JP6189426B2 - 磁気抵抗歯車センサ - Google Patents
磁気抵抗歯車センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6189426B2 JP6189426B2 JP2015515381A JP2015515381A JP6189426B2 JP 6189426 B2 JP6189426 B2 JP 6189426B2 JP 2015515381 A JP2015515381 A JP 2015515381A JP 2015515381 A JP2015515381 A JP 2015515381A JP 6189426 B2 JP6189426 B2 JP 6189426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mtj element
- magnetic field
- magnetic
- sensor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 261
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 55
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- -1 FeCoB Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002545 FeCoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
- G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
- G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
- G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
- G01P3/488—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals delivered by variable reluctance detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P13/00—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
- G01P13/02—Indicating direction only, e.g. by weather vane
- G01P13/04—Indicating positive or negative direction of a linear movement or clockwise or anti-clockwise direction of a rotational movement
- G01P13/045—Indicating positive or negative direction of a linear movement or clockwise or anti-clockwise direction of a rotational movement with speed indication
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
- G01P3/50—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring linear speed
- G01P3/54—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring linear speed by measuring frequency of generated current or voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
本発明で提供する磁気抵抗歯車センサは、磁気センサチップ及び第1永久磁石を含み、前記磁気センサチップは、少なくとも1つのブリッジを含み、該ブリッジの各アームは少なくとも1つのMTJ素子グループを含む。
図1は本発明の実施例1で提供した第1MTJ素子11の構造の模式図である。第1MTJ素子11は多層膜の構造であり、図1に示すように、基板111の上に順次に堆積された絶縁層112、ボトム電極層113、ピンニング層114、ピンド層115、トンネルバリア層116、磁性自由層117及びトップ電極層118を含んでいる。ピンド層115と磁性自由層117は強磁性層であり、その材質は例えばFe、Co、Ni、FeCo、FeNi、FeCoB又はFeCoNiを含む。ピンド層115は強磁性層、Ru層と強磁性層とにより形成された複合層であり、例えばFeCo層、Ru層とFeCo層とにより形成された複合層である。ピンニング層114とピンド層115との間の交換結合により、ピンド層115の磁気モーメントの方向1151が一の方向に固定され、且つ外部磁場Happlyの働きによって磁気モーメントの方向1151が変化しない。ピンニング層114は、反強磁性層であり、その材質は例えばPtMn、IrMn又はFeMnを含む。トンネルバリア層116の材質は例えばMgO又はAl2O3を含む。磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171は外部磁場Happlyの変化に伴って変わることが可能である。外部磁場Happlyの働きによって、磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171は、ピンド層115の磁気モーメントの方向1151と平行の方向から次第にピンド層115の磁気モーメントの方向1151と逆平行の方向に変わることが可能であり、その逆の場合も同じである。本実施例において、磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171を第1MTJ素子11の検知方向と定義する。トップ電極層118とボトム電極層113には、通常では、非磁性導電材料が用いられている。基板111の材質としては、通常ではシリコン、石英、耐熱ガラス、GaAs又はAlTiCが用いられている。絶縁層112の面積はボトム電極層113の面積よりも大きい。トップ電極層118及びボトム電極層113はその他の素子と電気的に接続するために用いられる。本実施例では、トップ電極層118及びボトム電極層113は例えばオーム計12と電気的に接続され、第1MTJ素子11の抵抗を測定する。
図19は本実施例で提供した第2MTJ素子21の構造の模式図である。図19に示すように、第2MTJ素子21は多層膜の構造であり、基板211の上に順次に堆積された絶縁層212、ボトム電極層213、ピンニング層214、ピンド層215、トンネルバリア層216、磁性自由層217、バイアス層218及びトップ電極層219を含む。ピンド層215と磁性自由層217は強磁性層である。ピンド層215と磁性自由層217との材質は、例えばFe、Co、Ni、FeCo、FeNi、FeCo又はFeCoNiを含む。ピンド層215は強磁性層、Ru層と強磁性層とにより形成された複合層であっても良く、例えばFeCo層、Ru層とFeCo層とによって形成された複合層である。ピンニング層214は、反強磁性層であり、その材質は例えばPtMn、IrMn又はFeMnを含む。ピンニング層214とピンド層215との間の交換結合により、ピンド層215の磁気モーメントの方向2151が一の方向に固定され、且つ外部磁場Happlyの働きによって磁気モーメントの方向2151が変化しない。トンネルバリア層216の材質は例えばMgO又はAl2O3を含む。磁性自由層217の磁気モーメントの方向2171は外部磁場Happlyの変化に伴って変わることが可能である。外部磁場Happlyの働きによって、磁性自由層217の磁気モーメントの方向2171は、ピンド層215の磁気モーメントの方向2151と平行の方向から次第にピンド層215の磁気モーメントの方向2151と逆平行の方向に変わることが可能であり、その逆の場合も同じである。バイアス層218は反強磁性層又は永久磁性層である。バイアス層218と磁性自由層217との間の交換結合により、バイアス層218に磁性自由層217のために第2MTJ素子21の検知方向と直交するバイアス磁界Hcrossを提供させることができる。バイアス磁界Hcrossを変えることにより、第2MTJ素子21の飽和磁場を調整することができ、第2MTJ素子21の感度を更に調整することができる。バイアス層218が反強磁性層である場合に、バイアス層218のブロッキング温度(Blocking Temperature)はピンニング層214のブロッキング温度よりも低くなる。バイアス層218により提供されたバイアス磁界Hcrossを低減するため、磁性自由層217とバイアス層218との間に1つの隔離層を堆積しても良い。隔離層の厚さを変えることによって、バイアス磁界Hcrossの大きさを調整することができる。通常では、隔離層には例えばTa、Ru又はCuの非磁性材料を採用する。通常では、トップ電極層219とボトム電極層213に非磁性導電材料を採用する。基板211の材質としては、通常ではシリコン、石英、耐熱ガラス、GaAs又はAlTiCが用いられている。絶縁層212の面積はボトム電極層213の面積よりも大きい。トップ電極層219及びボトム電極層213はその他の素子と電気的に接続するために用いられる。
Claims (7)
- 磁気センサチップ(181)及び第1永久磁石(182)を含み、
前記磁気センサチップ(181)は、複数のブリッジアームを含む少なくとも1つのセンサブリッジを含み、
該ブリッジの各アームは少なくとも1つのMTJ素子グループ(13,23)を含み、 前記少なくとも1つのMTJ素子グループは複数のMTJ素子グループであり、該複数のMTJ素子グループは直列及び/又は並列に接続されており、
前記MTJ素子グループは、同じ検知方向を有し、前記検出方向は自由層に平行であり、
前記各MTJ素子(11)は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層(114)、ピンド層(115)、トンネルバリア層(116)及び磁性自由層(117)を含み、
前記磁気抵抗ギア歯車センサは、前記磁気センサチップ(181)と前記第1永久磁石(182)との間に配置される凹形状の軟磁性体(184)を更に含み、且つ、前記軟磁性体(184)の開口は前記磁気センサチップ(181)に向けており、
前記センサチップは、フルブリッジ(16)、ハーフブリッジ(15)又はダブルフルブリッジ(17)を有し、
前記磁気抵抗ギア歯車センサは、さらに、第1の永久磁石とセンサチップとの間に配置され、
前記磁気抵抗ギア歯車センサは、さらに、外部ハウジング構造を有し、
前記各MTJ素子グループ(13)の両側には一対の第2永久磁石(14)が設けられ、前記MTJ素子グループ(13)のネールカップリング磁場を取り消すため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して傾斜して配置されており、
前記第2永久磁石(14)の縁部の磁荷によって生じる磁界H mag における第1MTJ素子グループ(13)の検知方向(1171)に沿う分量H off は、以下の式で表される磁気抵抗歯車センサ。
ここで、磁界H mag は、2つの永久磁石(14)の隙間位置の磁界であり、θ mag は、永久磁石14の残留磁気M r 141の傾斜角である。 - さらに、前記MTJ素子グループ(13)にバイアス磁界を提供するため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して垂直に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗歯車センサ。
- 前記MTJ素子グループ(13)のネールカップリング磁場を更に取り消すため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して傾斜して配置されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗歯車センサ。
- 各MTJ素子(21)は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層(214)、ピンド層(215)、トンネルバリア層(216)、磁性自由層(217)及びバイアス層(218)を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗歯車センサ。
- 各MTJ素子(21)は、前記磁性自由層(217)と前記バイアス層(218)との間に設けられる隔離層を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗歯車センサ。
- 前記磁気抵抗歯車センサは、磁気センサブリッジと電気的に接続される制御回路(183)を更に含み、
前記制御回路(183)は、前記磁気センサチップ(181)から出力される電圧信号と歯車の歯の位置との対応関係に基づいて、歯の位置を確定することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗歯車センサ。 - 前記磁気センサチップ(181)はダブルフルブリッジを含み、前記ダブルフルブリッジの各アームはMTJ素子グループを含み、前記制御回路は前記磁気センサチップから出力される電圧信号に基づいて歯車の運動方向を確定することを特徴とする請求項6に記載の磁気抵抗歯車センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210180465.0 | 2012-06-04 | ||
CN201210180465.0A CN102809665B (zh) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
PCT/CN2013/076707 WO2013182036A1 (zh) | 2012-06-04 | 2013-06-04 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015524065A JP2015524065A (ja) | 2015-08-20 |
JP6189426B2 true JP6189426B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=47233424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015515381A Active JP6189426B2 (ja) | 2012-06-04 | 2013-06-04 | 磁気抵抗歯車センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10060941B2 (ja) |
EP (1) | EP2860530A4 (ja) |
JP (1) | JP6189426B2 (ja) |
CN (1) | CN102809665B (ja) |
WO (1) | WO2013182036A1 (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8508221B2 (en) * | 2010-08-30 | 2013-08-13 | Everspin Technologies, Inc. | Two-axis magnetic field sensor having reduced compensation angle for zero offset |
CN102809665B (zh) | 2012-06-04 | 2016-08-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
CN203133257U (zh) * | 2013-03-18 | 2013-08-14 | 江苏多维科技有限公司 | 用于验钞机磁头的tmr半桥磁场梯度传感器芯片 |
CN104065367B (zh) * | 2013-03-20 | 2017-11-07 | 江苏多维科技有限公司 | 一种低功耗磁电阻开关传感器 |
CN103645448A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-19 | 叶友忠 | 改型惠斯通半桥电路及传感器 |
US9797748B2 (en) * | 2013-12-30 | 2017-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Gear sensing based on differential/asymmetric inductive sensing |
JP2015133377A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子および回転検出装置 |
DE102014212262A1 (de) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung zur Bestimmung mindestens einer Rotationseigenschaft eines rotierenden Elements |
DE102015210585A1 (de) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Verfahren zum Rücksetzen eines magnetorsistiven Umdrehungssensors und entsprechender Umdrehungssensor |
CN105136349B (zh) * | 2015-09-01 | 2017-10-13 | 宁波希磁电子科技有限公司 | 一种磁性压力传感器 |
US9897667B2 (en) | 2016-01-26 | 2018-02-20 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
US9841469B2 (en) | 2016-01-26 | 2017-12-12 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple sense layer magnetization orientations |
US10545196B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-01-28 | Nxp Usa, Inc. | Multiple axis magnetic sensor |
US10145907B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
US9933496B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-04-03 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple axis sense capability |
CN106052725B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-07-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种z-x轴磁电阻传感器 |
DE102016111984B4 (de) * | 2016-06-30 | 2021-12-23 | Infineon Technologies Ag | Magnetsensorbauelemente und Verfahren zum Bestimmen einer Rotationsrichtung einer magnetischen Komponente um eine Rotationsachse |
CN106206934A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-12-07 | 长春禹衡光学有限公司 | 一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组及其封装方法 |
CN106160670B (zh) * | 2016-08-18 | 2023-05-30 | 江苏多维科技有限公司 | 一种平衡磁电阻混频器 |
US10288494B2 (en) * | 2016-11-30 | 2019-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MTJ-based temperature-sensing device |
JP6842164B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2021-03-17 | 宮城県 | 磁性異物検査装置および磁性異物検査システム |
CN106997031B (zh) * | 2017-05-18 | 2024-05-10 | 长春禹衡光学有限公司 | 一种传感器模组及其封装方法 |
JP6485491B2 (ja) * | 2017-06-08 | 2019-03-20 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びカメラモジュール |
US10900814B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-01-26 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor for system-level diagnostics |
US10634519B2 (en) | 2017-09-07 | 2020-04-28 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor for system-level diagnostics |
JP2019082429A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
JP2019087688A (ja) | 2017-11-09 | 2019-06-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
CN108551339B (zh) * | 2017-12-15 | 2024-06-28 | 江苏多维科技有限公司 | 一种基于磁电阻的双稳态磁开关及系统 |
DE102018102379B4 (de) * | 2018-02-02 | 2023-02-02 | Endress + Hauser Flowtec Ag | Coriolis-Messaufnehmer eines Coriolis-Messgeräts mit einer in Schwingungserreger bzw. Schwingungssensor integrierten Temperaturmessvorrichtung und ein solches Coriolis-Messgerät |
JP6791183B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2020-11-25 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに位置検出装置 |
CN109142785B (zh) * | 2018-09-10 | 2021-03-23 | 东南大学 | 一种基于3d打印的水平轴敏感的隧道磁阻加速度计装置 |
US10871529B2 (en) * | 2018-09-11 | 2020-12-22 | Honeywell International Inc. | Spintronic mechanical shock and vibration sensor device |
CN112888951A (zh) * | 2018-09-19 | 2021-06-01 | 哈姆林电子(苏州)有限公司 | 速度传感器组件 |
CN109668735B (zh) * | 2018-12-11 | 2021-08-03 | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 | 一种发动机转子相位基准确定方法、装置和电路 |
CN109752677A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-14 | 东南大学 | 一种双电桥式薄膜磁阻传感器 |
CN112945292A (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-11 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 齿轮位置/速度传感器 |
CN111198342B (zh) * | 2020-01-10 | 2021-07-06 | 江苏多维科技有限公司 | 一种谐波增宽线性范围的磁电阻传感器 |
CN114236170B (zh) * | 2020-09-09 | 2024-06-28 | 江苏多维科技有限公司 | 一种轮速传感器模组 |
EP3974857A1 (en) * | 2020-09-25 | 2022-03-30 | Showa Denko K.K. | Magnetic sensor |
US11637482B2 (en) | 2020-10-08 | 2023-04-25 | Analog Devices International Unlimited Company | Magnetic sensor system for motor control |
CN112577531B (zh) * | 2020-11-05 | 2022-01-21 | 北京麦格纳材科技有限公司 | 一种磁传感器芯片抗电磁干扰结构及其制备方法 |
US11460323B2 (en) | 2021-02-05 | 2022-10-04 | Analog Devices International Unlimited Company | Magnetic field sensor package |
DE102021201489A1 (de) * | 2021-02-17 | 2022-09-01 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Magnetokoppler zur magnetischen Kopplung von Signalleitungen |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7123454B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-10-17 | Headway Technologies, Inc. | Longitudinal bias structure having stability with minimal effect on output |
US7768083B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
EP2135254B1 (en) * | 2007-03-09 | 2016-05-25 | NVE Corporation | Stressed magnetoresistive tamper detection devices |
US7639005B2 (en) * | 2007-06-15 | 2009-12-29 | Advanced Microsensors, Inc. | Giant magnetoresistive resistor and sensor apparatus and method |
JP2009122041A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Ricoh Co Ltd | 複合センサー |
US8080993B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
US7619407B2 (en) * | 2008-04-10 | 2009-11-17 | Magic Technologies, Inc. | Gear tooth sensor with single magnetoresistive bridge |
US8331064B2 (en) * | 2008-04-18 | 2012-12-11 | International Business Machines Corporation | System having a TMR sensor with leads configured for providing joule heating |
US8203332B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-06-19 | Magic Technologies, Inc. | Gear tooth sensor (GTS) with magnetoresistive bridge |
CN102298124B (zh) | 2011-03-03 | 2013-10-02 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的桥式磁场角度传感器 |
CN202013413U (zh) | 2011-04-06 | 2011-10-19 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片桥式磁场传感器 |
CN102226835A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-10-26 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片双轴磁场传感器及其制备方法 |
CN202210144U (zh) * | 2011-04-21 | 2012-05-02 | 江苏多维科技有限公司 | 单片参考全桥磁场传感器 |
CN102385043B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | Mtj三轴磁场传感器及其封装方法 |
US8922205B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-12-30 | Everspin Technologies, Inc. | Apparatus and method for reset and stabilization control of a magnetic sensor |
US9329057B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-05-03 | Allegro Microsystems, Llc | Gear tooth sensor with peak and threshold detectors |
CN102809665B (zh) * | 2012-06-04 | 2016-08-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
CN202599967U (zh) * | 2012-06-04 | 2012-12-12 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
-
2012
- 2012-06-04 CN CN201210180465.0A patent/CN102809665B/zh active Active
-
2013
- 2013-06-04 EP EP13800125.0A patent/EP2860530A4/en not_active Withdrawn
- 2013-06-04 JP JP2015515381A patent/JP6189426B2/ja active Active
- 2013-06-04 US US14/405,736 patent/US10060941B2/en active Active
- 2013-06-04 WO PCT/CN2013/076707 patent/WO2013182036A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015524065A (ja) | 2015-08-20 |
EP2860530A1 (en) | 2015-04-15 |
CN102809665B (zh) | 2016-08-03 |
WO2013182036A1 (zh) | 2013-12-12 |
EP2860530A4 (en) | 2015-12-30 |
US10060941B2 (en) | 2018-08-28 |
CN102809665A (zh) | 2012-12-05 |
US20150145504A1 (en) | 2015-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6189426B2 (ja) | 磁気抵抗歯車センサ | |
JP6525335B2 (ja) | シングルチップ・ブリッジ型磁場センサ | |
US8063633B2 (en) | Magnetoresistive magnetic field sensor structure | |
CN102590768B (zh) | 一种磁电阻磁场梯度传感器 | |
JP6403326B2 (ja) | 電流センサ | |
JP6193212B2 (ja) | シングルチップ2軸ブリッジ型磁界センサ | |
CN202421483U (zh) | 单一芯片推挽桥式磁场传感器 | |
EP3062119B1 (en) | Push-pull bridge-type magnetic sensor for high-intensity magnetic fields | |
JP6509231B2 (ja) | 強磁場用のシングルチップ基準ブリッジ磁気センサ | |
JP2014512003A (ja) | シングルチッププッシュプルブリッジ型磁界センサ | |
CN102435963B (zh) | 单片双轴桥式磁场传感器 | |
JP2014516406A (ja) | 単一チップブリッジ型磁界センサおよびその製造方法 | |
JP5843079B2 (ja) | 磁気センサおよび磁気センサシステム | |
JP2017502298A5 (ja) | ||
CN104900801A (zh) | 一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(amr)传感器 | |
JP6233722B2 (ja) | 磁界発生体、磁気センサシステムおよび磁気センサ | |
CN202939205U (zh) | Tmr电流传感器 | |
CN212008887U (zh) | 一种单一芯片全桥tmr磁场传感器 | |
CN210665858U (zh) | 一种大动态范围磁传感器组件 | |
CN102928651A (zh) | Tmr电流传感器 | |
CN202794487U (zh) | 一种磁电阻磁场梯度传感器 | |
CN210487955U (zh) | Tmr全桥磁传感器 | |
JP2003215222A (ja) | 磁気抵抗効果素子センサ | |
CN202599967U (zh) | 一种磁电阻齿轮传感器 | |
TWI449065B (zh) | 堆疊式自旋閥磁阻感測器及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6189426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |