CN216645213U - 磁传感器 - Google Patents

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大林正彦
大山裕树
谷川秀之
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Abstract

本实用新型涉及磁传感器。本公开的课题在于抑制检测对象的位置的检测精度的下降。本公开的磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部(131～134)。多个磁阻图案部(131～134)分别包括相互串联连接的第1电阻部(1311～1341)和第2电阻部(1312～1342)。在多个磁阻图案部(131～134)的每一个中，第1电阻部(1311～1341)和第2电阻部(1312～1342)在第1方向(D1)上隔开检测对象(2)的磁化周期的1/2的距离(L1)地配置。另外，在多个磁阻图案部(131～134)的每一个中，第1电阻部和第2电阻部在从第3方向(D3)俯视时为轴对称。

Description

磁传感器
技术领域
本公开一般而言涉及磁传感器，更详细而言，涉及具有多个磁阻图案部的磁传感器。
背景技术
在专利文献1中记载了一种位置检测装置，其具有记录有磁信息的磁记录介质(检测对象)和相对于磁记录介质相对地移动来对上述磁信息进行检测的磁检测部件(磁传感器)。在专利文献1所记载的位置检测装置中，使用磁阻效应元件作为磁检测部件，来对磁记录介质的位置进行检测。
在专利文献2中记载了一种磁传感器，其具备在挠性基材形成有磁检测部、薄膜导体(布线图案部)以及电极端子(电源端子、接地端子)而成的挠性组装体。磁检测部具有沿着磁介质(检测对象)的移动方向(第1方向)排列的四个图案(磁阻图案部)。作为薄膜导体的一部分的延伸设置部沿着与上述移动方向交叉的方向(第2方向)向四个图案中的位于上述移动方向的两端的两个图案的外侧延伸。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-68661号公报
专利文献2：日本特开2005-227134号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在位置检测装置中，根据磁阻效应元件的图案形状的不同，有时磁记录介质的位置的检测精度会下降。
本公开的目的在于提供一种能够抑制检测对象的位置的检测精度的下降的磁传感器。
用于解决问题的方案
本公开的一方式的磁传感器是基于检测对象沿着第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化来对所述检测对象的位置进行检测的磁传感器。所述检测对象在第1方向上以预定的磁化周期被磁化。所述磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部。所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向排列。所述多个磁阻图案部分别包括相互串联连接的第1电阻部和第2电阻部。所述第1电阻部和所述第2电阻部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成。在所述多个磁阻图案部的每一个中，所述第1电阻部和所述第2电阻部在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/2的距离地配置。在所述多个磁阻图案部的每一个中，所述第1电阻部和所述第2电阻部在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向俯视时为轴对称。
更优选的是，所述多个磁阻图案部的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部中的相邻的两个第1电阻部和相邻的两个第2电阻部中的至少一方在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/8的距离地配置。
更优选的是，在从所述第3方向观察时，所述多个磁阻图案部中的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部分别形成为曲折形状。
更优选的是，作为所述多个磁阻图案部，所述磁传感器具有四个磁阻图案部，所述四个磁阻图案部构成全桥电路，来作为所述电桥电路。
更优选的是，所述磁传感器还具有：与电源端子连接的第1布线图案部；与接地端子连接的第2布线图案部；与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及与第2输出端子连接的第4布线图案部，所述多个磁阻图案部包括：相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，所述第1布线图案部包括：第1布线部，在该第1布线部连接有所述第1磁阻图案部的与所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部；以及第2布线部，在该第2布线部连接有所述第3磁阻图案部的与所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部，所述第2布线图案部包括：第3布线部，在该第3布线部连接有所述第2磁阻图案部的与所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部；以及第4布线部，在该第4布线部连接有所述第4磁阻图案部的与所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部，所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
更优选的是，所述磁传感器还具有：与电源端子连接的第1布线图案部；与接地端子连接的第2布线图案部；与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及与第2输出端子连接的第4布线图案部，所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别由与所述多个磁阻图案部相同的材料形成，所述多个磁阻图案部包括：相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，所述第1布线图案部包括：第1布线部，其与所述第1磁阻图案部连接；以及第2布线部，其与所述第3磁阻图案部连接，所述第2布线图案部包括：第3布线部，其与所述第2磁阻图案部连接；以及第4布线部，其与所述第4磁阻图案部连接，所述第1输出端子经由所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，所述第2输出端子经由所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接，所述第1布线部在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述多个磁阻图案部的一侧，所述第2布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的另一侧，所述第3布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的一侧，所述第4布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的另一侧。
实用新型的效果
根据本公开的一方式的磁传感器，能够抑制检测对象的位置的检测精度的下降。
附图说明
图1是实施方式的磁传感器的外观立体图。
图2涉及同上的磁传感器，是图1的X-X线剖视图。
图3是同上的磁传感器的检测对象的概略结构图。
图4是同上的磁传感器的概略电路图。
图5是表示同上的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
附图标记说明
1、磁传感器；2、检测对象；21、电源端子；22、接地端子；23、第1输出端子；24、第2输出端子；131、第1磁阻图案部(磁阻图案部)；132、第2磁阻图案部(磁阻图案部)；133、第3磁阻图案部(磁阻图案部)；134、第4磁阻图案部(磁阻图案部)；135、第1布线图案部；136、第2布线图案部；137、第3布线图案部；138、第4布线图案部；1311、1321、1331、1341、第1电阻部；1312、1322、1332、1342、第2电阻部；1351、第1布线部；1352、第2布线部；1361、第3布线部；1362、第4布线部；D1、第1方向；D2、第2方向；D3、第3方向；L1、第1距离(距离)；L2、第2距离(距离)；λ、磁化周期。
具体实施方式
以下，参照图1～图5说明实施方式的磁传感器1。在以下的实施方式等中参照的图1～图3以及图5均是示意性的图，图中的各结构要素的大小、厚度各自的比值未必反映实际的尺寸比。
(实施方式)
(1)概要
首先，参照图1～图3说明实施方式的磁传感器1的概要。
磁传感器1利用磁来对检测对象2的位置进行检测。磁传感器1例如用作线性编码器或旋转编码器等位置传感器。具体而言，磁传感器1用作例如用于对由马达(线性马达或旋转马达)驱动的照相机的镜头等的位置进行检测的位置传感器(编码器)。另外，磁传感器1也用作例如用于对汽车的制动踏板、制动杆或变速杆的位置进行检测的位置传感器。但是，磁传感器1的用途并不限于上述的用途。另外，由磁传感器1检测的“位置”是包括检测对象2的坐标和以穿过检测对象2的旋转轴线(假想轴线)为中心的检测对象2的旋转角(检测对象2的朝向)这两者的概念。即，磁传感器1对检测对象2的坐标和检测对象2的旋转角中的至少一者进行检测。
以下，以将磁传感器1用作线性编码器的情况为例进行说明。线性编码器既可以是增量型，也可以是绝对型。另外，在本实施方式中，磁传感器1对检测对象2的坐标进行检测。
实施方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。如图5所示，磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。
如图5所示，多个磁阻图案部131～134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着第2方向D2形成。第2方向D2为与第1方向D1正交的方向。
在多个磁阻图案部131～134的每一个中，如图5所示，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。第1距离L1为磁化周期λ的1/2的距离。另外，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，如图5所示，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在从第3方向D3俯视时为轴对称。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。本公开中的“沿着第1方向或第2方向”不仅包括与第1方向或第2方向平行的情况，还包括相对于第1方向或第2方向倾斜预定角度(例如5度)的情况。
在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在从第3方向D3俯视时为轴对称。利用这些结构，能够以将各电阻部的图案在第1方向D1上的感磁分布的不均、检测对象2的磁化间隔的不均抵消的方式进行动作，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(2)详细说明
接下来，参照图1～图5对实施方式的磁传感器1进行详细说明。
(2.1)磁传感器的构造
首先，参照图1和图2来说明实施方式的磁传感器1的构造。
如图1和图2所示，实施方式的磁传感器1形成为在第1方向D1上较长的长方体状。以下，将磁传感器1的长度方向设为第1方向D1，将磁传感器1的宽度方向(短边方向)设为第2方向D2，将磁传感器1的厚度方向设为第3方向D3，以此进行说明，但这些方向并不是对使用磁传感器1时的方向进行限定的意思。另外，附图中的表示“D1”、“D2”“D3”的箭头只是为了用于进行说明而标记的，均没有实体。在本实施方式中，第1方向D1为磁传感器1相对于检测对象2移动的方向。另外，在本实施方式中，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3彼此正交。
如图1和图2所示，实施方式的磁传感器1具有支承基板11、玻璃釉层12、磁阻层13以及保护膜14。另外，实施方式的磁传感器1还具有多个(例如六个)上表面电极15、多个(例如六个)端面电极16、多个(例如六个)下表面电极(背面电极)17以及多个(例如六个)镀层18。多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17一对一地对应。
支承基板11例如是陶瓷基板。陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。在从磁传感器1的厚度方向即第3方向D3观察时，支承基板11形成为在磁传感器1的长度方向即第1方向D1上较长的矩形形状。如图2所示，支承基板11具有第1主面111、第2主面112以及外周面113。第1主面111和第2主面112分别为沿着第1方向D1和第2方向D2这两者的平面。第1主面111和第2主面112在第3方向D3上彼此相对。外周面113为沿着第3方向D3的平面。
玻璃釉层12例如以二氧化硅为主要成分。玻璃釉层12形成于支承基板11的第1主面111上。玻璃釉层12遍及支承基板11的第1主面111的整体而形成。在从第3方向D3观察时，玻璃釉层12形成为在第1方向D1上较长的矩形形状。在实施方式的磁传感器1中，利用玻璃釉层12能够得到供磁阻层13形成的平面的平滑性。此外，玻璃釉层12只要至少处于配置有多个磁阻图案部131～134(见后述)的区域即可。另外，玻璃釉层12也可以含有铅氧化物。
如图2所示，磁阻层13形成于玻璃釉层12上。磁阻层13包括多个第1层和多个第2层。多个第1层分别为磁性层，例如含有NiFeCo合金。多个第2层分别为非磁性层，例如含有Cu合金。多个第1层和多个第2层在玻璃釉层12上交替地层叠。在实施方式的磁传感器1中，由磁阻层13构成GMR(Giant Magnetic Resistance：巨磁阻)膜。此外，多个第1层的层数和多个第2层的层数既可以相同，也可以不同。在实施方式的磁传感器1中，在从第3方向D3俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置(参照图2)。
保护膜14是用于保护磁阻层13的膜。保护膜14的材料例如是环氧树脂。保护膜14在玻璃釉层12上以覆盖磁阻层13的局部的方式形成。在实施方式的磁传感器1中，后述的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24(参照图4和图5)分别与多个上表面电极15中的某一上表面电极15连接，因此，保护膜14形成为覆盖磁阻层13中的至少除了电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域。
如图1所示，多个上表面电极15形成于支承基板11的第1主面111(参照图2)上。多个上表面电极15的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个上表面电极15包括第1上表面电极151、第2上表面电极152、第3上表面电极153、第4上表面电极154、第5上表面电极155以及第6上表面电极156。多个上表面电极15分别与磁阻层13中的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24中的某一端子连接。更详细而言，多个上表面电极15中的第1上表面电极151和第2上表面电极152与电源端子21连接，第3上表面电极153和第4上表面电极154与接地端子22连接。另外，多个上表面电极15中的第5上表面电极155与第1输出端子23连接，第6上表面电极156与第2输出端子24连接。多个上表面电极15例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个端面电极16形成为，沿着支承基板11的长度方向(第1方向D1)覆盖支承基板11的长度方向的外周面113(参照图2)。多个端面电极16的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个端面电极16包括第1端面电极161、第2端面电极162、第3端面电极163、第4端面电极164、第5端面电极165以及第6端面电极166。多个端面电极16如上所述与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，第1端面电极161与第1上表面电极151对应，且与第1上表面电极151连接。第2端面电极162与第2上表面电极152对应，且与第2上表面电极152连接。第3端面电极163与第3上表面电极153对应，且与第3上表面电极153连接。第4端面电极164与第4上表面电极154对应，且与第4上表面电极154连接。第5端面电极165与第5上表面电极155对应，且与第5上表面电极155连接。第6端面电极166与第6上表面电极156对应，且与第6上表面电极156连接。多个端面电极16例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个下表面电极17形成于支承基板11的第2主面112(参照图2)上。多个下表面电极17的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个下表面电极17包括第1下表面电极171、第2下表面电极172、第3下表面电极173、第4下表面电极174、第5下表面电极175以及第6下表面电极176。多个下表面电极17如上所述，与多个上表面电极15及多个端面电极16一对一地对应。更详细而言，第1下表面电极171与第1上表面电极151及第1端面电极161对应，且与第1端面电极161连接。第2下表面电极172与第2上表面电极152及第2端面电极162对应，且与第2端面电极162连接。第3下表面电极173与第3上表面电极153及第3端面电极163对应，且与第3端面电极163连接。第4下表面电极174与第4上表面电极154及第4端面电极164对应，且与第4端面电极164连接。第5下表面电极175与第5上表面电极155及第5端面电极165对应，且与第5端面电极165连接。第6下表面电极176与第6上表面电极156及第6端面电极166对应，且与第6端面电极166连接。多个下表面电极17例如是通过溅射形成的溅射膜。
在实施方式的磁传感器1中，在从第1方向D1观察时，第1上表面电极151、第1端面电极161以及第1下表面电极171(以下也称作“第1电极”)形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第2上表面电极152、第2端面电极162以及第2下表面电极172(以下也称作“第2电极”)形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第3上表面电极153、第3端面电极163以及第3下表面电极173(以下也称作“第3电极”)形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第4上表面电极154、第4端面电极164以及第4下表面电极174(以下也称作“第4电极”)形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第5上表面电极155、第5端面电极165以及第5下表面电极175(以下也称作“第5电极”)形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第6上表面电极156、第6端面电极166以及第6下表面电极176(以下也称作“第6电极”)形成为字母U字形。
另外，在实施方式的磁传感器1中，第5电极在第1方向D1上位于第1电极与第3电极之间。另外，在实施方式的磁传感器1中，第6电极在第1方向D1上位于第2电极与第4电极之间。
根据实施方式的磁传感器1，能够利用多个下表面电极17与供磁传感器1安装的安装基板连接。
如图1所示，多个镀层18分别形成为覆盖多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17中的所对应的上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17。即，在从第1方向D1观察时，多个镀层18分别形成为字母U字形。多个镀层18分别包括例如电解铜镀层和电解锡镀层。即，多个镀层18分别为非磁性的镀层。如图2所示，多个镀层18分别与保护膜14接触。
(2.2)检测对象的构造
接下来，参照图3说明检测对象2的构造。
检测对象2例如是磁尺。如图3所示，检测对象2沿着第1方向D1形成为长条的板状。检测对象2在第3方向D3(与图3的纸面垂直的方向)上与磁传感器1相对。
检测对象2包括多个磁极。多个磁极沿着第1方向D1配置。多个磁极包括一个以上的N极和一个以上的S极。多个磁极配置为，一个以上的S极和一个以上的N极在第1方向D1上交替地排列。各磁极例如是铁氧体磁体或钕磁体。在检测对象2中，多个铁氧体磁体或多个钕磁体沿着第1方向D1配置。如图3所示，检测对象2在第1方向D1上以磁化周期λ被磁化。
(2.3)磁传感器的电路结构
接下来，参照图4说明实施方式的磁传感器1的电路结构。
如图4所示，实施方式的磁传感器1具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。另外，实施方式的磁传感器1还具有多个(例如两个)电源端子21、多个(例如两个)接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。在以下的说明中，在需要区分多个电源端子21的情况下，有时也将多个电源端子21分别称作“第1电源端子211和第2电源端子212”。另外，在以下的说明中，在需要区分多个接地端子22的情况下，有时也将多个接地端子22分别称作“第1接地端子221和第2接地端子222”。
实施方式的磁传感器1具有四个磁阻图案部131～134，来作为多个磁阻图案部131～134。四个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。另外，第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。另外，第2布线图案部136包括第3布线部1361和第4布线部1362。
第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134构成全桥电路。具体而言，第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的串联电路与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的串联电路相互并联连接。即，多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131与第2磁阻图案部132的连接点P1经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。即，连接于第1输出端子23的第3布线图案部137与四个磁阻图案部131～134中的、相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。
第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部(图4的左端部)经由第1布线图案部135的第1布线部1351与第1电源端子211连接。即，第1布线图案部135与电源端子21连接。简而言之，第1磁阻图案部131具有与第1电源端子211连接的第1端部、以及与第2磁阻图案部132和第1输出端子23连接的第2端部。
第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部(图4的右端部)经由第2布线图案部136的第3布线部1361与第1接地端子221连接。即，第2布线图案部136与接地端子22连接。简而言之，第2磁阻图案部132具有与第2接地端子221连接的第1端部、以及与第1磁阻图案部131和第1输出端子23连接的第2端部。
第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的连接点P2经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。即，连接于第2输出端子24的第4布线图案部138与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。
第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部(图4的左端部)经由第1布线图案部135的第2布线部1352与第2电源端子212连接。简而言之，第3磁阻图案部133具有与第2电源端子212连接的第1端部、以及与第4磁阻图案部134和第2输出端子24连接的第2端部。
第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部(图4的右端部)经由第2布线图案部136的第4布线部1362与第2接地端子222连接。简而言之，第4磁阻图案部134具有与第2接地端子222连接的第1端部、以及与第3磁阻图案部133和第2输出端子24连接的第2端部。
电源端子21(第1电源端子211和第2电源端子212)、接地端子22(第1接地端子221和第2接地端子222)、第1输出端子23以及第2输出端子24与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，第1电源端子211与多个上表面电极15中的第1上表面电极151一对一地对应，且与第1上表面电极151连接。另外，第2电源端子212与多个上表面电极15中的第2上表面电极152一对一地对应，且与第2上表面电极152连接。另外，第1接地端子221与多个上表面电极15中的第3上表面电极153一对一地对应，且与第3上表面电极153连接。另外，第2接地端子222与多个上表面电极15中的第4上表面电极154一对一地对应，且与第4上表面电极154连接。另外，第1输出端子23与多个上表面电极15中的第5上表面电极155一对一地对应，且与第5上表面电极155连接。另外，第2输出端子24与多个上表面电极15中的第6上表面电极156一对一地对应，且与第6上表面电极156连接。
(2.4)磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例
接下来，参照图5说明实施方式的磁传感器1的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置例。在图5中，为了易于识别多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24，对它们实施点阴影线。另外，在图5中，为了易于区分后述的第1连接图案部139～第4连接图案部142，也对它们实施点阴影。
如图5所示，多个磁阻图案部131～134沿着磁传感器1的长度方向即第1方向D1排列。如上所述，多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
如图5所示，第1磁阻图案部131包括第1电阻部1311和第2电阻部1312。第1电阻部1311和第2电阻部1312经由沿着第1方向D1呈长条的第1连接图案部139相互串联连接。在从第3方向D3(参照图1)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1311和第2电阻部1312分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1311和第2电阻部1312各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。
如图5所示，第2磁阻图案部132包括第1电阻部1321和第2电阻部1322。第1电阻部1321和第2电阻部1322经由沿着第1方向D1呈长条的第2连接图案部140相互串联连接。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1321和第2电阻部1322分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1321和第2电阻部1322各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。
如图5所示，第3磁阻图案部133包括第1电阻部1331和第2电阻部1332。第1电阻部1331和第2电阻部1332经由沿着第1方向D1呈长条的第3连接图案部141相互串联连接。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1331和第2电阻部1332分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1331和第2电阻部1332各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。
如图5所示，第4磁阻图案部134包括第1电阻部1341和第2电阻部1342。第1电阻部1341和第2电阻部1342经由沿着第1方向D1呈长条的第4连接图案部142相互串联连接。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1341和第2电阻部1342分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1341和第2电阻部1342各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。
在实施方式的磁传感器1中，如图5所示，多个磁阻图案部131～134在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。
如上所述，第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。在从第3方向D3观察时，第1布线部1351和第2布线部1352分别形成为字母L字形。如图5所示，第1布线部1351连接第1电源端子211与第1磁阻图案部131的第1电阻部1311之间。如图5所示，第2布线部1352连接第2电源端子212与第3磁阻图案部133的第1电阻部1331之间。即，第1布线部1351与第1磁阻图案部131连接，第2布线部1352与第3磁阻图案部133连接。
如上所述，第2布线图案部136包括第3布线部1361和第4布线部1362。在从第3方向D3观察时，第3布线部1361和第4布线部1362分别形成为字母L字形。如图5所示，第3布线部1361连接第1接地端子221与第2磁阻图案部132的第1电阻部1321之间。如图5所示，第4布线部1362连接第2接地端子222与第4磁阻图案部134的第1电阻部1341之间。即，第3布线部1361与第2磁阻图案部132连接，第4布线部1362与第4磁阻图案部134连接。
在从第3方向D3观察时，第3布线图案部137形成为字母T字形。如图5所示，第3布线图案部137连接第1输出端子23与第1磁阻图案部131的第2电阻部1312之间、以及第1输出端子23与第2磁阻图案部132的第2电阻部1322之间。
在从第3方向D3观察时，第4布线图案部138形成为字母T字形。如图5所示，第4布线图案部138连接第2输出端子24与第3磁阻图案部133的第2电阻部1332之间、以及第2输出端子24与第4磁阻图案部134的第2电阻部1342之间。
在实施方式的磁传感器1中，上述的磁阻层13构成第1磁阻图案部131～第4磁阻图案部134、第1布线图案部135～第4布线图案部138、多个端子21～24以及第1连接图案部139～第4连接图案部142。即，在实施方式的磁传感器1中，第1布线图案部135～第4布线图案部138、多个端子21～24以及第1连接图案部139～第4连接图案部142由与第1磁阻图案部131～第4磁阻图案部134相同的材料形成。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如图5所示，第1布线部1351和第2布线部1352在第2方向D2上分别位于多个磁阻图案部131～134的两侧。更详细而言，第1布线部1351在上下方向(第2方向D2)上位于多个磁阻图案部131～134的上侧，第2布线部1352在上下方向(第2方向D2)上位于多个磁阻图案部131～134的下侧。简而言之，在实施方式的磁传感器1中，连接第1磁阻图案部131(的第1电阻部1311)与第1电源端子211之间的第1布线部1351和连接第3磁阻图案部133(的第1电阻部1331)与第2电源端子212之间的第2布线部1352在第2方向D2上，分开地配置在多个磁阻图案部131～134的两侧。
并且，在实施方式的磁传感器1中，如图5所示，第3布线部1361和第4布线部1362在第2方向D2上分别位于多个磁阻图案部131～134的两侧。更详细而言，第3布线部1361在上下方向(第2方向D2)上位于多个磁阻图案部131～134的上侧，第4布线部1362在上下方向(第2方向D2)上位于多个磁阻图案部131～134的下侧。简而言之，在实施方式的磁传感器1中，连接第2磁阻图案部132(的第1电阻部1321)与第1接地端子221之间的第3布线部1361和连接第4磁阻图案部134(的第1电阻部1341)与第2接地端子222之间的第4布线部1362在第2方向D2上，分开地配置在多个磁阻图案部131～134的两侧。由此，能够使检测对象2沿着第1方向D1移动时所产生的第1布线图案部135和第2布线图案部136的电阻值的变动较小，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
在本实施方式中，例如，磁传感器1相对于检测对象2沿着第1方向D1移动，由此磁传感器1与检测对象2之间的磁场强度发生变化，由于该磁场强度的变化，使多个磁阻图案部131～133的电阻值发生变动。然后，通过检测第1输出端子23和第2输出端子24的电位，能够检测到检测对象2的位置。此外，磁传感器1和检测对象2只要构成为相对地移动即可，也可以构成为检测对象2相对于磁传感器1移动。
(2.5)磁阻图案部的配置
接下来，参照图5说明多个磁阻图案部131～134的配置。
在图5所示的例子中，如上所述，在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。
在第1磁阻图案部131中，第1电阻部1311和第2电阻部1312在从第3方向D3俯视时为轴对称。在本公开中，“第1电阻部和第2电阻部为轴对称”不仅包括以沿着第2方向D2的对称轴折回时第1电阻部与第2电阻部重叠的情况，还包括如下的情况：以对称轴折回时，第1电阻部和第2电阻部在对称轴的方向上相对地移动，从而第1电阻部和第2电阻部重叠。另外，在本公开中，“第1电阻部与第2电阻部重叠”不仅包括第1电阻部与第2电阻部完全重叠的情况，还包括在与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度上重叠的情况。在此，对称轴为沿着第2方向D2的轴线，因此，不仅是与第2方向D2平行的情况，还可以相对于第2方向D2倾斜预定角度(例如5度)。
另外，第1电阻部1311和第2电阻部1312在从第3方向D3俯视时为同一形状。在本公开中，“同一形状”不仅包括完全相同的形状的情况，还包括在与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度上形状不同的情况。因而，第1电阻部和第2电阻部只要是与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度，则彼此的形状也可以不同。这样，在本实施方式中，在第1磁阻图案部131中，第1电阻部1311和第2电阻部1312相对于对称轴Ax1为对称形状，并且在从第3方向D3俯视时为同一形状。
另外，在第1磁阻图案部131中，第1电阻部1311和第2电阻部1312在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。在第1磁阻图案部131中，第1距离L1为第1电阻部1311的第1方向D1上的中心与第2电阻部1312的第1方向D1上的中心之间的距离。换言之，第1距离L1为第1电阻部1311的第1方向D1上的中心线与第2电阻部1312的第1方向D1上的中心线之间的距离。在本实施方式中，第1距离L1为检测对象2的磁化周期λ的1/2的距离，与检测对象2的各磁极的第1方向D1上的尺寸相等。
在第2磁阻图案部132中，第1电阻部1321和第2电阻部1322在从第3方向D3俯视时为轴对称。另外，第1电阻部1321和第2电阻部1322在从第3方向D3俯视时为同一形状。即，在第2磁阻图案部132中，第1电阻部1321和第2电阻部1322相对于对称轴Ax2为对称形状，并且在从第3方向D3俯视时为同一形状。
另外，在第2磁阻图案部132中，第1电阻部1321和第2电阻部1322在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。在第2磁阻图案部132中，第1距离L1为第1电阻部1321的第1方向D1上的中心与第2电阻部1322的第1方向D1上的中心之间的距离。换言之，第1距离L1为第1电阻部1321的第1方向D1上的中心线与第2电阻部1322的第1方向D1上的中心线之间的距离。
在第3磁阻图案部133中，第1电阻部1331和第2电阻部1332在从第3方向D3俯视时为轴对称。另外，第1电阻部1331和第2电阻部1332在从第3方向D3俯视时为同一形状。即，在第3磁阻图案部133中，第1电阻部1331和第2电阻部1332相对于对称轴Ax3为对称形状，并且在从第3方向D3俯视时为同一形状。
另外，在第3磁阻图案部133中，第1电阻部1331和第2电阻部1332在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。在第3磁阻图案部133中，第1距离L1为第1电阻部1331的第1方向D1上的中心与第2电阻部1332的第1方向D1上的中心之间的距离。换言之，第1距离L1为第1电阻部1331的第1方向D1上的中心线与第2电阻部1332的第1方向D1上的中心线之间的距离。
在第4磁阻图案部134中，第1电阻部1341和第2电阻部1342在从第3方向D3俯视时为轴对称。另外，第1电阻部1341和第2电阻部1342在从第3方向D3俯视时为同一形状。即，在第4磁阻图案部134中，第1电阻部1341和第2电阻部1342相对于对称轴Ax4为对称形状，并且在从第3方向D3俯视时为同一形状。
另外，在第4磁阻图案部134中，第1电阻部1341和第2电阻部1342在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。在第4磁阻图案部134中，第1距离L1为第1电阻部1341的第1方向D1上的中心与第2电阻部1342的第1方向D1上的中心之间的距离。换言之，第1距离L1为第1电阻部1341的第1方向D1上的中心线与第2电阻部1342的第1方向D1上的中心线之间的距离。
这样，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，通过将第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342设为对称形状，且在第1方向D1上配置为检测对象2的磁化周期λ的1/2的第1距离L1，从而能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。更详细而言，能够以将各电阻部的图案在第1方向D1上的感磁分布的不均、检测对象2的磁化间隔的不均抵消的方式进行动作，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在图5所示的例子中，第1磁阻图案部131的第1电阻部1311和第3磁阻图案部133的第1电阻部1331在第1方向D1上相邻，且在第1方向D1上隔开第2距离L2地配置。第2距离L2例如是检测对象2的磁化周期λ的1/8的距离。另外，在图5所示的例子中，第1磁阻图案部131的第2电阻部1312和第3磁阻图案部133的第2电阻部1332在第1方向D1上相邻，且在第1方向D1上隔开第2距离L2地配置。另外，在图5所示的例子中，第3磁阻图案部133的第2电阻部1332和第2磁阻图案部132的第2电阻部1322在第1方向D1上相邻，且在第1方向D1上隔开第2距离L2地配置。另外，在图5所示的例子中，第2磁阻图案部132的第2电阻部1322和第4磁阻图案部134的第2电阻部1342在第1方向D1上相邻，且在第1方向D1上隔开第2距离L2地配置。另外，在图5所示的例子中，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321和第4磁阻图案部134的第1电阻部1341在第1方向D1上相邻，且在第1方向D1上隔开第2距离L2地配置。
这样，将相邻的两个第1电阻部或相邻的两个第2电阻部在第1方向D1上配置为检测对象2的磁化周期λ的1/8的第2距离L2，从而能够谋求磁传感器1的小型化。
(3)磁传感器的制造方法
接下来，对实施方式的磁传感器1的制造方法进行说明。
磁传感器1的制造方法具有第1工序～第9工序。
在第1工序中，准备支承基板11。更详细而言，在第1工序中，准备作为多个磁传感器1各自的支承基板11的基础的基板主体。基板主体例如是陶瓷基板。作为基板主体的陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。
在第2工序中，在基板主体的第1主面上形成玻璃釉层12。基板主体的第1主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第1主面111的面。更详细而言，在第2工序中，例如在支承基板11的第1主面111上涂布玻璃浆料之后，进行焙烧，由此形成玻璃釉层12。
在第3工序中，形成多个磁传感器1各自的磁阻层13。更详细而言，在第3工序中，例如通过溅射在玻璃釉层12上形成磁阻层13。在实施方式的磁传感器1中，如上所述，由磁阻层13构成GMR膜，交替地形成NiFeCo合金层(第1层)和Cu合金层(第2层)。
在第4工序中，形成保护膜14。更详细而言，在第4工序中，例如以覆盖磁阻层13的局部的方式利用网板印刷在玻璃釉层12上涂布环氧树脂，然后，对环氧树脂加热使之固化，由此形成保护膜14。在此，以至少覆盖除电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域的方式来形成保护膜14。
在第5工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15形成于基板主体的第1主面上。更详细而言，在第5工序中，例如通过溅射在基板主体的第1主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15。
在第6工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17形成于基板主体的第2主面上。更详细而言，在第6工序中，例如通过溅射在基板主体的第2主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17。基板主体的第2主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第2主面112的面。
在第7工序中，将通过第1工序～第6工序而一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。更详细而言，在第7工序中，例如使用激光或切割，将一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。
在第8工序中，相对于被切断为一个一个的磁传感器1来形成多个端面电极16。更详细而言，在第8工序中，例如通过溅射在支承基板11的外周面113上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个端面电极16。由此，多个上表面电极15和多个下表面电极17经由多个端面电极16连接。
在第9工序中，在多个磁传感器1的每一个中形成镀层18。更详细而言，在第9工序中，相对于多个磁传感器1的每一个，依次形成用于构成镀层18的电解铜镀层和电解锡镀层。
通过以上说明的第1工序～第9工序，能够制造实施方式的磁传感器1。
(4)效果
在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开第1距离L1地配置。另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在从第3方向D3俯视时为轴对称。根据这些结构，能够以将各电阻部的图案在第1方向D1上的感磁分布的不均、检测对象2的磁化间隔的不均抵消的方式进行动作，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的相邻的两个第1电阻部以及相邻的两个第2电阻部在第1方向D1上的第2距离L2为检测对象2的磁化周期λ的1/8的距离。由此，能够谋求磁传感器1的小型化。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别为曲折形状。由此，能够将各电阻部1311、1312、1321、1322、1331、1332、1341、1342的长度设为相等。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，在第2方向D2上，与第1磁阻图案部131连接的第1布线部1351位于多个磁阻图案部131～134的一侧，与第3磁阻图案部133连接的第2布线部1352位于多个磁阻图案部131～134的另一侧。另外，在第2方向D2上，与第2磁阻图案部132连接的第3布线部1361位于多个磁阻图案131～134的一侧，与第4磁阻图案部134连接的第4布线部1362位于多个磁阻图案部131～134的另一侧。由此，能够使检测对象2沿着第1方向D1移动时所产生的第1布线图案部135和第2布线图案部136的电阻值的变动较小，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式的磁传感器1中，如上所述，第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。由此，能够以相同的制造工序来形成第1布线图案部135和第2布线图案部136以及多个磁阻图案部131～134，其结果是，能够抑制制造工序的增加。这样，根据实施方式的磁传感器1，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(5)变形例
上述的实施方式只是本公开的各种实施方式之一。上述的实施方式只要能够实现本公开的目的，则能够根据设计等进行各种变更。以下列举上述的实施方式的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合来应用。
多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的形状并不限于曲折形状，也可以是其他形状。
在上述的实施方式中，各磁阻图案部131～134由两个电阻部构成，但各磁阻图案部131～134例如也可以由一个或三个以上的电阻部构成。
在上述的实施方式中，相邻的两个第1电阻部和相邻的两个第2电阻部这两方隔开检测对象2的磁化周期λ的1/8的距离即第2距离L2地配置，但是，例如既可以是仅相邻的两个第1电阻部隔开第2距离L2地配置，也可以是仅相邻的两个第2电阻部隔开第2距离L2地配置。即，相邻的两个第1电阻部和相邻的两个第2电阻部中的至少一方隔开第2距离L2地配置即可。另外，第2距离L2并不限于检测对象2的磁化周期λ的1/8的距离，例如也可以是检测对象2的磁化周期λ的1/4的距离。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第1方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着第2方向D2形成。第2方向D2为与第1方向D1正交的方向。在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在从第3方向D3俯视时为轴对称。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。
根据该方式，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
根据第1方式，在第2方式的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的相邻的两个第1电阻部和相邻的两个第2电阻部中的至少一方在第1方向D1上隔开磁化周期λ的1/8的距离L2地配置。
根据该方式，能够谋求磁传感器1的小型化。
根据第1方式或第2方式，在第3方式的磁传感器1中，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别形成为曲折形状。
根据该方式，能够将各电阻部1311、1312、1321、1322、1331、1332、1341、1342的长度设为相等。
根据第1方式～第3方式中的任一方式，在第4方式的磁传感器1中，作为多个磁阻图案部131～134，具有四个磁阻图案部131～134。四个磁阻图案部131～134构成全桥电路，来作为上述电桥电路。
根据第4方式，第5方式的磁传感器1还具有第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。第3布线图案部137与第1输出端子23连接。第4布线图案部138与第2输出端子24连接。多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。在第1布线部1351连接有第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部。在第2布线部1352连接有第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部。第2布线图案部136包括第3布线部1361和第4布线部1362。在第3布线部1361连接有第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部。在第4布线部1362连接有第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部。第3布线图案部137与第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第4布线图案部138与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。
根据第1方式～第5方式中的任一方式，第6方式的磁传感器1还具有第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。第3布线图案部137与第1输出端子23连接。第4布线图案部138与第2输出端子24连接。第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。第1布线部1351与第1磁阻图案部131连接。第2布线部1352与第3磁阻图案部133连接。第2布线图案部136包括第3布线部1361和第4布线部1362。第3布线部1361与第2磁阻图案部132连接。第4布线部1362与第4磁阻图案部134连接。第1输出端子23经由第3布线图案部137与第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第2输出端子24经由第4布线图案部138与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。第1布线部1351在与第1方向D1交叉的第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的一侧(上侧)。第2布线部1352在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的另一侧(下侧)。第3布线部1361在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的一侧(上侧)。第4布线部1362在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的另一侧(下侧)。
根据该方式，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
第2方式～第6方式的结构不是磁传感器1所必须的结构，能够适当地省略。
此外，在专利文献2中记载了一种磁传感器，其具备在挠性基材形成有磁检测部、薄膜导体(布线图案部)以及电极端子(电源端子、接地端子)而成的挠性组装体。磁检测部具有沿着磁介质(检测对象)的移动方向(第1方向)排列的四个图案(磁阻图案部)。作为薄膜导体的一部分的延伸设置部沿着与上述移动方向交叉的方向(第2方向)向四个图案中的位于上述移动方向的两端的两个图案的外侧延伸。
在专利文献2所记载的磁传感器中，例如在由与四个图案相同的材料形成薄膜导体的情况下，当磁介质沿着上述移动方向移动时，薄膜导体的延伸设置部的电阻值也发生变化，因此存在磁介质的位置的检测精度下降这样的问题。另外，在为了抑制磁介质的位置的检测精度的下降而由与四个图案不同的没有磁阻效应的材料来形成薄膜导体的情况下，需要相对于形成四个图案的工序独立的形成薄膜导体的工序，存在制造工序增加的情况。
因此，第7方式的磁传感器1采用以下的结构。
即，第7方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135以及第2布线图案部136。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。第1布线部1351与第1磁阻图案部131连接。第2布线部1352与第3磁阻图案部133连接。第2布线图案部136包括第3布线部1361和第4布线部1362。第3布线部1361与第2磁阻图案部132连接。第4布线部1362与第4磁阻图案部134连接。磁传感器1还具有第1输出端子23和第2输出端子24。第1输出端子23经由第3布线图案部137与第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第2输出端子24经由第4布线图案部138与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。第1布线部1351在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的一侧。第2布线部1352在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的另一侧。第3布线部1361在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的一侧。第4布线部1362在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的另一侧。第2方向D2为与第1方向交叉的方向。
根据该方式，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
第1方式～第5方式的结构不是第7方式的磁传感器1所必须的结构。

Claims (6)

1.一种磁传感器，其基于在第1方向上以预定的磁化周期被磁化的检测对象沿着所述第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对所述检测对象的位置进行检测，其特征在于，
该磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部，
所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向排列，
所述多个磁阻图案部分别包括相互串联连接的第1电阻部和第2电阻部，
所述第1电阻部和所述第2电阻部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成，
在所述多个磁阻图案部的每一个中，
所述第1电阻部和所述第2电阻部在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/2的距离地配置，
所述第1电阻部和所述第2电阻部在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向俯视时为轴对称。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述多个磁阻图案部中的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部中的相邻的两个第1电阻部和相邻的两个第2电阻部中的至少一方在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/8的距离地配置。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
在从所述第3方向观察时，所述多个磁阻图案部中的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部分别形成为曲折形状。
4.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
作为所述多个磁阻图案部，具有四个磁阻图案部，
所述四个磁阻图案部构成全桥电路，来作为所述电桥电路。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
该磁传感器还具有：
与电源端子连接的第1布线图案部；
与接地端子连接的第2布线图案部；
与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及
与第2输出端子连接的第4布线图案部，
所述多个磁阻图案部包括：
相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及
相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，
所述第1布线图案部包括：
第1布线部，在该第1布线部连接有所述第1磁阻图案部的与所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部；以及
第2布线部，在该第2布线部连接有所述第3磁阻图案部的与所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部，
所述第2布线图案部包括：
第3布线部，在该第3布线部连接有所述第2磁阻图案部的与所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部；以及
第4布线部，在该第4布线部连接有所述第4磁阻图案部的与所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部，
所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，
所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
6.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
该磁传感器还具有：
与电源端子连接的第1布线图案部；
与接地端子连接的第2布线图案部；
与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及
与第2输出端子连接的第4布线图案部，
所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别由与所述多个磁阻图案部相同的材料形成，
所述多个磁阻图案部包括：
相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及
相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，
所述第1布线图案部包括：
第1布线部，其与所述第1磁阻图案部连接；以及
第2布线部，其与所述第3磁阻图案部连接，
所述第2布线图案部包括：
第3布线部，其与所述第2磁阻图案部连接；以及
第4布线部，其与所述第4磁阻图案部连接，
所述第1输出端子经由所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，
所述第2输出端子经由所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接，
所述第1布线部在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述多个磁阻图案部的一侧，
所述第2布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的另一侧，
所述第3布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的一侧，
所述第4布线部在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的另一侧。
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