CN216900887U - 磁传感器 - Google Patents

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大林正彦
大山裕树
谷川秀之
田川正孝
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Abstract

本实用新型涉及磁传感器。本公开的课题为减小切断支承基板时的对磁阻层的影响。本公开的磁传感器(1)具有支承基板(11)、釉层以及磁阻层(13)。釉层形成于支承基板(11)上。磁阻层(13)形成于釉层上。在从支承基板(11)的厚度方向俯视时，磁阻层(13)的外缘(130)位于比支承基板(11)的外缘(110)靠内侧的位置。

Description

磁传感器
技术领域
本公开一般而言涉及一种磁传感器，更详细而言，涉及一种具有磁阻层的磁传感器。
背景技术
在专利文献1中记载了一种具有釉面氧化铝基板(支承基板)的强磁性磁阻元件(磁传感器)。在专利文献1所记载的强磁性磁阻元件中，在釉面氧化铝基板上形成有强磁性磁阻膜图案(磁阻层)。强磁性磁阻膜图案的一部分作为引出电极被引出到釉面氧化铝基板的端部。
在专利文献1所记载的磁传感器中，如上所述，强磁性磁阻膜图案被引出到釉面氧化铝基板的端部。因此，例如在利用切割或激光切断釉面氧化铝基板时，会对釉面氧化铝基板的端部施加机械冲击或热应力，有时使强磁性磁阻膜图案被较大程度地剥离，或者紧密贴合性下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-75180号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开的目的在于提供一种能够减小切断支承基板时的对磁阻层的影响的磁传感器。
用于解决问题的方案
本公开的一方式的磁传感器具有支承基板、釉层以及磁阻层。所述釉层形成于所述支承基板上。磁阻层形成于所述釉层上。在从所述支承基板的厚度方向俯视时，所述磁阻层的外缘位于比所述支承基板的外缘靠内侧的位置。
更优选的是，从所述支承基板的所述厚度方向俯视时的所述支承基板的所述外缘与所述磁阻层的所述外缘之间的距离相对于所述釉层的厚度的比率为0.5以上。
更优选的是，所述比率为3.0以下。
更优选的是，从所述支承基板的所述厚度方向俯视时的所述支承基板的所述外缘与所述磁阻层的所述外缘之间的距离为5μm以上。
更优选的是，所述距离为150μm以下。
更优选的是，所述支承基板具有：第1主面和第2主面，该第1主面和该第2主面在所述支承基板的所述厚度方向上彼此相对；以及外周面，该外周面沿着所述支承基板的所述厚度方向连接所述第1主面和所述第2主面，所述磁传感器还具有：电极，该电极与所述磁阻层电连接，跨所述第1主面、所述外周面以及所述第2主面地形成；以及镀层，该镀层以覆盖所述电极的方式形成。
更优选的是，所述镀层包括电解铜镀层和电解锡镀层。
更优选的是，所述镀层包括电解铜镀层和金镀层。
更优选的是，所述镀层包括化学镀镍-磷镀层和电解锡镀层。
更优选的是，所述镀层包括化学镀镍-磷镀层和金镀层。
更优选的是，所述电极具有含有铬或铬合金的至少一个第1金属层和含有铜或铜镍合金的至少一个第2金属层。
更优选的是，所述电极为含有镍铬或镍铬合金的金属层。
更优选的是，所述磁阻层具有：多个磁阻图案部；以及多个端子图案部，该多个端子图案部设于所述多个磁阻图案部的周围，在从所述支承基板的所述厚度方向俯视时，所述多个端子图案部的外缘位于比所述支承基板的外缘靠内侧的位置。
实用新型的效果
根据本公开的一方式的磁传感器，能够减小切断支承基板时的对磁阻层的影响。
附图说明
图1是实施方式的磁传感器的外观立体图。
图2涉及同上的磁传感器，是图1的X-X线剖视图。
图3是图2的主要部位放大图。
图4是同上的磁传感器的检测对象的概略结构图。
图5是同上的磁传感器的概略电路图。
图6是表示同上的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子图案部的配置例的配置图。
图7是表示同上的磁传感器的第1特性的图表。
图8是表示比较例的磁传感器的第1特性的图表。
图9是表示实施方式的磁传感器的第2特性的图表。
图10是表示比较例的磁传感器的第2特性的图表。
图11是实施方式的比较例1的磁传感器的主要部位放大图。
附图标记说明
1、磁传感器；11、支承基板；12、玻璃釉层(釉层)；13、磁阻层；15、上表面电极(电极)；16、端面电极(电极)；17、下表面电极(电极)；18、镀层；21、电源端子(端子图案部)；22、接地端子(端子图案部)；23、第1输出端子(端子图案部)；24、第2输出端子(端子图案部)；110、外缘；111、第1主面；112、第2主面；113、外周面；130、外缘；131～134、磁阻图案部；165、第1金属层；166、第2金属层；181、电解铜镀层；182、电解锡镀层；211、221、231、241、外缘；D3、第3方向(厚度方向)；L1、距离；T1、厚度。
具体实施方式
以下，参照图1～图11说明实施方式的磁传感器1。在以下的实施方式等中参照的图1～图4、图6以及图11均为示意性的图，图中的各结构要素的大小、厚度各自的比值未必反映实际的尺寸比。
(实施方式)
(1)概要
首先，参照图1～图4说明实施方式的磁传感器1的概要。
磁传感器1利用磁来对检测对象2的位置进行检测。磁传感器1例如用作线性编码器或旋转编码器等位置传感器。具体而言，磁传感器1用作例如用于对由马达(线性马达或旋转马达)驱动的照相机的镜头等的位置进行检测的位置传感器(编码器)。另外，磁传感器1也用作例如用于对汽车的制动踏板、制动杆或变速杆的位置进行检测的位置传感器。但是，磁传感器1的用途并不限于上述的用途。另外，由磁传感器1检测的“位置”是包括检测对象2的坐标和以穿过检测对象2的旋转轴线(假想轴线)为中心的检测对象2的旋转角(检测对象2的朝向)这两者的概念。即，磁传感器1对检测对象2的坐标和检测对象2的旋转角中的至少一者进行检测。
以下，以将磁传感器1用作线性编码器的情况为例进行说明。线性编码器既可以是增量型，也可以是绝对型。在本实施方式中，磁传感器1对检测对象2的坐标进行检测。
实施方式的磁传感器1具有支承基板11、玻璃釉层(釉层)12以及磁阻层13。玻璃釉层12形成于支承基板11上。磁阻层13形成于玻璃釉层12上。在从支承基板11的厚度方向(第3方向D3)俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。
在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。由此，例如在使用切割或激光来切断支承基板11时，不易对磁阻层13的外缘130施加机械冲击或热应力。其结果是，能够抑制磁阻层13从玻璃釉层12剥离或者玻璃釉层12与磁阻层13的紧密贴合性下降。即，根据实施方式的磁传感器1，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
(2)详细说明
接下来，参照图1～图6对实施方式的磁传感器1进行详细说明。
(2.1)磁传感器的构造
首先，参照图1、图2以及图3来说明实施方式的磁传感器1的构造。
如图1和图2所示，实施方式的磁传感器1形成为在第1方向D1上较长的长方体状。以下，将磁传感器1的长度方向设为第1方向D1，将磁传感器1的宽度方向(短边方向)设为第2方向D2，将磁传感器1的厚度方向设为第3方向D3，以此进行说明，但这些方向并不是对使用磁传感器1时的方向进行限定的意思。另外，附图中的表示“D1”、“D2”“D3”的箭头只是为了用于进行说明而标记的，均没有实体。在本实施方式中，第1方向D1为磁传感器1相对于检测对象2移动的方向。另外，在本实施方式中，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3彼此正交。
如图1和图2所示，实施方式的磁传感器1具有支承基板11、玻璃釉层(釉层)12以及磁阻层13。另外，实施方式的磁传感器1还具有保护膜14、多个(例如四个)上表面电极15、多个(例如四个)端面电极16、多个(例如四个)下表面电极(背面电极)17以及多个(例如四个)镀层18。多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17一对一地对应。
支承基板11例如是陶瓷基板。陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。在从磁传感器1的厚度方向即第3方向D3观察时，支承基板11形成为在磁传感器1的长度方向即第1方向D1上较长的矩形形状。如图2所示，支承基板11具有第1主面111、第2主面112以及外周面113。第1主面111和第2主面112分别为沿着第1方向D1和第2方向D2这两者的平面。第1主面111和第2主面112在支承基板11的厚度方向即第3方向D3上彼此相对。外周面113为沿着第3方向D3的平面。另外，外周面113连接第1主面111和第2主面112。
玻璃釉层(釉层)12例如以二氧化硅为主要成分。玻璃釉层12形成于支承基板11的第1主面111上。玻璃釉层12遍及支承基板11的第1主面111的整体而形成。在从第3方向D3观察时，玻璃釉层12形成为在第1方向D1上较长的矩形形状。玻璃釉层12的厚度T1(参照图2)例如是10μm以上且50μm以下。在实施方式的磁传感器1中，利用玻璃釉层12能够得到供磁阻层13形成的平面的平滑性。此外，玻璃釉层12只要至少处于配置有多个磁阻图案部131～134(见后述)的区域即可。另外，玻璃釉层12也可以含有铅氧化物。
如图2所示，磁阻层13形成于玻璃釉层12上。磁阻层13包括多个第1层和多个第2层。多个第1层分别为磁性层，例如含有NiFeCo合金。多个第2层分别为非磁性层，例如含有Cu合金。多个第1层和多个第2层在玻璃釉层12上交替地层叠。在实施方式的磁传感器1中，由磁阻层13构成GMR(Giant Magnetic Resistance：巨磁阻)膜。此外，多个第1层的层数和多个第2层的层数既可以相同，也可以不同。
保护膜14是用于保护磁阻层13的膜。保护膜14的材料例如是环氧树脂。保护膜14在玻璃釉层12上以覆盖磁阻层13的局部的方式形成。在实施方式的磁传感器1中，后述的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24(参照图5和图6)分别与多个上表面电极15中的某一上表面电极15连接，因此，保护膜14形成为覆盖磁阻层13中的至少除了电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域。
如图1所示，多个上表面电极15形成于支承基板11的第1主面111(参照图2)上。多个上表面电极15的材料例如是铜镍(CuNi)系合金。多个上表面电极15包括第1上表面电极151、第2上表面电极152、第3上表面电极153以及第4上表面电极154。多个上表面电极15分别与磁阻层13中的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24中的某一端子连接。更详细而言，多个上表面电极15中的第1上表面电极151与电源端子21连接，第2上表面电极152与接地端子22连接。另外，多个上表面电极15中的第3上表面电极153与第1输出端子23连接，第4上表面电极154与第2输出端子24连接。多个上表面电极15例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个端面电极16形成为，沿着支承基板11的长度方向(第1方向D1)覆盖支承基板11的长度方向的外周面113(参照图2)。多个端面电极16的材料例如是铜镍(CuNi)系合金。多个端面电极16包括第1端面电极161、第2端面电极162、第3端面电极163以及第4端面电极164。多个端面电极16如上所述与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，第1端面电极161与第1上表面电极151对应，且与第1上表面电极151连接。第2端面电极162与第2上表面电极152对应，且与第2上表面电极152连接。第3端面电极163与第3上表面电极153对应，且与第3上表面电极153连接。第4端面电极164与第4上表面电极154对应，且与第4上表面电极154连接。多个端面电极16例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个下表面电极17形成于支承基板11的第2主面112(参照图2)上。多个下表面电极17的材料例如是铜镍(CuNi)系合金。多个下表面电极17包括第1下表面电极171、第2下表面电极172、第3下表面电极173以及第4下表面电极174。多个下表面电极17如上所述与多个上表面电极15及多个端面电极16一对一地对应。更详细而言，第1下表面电极171与第1上表面电极151及第1端面电极161对应，且与第1端面电极161连接。第2下表面电极172与第2上表面电极152及第2端面电极162对应，且与第2端面电极162连接。第3下表面电极173与第3上表面电极153及第3端面电极163对应，且与第3端面电极163连接。第4下表面电极174与第4上表面电极154及第4端面电极164对应，且与第4端面电极164连接。多个下表面电极17例如是通过溅射形成的溅射膜。
在实施方式的磁传感器1中，在从第1方向D1观察时，第1上表面电极151、第1端面电极161以及第1下表面电极171形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第2上表面电极152、第2端面电极162以及第2下表面电极172形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第3上表面电极153、第3端面电极163以及第3下表面电极173形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第4上表面电极154、第4端面电极164以及第4下表面电极174形成为字母U字形。即，在实施方式的磁传感器1中，上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17与磁阻层13电连接，且跨支承基板11的第1主面111、外周面113以及第2主面112地形成。在实施方式的磁传感器1中，由上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17构成电极。
根据实施方式的磁传感器1，能够利用多个下表面电极17与供磁传感器1安装的安装基板连接。
如图1所示，多个镀层18分别形成为覆盖多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17中的所对应的上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17。即，在从第1方向D1观察时，多个镀层18分别形成为字母U字形。如图3所示，多个镀层18分别包括电解铜镀层181和电解锡镀层182。即，多个镀层18分别为非磁性的镀层。在图3所示的例子中，以电解铜镀层181处于内侧(电极侧)且电解锡镀层182处于外侧(相对于电解铜镀层181与电极侧相反的一侧)的方式层叠。如图2所示，多个镀层18分别与保护膜14接触。此外，镀层18也可以包括电解金镀层或化学金镀层，来替代电解锡镀层182。
(2.2)检测对象的构造
接下来，参照图4说明检测对象2的构造。
检测对象2例如是磁尺。如图4所示，检测对象2沿着第1方向D1形成为长条的板状。检测对象2在第3方向D3(与图4的纸面垂直的方向)上与磁传感器1相对。
检测对象2包括多个磁极。多个磁极沿着第1方向D1配置。多个磁极包括一个以上的N极和一个以上的S极。多个磁极配置为，一个以上的S极和一个以上的N极在第1方向D1上交替地排列。各磁极例如是铁氧体磁体或钕磁体。在检测对象2中，多个铁氧体磁体或多个钕磁体沿着第1方向D1配置。如图4所示，检测对象2在第1方向D1上以磁化周期λ被磁化。
(2.3)磁传感器的电路结构
接下来，参照图5说明实施方式的磁传感器1的电路结构。
如图5所示，实施方式的磁传感器1具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137、第4布线图案部138、第5布线图案部139(参照图6)以及第6布线图案部140(参照图6)。另外，实施方式的磁传感器1还具有电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。实施方式的磁传感器1具有四个磁阻图案部131～134，来作为多个磁阻图案部131～134。四个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134构成全桥电路。具体而言，第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的串联电路与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的串联电路相互并联连接。即，多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131与第2磁阻图案部132的连接点P1经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。即，连接于第1输出端子23的第3布线图案部137与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部经由第1布线图案部135与电源端子21连接。即，第1布线图案部135与电源端子21连接。第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部经由第2布线图案部136与接地端子22连接。即，第2布线图案部136与接地端子22连接。
第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的连接点P2经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。即，连接于第2输出端子24的第4布线图案部138与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部经由第1布线图案部135与电源端子21连接。第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部经由第2布线图案部136与接地端子22连接。
即，在实施方式的磁传感器1中，第1磁阻图案部131和第3磁阻图案部133的连接点P3经由第1布线图案部135与电源端子21连接。换言之，第1布线图案部135与第1磁阻图案部131中的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部和第3磁阻图案部133中的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部连接。
另外，在实施方式的磁传感器1中，第2磁阻图案部132和第4磁阻图案部134的连接点P4经由第2布线图案部136与接地端子22连接。换言之，第2布线图案部136与第2磁阻图案部132中的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部和第4磁阻图案部134中的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部连接。
电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，电源端子21与多个上表面电极15中的第1上表面电极151一对一地对应，且与第1上表面电极151连接。另外，接地端子22与多个上表面电极15中的第2上表面电极152一对一地对应，且与第2上表面电极152连接。另外，第1输出端子23与多个上表面电极15中的第3上表面电极153一对一地对应，且与第3上表面电极153连接。另外，第2输出端子24与多个上表面电极15中的第4上表面电极154一对一地对应，且与第4上表面电极154连接。在以下的说明中，也将电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第4输出端子24分别称作“端子图案部21～24”。即，在本实施方式中，由电源端子21构成端子图案部21，由接地端子22构成端子图案部22。另外，由第1输出端子23构成端子图案部23，由第2输出端子24构成端子图案部24。
(2.4)磁阻图案部、布线图案部以及端子图案部的配置例
接下来，参照图6说明实施方式的磁传感器1的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个(四个)端子图案部21～24的配置例。在图6中，为了易于识别多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个端子图案部21～24，对它们实施点阴影。
如图6所示，多个磁阻图案部131～134沿着磁传感器1的长度方向即第1方向D1排列。如上所述，多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
如图6所示，第1磁阻图案部131包括第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1311和第2电阻部1312分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1311和第2电阻部1312各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1311和第2电阻部1312相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1311和第2电阻部1312经由后述的第1布线图案部135的第2布线部1352相互串联连接。
如图6所示，第2磁阻图案部132包括第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1321和第2电阻部1322分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1321和第2电阻部1322各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1321和第2电阻部1322相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1321和第2电阻部1322经由第6布线图案部140相互串联连接。
如图6所示，第3磁阻图案部133包括第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1331和第2电阻部1332分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1331和第2电阻部1332各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1331和第2电阻部1332相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1331和第2电阻部1332经由第5布线图案部139相互串联连接。
如图6所示，第4磁阻图案部134包括第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1341和第2电阻部1342分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1341和第2电阻部1342各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1341和第2电阻部1342相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1341和第2电阻部1342经由后述的第2布线图案部136的第2布线部1362相互串联连接。
如图6所示，在实施方式的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。
在此，在图6所示的例子中，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的内侧的电阻部1321、1331、1312、1322、1332、1342形成为同一形状。在本公开中，“内侧的电阻部”是指在第1方向D1上的两侧配置有其他电阻部的电阻部。即，在图6所示的例子中，第1电阻部1321、1331和第2电阻部1312、1322、1332、1342为内侧的电阻部。另外，在本公开中，“外侧的电阻部”是指在第1方向D1上仅在单侧配置有其他电阻部的电阻部。即，在图6所示的例子中，第1电阻部1311、1341为外侧的电阻部。并且，在本公开中，“同一形状”不仅包括完全相同的形状的情况，还包括形状在与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度上不同的情况。即，对于内侧的电阻部1321、1331、1312、1322、1332、1342，若与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度，则彼此的形状也可以不同。
如图6所示，第1布线图案部135连接第1磁阻图案部131与端子图案部(电源端子)21之间、以及第3磁阻图案部133与端子图案部21之间。第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。第1布线部1351在从第3方向D3观察时形成为矩形形状，在第1端部与端子图案部21连接。第1布线部1351的第2端部与第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1端部和第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的第1端部连接。第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的第2端部与第5布线图案部139连接。第2布线部1352在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条，且与第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第2端部和第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1端部连接。第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第2端部与第3布线图案部137连接。
如图6所示，第2布线图案部136连接第2磁阻图案部132与端子图案部(接地端子)22之间、以及第4磁阻图案部134与端子图案部22之间。第2布线图案部136包括第1布线部1361和第2布线部1362。第1布线部1361在从第3方向D3观察时形成为矩形形状，且在第1端部与端子图案部22连接。第1布线部1361的第2端部与第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的第1端部和第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1端部连接。第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的第2端部与第6布线图案部140连接。第2布线部1362在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条，且与第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第2端部和第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1端部连接。第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第2端部与第4布线图案部138连接。
如图6所示，第3布线图案部137连接第1磁阻图案部131与端子图案部(第1输出端子)23之间、以及第2磁阻图案部132与端子图案部23之间。第3布线图案部137在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与端子图案部23连接。第3布线图案部137的第2端部如上所述与第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第2端部和第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的第2端部连接。
如图6所示，第4布线图案部138连接第3磁阻图案部133与端子图案部(第2输出端子)24之间、以及第4磁阻图案部134与端子图案部24之间。第4布线图案部138在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与端子图案部24连接。第4布线图案部138的第2端部如上所述与第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的第2端部和第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第2端部连接。
如图6所示，第5布线图案部139在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条。第5布线图案部139连接第3磁阻图案部133的第1电阻部1331与第2电阻部1332。如图6所示，第6布线图案部140在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条。第6布线图案部140连接第2磁阻图案部132的第1电阻部1321和第2电阻部1322。
在实施方式的磁传感器1中，上述的磁阻层13构成多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个端子图案部21～24。即，在实施方式的磁传感器1中，第1布线图案部135～第6布线图案部140和多个端子图案部21～24由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。
在本实施方式中，例如，磁传感器1相对于检测对象2沿着第1方向D1移动，从而磁传感器1与检测对象2之间的磁场强度发生变化，由于该磁场强度的变化，使多个磁阻图案部131～134的电阻值发生变动。然后，通过检测第1输出端子23和第2输出端子24的电位，能够检测到检测对象2的位置。此外，磁传感器1和检测对象2只要构成为相对地移动即可，也可以构成为检测对象2相对于磁传感器1移动。
(2.5)磁阻层的配置
接下来，参照图1、图2以及图6来说明磁阻层13相对于在第1主面111上形成有玻璃釉层12的支承基板11的配置。
如图1和图2所示，在从第3方向D3(支承基板11的厚度方向)俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。在图1所示的例子中，磁阻层13的外缘130在整周上位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置，但也可以是，磁阻层13的外缘130在其局部与支承基板11的外缘110重叠。即，“磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置”是指，磁阻层13的外缘130的至少局部位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。
如图1和图2所示，磁阻层13的外缘130具有两个第1外缘1301和两个第2外缘1302。即，磁阻层13具有两个第1外缘1301和两个第2外缘1302。两个第1外缘1301分别沿着第2方向D2。两个第2外缘1302分别沿着第1方向D1。磁阻层13通过两个第1外缘1301和两个第2外缘1302而形成为在从第3方向D3俯视时在第1方向D1上较长的矩形形状。
另一方面，如图1和图2所示，支承基板11的外缘110具有两个第1外缘1101和两个第2外缘1102。即，支承基板110具有两个第1外缘1101和两个第2外缘1102。两个第1外缘1101分别沿着第2方向D2。两个第2外缘1102分别沿着第1方向D1。支承基板11通过两个第1外缘1101和两个第2外缘1102而形成为在从第3方向D3俯视时在第1方向D1上较长的矩形形状。
如图1所示，在第1方向D1上，支承基板11的两个第1外缘1101各自与磁阻层13的两个第1外缘1301中的所对应的第1外缘1301之间的距离(以下称作“第1距离”)为L11。另外，如图1和图2所示，在第2方向D2上，支承基板11的两个第2外缘1102各自与磁阻层13的两个第2外缘1302中的所对应的第2外缘1302之间的距离(以下称作“第2距离”)为L12。第1距离L11和第2距离L12既可以相同，也可以不同。在本实施方式中，以第1距离L11和第2距离L12相同的情况进行说明。
在此，从第3方向D3(支承基板11的厚度方向)俯视时的支承基板11的外缘110与磁阻层13的外缘130之间的距离(第1距离L11、第2距离L12)相对于玻璃釉层12的厚度T1(参照图2)的比率优选为0.5以上且3.0以下。更优选的是，第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为1.0以上且2.0以下。
如上所述，玻璃釉层12的厚度T1为10μm以上且50μm以下。在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为0.5的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为5μm以上且25μm以下。另外，在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为3.0的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为30μm以上且150μm以下。即，在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为0.5以上且3.0以下的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为5μm以上且150μm以下。
并且，在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为1.0的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为10μm以上且50μm以下。另外，在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为2.0的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为20μm以上且100μm以下。即，在第1距离L11和第2距离L12各自相对于玻璃釉层12的厚度T1的比率为1.0以上且2.0以下的情况下，第1距离L11和第2距离L12分别为10μm以上且100μm以下。简而言之，相对于玻璃釉层12的第1距离L11和第2距离L12分别优选为5μm以上且150μm以下。更优选的是，相对于玻璃釉层12的第1距离L11和第2距离L12分别为10μm以上且100μm以下。
更详细而言，如图6所示，磁阻层13具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134和多个(例如四个)端子图案部21～24。多个端子图案部21～24设于多个磁阻图案部131～134的周围。在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，端子图案部(电源端子)21的第2方向D2上的外缘211位于比支承基板11的外缘110(第2外缘1102)靠内侧的位置。另外，在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，端子图案部(接地端子)22的第2方向D2上的外缘221位于比支承基板11的外缘110(第2外缘1102)靠内侧的位置。另外，在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，端子图案部(第1输出端子)23的第2方向D2上的外缘231位于比支承基板11的外缘110(第2外缘1102)靠内侧的位置。另外，在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，端子图案部(第2输出端子)24的第2方向D2上的外缘241位于比支承基板11的外缘110(第2外缘1102)靠内侧的位置。
如上所述，通过磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置，使得在后述的磁传感器1的制造方法中的第7工序中使用切割或激光切断为一个一个的磁传感器1时，能够抑制施加于支承基板11的机械冲击或热应力施加于磁阻层13。由此，能够抑制磁阻层13从玻璃釉层12剥离或者玻璃釉层12与磁阻层13的紧密贴合性下降。即，根据实施方式的磁传感器1，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
(2.6)磁传感器的特性
接下来，对于实施方式的磁传感器1的特性，与比较例的磁传感器的特性进行比较地进行说明。
(2.6.1)第1特性
首先，参照图7和图8来说明实施方式的磁传感器1的第1特性。图7和图8各自的横轴为输入信号1(来自磁传感器的输出信号)，图7和图8各自的纵轴为输入信号2(来自磁传感器的输出信号)。在图7和图8所示的例子中，输入信号1为sin信号，输入信号2为cos信号。
如上所述，在实施方式的磁传感器1中，镀层18为包括电解铜镀层181和电解锡镀层182的非磁性的镀层。与此相对，在比较例的磁传感器中，镀层为包括电解镍镀层和电解锡镀层的磁性的镀层。
在比较例的磁传感器中，由于接近磁阻层的镀层为磁性的镀层，因此，镀层的电阻值的变动较大，给磁阻层带来的影响较大。其结果是，在比较例的磁传感器中，如图8所示，利萨如图形的偏差较大。
与此相对，在实施方式的磁传感器1中，由于接近磁阻层13的镀层18为非磁性的镀层，因此，没有由检测对象2(磁尺)所引起的磁场强度的变动而导致的电阻值的变化，给输出波形带来的干扰影响较小。其结果是，在实施方式的磁传感器1中，如图7所示，利萨如图形的偏离变小。
(2.6.2)第2特性
接下来，参照图9和图10说明实施方式的磁传感器1的第2特性。图9和图10各自的横轴为距基准位置(初始位置)的距离(μm)，图9和图10各自的纵轴为检测对象2的检测误差(μm)。
如上所述，在实施方式的磁传感器1中，镀层18为非磁性的镀层，在比较例的磁传感器中，镀层为磁性的镀层。
在比较例的磁传感器中，如图10所示，检测对象2的检测误差的负侧的最大值约为15μm，检测对象2的检测误差的正侧的最大值约为17μm。
与此相对，在实施方式的磁传感器1中，如图9所示，检测对象2的检测误差的负侧的最大值约为7μm，检测对象2的检测误差的正侧的最大值约为8μm。
这样，通过将镀层18设为非磁性的镀层，能够减小检测对象2的检测误差。
(3)磁传感器的制造方法
接下来，对实施方式的磁传感器1的制造方法进行说明。
磁传感器1的制造方法具有第1工序～第9工序。
在第1工序中，准备支承基板11。更详细而言，在第1工序中，准备作为多个磁传感器1各自的支承基板11的基础的基板主体。基板主体例如是陶瓷基板。作为基板主体的陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。
在第2工序中，在基板主体的第1主面上形成玻璃釉层12。基板主体的第1主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第1主面111的面。更详细而言，在第2工序中，例如在支承基板11的第1主面111上涂布玻璃浆料之后，进行焙烧，由此形成玻璃釉层12。
在第3工序中，形成多个磁传感器1各自的磁阻层13。更详细而言，在第3工序中，例如，通过溅射在玻璃釉层12上形成磁阻层13。在实施方式的磁传感器1中，如上所述，由磁阻层13构成GMR膜，交替地形成NiFeCo合金层(第1层)和Cu合金层(第2层)。
在第4工序中，形成保护膜14。更详细而言，在第4工序中，例如，以覆盖磁阻层13的局部的方式利用网板印刷在玻璃釉层12上涂布环氧树脂，然后，对环氧树脂加热使之固化，由此形成保护膜14。在此，以至少覆盖除电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域的方式来形成保护膜14。
在第5工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15形成于基板主体的第1主面上。更详细而言，在第5工序中，例如，通过溅射在基板主体的第1主面上形成铜镍系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15。
在第6工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17形成于基板主体的第2主面上。更详细而言，在第6工序中，例如通过溅射在基板主体的第2主面上形成铜镍系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17。基板主体的第2主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第2主面112的面。
在第7工序中，将通过第1工序～第6工序而一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。更详细而言，在第7工序中，例如，使用激光或切割，将一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。
在第8工序中，相对于被切断为一个一个的磁传感器1来形成多个端面电极16。更详细而言，在第8工序中，例如通过溅射在支承基板11的外周面113上形成铜镍系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个端面电极16。由此，多个上表面电极15和多个下表面电极17经由多个端面电极16连接。
在第9工序中，在多个磁传感器1的每一个中形成镀层18。更详细而言，在第9工序中，相对于多个磁传感器1的每一个，依次形成电解铜镀层181和电解锡镀层182。
通过以上说明的第1工序～第9工序，能够制造实施方式的磁传感器1。
(4)效果
在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在从支承基板11的厚度方向即第3方向D3俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。由此，例如在使用切割或激光来切断支承基板11时，不易对磁阻层13的外缘130施加机械冲击或热应力。其结果是，能够抑制磁阻层13从玻璃釉层12剥离或者玻璃釉层12与磁阻层13的紧密贴合性下降。即，根据实施方式的磁传感器1，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。在此，磁阻层13的外缘130并不必须全部位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置的情形，只要磁阻层13的外缘130的大部分位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置，就能够得到上述的效果。因而，例如即使磁阻层13的局部覆盖在被切断为一个一个的磁传感器1时的切断面上，上述的效果也不会较大程度地受损。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，镀层18为非磁性的镀层。由此能够减小镀层18给磁阻层13(磁阻图案部131～134)带来的影响，其结果是，能够抑制检测对象2的检测误差。
并且，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，镀层18为电解镀层(电解铜镀层181、电解锡镀层182)。由此，与镀层18为化学镀层的情况相比，能够提高磁传感器1相对于供磁传感器1安装的安装基板的固定力。其结果是，能够提高磁传感器1相对于安装基板的连接性。
(5)变形例
上述的实施方式只是本公开的各种实施方式之一。上述的实施方式只要能够实现本公开的目的，则能够根据设计等进行各种变更。以下列举上述的实施方式的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合来应用。
(5.1)变形例1
参照图11说明变形例1的磁传感器1。在变形例1的磁传感器1中，电极(在图11中仅示出端面电极16)具有第1金属层165和第2金属层166，在这一点上与上述的实施方式的磁传感器1不同。此外，在变形例1的磁传感器1中，除此以外的结构与上述的实施方式的磁传感器1同样，对相同的结构要素标注相同的附图标记并省略说明。
在变形例1的磁传感器1中，如图11所示，端面电极16具有第1金属层165和第2金属层166。第1金属层165例如含有铬或铬合金。第2金属层166例如含有铜或铜镍合金。铬合金是以铬为主要成分的合金，铜镍合金是以铜镍为主要成分的合金。在变形例1的磁传感器1中，以第1金属层165处于内侧(支承基板11侧)且第2金属层166处于外侧(相对于第1金属层165与支承基板11侧相反的一侧)的方式层叠。此外，在图11中省略了上表面电极15和下表面电极17的图示，但对于上表面电极15和下表面电极17而言，也与端面电极16同样，在此省略说明。这样，通过以第1金属层165处于内侧且第2金属层166处于外侧的方式层叠，能够提高与基底件(支承基板11、玻璃釉层12和磁阻层13)的紧密贴合性，并且能够确保与磁阻层13的导通。
在变形例1中，第1金属层165处于内侧，第2金属层166处于外侧，但也可以是，第2金属层166处于内侧，第1金属层165处于外侧。
(5.2)其他变形例
以下列举其他变形例。
多个磁阻图案部131～134各自的形状并不限于曲折形状，也可以是其他形状。
在上述的实施方式中，各磁阻图案部131～134由两个电阻部构成，但各磁阻图案部131～134例如既可以由一个电阻部构成，也可以由三个以上的电阻部构成。
在上述的实施方式中，电极(上表面电极15、端面电极16、下表面电极17)是含有铜镍(CuNi)系合金的金属层，但电极例如也可以是含有镍铬的金属层，还可以是含有镍铬合金的金属层。镍铬合金是以镍铬为主要成分的合金。
在上述的实施方式中，镀层18包括电解铜镀层181和电解锡镀层182，但镀层18例如也可以包括化学镀镍-磷镀层和电解锡镀层。在该情况下，既可以是，化学镀镍-磷镀层处于内侧(电极侧)，电解锡镀层处于外侧(相对于化学镀镍-磷镀层与电极侧相反的一侧)，也可以与此相反。另外，镀层18也可以包括化学镀镍-磷镀层、电解金镀层或化学金镀层。根据这些结构，能够抑制检测对象2的检测误差，并且能够提高磁传感器1相对于上述的安装基板的电连接性。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第1方式的磁传感器1具有支承基板11、釉层12以及磁阻层13。釉层12形成于支承基板11上。磁阻层13形成于釉层12上。在从支承基板11的厚度方向D3俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。
根据该方式，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
根据第1方式，在第2方式的磁传感器1中，从支承基板11的厚度方向D3俯视时的支承基板11的外缘110与磁阻层13的外缘130之间的距离L1相对于釉层12的厚度T1的比率为0.5以上。
根据该方式，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
根据第2方式，在第3方式的磁传感器1中，比率为3.0以下。
根据该方式，能够实现磁传感器1的小型化。
根据第1方式～第3方式中的任一方式，在第4方式的磁传感器1中，从支承基板11的厚度方向D3俯视时的支承基板11的外缘110与磁阻层13的外缘130之间的距离L1为5μm以上。
根据该方式，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
根据第4方式，在第5方式的磁传感器1中，距离L1为150μm以下。
根据该方式，能够实现磁传感器1的小型化。
根据第1方式～第5方式中的任一方式，在第6方式的磁传感器1中，支承基板11具有第1主面111和第2主面112以及外周面113。第1主面111和第2主面112在支承基板11的厚度方向D3上彼此相对。外周面113沿着支承基板11的厚度方向D3连接第1主面111和第2主面112。磁传感器1还具有电极15～17和镀层18。电极15～17与磁阻层13电连接，跨第1主面111、外周面113以及第2主面112地形成。镀层18以覆盖电极15～17的方式形成。
根据第6方式，在第7方式的磁传感器1中，镀层18包括电解铜镀层181和电解锡镀层182。
根据该方式，能够提高磁传感器1相对于供磁传感器1安装的安装基板的电连接性。
根据第6方式，在第8方式的磁传感器1中，镀层18包括电解铜镀层181和金镀层。
根据该方式，能够提高磁传感器1相对于供磁传感器1安装的安装基板的电连接性。
根据第6方式，在第9方式的磁传感器1中，镀层18包括化学镀镍-磷镀层和电解锡镀层。
根据该方式，能够提高磁传感器1相对于供磁传感器1安装的安装基板的电连接性。
根据第6方式，在第10方式的磁传感器1中，镀层18包括化学镀镍-磷镀层和金镀层。
根据该方式，能够提高磁传感器1相对于供磁传感器1安装的安装基板的电连接性。
根据第6方式～第10方式中的任一方式，在第11方式的磁传感器1中，电极15～17具有含有铬或铬合金的至少一个第1金属层165和含有铜或铜镍合金的至少一个第2金属层165。
根据该方式，能够提高与基底件(支承基板11、玻璃釉层12、磁阻层13)的紧密贴合性，并且能够确保与磁阻层13的导通。
根据第6方式～第10方式中的任一方式，在第12方式的磁传感器1中，电极15～17为含有镍铬或镍铬合金的金属层。
根据该方式，能够提高与基底件(支承基板11、玻璃釉层12、磁阻层13)的紧密贴合性，并且能够确保与磁阻层13的导通。
根据第1方式～第12方式中的任一方式，在第13方式的磁传感器1中，磁阻层13具有多个磁阻图案部131～134和多个端子图案部21～24。多个端子图案部21～24设于多个磁阻图案部131～134的周围。在从支承基板11的厚度方向D3俯视时，多个端子图案部21～24各自的外缘211～241位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。
根据该方式，能够减小切断支承基板11时的对磁阻层13的影响。
第2方式～第13方式的结构不是磁传感器1所必须的结构，能够适当地省略。

Claims (13)

1.一种磁传感器，其特征在于，
该磁传感器具有：
支承基板；
釉层，该釉层形成于所述支承基板上；以及
磁阻层，该磁阻层形成于所述釉层上，
在从所述支承基板的厚度方向俯视时，所述磁阻层的外缘位于比所述支承基板的外缘靠内侧的位置。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
从所述支承基板的所述厚度方向俯视时的所述支承基板的所述外缘与所述磁阻层的所述外缘之间的距离相对于所述釉层的厚度的比率为0.5以上。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述比率为3.0以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
从所述支承基板的所述厚度方向俯视时的所述支承基板的所述外缘与所述磁阻层的所述外缘之间的距离为5μm以上。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
所述距离为150μm以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述支承基板具有：
第1主面和第2主面，该第1主面和该第2主面在所述支承基板的所述厚度方向上彼此相对；以及
外周面，该外周面沿着所述支承基板的所述厚度方向连接所述第1主面和所述第2主面，
所述磁传感器还具有：
电极，该电极与所述磁阻层电连接，跨所述第1主面、所述外周面以及所述第2主面地形成；以及
镀层，该镀层以覆盖所述电极的方式形成。
7.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述镀层包括电解铜镀层和电解锡镀层。
8.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述镀层包括电解铜镀层和金镀层。
9.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述镀层包括化学镀镍-磷镀层和电解锡镀层。
10.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述镀层包括化学镀镍-磷镀层和金镀层。
11.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述电极具有：
含有铬或铬合金的至少一个第1金属层；以及
含有铜或铜镍合金的至少一个第2金属层。
12.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，
所述电极为含有镍铬或镍铬合金的金属层。
13.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻层具有：
多个磁阻图案部；以及
多个端子图案部，该多个端子图案部设于所述多个磁阻图案部的周围，
在从所述支承基板的所述厚度方向俯视时，所述多个端子图案部的外缘位于比所述支承基板的外缘靠内侧的位置。
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