of terminals 21 to 24 include a power supply terminal 21, a ground terminal 22, a first output terminal 23, and a second output terminal 24.
  • the first magnetic resistance pattern unit 131 has a first resistance unit 1311 and a second resistance unit 1312.
  • Each of the first resistance portion 1311 and the second resistance portion 1312 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 16).
  • the first resistance portion 1311 includes a first portion 1314 and a second portion 1315.
  • the first portion 1314 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a letter.
  • the second portion 1315 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a letter.
  • the second resistance portion 1312 includes a first portion 1316 and a second portion 1317.
  • the first portion 1316 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a letter.
  • the second portion 1317 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2.
  • the first portion 1316 and the second portion 1317 have a point-symmetrical shape with the center point c212 of the second resistance portion 1312 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the first end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1311 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1312 via the second wiring portion 1352 of the first wiring pattern portion 135.
  • the first end portion of the second resistance portion 1312 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the second magnetic resistance pattern unit 132 has a first resistance unit 1321 and a second resistance unit 1322.
  • Each of the first resistance portion 1321 and the second resistance portion 1322 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 16).
  • the first resistance portion 1321 includes a first portion 1325 and a second portion 1326.
  • the first portion 1325 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a letter.
  • the second portion 1326 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a letter. Further, in the first resistance portion 1321, the first portion 1325 and the second portion 1326 have a point-symmetrical shape with the center point c221 of the first resistance portion 1321 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the second resistance portion 1322 includes a first portion 1327 and a second portion 1328.
  • the first portion 1327 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2.
  • the second portion 1328 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a letter. Further, in the second resistance portion 1322, the first portion 1327 and the second portion 1328 have a point-symmetrical shape with the center point c222 of the second resistance portion 1322 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the first end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1321 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1322 via the sixth wiring pattern portion 140.
  • the first end portion of the second resistance portion 1322 is connected to the first output terminal 23 via the third wiring pattern portion 137.
  • the third magnetic resistance pattern unit 133 has a first resistance unit 1331 and a second resistance unit 1332.
  • Each of the first resistance portion 1331 and the second resistance portion 1332 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 16).
  • the first resistance portion 1331 includes a first portion 1334 and a second portion 1335.
  • the first portion 1334 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a meander.
  • the second portion 1335 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a meander. Further, in the first resistance portion 1331, the first portion 1334 and the second portion 1335 have a point-symmetrical shape with the center point c231 of the first resistance portion 1331 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the second resistance portion 1332 includes a first portion 1336 and a second portion 1337.
  • the first portion 1336 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2.
  • the second portion 1337 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a letter. Further, in the second resistance portion 1332, the first portion 1336 and the second portion 1337 have a point-symmetrical shape with the center point c232 of the second resistance portion 1332 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the first end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the power supply terminal 21 via the first wiring portion 1351 of the first wiring pattern portion 135.
  • the second end portion of the first resistance portion 1331 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1332 via the fifth wiring pattern portion 139.
  • the first end portion of the second resistance portion 1332 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the fourth magnetoresistance pattern unit 134 has a first resistance unit 1341 and a second resistance unit 1342.
  • Each of the first resistance portion 1341 and the second resistance portion 1342 is formed in a meander shape when viewed from the third direction D3 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 16).
  • the first resistance portion 1341 includes a first portion 1346 and a second portion 1347.
  • the first portion 1346 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a meander.
  • the second portion 1347 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2. It meanders like a meander.
  • the second resistance portion 1342 includes a first portion 1348 and a second portion 1349.
  • the first portion 1348 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region below the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region above the center line L2. It meanders like a letter.
  • the second portion 1349 meanders in a U shape along the first direction D1 in the region above the center line L2, and U-shapes along the second direction D2 in the region below the center line L2.
  • the first portion 1348 and the second portion 1349 have a point-symmetrical shape with the center point c242 of the second resistance portion 1342 as a point of symmetry (center of symmetry).
  • the first end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the ground terminal 22 via the first wiring portion 1361 of the second wiring pattern portion 136.
  • the second end portion of the first resistance portion 1341 is connected to the second end portion of the second resistance portion 1342 via the second wiring portion 1362 of the second wiring pattern portion 136.
  • the first end portion of the second resistance portion 1342 is connected to the second output terminal 24 via the fourth wiring pattern portion 138.
  • the center point c212 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 and the center of gravity c112 when viewed from the third direction D3 coincide with each other.
  • the center point c221 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 when viewed from the third direction D3 and the centroid c121 coincide with each other, and the second direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c222 of the second resistance portion 1322 of the magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 coincide with each other.
  • center point c231 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 when viewed from the third direction D3 coincides with the centroid c131, and the third direction when viewed from the third direction D3.
  • the center point c232 of the second resistance portion 1332 of the magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 coincide with each other.
  • the center point c242 of the second resistance portion 1342 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 and the center of gravity c142 when viewed from the third direction D3 coincide with each other.
  • the centroids c112, c121, c122, c131, c132, and c142 of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 are in the second direction D2 when viewed from the third direction D3. It is located on the center line L2 of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134. More specifically, the centroid c112 of the second resistance portion 1312 of the first magnetic resistance pattern portion 131 is located on the center line L2. Further, the centroid c121 of the first resistance portion 1321 of the second magnetic resistance pattern portion 132 and the centroid c122 of the second resistance portion 1322 are located on the center line L2.
  • centroid c131 of the first resistance portion 1331 of the third magnetic resistance pattern portion 133 and the centroid c132 of the second resistance portion 1332 are located on the center line L2. Further, the center of gravity c142 of the second resistance portion 1342 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is located on the center line L2.
  • the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 are composed of, for example, an artificial lattice film in which magnetic layers containing a NiFeCo alloy and non-magnetic layers containing a Cu alloy are alternately laminated.
  • the line width of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 is, for example, 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the resistance value of the bridge circuit composed of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is, for example, 1 k ⁇ or more and 5 k ⁇ or less.
  • the line width W1 (see FIG. 17) of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 is, for example, 4 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the line width W1 of each magnetoresistance pattern portion 131 to 134 is 5 ⁇ m.
  • the line width W1 of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the second embodiment is 1 / of the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the modification 2 of the first embodiment. It is 2.
  • the line width of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the second embodiment of the first embodiment is 10 ⁇ m
  • the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 of the magnetic sensor according to the second embodiment The line width W1 is 5 ⁇ m.
  • the interval W2 of adjacent patterns in each magnetoresistance pattern unit 131 to 134 is, for example, 5 ⁇ m.
  • the resistance value of the bridge circuit composed of the magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is, for example, 5 k ⁇ or more and 10 k ⁇ or less.
  • each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 By narrowing the line width W1 of each magnetoresistive pattern portion 131 to 134 as in the magnetic sensor according to the second embodiment, it is possible to increase the resistance values of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134. This makes it possible to reduce the power consumption required to obtain the desired signal output. That is, according to the magnetic sensor according to the second embodiment, it is possible to increase the signal output per power consumption.
  • a part of the second resistance portion 1342 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 is adjacent in the first direction D1 in the second direction D2 as shown in FIG. It protrudes toward the adjacent second resistance portion 1322 in the first direction D1 so as to overlap with the second resistance portion 1322 of the second magnetic resistance pattern portion 132.
  • the pattern width W3 of the second resistance portion 1342 of the fourth magnetic resistance pattern portion 134 can be set to 15% or more and 25% or less of the magnetizing period ⁇ (see FIG. 3) of the detection target 2. Become. As a result, it is possible to reduce the detection error of the position of the detection target 2.
  • the pattern width is 15% or more of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2 and the pattern width is 15% or more. It can be 25% or less.
  • the pattern width W3 (see FIG. 5) of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 has the magnetizing period ⁇ of the detection target 2 (FIG. 5). 3) or more.
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 is the magnetic resistance pattern portion adjacent to each other in the first direction D2 in the second direction D2. It protrudes toward the adjacent magnetoresistive pattern portion in the first direction D1 so as to overlap a part.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions 131 to 134 exceeds 25% of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2, two magnetic resistances adjacent to the same magnetic pole of the detection target 2 The pattern portion may react and the detection accuracy of the position of the detection target 2 may decrease.
  • the pattern width W3 of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions 131 to 134 is 25% or less of the magnetizing period ⁇ of the detection target 2. , It is possible to suppress a decrease in the detection accuracy of the position of the detection target 2.
  • the magnetic sensor (1) is the position of the detection target (2) based on the change in the magnetic field strength caused by the relative movement of the detection target (2) along the first direction (D1). It is a magnetic sensor (1) that detects.
  • the detection target (2) is magnetized in a predetermined magnetizing period ( ⁇ ) in the first direction (D1).
  • the magnetic sensor (1) includes a plurality of magnetic resistance pattern units (131 to 134).
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) form a bridge circuit.
  • the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) are arranged along the first direction (D1).
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) is formed along a second direction (D2) orthogonal to the first direction (D1).
  • Each of the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) is formed in a meander shape when viewed from the third direction (D3).
  • the third direction (D3) is a direction orthogonal to both the first direction (D1) and the second direction (D2).
  • Each centroid (c11 to c14) of the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) has a plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) in the second direction (D2) when viewed from the third direction (D3). ) Is located on the center line (L2).
  • the pattern width (W3) of each of the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) is 15% or more of the magnetizing period ( ⁇ ). And it is 25% or less.
  • a part of each of the plurality of magnetoresistive pattern portions is in the first direction (D1) in the second direction (D2). ), It protrudes toward the adjacent magnetoresistance pattern portion in the first direction (D1) so as to overlap a part of the adjacent magnetoresistance pattern portion.
  • any one of the first to third aspects four magnetoresistance pattern portions (131, 132, 133, 134) are used as a plurality of magnetoresistance pattern portions (131, 132, 133, 134). (131, 132, 133, 134) is provided. The four magnetoresistance pattern portions (131, 132, 133, 134) form a full bridge circuit as the bridge circuit.
  • the magnetic sensor (1) according to the fifth aspect has the first wiring pattern portion (135), the second wiring pattern portion (136), the third wiring pattern portion (137), and the third wiring pattern portion (137) in the fourth aspect.
  • 4 Wiring pattern unit (138) is further provided.
  • the first wiring pattern portion (135) is connected to the power supply terminal (21).
  • the second wiring pattern portion (136) is connected to the ground terminal (22).
  • the third wiring pattern portion (137) is connected to the first output terminal (23).
  • the fourth wiring pattern portion (138) is connected to the second output terminal (24).
  • the plurality of magnetoresistive pattern portions (131 to 134) are connected in series with the first magnetic resistance pattern portion (131) and the second magnetic resistance pattern portion (132) connected in series with each other.
  • the reluctance pattern portion (133) and the fourth reluctance pattern portion (134) are included.
  • the first wiring pattern portion (135) has an end portion of the first magnetic resistance pattern portion (131) opposite to the second magnetic resistance pattern portion (132) side and a third magnetic resistance pattern portion (133). 4 It is connected to the end portion on the opposite side to the magnetic resistance pattern portion (134) side.
  • the second wiring pattern portion (136) is an end portion of the second magnetoresistance pattern portion (132) opposite to the first magnetic resistance pattern portion (131) side, and a second magnetoresistance pattern portion (134). 3 It is connected to the end portion on the opposite side to the magnetic resistance pattern portion (133) side.
  • the third wiring pattern portion (137) is connected to the first magnetic resistance pattern portion (131) and the second magnetic resistance pattern portion (132).
  • the fourth wiring pattern portion (138) is connected to the third magnetic resistance pattern portion (133) and the fourth magnetic resistance pattern portion (134).
  • the configuration according to the second to fifth aspects is not an essential configuration for the magnetic sensor (1) and can be omitted as appropriate.
  • the magnetic sensor (1) is the position of the detection target (2) based on the change in the magnetic field strength caused by the relative movement of the detection target (2) along the first direction (D1). It is a magnetic sensor (1) that detects.
  • the detection target (2) is magnetized in a predetermined magnetizing period ( ⁇ ) in the first direction (D1).
  • the magnetic sensor (1) includes a plurality of magnetic resistance pattern units (131 to 134).
  • the plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) form a bridge circuit.
  • the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) are arranged along the first direction (D1).
  • Each of the plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) is formed along a second direction (D2) orthogonal to the first direction (D1).
  • the pattern width (W3) of each of the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) is 15% or more and 25% or less of the magnetizing period ( ⁇ ).
  • Each of the plurality of magnetoresistance pattern portions (131 to 134) is formed in a meander shape when viewed from the third direction (D3).
  • the third direction (D3) is a direction orthogonal to both the first direction (D1) and the second direction (D2).
  • a part of each of the plurality of magnetic resistance pattern portions (131 to 134) overlaps with a part of the adjacent magnetic resistance pattern portions in the first direction (D1) in the first direction (D2). In (D1), it protrudes toward the adjacent magnetoresistance pattern portion.
  • Magnetic sensor 2 Detection target 21 Power supply terminal 22 Ground terminal 23 First output terminal 24 Second output terminal 131 First magnetic resistance pattern part (magnetic resistance pattern part) 132 Second reluctance pattern part (magnetic resistance pattern part) 133 Third reluctance pattern part (magnetic resistance pattern part) 134 4th reluctance pattern part (magnetic resistance pattern part) 135 1st wiring pattern part 136 2nd wiring pattern part 137 3rd wiring pattern part 138 4th wiring pattern part c11, c12, c13, c14 Center point c21, c22, c23, c24 Center point D1 1st direction D2 2nd direction D3 3rd direction L2 Center line W3 Pattern width ⁇ Magnetization period

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Abstract

本開示の課題は、小型化を図ることである。本開示に係る磁気センサは、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）を備える。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、第１方向（Ｄ１）に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第１方向（Ｄ１）と直交する第２方向（Ｄ２）に沿って形成されている。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）の両方と直交する第３方向から見て、ミアンダ形状に形成されている。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々の図心（ｃ１１，ｃ１２，ｃ１３，ｃ１４）は、第３方向から見て、第２方向（Ｄ２）における複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の中心線（Ｌ２）上に位置している。

Description

磁気センサ
　本開示は、一般に磁気センサに関し、より詳細には、複数の磁気抵抗パターン部を備える磁気センサに関する。
　特許文献１には、絶縁基板（支持基板）と、絶縁基板上に設けられている磁気抵抗膜とを備える磁気抵抗素子（磁気センサ）が記載されている。磁気抵抗膜は、複数の２重つづら折り感磁パターンユニット（磁気抵抗パターン部）を含む。複数の２重つづら折り感磁パターンユニットは、磁気抵抗素子に対する磁石の移動方向に沿って並んでいる。
　特許文献１に記載の磁気抵抗素子では、大型化するという問題があった。
特開２００１－１４１５１４号公報
　本開示の目的は、小型化を図ることが可能な磁気センサを提供することにある。
　本開示の一態様に係る磁気センサは、検知対象が第１方向に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて前記検知対象の位置を検知する磁気センサである。前記検知対象は、前記第１方向において所定の着磁周期で着磁されている。前記磁気センサは、複数の磁気抵抗パターン部を備える。前記複数の磁気抵抗パターン部は、ブリッジ回路を構成している。前記複数の磁気抵抗パターン部は、前記第１方向に沿って並んでいる。前記複数の磁気抵抗パターン部の各々は、前記第１方向と直交する第２方向に沿って形成されている。前記複数の磁気抵抗パターン部の各々は、前記第１方向及び前記第２方向の両方と直交する第３方向から見て、ミアンダ形状に形成されている。前記複数の磁気抵抗パターン部の各々の図心は、前記第３方向から見て、前記第２方向における前記複数の磁気抵抗パターン部の中心線上に位置している。
図１は、実施形態１に係る磁気センサの外観斜視図である。 図２は、同上の磁気センサに関し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。 図３は、同上の磁気センサの検知対象の概略構成図である。 図４は、同上の磁気センサの概略回路図である。 図５は、同上の磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図６は、比較例に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図７は、磁気抵抗パターン部のパターン幅と検知対象の検知位置の誤差との関係を示すグラフである。 図８は、実施形態１の変形例１に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図９は、実施形態１の変形例２に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図１０は、実施形態１の変形例３に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図１１は、図１０のＡ１部拡大図である。 図１２は、図１０のＢ１部拡大図である。 図１３は、実施形態１の変形例４に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図１４は、図１３のＡ２部拡大図である。 図１５は、図１３のＢ２部拡大図である。 図１６は、実施形態２に係る磁気センサの磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例を示す配置図である。 図１７は、図１６のＡ３部拡大図である。
　以下、実施形態１，２に係る磁気センサ１について、図１～図１７を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図１～図３、図５、図６及び図８～図１７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１）概要
　まず、実施形態１に係る磁気センサ１の概要について、図１～図５を参照して説明する。
　磁気センサ１は、磁気を利用して検知対象２の位置を検知する。磁気センサ１は、例えば、リニアエンコーダ又はロータリエンコーダ等の位置センサとして用いられる。具体的には、磁気センサ１は、例えば、モータ（リニアモータ又は回転モータ）により駆動されたカメラのレンズ等の位置を検知するための位置センサ（エンコーダ）として用いられる。また、磁気センサ１は、例えば、自動車のブレーキペダル、ブレーキレバー又はシフトレバーの位置を検知するための位置センサとしても用いられる。ただし、磁気センサ１の用途は、上述の用途に限定されない。また、磁気センサ１で検知される「位置」とは、検知対象２の座標と、検知対象２を通る回転軸（仮想軸）を中心とする検知対象２の回転角（検知対象２の向き）と、の両方を含む概念である。つまり、磁気センサ１は、検知対象２の座標と、検知対象２の回転角との少なくとも一方を検知する。
　以下では、磁気センサ１がリニアエンコーダとして用いられる場合を例に説明する。リニアエンコーダは、インクリメント型であってもよいし、アブソリュート型であってもよい。実施形態１では、磁気センサ１は、検知対象２の座標を検知する。
　実施形態１に係る磁気センサ１は、検知対象２が第１方向Ｄ１に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて、検知対象２の位置を検知する磁気センサである。検知対象２は、第１方向Ｄ１において所定の着磁周期λで着磁されている。磁気センサ１は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、ブリッジ回路を構成している。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２に沿って形成されている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方と直交する第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の図心ｃ１１～ｃ１４は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。本開示において「第１方向又は第２方向に沿う」とは、第１方向又は第２方向に平行である場合だけでなく、第１方向又は第２方向に対して所定角度（例えば５度）傾いている場合も含む。
　実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の図心ｃ１１～ｃ１４は、第３方向Ｄ３から見て、中心線Ｌ２上に位置している。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の図心ｃ１１～ｃ１４が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となり、その結果、磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、磁気センサ１に対して検知対象２が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４にかかる磁界強度分布のばらつきによる複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　（２）詳細
　次に、実施形態１に係る磁気センサ１の詳細について、図１～図７を参照して説明する。
　（２．１）磁気センサの構造
　まず、実施形態１に係る磁気センサ１の構造について、図１及び図２を参照して説明する。
　実施形態１に係る磁気センサ１は、図１及び図２に示すように、第１方向Ｄ１に長い直方体状に形成されている。以下では、磁気センサ１の長手方向が第１方向Ｄ１であり、磁気センサ１の幅方向（短手方向）が第２方向Ｄ２であり、磁気センサ１の厚さ方向が第３方向Ｄ３であるとして説明するが、これらの方向は磁気センサ１の使用時の方向を限定する趣旨ではない。また、図面中の「Ｄ１」、「Ｄ２」、「Ｄ３」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。実施形態１では、第１方向Ｄ１は、検知対象２に対して磁気センサ１が移動する方向である。実施形態１では、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３は、互いに直交している。
　実施形態１に係る磁気センサ１は、図１及び図２に示すように、支持基板１１と、ガラスグレーズ層１２と、磁気抵抗層１３と、保護膜１４と、を備えている。また、実施形態１に係る磁気センサ１は、複数（例えば４つ）の上面電極１５と、複数（例えば４つ）の端面電極１６と、複数（例えば４つ）の下面電極（裏面電極）１７と、複数（例えば４つ）のめっき層１８と、を更に備えている。複数の上面電極１５と複数の端面電極１６と複数の下面電極１７とは、一対一に対応している。
　支持基板１１は、例えば、セラミック基板である。セラミック基板の材料は、例えば、アルミナ含有率が９６％以上のアルミナ焼結体である。支持基板１１は、磁気センサ１の厚さ方向である第３方向Ｄ３から見て、磁気センサ１の長手方向である第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。支持基板１１は、図２に示すように、第１主面１１１と、第２主面１１２と、外周面１１３と、を有している。第１主面１１１及び第２主面１１２の各々は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方に沿った平面である。第１主面１１１と第２主面１１２とは、第３方向Ｄ３において互いに対向している。外周面１１３は、第３方向Ｄ３に沿った４つの平面を含む。
　ガラスグレーズ層１２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする。ガラスグレーズ層１２は、支持基板１１の第１主面１１１（図２参照）上に形成されている。ガラスグレーズ層１２は、支持基板１１の第１主面１１１の全体にわたって形成されている。ガラスグレーズ層１２は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に長い矩形状に形成されている。実施形態１に係る磁気センサ１では、ガラスグレーズ層１２によって磁気抵抗層１３が形成される平面の平滑性が得られる。なお、ガラスグレーズ層１２は、少なくとも複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の配置される領域にあればよい。また、ガラスグレーズ層１２は、鉛酸化物を含んでいてもよい。
　磁気抵抗層１３は、図２に示すように、ガラスグレーズ層１２上に形成されている。磁気抵抗層１３は、複数の第１層と、複数の第２層と、を含む。複数の第１層の各々は、磁性層であって、例えば、ＮｉＦｅＣｏ合金を含む。複数の第２層の各々は、非磁性層であって、例えば、Ｃｕ合金を含む。複数の第１層と複数の第２層とは、ガラスグレーズ層１２上において交互に積層されている。実施形態１に係る磁気センサ１では、磁気抵抗層１３によりＧＭＲ（Giant Magnetic Resistance）膜が構成されている。なお、複数の第１層の層数と複数の第２層の層数とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　保護膜１４は、磁気抵抗層１３を保護するための膜である。保護膜１４の材料は、例えば、エポキシ樹脂である。保護膜１４は、ガラスグレーズ層１２上において、磁気抵抗層１３の一部を覆うように形成されている。実施形態１に係る磁気センサ１では、後述の電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４（図４及び図５参照）がそれぞれ複数の上面電極１５のいずれかに接続されるため、保護膜１４は、磁気抵抗層１３のうち、少なくとも電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４を除いた領域を覆うように形成されている。
　複数の上面電極１５は、図１に示すように、支持基板１１の第１主面１１１（図２参照）上に形成されている。複数の上面電極１５の材料は、例えば、ＣｕＮｉ（銅ニッケル）系合金である。複数の上面電極１５は、第１上面電極１５１と、第２上面電極１５２と、第３上面電極１５３と、第４上面電極１５４と、を含む。複数の上面電極１５の各々は、磁気抵抗層１３のうち、電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４のいずれかに接続されている。より詳細には、複数の上面電極１５のうち、第１上面電極１５１は電源端子２１に接続され、第２上面電極１５２はグランド端子２２に接続されている。また、複数の上面電極１５のうち、第３上面電極１５３は第１出力端子２３に接続され、第４上面電極１５４は第２出力端子２４に接続されている。複数の上面電極１５は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。
　複数の端面電極１６は、図１に示すように、支持基板１１の長手方向（第１方向Ｄ１）に沿って支持基板１１の長手方向の外周面１１３（図２参照）を覆うように形成されている。複数の端面電極１６の材料は、例えば、ＣｕＮｉ（銅ニッケル）系合金である。複数の端面電極１６は、第１端面電極１６１と、第２端面電極１６２と、第３端面電極１６３と、第４端面電極１６４と、を含む。複数の端面電極１６は、上述したように、複数の上面電極１５と一対一に対応している。より詳細には、第１端面電極１６１は、第１上面電極１５１と対応しており、第１上面電極１５１に接続されている。第２端面電極１６２は、第２上面電極１５２と対応しており、第２上面電極１５２に接続されている。第３端面電極１６３は、第３上面電極１５３と対応しており、第３上面電極１５３に接続されている。第４端面電極１６４は、第４上面電極１５４と対応しており、第４上面電極１５４に接続されている。複数の端面電極１６は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。
　複数の下面電極１７は、図１に示すように、支持基板１１の第２主面１１２（図２参照）上に形成されている。複数の下面電極１７の材料は、例えば、ＣｕＮｉ（銅ニッケル）系合金である。複数の下面電極１７は、第１下面電極１７１と、第２下面電極１７２と、第３下面電極１７３と、第４下面電極１７４と、を含む。複数の下面電極１７は、上述したように、複数の上面電極１５及び複数の端面電極１６と一対一に対応している。より詳細には、第１下面電極１７１は、第１上面電極１５１及び第１端面電極１６１と対応しており、第１端面電極１６１に接続されている。第２下面電極１７２は、第２上面電極１５２及び第２端面電極１６２と対応しており、第２端面電極１６２に接続されている。第３下面電極１７３は、第３上面電極１５３及び第３端面電極１６３と対応しており、第３端面電極１６３に接続されている。第４下面電極１７４は、第４上面電極１５４及び第４端面電極１６４と対応しており、第４端面電極１６４に接続されている。複数の下面電極１７は、例えば、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜である。
　実施形態１に係る磁気センサ１では、第１上面電極１５１、第１端面電極１６１及び第１下面電極１７１は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第２上面電極１５２、第２端面電極１６２及び第２下面電極１７２は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第３上面電極１５３、第３端面電極１６３及び第３下面電極１７３は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。また、第４上面電極１５４、第４端面電極１６４及び第４下面電極１７４は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。
　実施形態１に係る磁気センサ１によれば、磁気センサ１が実装される実装基板に対して複数の下面電極１７により接続することが可能である。
　複数のめっき層１８の各々は、図１に示すように、複数の上面電極１５、複数の端面電極１６及び複数の下面電極１７のうち、対応する上面電極１５、端面電極１６及び下面電極１７を覆うように形成されている。すなわち、複数のめっき層１８の各々は、第１方向Ｄ１から見て、Ｕ字状に形成されている。複数のめっき層１８の各々は、電解銅めっき層と、電解錫めっき層と、を含む。複数のめっき層１８の各々は、図２に示すように、保護膜１４に接している。
　（２．２）検知対象の構造
　次に、検知対象２の構造について、図３を参照して説明する。
　検知対象２は、例えば、磁気スケールである。検知対象２は、図３に示すように、第１方向Ｄ１に沿って長尺な板状に形成されている。検知対象２は、第３方向Ｄ３（図３の紙面に垂直な方向）において磁気センサ１と対向している。
　検知対象２は、複数の磁極を含む。複数の磁極は、第１方向Ｄ１に沿って配置されている。複数の磁極は、１以上のＮ極と、１以上のＳ極と、を含む。複数の磁極は、１以上のＳ極と１以上のＮ極とが第１方向Ｄ１に交互に並ぶように配置されている。各磁極は、例えば、フェライト磁石又はネオジム磁石である。検知対象２は、複数のフェライト磁石又は複数のネオジム磁石が第１方向Ｄ１に沿って配置されている。検知対象２は、図３に示すように、第１方向Ｄ１において着磁周期λで着磁されている。
　（２．３）磁気センサの回路構成
　次に、実施形態１に係る磁気センサ１の回路構成について、図４を参照して説明する。
　実施形態１に係る磁気センサ１は、図４に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１配線パターン部１３５と、第２配線パターン部１３６と、第３配線パターン部１３７と、第４配線パターン部１３８と、を備えている。また、実施形態１に係る磁気センサ１は、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を更に備えている。実施形態１に係る磁気センサ１は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４として、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４を備えている。４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４は、フルブリッジ回路を構成している。具体的には、第１磁気抵抗パターン部１３１及び第２磁気抵抗パターン部１３２の直列回路と、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の直列回路と、が互いに並列に接続されている。すなわち、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部１３１及び第２磁気抵抗パターン部１３２と、互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１と第２磁気抵抗パターン部１３２との接続点Ｐ１は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。すなわち、第１出力端子２３に接続されている第３配線パターン部１３７は、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４のうち互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、に接続されている。第１磁気抵抗パターン部１３１における第２磁気抵抗パターン部１３２側とは反対側の端部（図４の左端部）は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。すなわち、第１配線パターン部１３５は、電源端子２１に接続されている。第２磁気抵抗パターン部１３２における第１磁気抵抗パターン部１３１側とは反対側の端部（図４の右端部）は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。すなわち、第２配線パターン部１３６は、グランド端子２２に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３と第４磁気抵抗パターン部１３４との接続点Ｐ２は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。すなわち、第２出力端子２４に接続されている第４配線パターン部１３８は、４つの磁気抵抗パターン部１３１～１３４のうち互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、に接続されている。第３磁気抵抗パターン部１３３における第４磁気抵抗パターン部１３４側とは反対側の端部（図４の左端部）は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。第４磁気抵抗パターン部１３４における第３磁気抵抗パターン部１３３側とは反対側の端部（図４の右端部）は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。
　すなわち、実施形態１に係る磁気センサ１では、第１磁気抵抗パターン部１３１と第３磁気抵抗パターン部１３３との接続点Ｐ３は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。言い換えると、第１配線パターン部１３５は、第１磁気抵抗パターン部１３１における第２磁気抵抗パターン部１３２側とは反対側の端部と、第３磁気抵抗パターン部１３３における第４磁気抵抗パターン部１３４側とは反対側の端部と、に接続されている。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、第２磁気抵抗パターン部１３２と第４磁気抵抗パターン部１３４との接続点Ｐ４は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。言い換えると、第２配線パターン部１３６は、第２磁気抵抗パターン部１３２における第１磁気抵抗パターン部１３１側とは反対側の端部と、第４磁気抵抗パターン部１３４における第３磁気抵抗パターン部１３３側とは反対側の端部と、に接続されている。
　電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４は、複数の上面電極１５と一対一に対応している。より詳細には、電源端子２１は、複数の上面電極１５のうち第１上面電極１５１と一対一に対応しており、第１上面電極１５１に接続される。また、グランド端子２２は、複数の上面電極１５のうち第２上面電極１５２と一対一に対応しており、第２上面電極１５２に接続される。また、第１出力端子２３は、複数の上面電極１５のうち第３上面電極１５３と一対一に対応しており、第３上面電極１５３に接続される。また、第２出力端子２４は、複数の上面電極１５のうち第４上面電極１５４と一対一に対応しており、第４上面電極１５４に接続される。
　（２．４）磁気抵抗パターン部、配線パターン部及び端子の配置例
　次に、実施形態１に係る磁気センサ１の複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第４配線パターン部１３５～１３８及び４つの端子２１～２４の配置例について、図５を参照して説明する。図５では、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第４配線パターン部１３５～１３８及び４つの端子２１～２４を識別しやすいように、これらに対してドットハッチングを施している。
　複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、図５に示すように、磁気センサ１の長手方向である第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、上述したように、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々は、第３方向Ｄ３（図５の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。「第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々がミアンダ形状に形成されている」とは、第３方向Ｄ３から見て、第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々が、第２方向Ｄ２に沿って直線状に形成されているのではなく、少なくとも第１方向Ｄ１に蛇行しているようなパターンに形成されていることをいう。第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々は、図５に示すように、第２方向Ｄ２に沿って形成されている。すなわち、第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々の長手方向は、第２方向Ｄ２に沿った方向である。また、第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４は、図５に示すように、領域Ｒ１内に含まれる部分で構成されている。
　実施形態１に係る磁気センサ１では、図５に示すように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１方向Ｄ１において、左側から、第１磁気抵抗パターン部１３１、第３磁気抵抗パターン部１３３、第２磁気抵抗パターン部１３２、第４磁気抵抗パターン部１３４の順に並んでいる。また、実施形態１に係る磁気センサ１では、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第３方向Ｄ３から見て同一形状に形成されている。本開示において「同一形状」とは、完全に同じ形状である場合だけでなく、磁界強度分布の変化に伴う抵抗値の変動が同じ挙動であるとみなせる程度において形状が異なっている場合も含む。したがって、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、磁界強度分布の変化に伴う抵抗値の変動が同じ挙動であるとみなせる程度であれば互いの形状が異なっていてもよい。
　第１配線パターン部１３５は、図５に示すように、第１磁気抵抗パターン部１３１と電源端子２１との間、及び、第３磁気抵抗パターン部１３３と電源端子２１との間を接続している。第１配線パターン部１３５は、第１配線部１３５１と、第２配線部１３５２と、を含む。第１配線部１３５１は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部において電源端子２１に接続されている。第２配線部１３５２は、第３方向Ｄ３から見てＵ字状に形成されており、第１配線部１３５１の第２端部に接続されている。第２配線部１３５２の第１端部は、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１端部に接続されている。第２配線部１３５２の第２端部は、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１端部に接続されている。
　第２配線パターン部１３６は、図５に示すように、第２磁気抵抗パターン部１３２とグランド端子２２との間、及び、第４磁気抵抗パターン部１３４とグランド端子２２との間を接続している。第２配線パターン部１３６は、第１配線部１３６１と、第２配線部１３６２と、を含む。第１配線部１３６１は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部においてグランド端子２２に接続されている。第２配線部１３６２は、第３方向Ｄ３から見てＵ字状に形成されており、第１配線部１３６１の第２端部に接続されている。第２配線部１３６２の第１端部は、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１端部に接続されている。第２配線部１３６２の第２端部は、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１端部に接続されている。
　第３配線パターン部１３７は、図５に示すように、第１磁気抵抗パターン部１３１と第１出力端子２３との間、及び、第２磁気抵抗パターン部１３２と第１出力端子２３との間を接続している。第３配線パターン部１３７は、第１配線部１３７１と、第２配線部１３７２と、を含む。第１配線部１３７１は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部において第１出力端子２３に接続されている。第２配線部１３７２は、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されており、第１配線部１３７１の第２端部に接続されている。第２配線部１３７２の第１端部は、第１磁気抵抗パターン部１３１の第２端部に接続されている。第２配線部１３７２の第２端部は、第２磁気抵抗パターン部１３２の第２端部に接続されている。
　第４配線パターン部１３８は、図５に示すように、第３磁気抵抗パターン部１３３と第２出力端子２４との間、及び、第４磁気抵抗パターン部１３４と第２出力端子２４との間を接続している。第４配線パターン部１３８は、第１配線部１３８１と、第２配線部１３８２と、を含む。第１配線部１３８１は、第３方向Ｄ３から見てＬ字状に形成されており、第１端部において第２出力端子２４に接続されている。第２配線部１３８２は、第３方向Ｄ３から見て第１方向Ｄ１に沿って長尺に形成されており、第１配線部１３８１の第２端部に接続されている。第２配線部１３８２の第１端部は、第３磁気抵抗パターン部１３３の第２端部に接続されている。第２配線部１３８２の第２端部は、第４磁気抵抗パターン部１３４の第２端部に接続されている。
　実施形態１に係る磁気センサ１では、図５に示すように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２、第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２、第３配線パターン部１３７の第２配線部１３７２及び第４配線パターン部１３８の第２配線部１３８２で囲まれた領域内に収まっている。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述の磁気抵抗層１３が、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第４配線パターン部１３５～１３８及び４つの端子２１～２４を構成している。すなわち、実施形態１に係る磁気センサ１では、第１～第４配線パターン部１３５～１３８及び４つの端子２１～２４は、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と同じ材料で形成されている。
　実施形態１では、例えば、検知対象２に対して磁気センサ１が第１方向Ｄ１に沿って移動することによって磁気センサ１と検知対象２との間の磁界強度が変化し、この磁界強度の変化により複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３３の抵抗値が変動する。そして、第１出力端子２３及び第２出力端子２４の電位を検出することにより検知対象２の位置を検知することが可能となる。なお、磁気センサ１と検知対象２とは、相対的に移動するように構成されていればよく、磁気センサ１に対して検知対象２が移動するように構成されていてもよい。
　（２．５）磁気抵抗パターン部の構成
　次に、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の構成について、図５及び図６を参照して説明する。図６は、比較例に係る磁気センサの複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４、第１～第４配線パターン部１３５～１３８及び４つの端子２１～２４の配置例を示す配置図である。
　比較例に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、直線部と、ミアンダ部と、を有している。直線部は、第２方向Ｄ２に沿って直線状に形成されている。ミアンダ部は、第２方向Ｄ２に沿ってミアンダ状に形成されている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々では、直線部とミアンダ部とが第２方向Ｄ２に並んでいる。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１及び第２磁気抵抗パターン部１３２の各々では、第２方向Ｄ２において直線部が一端側（図６の上側）、ミアンダ部が他端側（図６の下側）となっている。また、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４の各々では、第２方向Ｄ２においてミアンダ部が一端側（図６の上側）、直線部が他端側（図６の下側）となっている。
　ここで、図５における「ｃ２１」及び図６における「ｃ２１」は、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の中心点であり、図５における「ｃ２２」及び図６における「ｃ２２」は、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の中心点である。また、図５における「ｃ２３」及び図６における「ｃ２３」は、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の中心点であり、図５における「ｃ２４」及び図６における「ｃ２４」は、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の中心点である。本開示でいう複数の磁気抵抗パターン部の各々において「磁気抵抗パターン部の中心点」とは、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１における磁気抵抗パターン部の両端を通り第２方向Ｄ２に沿って延びる２本の直線と、第２方向Ｄ２における磁気抵抗パターン部の両端を通り第１方向Ｄ１に沿って延びる２本の直線とで囲まれる矩形領域の中心をいう。ここで、第１方向Ｄ１における磁気抵抗パターン部の両端とは、図５及び図６において、磁気抵抗パターン部のうち最も左側に位置する部分と、磁気抵抗パターン部のうち最も右側に位置する部分とをいう。また、第２方向Ｄ２における磁気抵抗パターン部の両端とは、図５及び図６において、磁気抵抗パターン部のうち最も上側に位置する部分と、磁気抵抗パターン部のうち最も下側に位置する部分とをいう。したがって、第１磁気抵抗パターン部１３１の中心点ｃ２１は、第１方向Ｄ１の中心線Ｌ１１と第２方向Ｄ２の中心線Ｌ２との交点である。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の中心点ｃ２２は、第１方向Ｄ１の中心線Ｌ１２と第２方向Ｄ２の中心線Ｌ２との交点である。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の中心点ｃ２３は、第１方向Ｄ１の中心線Ｌ１３と第２方向Ｄ２の中心線Ｌ２との交点である。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の中心点ｃ２４は、第１方向Ｄ１の中心線Ｌ１４と第２方向Ｄ２の中心線Ｌ２との交点である。
　一方、図５における「ｃ１１」及び図６における「ｃ１１」は、第１磁気抵抗パターン部１３１の図心であり、図５における「ｃ１２」及び図６における「ｃ１２」は、第２磁気抵抗パターン部１３２の図心である。また、図５における「ｃ１３」及び図６における「ｃ１３」は、第３磁気抵抗パターン部１３３の図心であり、図５における「ｃ１４」及び図６における「ｃ１４」は、第４磁気抵抗パターン部１３４の図心である。本開示でいう複数の磁気抵抗パターン部の各々において「磁気抵抗パターン部の図心」とは、抵抗値が変動する部分の図形中心であって、式（１）及び式（２）を満たす点（ｘ０，ｙ０）をいう。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　ｘ０は、第１方向Ｄ１における図心の座標であり、ｙ０は、第２方向Ｄ２における図心の座標である。また、ｘ１は、第１方向Ｄ１における磁気抵抗パターン部の任意の点の座標であり、ｙ１は、第２方向Ｄ２における磁気抵抗パターン部の任意の点の座標である。また、Ａは、磁気抵抗パターン部の面積であり、ｄＡは、点（ｘ１，ｙ１）における微小面積である。
　比較例に係る磁気センサでは、第１磁気抵抗パターン部１３１の図心ｃ１１は、第２方向Ｄ２において、第１磁気抵抗パターン部１３１の中心点ｃ２１よりも上記ミアンダ部側（図６の下側）に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の図心ｃ１２は、第２方向Ｄ２において、第２磁気抵抗パターン部１３２の中心点ｃ２２よりも上記ミアンダ部側（図６の下側）に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の図心ｃ１３は、第２方向Ｄ２において、第３磁気抵抗パターン部１３３の中心点ｃ２３よりも上記ミアンダ部側（図６の上側）に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の図心ｃ１４は、第２方向Ｄ２において、第４磁気抵抗パターン部１３４の中心点ｃ２４よりも上記ミアンダ部側（図６の上側）に位置している。すなわち、比較例に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１～ｃ１４は、第３方向Ｄ３（図６の紙面に垂直な方向）から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置していない。
　比較例に係る磁気センサでは、上述したように、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１～ｃ１４は、中心線Ｌ２上に位置しておらず、第２方向Ｄ２にずれている。これにより、例えば、磁気センサに対して検知対象２が第２方向Ｄ２に傾いた場合、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４による磁界強度分布がばらつくこととなり、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量もばらつくことになる。その結果、検知対象２の位置の検知誤差が大きくなる。
　一方、実施形態１に係る磁気センサ１では、図５に示すように、第１磁気抵抗パターン部１３１の中心点ｃ２１と図心ｃ１１とが一致しており、第２磁気抵抗パターン部１３２の中心点ｃ２２と図心ｃ１２とが一致している。また、実施形態１に係る磁気センサ１では、第３磁気抵抗パターン部１３３の中心点ｃ２３と図心ｃ１３とが一致しており、第４磁気抵抗パターン部１３４の中心点ｃ２４と図心ｃ１４とが一致している。すなわち、実施形態１に係る磁気センサ１では、図５に示すように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の図心ｃ１１～ｃ１４は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線（中心軸）Ｌ２上に位置している。中心線Ｌ２は、第１方向Ｄ１に沿った中心線である。これにより、磁気センサ１に対して検知対象２が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４にかかる磁界強度分布のばらつきによる複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。また、比較例に係る磁気センサのように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１～ｃ１４が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となる。その結果、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、第３方向Ｄ３から見てミアンダ形状に形成されている。より詳細には、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。第１磁気抵抗パターン部１３１の一部は、第１方向Ｄ１において隣接する第３磁気抵抗パターン部１３３側に突出している。第２磁気抵抗パターン部１３２の一部は、第１方向Ｄ１において隣接する第３磁気抵抗パターン部１３３側及び第４磁気抵抗パターン部１３４側にそれぞれ突出している。第３磁気抵抗パターン部１３３の一部は、第１方向Ｄ１において隣接する第１磁気抵抗パターン部１３１側及び第２磁気抵抗パターン部１３２側にそれぞれ突出している。第４磁気抵抗パターン部１３４の一部は、第１方向Ｄ１において隣接する第２磁気抵抗パターン部１３２側に突出している。このように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々を第１方向Ｄ１側に突出させることにより、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３を広くすることが可能となる。本開示において「パターン幅」とは、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１における磁気抵抗パターン部の両端を通り、第２方向Ｄ２に沿って延びる２本の直線の間の長さをいう。
　ここで、例えば、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの１５％未満である場合、検知対象２が第１方向Ｄ１に沿って相対的に移動する際に、磁界強度の変化に対して急峻に反応してしまい、その結果、歪波形により誤差が大きくなる可能性がある。一方、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％を超えている場合、隣接する２つの磁気抵抗パターン部が検知対象２の同一の磁極に反応してしまい、その結果、検知対象２の位置の検知精度が低下する可能性がある。したがって、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３は、検知対象２の着磁周期λの１５％以上、かつ２５％以下であることが好ましい。実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部を第１方向Ｄ１側に突出させることにより、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３を検知対象２の着磁周期λの１５％以上、かつ２５％以下にすることが可能となる。
　図７は、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３と検知対象２の位置の検知誤差との関係を示すグラフである。図７の横軸は、検知対象２の着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率（％）を示している。図７の左側の縦軸は、検知対象２の位置の検知誤差（μｍ）を示している。図７の右側の縦軸は、検知対象２の着磁周期λに対する検知対象２の位置の検知誤差の比率（％）を示している。図７の例では、検知対象２の着磁周期λは、例えば、８００μｍである。
　図７の点ａ１では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３は３０μｍであり、着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率は４％である。この場合、検知対象２の位置の検知誤差は８．３５μｍであり、着磁周期λに対する検知誤差の比率は１．０４％である。
　図７の点ａ２では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３は７０μｍであり、着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率は９％である。この場合、検知対象２の位置の検知誤差は６．９１μｍであり、着磁周期λに対する検知誤差の比率は０．８６％である。
　図７の点ａ３では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３は９０μｍであり、着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率は１１％である。この場合、検知対象２の位置の検知誤差は４．８９μｍであり、着磁周期λに対する検知誤差の比率は０．６１％である。
　図７の点ａ４では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３は１３２μｍであり、着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率は１７％である。この場合、検知対象２の位置の検知誤差は３．８０μｍであり、着磁周期λに対する検知誤差の比率は０．４８％である。
　上述のように、着磁周期λに対するパターン幅Ｗ３の比率を１５％以上とすることで、着磁周期λに対する検知誤差の比率を０．５％以下にすることが可能となる。
　（３）磁気センサの製造方法
　次に、実施形態１に係る磁気センサ１の製造方法について説明する。
　磁気センサ１の製造方法は、第１工程～第９工程を有している。
　第１工程では、支持基板１１を準備する。より詳細には、第１工程では、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の元となる基板本体を準備する。基板本体は、例えば、セラミック基板である。基板本体となるセラミック基板の材料は、例えば、アルミナ含有率が９６％以上のアルミナ焼結体である。
　第２工程では、基板本体の第１主面上にガラスグレーズ層１２を形成する。基板本体の第１主面は、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の第１主面１１１となる面である。より詳細には、第２工程では、例えば、支持基板１１の第１主面１１１上にガラスペーストを塗布した後、焼成することによりガラスグレーズ層１２を形成する。
　第３工程では、複数の磁気センサ１の各々の磁気抵抗層１３を形成する。より詳細には、第３工程では、例えば、スパッタリングにより、ガラスグレーズ層１２上に磁気抵抗層１３を形成する。実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、磁気抵抗層１３によりＧＭＲ膜が構成されており、ＮｉＦｅＣｏ合金層（第１層）とＣｕ合金層（第２層）とを交互に形成する。
　第４工程では、保護膜１４を形成する。より詳細には、第４工程では、例えば、磁気抵抗層１３の一部を覆うように、ガラスグレーズ層１２上に、スクリーン印刷にてエポキシ樹脂を塗布した後、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより、保護膜１４を形成する。ここで、少なくとも電源端子２１、グランド端子２２、第１出力端子２３及び第２出力端子２４を除いた領域を覆うように、保護膜１４を形成する。
　第５工程では、複数の磁気センサ１の各々における複数の上面電極１５を基板本体の第１主面上に形成する。より詳細には、第５工程では、例えば、スパッタリングによって基板本体の第１主面上にＣｕＮｉ系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の上面電極１５を形成する。
　第６工程では、複数の磁気センサ１の各々における複数の下面電極１７を基板本体の第２主面上に形成する。より詳細には、第６工程では、例えば、スパッタリングによって基板本体の第２主面上にＣｕＮｉ系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の下面電極１７を形成する。基板本体の第２主面は、複数の磁気センサ１の各々の支持基板１１の第２主面１１２となる面である。
　第７工程では、第１工程～第６工程によって一体に形成された複数の磁気センサ１を個々の磁気センサ１に切断する。より詳細には、第７工程では、例えば、レーザ又はダイシングを用いて、一体に形成された複数の磁気センサ１を個々の磁気センサ１に切断する。
　第８工程では、個々に切断された磁気センサ１に対して、複数の端面電極１６を形成する。より詳細には、第８工程では、例えば、スパッタリングによって支持基板１１の外周面１１３上にＣｕＮｉ系合金膜を形成することにより、複数の磁気センサ１の各々における複数の端面電極１６を形成する。これにより、複数の上面電極１５と複数の下面電極１７とが、複数の端面電極１６を介して接続される。
　第９工程では、複数の磁気センサ１の各々においてめっき層１８を形成する。より詳細には、第９工程では、複数の磁気センサ１の各々に対して、めっき層１８を構成する電解銅めっき層と電解錫めっき層とを順次形成する。
　以上説明した第１工程～第９工程によって、実施形態に係る磁気センサ１を製造することが可能となる。
　（４）効果
　実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の図心ｃ１１～ｃ１４は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１～ｃ１４が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、中心線Ｌ２に対する各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１～ｃ１４のずれによる誤差を最小化することが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３（図５参照）は、検知対象２の着磁周期λ（図３参照）の１５％以上である。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの１５％未満である場合に比べて、検知対象２の相対移動による磁束密度の変化に対する反応が急峻とはならず、その結果、歪波形による誤差を小さくすることが可能となる。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。これにより、隣接する磁気抵抗パターン部１３１～１３４間の距離を短くすることが可能となり、その結果、磁気センサ１の更なる小型化を図ることが可能となる。
　さらに、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％を超えている場合、検知対象２の同じ磁極に対して隣接する２つの磁気抵抗パターン部が同時に反応してしまい、検知対象２の位置の検知精度が低下する可能性がある。これに対して、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％以下である。そのため、検知対象２の同じ磁極に対して隣接する２つの磁気抵抗パターン部が同時に反応する可能性は低く、検知対象２の位置の検知精度の低下を抑制することが可能となる。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々において、第３方向Ｄ３から見たときの中心点ｃ２１～ｃ２４と図心ｃ１１～ｃ１４とがそれぞれ一致している。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心点ｃ２１～ｃ２４と図心ｃ１１～ｃ１４とのずれによる誤差を最小化することが可能となる。
　また、実施形態１に係る磁気センサ１では、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３を検知対象２の着磁周期λの１５％以上にすることが可能となる。
　（５）変形例
　実施形態１は、本開示の様々な実施形態の一つにすぎない。実施形態１は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、実施形態１の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
　（５．１）変形例１
　変形例１に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々が複数の抵抗部で構成されている点で、実施形態１に係る磁気センサ１と相違する。なお、変形例１に係る磁気センサでは、それ以外の構成については上述の実施形態に係る磁気センサ１と同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。以下、変形例１に係る磁気センサについて、図８を参照して説明する。
　変形例１に係る磁気センサは、図８に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１～第８配線パターン部１３５～１４２と、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１は、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を有している。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３（図８の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３１１の第１端部は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３１１の第２端部は、第５配線パターン部１３９を介して第２抵抗部１３１２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３１２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第２磁気抵抗パターン部１３２は、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を有している。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３２１の第１端部は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０を介して第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３２２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３は、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を有している。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３３１の第１端部は、第１配線パターン部１３５を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３３１の第２端部は、第７配線パターン部１４１を介して第２抵抗部１３３２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３３２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　第４磁気抵抗パターン部１３４は、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を有している。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３４１の第１端部は、第２配線パターン部１３６を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３４１の第２端部は、第８配線パターン部１４２を介して第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３４２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。変形例１に係る磁気センサでは、第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４は、図８に示すように、領域Ｒ２内に含まれる部分で構成されている。
　変形例１に係る磁気センサにおいても、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の中心点ｃ２１１と図心ｃ１１１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２と図心ｃ１１２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１と図心ｃ１２１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２と図心ｃ１２２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１と図心ｃ１３１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２と図心ｃ１３２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の中心点ｃ２４１と図心ｃ１４１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２と図心ｃ１４２とが一致している。
　すなわち、変形例１に係る磁気センサにおいても、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の図心ｃ１１１及び第２抵抗部１３１２の図心ｃ１１２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の図心ｃ１２１及び第２抵抗部１３２２の図心ｃ１２２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の図心ｃ１３１及び第２抵抗部１３３２の図心ｃ１３２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の図心ｃ１４１及び第２抵抗部１３４２の図心ｃ１４２は、中心線Ｌ２上に位置している。
　これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となる。その結果、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、例えば、磁気センサに対して検知対象２（図３参照）が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、磁界強度分布のばらつきによる磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　さらに、変形例１に係る磁気センサにおいても、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３を１５％以上、かつ２５％以下とすることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　（５．２）変形例２
　変形例２に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４を構成する複数の抵抗部のうち第１方向Ｄ１において外側に位置する抵抗部が、第１磁気抵抗パターン部１３１と電源端子２１との間を接続する配線パターン部、及び、第４磁気抵抗パターン部１３４とグランド端子２２との間を接続する配線パターン部を兼ねている点で、上述の変形例１に係る磁気センサと相違する。なお、変形例２に係る磁気センサでは、それ以外の構成については上述の変形例１に係る磁気センサと同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。以下、変形例２に係る磁気センサについて、図９を参照して説明する。
　変形例２に係る磁気センサは、図９に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１～第６配線パターン部１３５～１４０と、複数（例えば４つ）の端子２１～２４と、を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、上述したように、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。また、複数の端子２１～２４は、上述したように、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１は、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を有している。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３（図９の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３１１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３１１の第２端部は、第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２を介して第２抵抗部１３１２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３１２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第２磁気抵抗パターン部１３２は、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を有している。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３２１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０を介して第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３２２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３は、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を有している。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３３１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３３１の第２端部は、第５配線パターン部１３９を介して第２抵抗部１３３２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３３２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　第４磁気抵抗パターン部１３４は、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を有している。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３４１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３４１の第２端部は、第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２を介して第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３４２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　変形例２に係る磁気センサでは、電源端子２１に接続されている第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１と第２配線部１３５２とが、外側の第１抵抗部１３１１を介して接続されている。また、変形例２に係る磁気センサでは、グランド端子２２に接続されている第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１と第２配線部１３６２とが、外側の第１抵抗部１３４１を介して接続されている。本開示において、「外側の抵抗部」とは、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる複数の抵抗部のうち、第１方向Ｄ１における一方側のみに他の抵抗部が設けられている抵抗部をいう。変形例２に係る磁気センサでは、複数の抵抗部１３１１，１３１２，１３２１，１３２２，１３３１，１３３２，１３４１，１３４２のうち、第１方向Ｄ１において両側に位置する抵抗部１３１１，１３４１が外側の抵抗部となる。そして、それ以外の抵抗部は、内側の抵抗部となる。本開示において「内側の抵抗部」とは、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる複数の抵抗部のうち、第１方向Ｄ１における両側に他の抵抗部が設けられている抵抗部をいう。変形例２に係る磁気センサでは、複数の抵抗部１３１１，１３１２，１３２１，１３２２，１３３１，１３３２，１３４１，１３４２のうち、第１方向Ｄ１において両側に位置する抵抗部１３１１，１３４１以外の抵抗部１３１２，１３２１，１３２２，１３３１，１３３２，１３４２が内側の抵抗部となる。また、変形例２に係る磁気センサでは、第１磁気抵抗パターン部１３１、第２磁気抵抗パターン部１３２、第３磁気抵抗パターン部１３３及び第４磁気抵抗パターン部１３４は、図９に示すように、領域Ｒ３内に含まれる部分で構成されている。
　変形例２に係る磁気センサにおいても、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の中心点ｃ２１１と図心ｃ１１１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２と図心ｃ１１２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１と図心ｃ１２１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２と図心ｃ１２２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１と図心ｃ１３１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２と図心ｃ１３２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の中心点ｃ２４１と図心ｃ１４１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２と図心ｃ１４２とが一致している。
　すなわち、変形例２に係る磁気センサにおいても、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の図心ｃ１１１及び第２抵抗部１３１２の図心ｃ１１２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の図心ｃ１２１及び第２抵抗部１３２２の図心ｃ１２２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の図心ｃ１３１及び第２抵抗部１３３２の図心ｃ１３２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の図心ｃ１４１及び第２抵抗部１３４２の図心ｃ１４２は、中心線Ｌ２上に位置している。
　これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となる。その結果、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、例えば、磁気センサに対して検知対象２（図３参照）が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、磁界強度分布のばらつきによる磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　また、変形例１に係る磁気センサにおいても、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４のパターン幅Ｗ３を１５％以上、かつ２５％以下とすることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　（５．３）変形例３
　変形例３に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅が細くなっている点で、変形例２に係る磁気センサと相違する。なお、変形例３に係る磁気センサでは、それ以外の構成については上述の変形例２に係る磁気センサと同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。以下、変形例３に係る磁気センサについて、図１０～図１２を参照して説明する。
　変形例３に係る磁気センサは、図１０に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１～第６配線パターン部１３５～１４０と、複数（例えば４つ）の端子２１～２４と、を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。また、複数の端子２１～２４は、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１は、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を有している。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３（図１０の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３１１は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）から他端側（図１０の下側）に向かって延びている。また、第２抵抗部１３１２は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）から他端側（図１０の下側）に向かって延びており、さらに第１方向Ｄ１に沿って蛇行しながら第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かって延びている。これにより、第２抵抗部１３１２の両端は、第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）に位置する。また、第２抵抗部１３１２では、第２方向Ｄ２における一端側から他端側に向かう第１パターン部と、第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かう第２パターン部とが、第１方向Ｄ１において交互に入り込んだ櫛歯状に形成されている。これにより、第１方向Ｄ１における第２抵抗部１３１２のパターン幅を狭くすることが可能となる。第１抵抗部１３１１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３１１の第２端部は、第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２を介して第２抵抗部１３１２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３１２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第２磁気抵抗パターン部１３２は、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を有している。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３（図１０の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）から他端側（図１０の下側）に向かって延びており、さらに第１方向Ｄ１に沿って蛇行しながら第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かって延びている（図１１及び図１２参照）。これにより、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々の両端は、第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）に位置する。また、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々では、第２方向Ｄ２における一端側から他端側に向かう第１パターン部１３２３（図１１参照）と、第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かう第２パターン部１３２４（図１１参照）とが、第１方向Ｄ１において交互に入り込んだ櫛歯状に形成されている。これにより、第１方向Ｄ１における第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々のパターン幅を狭くすることが可能となる。第１抵抗部１３２１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０を介して第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３２２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３は、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を有している。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３（図１０の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側（図１０の下側）から他端側（図１０の上側）に向かって延びており、さらに第１方向Ｄ１に沿って蛇行しながら第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かって延びている。これにより、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々の両端は、第２方向Ｄ２における一端側（図１０の下側）に位置する。また、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々では、第２方向Ｄ２における一端側から他端側に向かう第１パターン部と、第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かう第２パターン部とが、第１方向Ｄ１において交互に入り込んだ櫛歯状に形成されている。これにより、第１方向Ｄ１における第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々のパターン幅を狭くすることが可能となる。第１抵抗部１３３１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３３１の第２端部は、第５配線パターン部１３９を介して第２抵抗部１３３２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３３２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　第４磁気抵抗パターン部１３４は、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を有している。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３（図１０の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３４１は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側（図１０の上側）から他端側（図１０の下側）に向かって延びている（図１１参照）。また、第２抵抗部１３４２は、第３方向Ｄ３から見て、第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行しながら第２方向Ｄ２における他端側（図１０の下側）から一端側（図１０の上側）に向かって延びており、さらに第１方向Ｄ１に沿って蛇行しながら第２方向Ｄ２における一端側から他端側に向かって延びている（図１２参照）。これにより、第２抵抗部１３４２の両端は、第２方向Ｄ２における他端側（図１０の下側）に位置する。また、第２抵抗部１３４２では、第２方向Ｄ２における他端側から一端側に向かう第１パターン部１３４４（図１２参照）と、第２方向Ｄ２における一端側から他端側に向かう第２パターン部１３４５（図１２参照）とが、第１方向Ｄ１において交互に入り込んだ櫛歯状に形成されている。これにより、第１方向Ｄ１における第２抵抗部１３４２のパターン幅を狭くすることが可能となる。第１抵抗部１３４１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３４１の第２端部は、第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２を介して第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３４２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　変形例３に係る磁気センサにおいても、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の中心点ｃ２１１と図心ｃ１１１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２と図心ｃ１１２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１と図心ｃ１２１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２と図心ｃ１２２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１と図心ｃ１３１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２と図心ｃ１３２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の中心点ｃ２４１と図心ｃ１４１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２と図心ｃ１４２とが一致している。
　すなわち、変形例３に係る磁気センサにおいても、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の図心ｃ１１１及び第２抵抗部１３１２の図心ｃ１１２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の図心ｃ１２１及び第２抵抗部１３２２の図心ｃ１２２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の図心ｃ１３１及び第２抵抗部１３３２の図心ｃ１３２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の図心ｃ１４１及び第２抵抗部１３４２の図心ｃ１４２は、中心線Ｌ２上に位置している。
　これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となる。その結果、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、例えば、磁気センサに対して検知対象２（図３参照）が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、磁界強度分布のばらつきによる磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　ここで、図９に示す変形例２に係る磁気センサ及び変形例３に係る磁気センサでは、上述の実施形態１に係る磁気センサ１及び変形例１に係る磁気センサと同様、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、例えば、ＮｉＦｅＣｏ合金を含む磁性層とＣｕ合金を含む非磁性層とが交互に積層された人工格子膜で構成されている。
　また、図９に示す変形例２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は、例えば、１０μｍ以上で、３０μｍ以下である。変形例２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４で構成されるブリッジ回路の抵抗値は、例えば、１ｋΩ以上で、５ｋΩ以下である。
　これに対して、変形例３に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は、例えば、５μｍ以上で、１５μｍ以下である。また、変形例３に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は、変形例２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅の１／２である。したがって、例えば、変形例２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅が１０μｍであれば、変形例３に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は５μｍである。変形例３に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４で構成されるブリッジ回路の抵抗値は、例えば、５ｋΩ以上で、１０ｋΩ以下である。
　変形例３に係る磁気センサのように、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅を細くすることで、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値を増大することが可能となる。これにより、所望の信号出力を得るために必要な消費電力を低減することが可能となる。すなわち、変形例３に係る磁気センサによれば、消費電力あたりの信号出力を高めることが可能となる。
　（５．４）変形例４
　変形例４に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４が第２方向Ｄ２に沿って形成されている点で、変形例３に係る磁気センサと相違する。なお、変形例４に係る磁気センサでは、それ以外の構成については上述の変形例３に係る磁気センサと同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。以下、変形例４に係る磁気センサについて、図１３～図１５を参照して説明する。
　変形例４に係る磁気センサは、図１３に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１～第６配線パターン部１３５～１４０と、複数（例えば４つ）の端子２１～２４と、を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。また、複数の端子２１～２４は、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１は、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を有している。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３（図１３の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行しながら第１方向Ｄ１における一端側（図１３の左側）から他端側（図１３の右側）に向かって延びている。また、第１抵抗部１３１１は、図１３に示すように、一対の張出部１３１３，１３１３を有している。一対の張出部１３１３，１３１３は、第１方向Ｄ１における第１抵抗部１３１１の中央部分において、互いに近づく向きに矩形状に張り出している。また、第１抵抗部１３１１は、中心点ｃ２１１を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。一方、第２抵抗部１３１２は、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１１２に対して線対称な形状である。第１抵抗部１３１１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３１１の第２端部は、第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２を介して第２抵抗部１３１２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３１２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第２磁気抵抗パターン部１３２は、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を有している。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３（図１３の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行しながら第１方向Ｄ１における一端側（図１３の左側）から他端側（図１３の右側）に向かって延びている。第１抵抗部１３２１は、図１４に示すように、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１２１に対して線対称な形状である。また、第２抵抗部１３２２は、図１５に示すように、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１２２に対して線対称な形状である。第１抵抗部１３２１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０を介して第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３２２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３は、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を有している。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３（図１３の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行しながら第１方向Ｄ１における一端側（図１３の左側）から他端側（図１３の右側）に向かって延びている。第１抵抗部１３３１は、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１１１に対して線対称な形状である。また、第２抵抗部１３３２は、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１３２に対して線対称な形状である。第１抵抗部１３３１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３３１の第２端部は、第５配線パターン部１３９を介して第２抵抗部１３３２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３３２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　第４磁気抵抗パターン部１３４は、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を有している。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３（図１３の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。より詳細には、第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行しながら第１方向Ｄ１における一端側（図１３の右側）から他端側（図１３の左側）に向かって延びている。また、第１抵抗部１３４１は、図１４に示すように、一対の張出部１３４３，１３４３を有している。一対の張出部１３４３，１３４３は、第１方向Ｄ１における第１抵抗部１３４１の中央部分において、互いに近づく向きに矩形状に張り出している。また、第１抵抗部１３４１は、中心点ｃ２４１を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。一方、第２抵抗部１３４２は、図１５に示すように、第２方向Ｄ２に沿った中心線（対称軸）Ｌ１４２に対して線対称な形状である。第１抵抗部１３４１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３４１の第２端部は、第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２を介して第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３４２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　変形例４に係る磁気センサにおいても、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の中心点ｃ２１１と図心ｃ１１１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２と図心ｃ１１２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１と図心ｃ１２１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２と図心ｃ１２２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１と図心ｃ１３１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２と図心ｃ１３２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の中心点ｃ２４１と図心ｃ１４１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２と図心ｃ１４２とが一致している。
　すなわち、変形例４に係る磁気センサにおいても、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１の図心ｃ１１１及び第２抵抗部１３１２の図心ｃ１１２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の図心ｃ１２１及び第２抵抗部１３２２の図心ｃ１２２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の図心ｃ１３１及び第２抵抗部１３３２の図心ｃ１３２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１の図心ｃ１４１及び第２抵抗部１３４２の図心ｃ１４２は、中心線Ｌ２上に位置している。
　これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１１，ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４１，ｃ１４２が中心線Ｌ２に対して第２方向Ｄ２にずれている場合に比べて、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の寸法を小さくすることが可能となる。その結果、第２方向Ｄ２において磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。また、例えば、磁気センサに対して検知対象２（図３参照）が第２方向Ｄ２に傾いた場合でも、磁界強度分布のばらつきによる磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値の変動量を抑えることが可能となり、その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。
　また、変形例４に係る磁気センサにおいても、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は、変形例２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅より細い。これにより、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４で構成されるブリッジ回路の抵抗値を増大させることが可能となり、その結果、所望の信号出力を得るために必要な消費電力を低減することが可能となる。
　（５．５）その他の変形例
　以下、実施形態１のその他の変形例を列挙する。
　複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の形状は、ミアンダ形状に限らず、他の形状であってもよい。
　実施形態１、変形例１、変形例２、変形例３及び変形例４では、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４が１つ又は２つの抵抗部で構成されているが、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、例えば、３つ以上の抵抗部で構成されていてもよい。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る磁気センサについて、図１６及び図１７を参照して説明する。以下の説明において、実施形態１に係る磁気センサ１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々が複数の抵抗部で構成されている点で、実施形態１に係る磁気センサ１と相違する。また、実施形態２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅が細くなっている点で、実施形態１に係る磁気センサ１と相違する。
　（１）概要
　上述の特許文献１には、絶縁基板（支持基板）と、絶縁基板上に設けられている磁気抵抗膜とを備える磁気抵抗素子（磁気センサ）が記載されている。磁気抵抗膜は、複数の２重つづら折り感磁パターンユニット（磁気抵抗パターン部）を含む。複数の２重つづら折り感磁パターンユニットは、磁気抵抗素子に対する磁石の移動方向に沿って並んでいる。
　上述の特許文献１に記載の磁気抵抗素子では、歪波形による誤差を低減することはできるものの、全体として大型化するという問題があった。実施形態２に係る磁気センサは、上述の問題を解決するために以下の構成を採用している。
　すなわち、実施形態２に係る磁気センサは、検知対象２（図３参照）が第１方向Ｄ１に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検知対象２の位置を検知する磁気センサである。検知対象２は、第１方向Ｄ１において所定の着磁周期λ（図３参照）で着磁されている。磁気センサは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４を備える。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、ブリッジ回路を構成している。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２に沿って形成されている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３（図５参照）は、着磁周期λの１５％以上、かつ２５％以下である。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々は、第３方向Ｄ３から見て、ミアンダ形状に形成されている。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方と直交する方向である。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。
　実施形態２に係る磁気センサでは、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３は、検知対象２の着磁周期λの１５％以上である。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの１５％未満である場合に比べて、検知対象２の相対移動による磁束密度の変化に対する反応が急峻とはならず、その結果、歪波形による誤差を小さくすることが可能となる。また、実施形態２に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。これにより、隣接する磁気抵抗パターン部１３１～１３４間の距離を短くすることが可能となり、その結果、磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。すなわち、実施形態２に係る磁気センサによれば、歪波形による誤差を小さくしつつ小型化を図ることが可能となる。
　また、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％を超えている場合、検知対象２の同じ磁極に対して隣接する２つの磁気抵抗パターン部が同時に反応してしまい、検知対象２の位置の検知精度が低下する可能性がある。これに対して、実施形態２に係る磁気センサでは、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％以下である。そのため、検知対象２の同じ磁極に対して隣接する２つの磁気抵抗パターン部が同時に反応する可能性は低く、検知対象２の位置の検知精度の低下を抑制することが可能となる。
　（２）詳細
　実施形態２に係る磁気センサは、図１６に示すように、複数（例えば４つ）の磁気抵抗パターン部１３１～１３４と、第１～第６配線パターン部１３５～１４０と、複数（例えば４つ）の端子２１～２４と、を備えている。複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、第１磁気抵抗パターン部１３１と、第２磁気抵抗パターン部１３２と、第３磁気抵抗パターン部１３３と、第４磁気抵抗パターン部１３４と、を含む。また、複数の端子２１～２４は、電源端子２１と、グランド端子２２と、第１出力端子２３と、第２出力端子２４と、を含む。
　第１磁気抵抗パターン部１３１は、第１抵抗部１３１１と、第２抵抗部１３１２と、を有している。第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２の各々は、第３方向Ｄ３（図１６の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３１１は、第１部分１３１４と、第２部分１３１５と、を含む。第１部分１３１４は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３１５は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２抵抗部１３１２は、第１部分１３１６と、第２部分１３１７と、を含む。第１部分１３１６は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３１７は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第２抵抗部１３１２では、第１部分１３１６と第２部分１３１７とが、第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第１抵抗部１３１１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３１１の第２端部は、第１配線パターン部１３５の第２配線部１３５２を介して第２抵抗部１３１２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３１２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第２磁気抵抗パターン部１３２は、第１抵抗部１３２１と、第２抵抗部１３２２と、を有している。第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２の各々は、第３方向Ｄ３（図１６の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３２１は、第１部分１３２５と、第２部分１３２６と、を含む。第１部分１３２５は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３２６は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第１抵抗部１３２１では、第１部分１３２５と第２部分１３２６とが、第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第２抵抗部１３２２は、第１部分１３２７と、第２部分１３２８と、を含む。第１部分１３２７は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３２８は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第２抵抗部１３２２では、第１部分１３２７と第２部分１３２８とが、第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第１抵抗部１３２１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３２１の第２端部は、第６配線パターン部１４０を介して第２抵抗部１３２２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３２２の第１端部は、第３配線パターン部１３７を介して第１出力端子２３に接続されている。
　第３磁気抵抗パターン部１３３は、第１抵抗部１３３１と、第２抵抗部１３３２と、を有している。第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２の各々は、第３方向Ｄ３（図１６の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３３１は、第１部分１３３４と、第２部分１３３５と、を含む。第１部分１３３４は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３３５は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第１抵抗部１３３１では、第１部分１３３４と第２部分１３３５とが、第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第２抵抗部１３３２は、第１部分１３３６と、第２部分１３３７と、を含む。第１部分１３３６は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３３７は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第２抵抗部１３３２では、第１部分１３３６と第２部分１３３７とが、第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第１抵抗部１３３１の第１端部は、第１配線パターン部１３５の第１配線部１３５１を介して電源端子２１に接続されている。第１抵抗部１３３１の第２端部は、第５配線パターン部１３９を介して第２抵抗部１３３２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３３２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　第４磁気抵抗パターン部１３４は、第１抵抗部１３４１と、第２抵抗部１３４２と、を有している。第１抵抗部１３４１及び第２抵抗部１３４２の各々は、第３方向Ｄ３（図１６の紙面に垂直な方向）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第１抵抗部１３４１は、第１部分１３４６と、第２部分１３４７と、を含む。第１部分１３４６は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３４７は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２抵抗部１３４２は、第１部分１３４８と、第２部分１３４９と、を含む。第１部分１３４８は、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。第２部分１３４９は、中心線Ｌ２よりも上側の領域において第１方向Ｄ１に沿ってＵ字状に蛇行し、かつ、中心線Ｌ２よりも下側の領域において第２方向Ｄ２に沿ってＵ字状に蛇行している。また、第２抵抗部１３４２では、第１部分１３４８と第２部分１３４９とが、第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２を対称点（対称中心）とする点対称な形状である。第１抵抗部１３４１の第１端部は、第２配線パターン部１３６の第１配線部１３６１を介してグランド端子２２に接続されている。第１抵抗部１３４１の第２端部は、第２配線パターン部１３６の第２配線部１３６２を介して第２抵抗部１３４２の第２端部に接続されている。第２抵抗部１３４２の第１端部は、第４配線パターン部１３８を介して第２出力端子２４に接続されている。
　実施形態２に係る磁気センサにおいても、第３方向Ｄ３から見たときの第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の中心点ｃ２１２と図心ｃ１１２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の中心点ｃ２２１と図心ｃ１２１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２の中心点ｃ２２２と図心ｃ１２２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の中心点ｃ２３１と図心ｃ１３１とが一致しており、第３方向Ｄ３から見たときの第３磁気抵抗パターン部１３３の第２抵抗部１３３２の中心点ｃ２３２と図心ｃ１３２とが一致している。また、第３方向Ｄ３から見たときの第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の中心点ｃ２４２と図心ｃ１４２とが一致している。
　すなわち、実施形態２に係る磁気センサにおいても、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の図心ｃ１１２，ｃ１２１，ｃ１２２，ｃ１３１，ｃ１３２，ｃ１４２は、第３方向Ｄ３から見て、第２方向Ｄ２における複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の中心線Ｌ２上に位置している。より詳細には、第１磁気抵抗パターン部１３１の第２抵抗部１３１２の図心ｃ１１２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１の図心ｃ１２１及び第２抵抗部１３２２の図心ｃ１２２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１の図心ｃ１３１及び第２抵抗部１３３２の図心ｃ１３２は、中心線Ｌ２上に位置している。また、第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の図心ｃ１４２は、中心線Ｌ２上に位置している。
　ここで、図９に示す実施形態１の変形例２に係る磁気センサ及び実施形態２に係る磁気センサでは、上述の実施形態１に係る磁気センサ１及び変形例１に係る磁気センサと同様、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４は、例えば、ＮｉＦｅＣｏ合金を含む磁性層とＣｕ合金を含む非磁性層とが交互に積層された人工格子膜で構成されている。
　また、図９に示す実施形態１の変形例２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅は、例えば、１０μｍ以上で、３０μｍ以下である。実施形態１の変形例２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４で構成されるブリッジ回路の抵抗値は、例えば、１ｋΩ以上で、５ｋΩ以下である。
　これに対して、実施形態２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅Ｗ１（図１７参照）は、例えば、４μｍ以上で、１５μｍ以下である。好ましくは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅Ｗ１は、５μｍである。また、実施形態２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅Ｗ１は、実施形態１の変形例２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅の１／２である。したがって、例えば、実施形態１の変形例２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅が１０μｍであれば、実施形態２に係る磁気センサの各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅Ｗ１は５μｍである。また、実施形態２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４において隣接するパターンの間隔Ｗ２は、例えば、５μｍである。実施形態２に係る磁気センサでは、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４で構成されるブリッジ回路の抵抗値は、例えば、５ｋΩ以上で、１０ｋΩ以下である。
　実施形態２に係る磁気センサのように、各磁気抵抗パターン部１３１～１３４の線幅Ｗ１を細くすることで、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の抵抗値を増大することが可能となる。これにより、所望の信号出力を得るために必要な消費電力を低減することが可能となる。すなわち、実施形態２に係る磁気センサによれば、消費電力あたりの信号出力を高めることが可能となる。
　また、実施形態２に係る磁気センサでは、例えば、第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２の一部は、図１７に示すように、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する第２磁気抵抗パターン部１３２の第２抵抗部１３２２と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する第２抵抗部１３２２側に突出している。これにより、第４磁気抵抗パターン部１３４の第２抵抗部１３４２のパターン幅Ｗ３を、検知対象２の着磁周期λ（図３参照）の１５％以上、かつ２５％以下とすることが可能となる。その結果、検知対象２の位置の検知誤差を低減することが可能となる。なお、第１磁気抵抗パターン部１３１の第１抵抗部１３１１及び第２抵抗部１３１２、第２磁気抵抗パターン部１３２の第１抵抗部１３２１及び第２抵抗部１３２２、第３磁気抵抗パターン部１３３の第１抵抗部１３３１及び第２抵抗部１３３２、並びに、第４磁気抵抗パターン部１３４の第１抵抗部１３４１についても、同様に、パターン幅を検知対象２の着磁周期λの１５％以上、かつ２５％以下とすることが可能となる。
　（３）効果
　実施形態２に係る磁気センサでは、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３（図５参照）は、検知対象２の着磁周期λ（図３参照）の１５％以上である。これにより、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの１５％未満である場合に比べて、検知対象２の相対移動による磁束密度の変化に対する反応が急峻とはならず、その結果、歪波形による誤差を小さくすることが可能となる。また、実施形態２に係る磁気センサでは、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々の一部は、第２方向Ｄ２において、第１方向Ｄ１で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向Ｄ１において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。これにより、隣接する磁気抵抗パターン部１３１～１３４間の距離を短くすることが可能となり、その結果、磁気センサ１の小型化を図ることが可能となる。すなわち、実施形態２に係る磁気センサによれば、歪波形の誤差を低減しつつ小型化を図ることが可能となる。
　また、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％を超えている場合、検知対象２の同じ磁極に対して隣接する２つの磁気抵抗パターン部が反応してしまい、検知対象２の位置の検知精度が低下する可能性がある。これに対して、実施形態２に係る磁気センサでは、上述したように、複数の磁気抵抗パターン部１３１～１３４の各々のパターン幅Ｗ３が検知対象２の着磁周期λの２５％以下であるため、検知対象２の位置の検知精度の低下を抑制することが可能となる。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る磁気センサ（１）は、検知対象（２）が第１方向（Ｄ１）に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検知対象（２）の位置を検知する磁気センサ（１）である。検知対象（２）は、第１方向（Ｄ１）において所定の着磁周期（λ）で着磁されている。磁気センサ（１）は、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）を備える。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、ブリッジ回路を構成している。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、第１方向（Ｄ１）に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第１方向（Ｄ１）と直交する第２方向（Ｄ２）に沿って形成されている。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第３方向（Ｄ３）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）の両方と直交する方向である。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々の図心（ｃ１１～ｃ１４）は、第３方向（Ｄ３）から見て、第２方向（Ｄ２）における複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の中心線（Ｌ２）上に位置している。
　この態様によれば、磁気センサ（１）の小型化を図ることが可能となる。
　第２の態様に係る磁気センサ（１）では、第１の態様において、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々のパターン幅（Ｗ３）は、着磁周期（λ）の１５％以上、かつ２５％以下である。
　この態様によれば、歪波形による誤差を低減することが可能となる。
　第３の態様に係る磁気センサ（１）では、第２の態様において、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々の一部は、第２方向（Ｄ２）において、第１方向（Ｄ１）で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向（Ｄ１）において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。
　この態様によれば、磁気センサ（１）の更なる小型化を図ることが可能となる。
　第４の態様に係る磁気センサ（１）では、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、複数の磁気抵抗パターン部（１３１，１３２，１３３，１３４）として、４つの磁気抵抗パターン部（１３１，１３２，１３３，１３４）を備える。４つの磁気抵抗パターン部（１３１，１３２，１３３，１３４）は、上記ブリッジ回路として、フルブリッジ回路を構成している。
　第５の態様に係る磁気センサ（１）は、第４の態様において、第１配線パターン部（１３５）と、第２配線パターン部（１３６）と、第３配線パターン部（１３７）と、第４配線パターン部（１３８）と、を更に備える。第１配線パターン部（１３５）は、電源端子（２１）に接続されている。第２配線パターン部（１３６）は、グランド端子（２２）に接続されている。第３配線パターン部（１３７）は、第１出力端子（２３）に接続されている。第４配線パターン部（１３８）は、第２出力端子（２４）に接続されている。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部（１３１）及び第２磁気抵抗パターン部（１３２）と、互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部（１３３）及び第４磁気抵抗パターン部（１３４）と、を含む。第１配線パターン部（１３５）は、第１磁気抵抗パターン部（１３１）における第２磁気抵抗パターン部（１３２）側とは反対側の端部と、第３磁気抵抗パターン部（１３３）における第４磁気抵抗パターン部（１３４）側とは反対側の端部と、に接続されている。第２配線パターン部（１３６）は、第２磁気抵抗パターン部（１３２）における第１磁気抵抗パターン部（１３１）側とは反対側の端部と、第４磁気抵抗パターン部（１３４）における第３磁気抵抗パターン部（１３３）側とは反対側の端部と、に接続されている。第３配線パターン部（１３７）は、第１磁気抵抗パターン部（１３１）と、第２磁気抵抗パターン部（１３２）と、に接続されている。第４配線パターン部（１３８）は、第３磁気抵抗パターン部（１３３）と、第４磁気抵抗パターン部（１３４）と、に接続されている。
　第２～第５の態様に係る構成については、磁気センサ（１）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　第６の態様に係る磁気センサ（１）は、検知対象（２）が第１方向（Ｄ１）に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検知対象（２）の位置を検知する磁気センサ（１）である。検知対象（２）は、第１方向（Ｄ１）において所定の着磁周期（λ）で着磁されている。磁気センサ（１）は、複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）を備える。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、ブリッジ回路を構成している。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）は、第１方向（Ｄ１）に沿って並んでいる。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第１方向（Ｄ１）と直交する第２方向（Ｄ２）に沿って形成されている。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々のパターン幅（Ｗ３）は、着磁周期（λ）の１５％以上、かつ２５％以下である。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々は、第３方向（Ｄ３）から見て、ミアンダ形状に形成されている。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）の両方と直交する方向である。複数の磁気抵抗パターン部（１３１～１３４）の各々の一部は、第２方向（Ｄ２）において、第１方向（Ｄ１）で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、第１方向（Ｄ１）において隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している。
　この態様によれば、歪波形による誤差を低減しつつ磁気センサ（１）の小型化を図ることが可能となる。
１　磁気センサ
２　検知対象
２１　電源端子
２２　グランド端子
２３　第１出力端子
２４　第２出力端子
１３１　第１磁気抵抗パターン部（磁気抵抗パターン部）
１３２　第２磁気抵抗パターン部（磁気抵抗パターン部）
１３３　第３磁気抵抗パターン部（磁気抵抗パターン部）
１３４　第４磁気抵抗パターン部（磁気抵抗パターン部）
１３５　第１配線パターン部
１３６　第２配線パターン部
１３７　第３配線パターン部
１３８　第４配線パターン部
ｃ１１，ｃ１２，ｃ１３，ｃ１４　図心
ｃ２１，ｃ２２，ｃ２３，ｃ２４　中心点
Ｄ１　第１方向
Ｄ２　第２方向
Ｄ３　第３方向
Ｌ２　中心線
Ｗ３　パターン幅
λ　着磁周期

Claims (5)

  1. 　第１方向において所定の着磁周期で着磁されている検知対象が前記第１方向に沿って相対的に移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて前記検知対象の位置を検知する磁気センサであって、
    　ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗パターン部を備え、
    　前記複数の磁気抵抗パターン部は、前記第１方向に沿って並んでおり、
    　前記複数の磁気抵抗パターン部の各々は、前記第１方向と直交する第２方向に沿って形成されており、
    　前記複数の磁気抵抗パターン部の各々は、前記第１方向及び前記第２方向の両方と直交する第３方向から見て、ミアンダ形状に形成されており、
    　前記複数の磁気抵抗パターン部の各々の図心は、前記第３方向から見て、前記第２方向における前記複数の磁気抵抗パターン部の中心線上に位置している、
    　磁気センサ。
  2. 　前記複数の磁気抵抗パターン部の各々のパターン幅は、前記着磁周期の１５％以上、かつ２５％以下である、
    　請求項１に記載の磁気センサ。
  3. 　前記複数の磁気抵抗パターン部の各々の一部は、前記第２方向において、前記第１方向で隣接する磁気抵抗パターン部の一部と重なるように、前記第１方向において前記隣接する磁気抵抗パターン部側に突出している、
    　請求項２に記載の磁気センサ。
  4. 　前記複数の磁気抵抗パターン部として、４つの磁気抵抗パターン部を備え、
    　前記４つの磁気抵抗パターン部は、前記ブリッジ回路として、フルブリッジ回路を構成している、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気センサ。
  5. 　電源端子に接続されている第１配線パターン部と、
    　グランド端子に接続されている第２配線パターン部と、
    　第１出力端子に接続されている第３配線パターン部と、
    　第２出力端子に接続されている第４配線パターン部と、を更に備え、
    　前記複数の磁気抵抗パターン部は、
    　　互いに直列に接続されている第１磁気抵抗パターン部及び第２磁気抵抗パターン部と、
    　　互いに直列に接続されている第３磁気抵抗パターン部及び第４磁気抵抗パターン部と、を含み、
    　前記第１配線パターン部は、前記第１磁気抵抗パターン部における前記第２磁気抵抗パターン部側とは反対側の端部と、前記第３磁気抵抗パターン部における前記第４磁気抵抗パターン部側とは反対側の端部と、に接続されており、
    　前記第２配線パターン部は、前記第２磁気抵抗パターン部における前記第１磁気抵抗パターン部側とは反対側の端部と、前記第４磁気抵抗パターン部における前記第３磁気抵抗パターン部側とは反対側の端部と、に接続されており、
    　前記第３配線パターン部は、前記第１磁気抵抗パターン部と、前記第２磁気抵抗パターン部と、に接続されており、
    　前記第４配線パターン部は、前記第３磁気抵抗パターン部と、前記第４磁気抵抗パターン部と、に接続されている、
    　請求項４に記載の磁気センサ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11148841A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗センサ
JP2001244521A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Nippon Seiki Co Ltd 移動物体検出装置
JP2015060954A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 パナソニック株式会社 巨大磁気抵抗素子

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