JP6189426B2 - 磁気抵抗歯車センサ - Google Patents

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Description

本発明は、歯車センサの技術分野に関し、特にMTJ素子を検知素子とした磁気抵抗歯車センサに関する。
歯車センサは主に自動制御システムに応用され、歯車の回転速度及び回転方向を測定する。現在、一般的に使われる歯車センサは光学センサ及び磁気センサである。機械式回転システムでは、振動、衝撃、油汚れ等の悪環境に対し、磁気センサは光学センサに比べて大きな優位をもっている。公知の技術では、異なる種類の磁気センサが多く存在しており、例えばホール(Hall)素子、異方性磁気抵抗(AMR)素子又は巨大磁気抵抗(GMR)を検知素子とした磁気センサが挙げられる。
ホール素子を検知素子とした磁気センサは感度が非常に低く、通常では、フラックスコンセントレータを用いて磁場を拡大することでホール素子の感度を高める必要があるが、これによってホール素子を検知素子とした磁気センサの大きさ及び重量が増える。また、ホール素子を検知素子とした磁気センサは消費電力が高く、線形性が悪いといった欠点を有する。AMR素子の感度はホール素子より高いが、AMR素子の線形動作範囲が狭い。AMR素子を検知素子とした磁気センサには「set/reset」コイルを配置して、設定/復帰操作を行う必要があるため、AMR素子を検知素子とした磁気センサの製造プロセスが複雑化になるだけではなく、AMR素子を検知素子とした磁気センサの大きさ及び消費電力ともに増加してしまう。GMR素子を検知素子とした磁気センサはホール素子を検知素子としたセンサよりも高い感度をもつが、GMR素子を検知素子とした磁気センサの線形動作範囲が狭い。更に、GMR素子の応答曲線が偶対称となっているため、GMR素子を検知素子とした磁気センサが単極性の勾配磁場しか測定できず、両極性の勾配磁場を測定することができない。
近年、新しいタイプの磁気抵抗効果センサ、すなわち磁気トンネル接合(MTJ、Magnetic Tunnel Junction)素子を検知素子とした磁気センサが産業上応用され始めている。MTJ素子を検知素子とした磁気センサの動作原理は、磁性多層膜材料のトンネル磁気抵抗(TMR、Tunnel Magnetorsistance)効果を利用して磁場を検知する。MTJ素子はそれより以前に用いられたAMR素子及びGMR素子より大きい抵抗変化率を有する。ホール素子と比べて、MTJ素子は良好な温度安定性、高感度、低消費電力、良い線形性を有し、余計なフラックスコンセントレータも必要としない。AMR素子と比べて、MTJ素子は良好な温度安定性、高感度、幅広い線形動作範囲を有し、余計な「set/reset」コイル構造も必要としない。GMR素子と比べて、MTJ素子は良好な温度安定性、高感度、低消費電力、幅広い線形動作範囲を有する。
通常では、歯車検知用の磁気センサはプリント基板(PCB)式を採用した構造である。PCB式の歯車センサは、通常では、磁気センサチップ、周辺電気回路及び永久磁石で構成されている。磁気センサチップは、その所在する物理的位置における永久磁石により生じた外部磁場Happlyの変化を検知して検知信号を出力しており、周辺電気回路は、磁気センサチップにより出力される検知信号に対して処理及び変換を行う。磁気センサチップの所在する物理的位置における永久磁石により生じた外部磁場Happlyの変化は非常に弱い。従って、PCB式の歯車センサの応用においては、永久磁石により生じた外部磁場Happly以外の干渉磁場による干渉を防止することが喫緊の課題である。
MTJ素子は高い感度を有するが、MTJ素子を検知素子とした磁気センサは以下の欠点を有する。
(1)永久磁石により生じた外部磁場HapplyがMTJ素子の検知方向に沿う分量が大きく、線形動作範囲からはずれることによりMTJ素子の性能低下を引き起こし、更にMTJ素子が飽和状態に達することにより動作できなくなることを招いてしまう。
(2)磁気センサチップがその所在する物理的位置における永久磁石により生じた外部磁場Happlyの変化を検知する際に、永久磁石により生じた外部磁場Happly以外の干渉磁場による干渉を受けやすい。
(3)歯車の歯の位置を確定できず、また、歯車の歯が欠けた場合に、その欠けた歯の具体位置を確定できない。
(4)歯車の運動方向を確定することができない。
(5)低コストで、大規模の生産を実現し難い。
従って、歯車の移動状態を精確に検知することができる歯車センサが望まれている。
本発明は、磁気抵抗歯車センサを提供することを目的とする。
本発明で提供する磁気抵抗歯車センサは、磁気センサチップ及び第1永久磁石を含み、前記磁気センサチップは、少なくとも1つのブリッジを含み、該ブリッジの各アームは少なくとも1つのMTJ素子グループを含む。
前記磁気抵抗歯車センサは、前記磁気センサチップと前記第1永久磁石との間に配置される凹形状の軟磁性体を更に含み、且つ、前記軟磁性体の開口は前記磁気センサチップに向けていることが好適である。
前記少なくとも1つのMTJ素子グループは複数のMTJ素子グループであり、該複数のMTJ素子グループは直列及び/又は並列に接続されていることが好適である。
複数のMTJ素子グループは、同じ検知方向で直列及び/又は並列に接続されていることが好適である。
MTJ素子グループを含む全てのアームは、同じ検知方向を有することが好適である。
前記ブリッジは、ハーフブリッジ、フルブリッジ又はダブルフルブリッジであることが好適である。
各MTJ素子グループは、直列及び/又は並列に接続される複数のMTJ素子を含むことことが好適である。
各MTJ素子グループは、同じ検知方向で直列及び/又は並列に接続される複数のMTJ素子を含むことが好適である。
各MTJ素子は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層、ピンド層、トンネルバリア層及び磁性自由層を含むことが好適である。
前記各MTJ素子グループの両側には一対の第2永久磁石が設けられ、前記MTJ素子グループにバイアス磁界を提供するため、各対の第2永久磁石は対応するMTJ素子グループの検知方向に対して傾斜して配置されていることが好適である。
前記各MTJ素子グループの両側には一対の第2永久磁石が設けられ、前記MTJ素子グループのネールカップリング磁場を取り消すため、各対の第2永久磁石は対応するMTJ素子グループの検知方向に対して傾斜して配置されていることが好適である。
前記MTJ素子グループのネールカップリング磁場を更に取り消すため、各対の第2永久磁石は対応するMTJ素子グループの検知方向に対して傾斜して配置されていることが好適である。
各MTJ素子は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層、ピンド層、トンネルバリア層、磁性自由層及びバイアス層を含むことが好適である。
各MTJ素子は、前記磁性自由層と前記バイアス層との間に設けられる隔離層を更に含むことが好適である。
前記磁気抵抗歯車センサは、前記磁気センサチップと電気的に接続される制御回路を更に含むことが好適である。
前記制御回路は、前記磁気センサチップから出力される電圧信号と歯車の歯の位置との対応関係に基づいて、歯の位置を確定することが好適である。
前記磁気センサチップはダブルフルブリッジを含み、前記ダブルフルブリッジの各アームはMTJ素子グループを含み、前記制御回路は前記磁気センサチップから出力される電圧信号に基づいて歯車の運動方向を確定することが好適である。
前記磁気抵抗歯車センサはケーシングを更に含むことが好適である。
本発明は以下の有益な効果を有する。
(1)前記センサはMTJ素子を検知素子としており、ホール素子、AMR素子又はGMR素子を検知素子としたセンサと比べて、前記センサの温度安定性が良く、感度が高く、消費電力が低く、線形性が良く、線形動作範囲が広く、構造が簡単になる。
(2)前記センサに凹形状の軟磁性体が設けられており、永久磁石により生じた外部磁場におけるMTJ素子の検知方向に沿う分量を低減させることで、磁気センサチップ中のMTJ素子をその線形動作範囲内に動作させることを保証し、前記センサの性能を大きく改善することができる。
(3)前記センサの磁気センサチップにフルブリッジを採用することにより、前記センサは、永久磁石により生じた外部磁場以外の干渉磁場による干渉を受け難くなる。
(4)1つの好適的な実施例では、MTJ素子グループの両側に一対の傾斜した永久磁石を配置し、該傾斜した永久磁石により生じる磁場におけるMTJ素子の検知方向と直交する分量が、MTJ素子にバイアス磁場を提供する。該バイアス磁場を変えることによってMTJ素子の飽和磁場を調整することができ、これによって高感度のセンサを得ることができ、或いは要求に応じて異なる感度のセンサを実現することができる。
(5)1つの好適的な実施例では、MTJ素子グループの両側に一対の傾斜した永久磁石を配置し、該傾斜した永久磁石により生じる磁場におけるMTJ素子の検知方向に沿う分量が、MTJ素子グループのネールカップリング磁場を取り消すことができ、これによってMTJ素子の動作ポイントをその線形動作範囲に位置させることを保証し、前記センサの線形性を改善することができる。
(6)他の好適的な実施例では、MTJ素子の磁性自由層上にバイアス層を配置し、該バイアス層は磁性自由層にMTJ素子の検知方向と直交するバイアス磁場を提供することができる。該バイアス磁場を変えることでMTJ素子の飽和磁場を調整することができ、これによって高感度のセンサを得ることができ、或いは要求に応じて異なる感度のセンサを実現することができる。
(7)前記センサは歯車の歯の位置を確定することができ、歯車の歯が欠けた場合であっても、その欠けた歯の位置を確定することができる。
(8)前記センサは歯車の運動速度のみならず、歯車の運動方向も確定することができる。
(9)前記センサは、直線歯車だけではなく、円形歯車にも適用される。
(10)前記センサは低コストで大規模の生産の実現に有利である。
図1は本発明の実施例1で提供した第1MTJ素子11の構造の模式図である。 図2は理想状態において第1MTJ素子11の抵抗が外部磁場Happlyに対する応答曲線図であり、外部磁場Happlyが第1MTJ素子11の検知方向に沿うものである。 図3は実際に使用中において第1MTJ素子11の抵抗が外部磁場Happlyに対する応答曲線図であり、外部磁場Happlyが第1MTJ素子11の検知方向に沿うものである。 図4は複数の第1MTJ素子が直列接続されて1つの第1MTJ素子グループ13になる模式図である。 図5は第1MTJ素子グループ13の両側に、一対の傾斜した永久磁石14を配置した模式図である。 図6は第1MTJ素子グループ13の両側に、一対の傾斜した永久磁石を配置した後に、その周囲の磁場分布の断面図である。 図7は第1MTJ素子グループ13の両側に、一対の傾斜した永久磁石14を配置した平面図である。 図8はハーフブリッジ15の物理的位置の平面図である。 図9は図8に示すハーフブリッジ15の等価回路図である。 図10はフルブリッジ16の物理的位置の平面図である。 図11は図10に示すフルブリッジ16の等価回路図である。 図12はフルブリッジ16を採用した磁場センサの出力電圧実測値の曲線図である。 図13はダブルフルブリッジ17の物理的位置の平面図である。 図14は図13に示すダブルフルブリッジ17の等価回路図である。 図15は本発明の実施例1で提供した磁気抵抗歯車センサ18の構造の模式図である。 図16は本発明の実施例1で提供した磁気抵抗歯車センサ18から出力した正弦波の電圧信号の模式図である。 図17は歯車の歯が欠けた際に、本発明の実施例1で提供した磁気抵抗歯車センサ18から出力した正弦波及び矩形波の電圧信号の模式図である。 図18は本発明の実施例1で提供した磁気抵抗歯車センサ18から出力した2系統の電圧信号の模式図である。 図19は本発明の実施例2で提供した第2MTJ素子21の構造の模式図である。
以下、図面及び実施例を用いて本発明の内容について詳細に説明する。
<実施例1>
図1は本発明の実施例1で提供した第1MTJ素子11の構造の模式図である。第1MTJ素子11は多層膜の構造であり、図1に示すように、基板111の上に順次に堆積された絶縁層112、ボトム電極層113、ピンニング層114、ピンド層115、トンネルバリア層116、磁性自由層117及びトップ電極層118を含んでいる。ピンド層115と磁性自由層117は強磁性層であり、その材質は例えばFe、Co、Ni、FeCo、FeNi、FeCoB又はFeCoNiを含む。ピンド層115は強磁性層、Ru層と強磁性層とにより形成された複合層であり、例えばFeCo層、Ru層とFeCo層とにより形成された複合層である。ピンニング層114とピンド層115との間の交換結合により、ピンド層115の磁気モーメントの方向1151が一の方向に固定され、且つ外部磁場Happlyの働きによって磁気モーメントの方向1151が変化しない。ピンニング層114は、反強磁性層であり、その材質は例えばPtMn、IrMn又はFeMnを含む。トンネルバリア層116の材質は例えばMgO又はAlを含む。磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171は外部磁場Happlyの変化に伴って変わることが可能である。外部磁場Happlyの働きによって、磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171は、ピンド層115の磁気モーメントの方向1151と平行の方向から次第にピンド層115の磁気モーメントの方向1151と逆平行の方向に変わることが可能であり、その逆の場合も同じである。本実施例において、磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171を第1MTJ素子11の検知方向と定義する。トップ電極層118とボトム電極層113には、通常では、非磁性導電材料が用いられている。基板111の材質としては、通常ではシリコン、石英、耐熱ガラス、GaAs又はAlTiCが用いられている。絶縁層112の面積はボトム電極層113の面積よりも大きい。トップ電極層118及びボトム電極層113はその他の素子と電気的に接続するために用いられる。本実施例では、トップ電極層118及びボトム電極層113は例えばオーム計12と電気的に接続され、第1MTJ素子11の抵抗を測定する。
第1MTJ素子11の抵抗の大きさは、磁性自由層117とピンド層115との磁気モーメントの相対配向と関連している。磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171がピンド層115の磁気モーメントの方向1151と平行した場合、第1MTJ素子11の抵抗が最も小さく、第1MTJ素子11が低抵抗状態にあると称しており、磁性自由層117の磁気モーメントの方向1171がピンド層115の磁気モーメントの方向1151と逆平行した場合、第1MTJ素子11の抵抗が最も大きく、第1MTJ素子11が高抵抗状態にあると称する。公知の技術を利用し、外部磁場Happlyの変化に伴って第1MTJ素子11の抵抗値を高抵抗状態と低抵抗状態との間で線形変化させることができる。
理想状態において、外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗の応答曲線図は図2に示す通りであり、外部磁場Happlyは第1MTJ素子11の検知方向に沿っている。第1MTJ素子11が低抵抗状態又は高抵抗状態にある場合、その応答曲線は飽和になる。低抵抗状態にある第1MTJ素子11の抵抗値を例えばR、高抵抗状態にある第1MTJ素子11の抵抗値を例えばRとする。高抵抗状態と低抵抗状態との間において、第1MTJ素子11の抵抗値Rが外部磁場Happlyの変化に伴って線形状に変化する。外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗値Rの応答曲線の勾配、すなわち外部磁場Happlyに伴う第1MTJ素子11の抵抗値Rの変化率を第1MTJ素子11の感度と定義する。図2に示すように、外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗の応答曲線は、Happly=0の直線を軸対称としておらず、Happly=Hの直線を軸対称としている。通常では、Hをネールカップリング(Neel Coupling)磁場と称する。通常状態において、ネールカップリング磁場Hの範囲は1―40Oeである。
図2に示すように応答曲線の線形範囲内において、第1MTJ素子11の抵抗値Rは下式で近似的に表すことができる。
Figure 0006189426
式(1)において、Hは飽和磁場を示す。飽和磁場Hの定義は、ネールカップリング磁場H=0のときに、外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗の応答曲線の線形範囲の接線と正又は負の飽和曲線の接線との交差点に対応する外部磁場の値である。理想状態では、外部磁場Happlyに伴う第1MTJ素子11の抵抗値Rの変化は完璧な線形関係であり、且つヒステリシスがない。実際の状況では、第1MTJ素子11がヒステリシスを有するため、図3に示すように、外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗の応答曲線は1本の曲線である。実際のセンサ応用分野では、磁気センサの設計上の制約及び材料の欠陥に起因し、外部磁場Happlyに対する第1MTJ素子11の抵抗の応答曲線が更に湾曲することになる。
応用上において、複数の第1MTJ素子11を直列及び/又は並列に接続して1つの第1MTJ素子グループにすることができる。本実施例では、第1MTJ素子グループ13は6個の第1MTJ素子11を直列に接続することにより形成され、且つ図4に示すように、第1MTJ素子グループ13に係る6個の第1MTJ素子11の検知方向1171が同じである。第1MTJ素子グループ13は他の素子、例えばオーム計12と電気的に接続されている。電流131が第1MTJ素子グループ13を流れるときに、電流131の方向は図4に示す通りである。通常の状況では、電流131の方向はMTJ素子グループ13の抵抗値に影響を与えない。第1MTJ素子グループ13に係る第1MTJ素子11の数を変えることで、第1MTJ素子グループ13の抵抗値を調整することができる。1つの第1MTJ素子グループ13をブリッジの1つのアームとすることができ、直列及び/又は並列に接続される複数の第1MTJ素子グループ13をブリッジの1つのアームとしても良い。
第1MTJ素子11又は第1MTJ素子グループ13にバイアス磁界Hcrossを提供し、且つネールカップリング磁場Hを取り消すために、第1MTJ素子11又は第1MTJ素子グループ13の両側に一対の傾斜した永久磁石14を配置することができる。本実施例では、図5に示すように、例えば第1MTJ素子グループ13の両側に一対の永久磁石14が配置され、且つ永久磁石14は第1MTJ素子グループ13の検知方向に対して傾斜して配置されている。永久磁石14を磁化した後、第1MTJ素子グループ13の周囲の磁場分布は図6に示す通りである。本実施例では、永久磁石14の形状は例えば長方体である。図7に示すように、永久磁石14の長辺と第1MTJ素子グループ13の検知方向1171との間の角度の余角を永久磁石14の傾斜角θsnsと定義する。各永久磁石14の長さ、幅及び厚さはそれぞれL、W及びtであり、2つの永久磁石14の間の隙間がGである。
2つの永久磁石14の隙間位置の磁界Hmagは2つの永久磁石14の縁部の磁荷によって生じるものであり、且つ磁界Hmagは永久磁石14の形状及び境界条件と関係があると考えられている。図7に示すように、永久磁石14の残留磁気M141と第1MTJ素子グループ13の検知方向1711との間の角度を永久磁石14の残留磁気M141の傾斜角θmagと定義する。永久磁石14の縁部の磁荷密度ρ は、永久磁石14の残留磁気M141の大きさ、永久磁石14の残留磁気M141の傾斜角θmag及び永久磁石14の傾斜角θsnsと関係している。永久磁石14の縁部の磁荷密度ρ は以下の式で表すことができる。
Figure 0006189426
永久磁石14の縁部の磁荷によって生じる磁界Hmagは以下の式で表すことができる。
Figure 0006189426
図7に示すように、永久磁石14の縁部の磁荷によって生じる磁界Hmagにおける第1MTJ素子グループ13の検知方向1171と直交する方向に沿う分量をバイアス磁界Hcrossと定義する。θmag=θsns=π/2のとき、バイアス磁界Hcrossは以下の式で表すことができる。
Figure 0006189426
式(4)より、2つの永久磁石14の形状、寸法、両者間の隙間G及び残留磁気M141の大きさを調整することで、第1MTJ素子グループ13の所在位置のバイアス磁界Hcrossを変えることができる。バイアス磁界Hcrossを変えることにより第1MTJ素子グループ13の飽和磁場を調整することができ、さらに第1MTJ素子グループ13の感度を確定することができる。
バイアス磁界Hcrossは以下の式で表すこともできる。
Figure 0006189426
永久磁石14の縁部の磁荷によって生じる磁界Hmagにおける第1MTJ素子グループ13の検知方向1171に沿う分量Hoffは、以下の式で表すこともできる。
Figure 0006189426
式(6)より、永久磁石14の形状、寸法及び残留磁気M141の傾斜角θmagを調整することで、永久磁石14の縁部の磁荷によって生じる磁界Hmagにおける第1MTJ素子グループ13の検知方向1171に沿う分量Hoffを変えることができ、これによって第1MTJ素子11自体のネールカップリング磁場Hoを取り消すことができ、第1MTJ素子11の動作ポイントをその線形動作範囲に位置させることを保証できる。
図8はX−Y面におけるハーフブリッジ15の物理的位置の平面図である。図9はハーフブリッジ15の等価回路図である。ハーフブリッジ15は2つのアーム151,152を含み、該2つのアームには例えば1つの第1MTJ素子グループ13を採用しており、該2つのアームの抵抗値は例えばR1、R2である。アーム151及びアーム152の検知方向はともに検知方向1171に沿っている。図8に示すように、磁場強度が傾斜度で変化した外部磁場Happlyを検知方向1171に沿って印加し、アーム151の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度はアーム152の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度と異なっている。アーム151及びアーム152の両側には一対の傾斜した永久磁石14が配置されている。ハーフブリッジ15の2つの入力端はIN1、IN2であり、例えば入力端IN2がグランドと接続されている。ハーフブリッジ15の出力端はOUT1である。入力端IN1と入力端IN2との間に安定電圧Vbiasを印加し、アーム151の抵抗値R1の変化の大きさとアーム152の抵抗値R2の変化の大きさとが異なり、従って出力端OUT1は電圧信号VOUT1=Vを出力する。
図10はフルブリッジ16の物理的位置の平面図である。図11は図10に示すフルブリッジ16の等価回路図である。フルブリッジ16は、4つのアーム161、162、163、164を含み、該4つのアームには全て2つの第1MTJ素子グループ13を直列接続することを採用しており、該4つのアームの抵抗はそれぞれR3、R4、R5及びR6である。アーム161、アーム162、アーム163及びアーム164の検知方向はともに検知方向1171に沿っている。磁場強度が傾斜度で変化した外部磁場Happlyを検知方向1171に沿って印加する。図10に示すように、アーム161及びアーム162の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度はアーム163及びアーム164の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度と異なっている。各アーム161、アーム162、アーム163及びアーム164の両側には一対の傾斜した永久磁石14が配置されている。フルブリッジ16の2つの入力端はIN3、IN4であり、例えば入力端IN4がグランドと接続されている。フルブリッジ16の2つの出力端はOUT2及びOUT3である。入力端IN3と入力端IN4との間に安定電圧Vbiasを印加し、アーム161の抵抗値R3又はアーム162の抵抗値R4の変化の大きさとアーム163の抵抗値R5又はアーム164の抵抗値R6の変化の大きさとが異なり、従って出力端OUT2と出力端OUT3とがそれぞれ電圧V2及びV3を出力し、フルブリッジ16の出力電圧信号がVOUT2=(V3−V2)である。
理想状態では、フルブリッジ16から出力した電圧信号VOUT2はコモンモード磁場HcMに応答しないが、差動モード磁場HdMには応答する。コモンモード磁場HcMの働きによって、アーム161、アーム162、アーム163及びアーム164の抵抗値の変化は同じであるので、フルブリッジ16は電圧信号を出力しない。理想状態では、フルブリッジ16の4つのアームの抵抗値はともにRになり、すなわちR3=R4=R5=R6=Rであり、且つフルブリッジ16の4つのアームの感度はともにSになり、すなわちSR3=SR4=SR5=SR6=Sであり、従って、以下の式になる。
Figure 0006189426

Figure 0006189426
Figure 0006189426
式(9)より、フルブリッジ16から出力した電圧信号は差動モード磁場HdMのみと関係し、コモンモード磁場HcMには関係していないことが分かる。従って、フルブリッジ16は、コモンモード磁場HcMの干渉を抑制する大きい能力を有する。フルブリッジ16の典型的な出力は図12に示す通りである。
実際の応用では、センサに2つのフルブリッジ、すなわちダブルフルブリッジを採用しても良い。図13はダブルフルブリッジ17の物理的位置の平面図である。図14はダブルフルブリッジ17の等価回路図である。ダブルフルブリッジ17は、8つのアーム171、172、173、174、175、176、177及び178を含み、該8つのアームは全て例えば第1MTJ素子グループ13を3つ並列接続することを採用しており、該8つのアームの抵抗値はそれぞれR7、R8、R9、R10、R11、R12、R13及びR14である。図14に示すように、例えばアーム171、アーム172、アーム173及びアーム174は1つのフルブリッジを構成しており、アーム175、アーム176、アーム177及びアーム178は1つのフルブリッジを構成している。好適には、ダブルフルブリッジ17に係る8つのアームの検知方向はともに検知方向1171に沿っている。磁場強度が傾斜度で変化した外部磁場Happlyを検知方向1171に沿って印加する。図13に示すように、アーム171及びアーム172の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度はアーム173及びアーム174の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度と異なっており、アーム175及びアーム176の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度はアーム177及びアーム178の所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度と異なっている。ダブルフルブリッジ17の各アームの両側には、それぞれ一対の傾斜した永久磁石14が配置されている。ダブルフルブリッジ17の2つの入力端はIN5、IN6であり、例えば入力端IN6がグランドと接続されている。ダブルフルブリッジ17の4つの出力端はOUT4、OUT5、OUT6及びOUT7である。入力端IN5と入力端IN6との間に安定電圧Vbiasを印加し、アーム171の抵抗値R7又はアーム172の抵抗値R8の変化の大きさとアーム173の抵抗値R9又はアーム174の抵抗値R10の変化の大きさとが異なり、アーム175の抵抗値R11又はアーム176の抵抗値R12の変化の大きさとアーム177の抵抗値R13又はアーム178の抵抗値R14の変化の大きさとが異なっており、出力端OUT4、出力端OUT5、出力端OUT6及び出力端OUT7がそれぞれ電圧V4、V5、V6及びV7を出力する。ダブルフルブリッジ17は2系統の電圧信号VOUT4=(V5−V4)及びVOUT5=(V7−V6)を出力する。
磁気抵抗センサの実際の製造において、ハーフブリッジ15、フルブリッジ16及びダブルフルブリッジ17はともに同一の基板上に同様なプロセスを利用して一回で製造され、通常ではシングルチップ磁気抵抗センサと称しており、或いは同一の基板上に同様なプロセスで複数の第1MTJ素子11を製造し、その後に複数の第1MTJ素子11を切断して単独にパッケージングし、リードワイヤで第1MTJ素子11を電気的に接続して複数の第1MTJ素子グループ13として、更に該複数の第1MTJ素子グループ13をハーフブリッジ15、フルブリッジ16又はダブルフルブリッジ17に電気的に接続する。シングルチップパッケージングした磁気抵抗センサ又はマルチチップパッケージングした磁気抵抗センサは、そのパッドを介して特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit, ASIC)或いはリードフレームのリード線に接続される。
図15に示すように、本実施例で提供した磁気抵抗歯車センサ18は、磁気センサチップ181、永久磁石182、制御回路183、凹形状の軟磁性体184及びケーシング185を含む。磁気センサチップ181、永久磁石182、制御回路183及び軟磁性体184は、ケーシング185内に集中的に配置されている。磁気センサチップ181は少なくとも1つのブリッジを含み、該ブリッジはハーフブリッジ15、フルブリッジ16又はダブルフルブリッジ17であり、ハーフブリッジ15、フルブリッジ16又はダブルフルブリッジ17の各アームは少なくとも1つの第1MTJ素子グループ13を含み、第1MTJ素子グループ13は直列及び/又は並列に連続される複数の第1MTJ素子11を含む。磁気センサチップ181は制御回路183と電気的に接続されている。軟磁性体184は磁気センサチップ181と永久磁石182との間に配置されており、軟磁性体184の開口は磁気センサチップ181に向けている。本実施例では、磁気センサチップ181は1つのダブルフルブリッジ17を含み、ダブルフルブリッジ17の各アームは1つの第1MTJ素子グループ13を含む。永久磁石182は、外部磁場Happlyを生じさせ、且つ強磁材料からなる歯車を磁化させる。軟磁性体184は永久磁石182により生じた外部磁場Happlyにおける検知方向1171に沿う分量を減少させることで、磁気センサチップ181中の第1MTJ素子11をその線形動作範囲内で動作させることを保証する。歯車と磁気センサチップ181との間に相対運動が生じるときに、磁気センサチップ181の所在位置での外部磁場Happlyの磁場強度が変化する。磁気センサチップ181は、その所在する物理的位置での外部磁場Happlyの磁場強度の変化を検知し、且つ制御回路183に電圧信号を出力する。制御回路183は磁気センサチップ181から出力される電圧信号に対して処理及び転換を行う。本実施例において、制御回路183は、磁気センサチップ181から出力した正弦波の電圧信号を矩形波の電圧信号に転換することができる。
本実施例では、図15に示すように、例えば磁気抵抗歯車センサ18が静止し、歯車が移動する。歯車の異なる位置ポイントA、B、C、D及びEが順次に磁気抵抗歯車センサを通るときに、磁気抵抗歯車センサ18から出力した例えば正弦波の電圧信号は図16に示す通りである。磁気抵抗歯車センサ18から出力した電圧信号である例えば正弦波と位置ポイントとの対応関係に基づいて、測定したい歯の具体位置を確定することができる。歯車の歯が欠けた場合に、磁気抵抗歯車センサ18から出力した正弦波及び矩形波の電圧信号は図17に示す通りである。磁気抵抗歯車センサ18から出力した電圧信号である例えば正弦波又は矩形波に基づいて、歯車の歯が欠けるか否かを確定することができる。歯車の歯が欠けた場合、磁気抵抗歯車センサ18から出力した電圧信号である例えば正弦波又は矩形波と位置ポイントとの対応関係に基づいて、欠けた歯の具体位置を確定することができる。本実施例で提供した磁気抵抗歯車センサ18の磁気センサチップ181にダブルフルブリッジ17を採用するため、磁気抵抗歯車センサ18は2系統の電圧信号VOUT4及びVOUT5を出力することができ、図18に示すように、該2系統の電圧信号VOUT4とVOUT5との位相差に基づいて歯車の運動方向を確定することができる。磁気抵抗歯車センサ18を応用する際に、磁気センサチップ181の所在する位置において、永久磁石182により生じた外部磁場Happly以外の干渉磁場をコモンモード磁場とすることができる。磁気センサチップ181にダブルフルブリッジ17を採用し、且つダブルフルブリッジがコモンモード磁場による干渉を抑制する高い能力を有するため、磁気抵抗歯車センサ18が永久磁石182により生じた外部磁場Happly以外の干渉磁場による干渉を受け難くなる。
<実施例2>
19は本実施例で提供した第2MTJ素子21の構造の模式図である。図19に示すように、第2MTJ素子21は多層膜の構造であり、基板211の上に順次に堆積された絶縁層212、ボトム電極層213、ピンニング層214、ピンド層215、トンネルバリア層216、磁性自由層217、バイアス層218及びトップ電極層219を含む。ピンド層215と磁性自由層217は強磁性層である。ピンド層215と磁性自由層217との材質は、例えばFe、Co、Ni、FeCo、FeNi、FeCo又はFeCoNiを含む。ピンド層215は強磁性層、Ru層と強磁性層とにより形成された複合層であっても良く、例えばFeCo層、Ru層とFeCo層とによって形成された複合層である。ピンニング層214は、反強磁性層であり、その材質は例えばPtMn、IrMn又はFeMnを含む。ピンニング層214とピンド層215との間の交換結合により、ピンド層215の磁気モーメントの方向2151が一の方向に固定され、且つ外部磁場Happlyの働きによって磁気モーメントの方向2151が変化しない。トンネルバリア層216の材質は例えばMgO又はAlを含む。磁性自由層217の磁気モーメントの方向2171は外部磁場Happlyの変化に伴って変わることが可能である。外部磁場Happlyの働きによって、磁性自由層217の磁気モーメントの方向2171は、ピンド層215の磁気モーメントの方向2151と平行の方向から次第にピンド層215の磁気モーメントの方向2151と逆平行の方向に変わることが可能であり、その逆の場合も同じである。バイアス層218は反強磁性層又は永久磁性層である。バイアス層218と磁性自由層217との間の交換結合により、バイアス層218に磁性自由層217のために第2MTJ素子21の検知方向と直交するバイアス磁界Hcrossを提供させることができる。バイアス磁界Hcrossを変えることにより、第2MTJ素子21の飽和磁場を調整することができ、第2MTJ素子21の感度を更に調整することができる。バイアス層218が反強磁性層である場合に、バイアス層218のブロッキング温度(Blocking Temperature)はピンニング層214のブロッキング温度よりも低くなる。バイアス層218により提供されたバイアス磁界Hcrossを低減するため、磁性自由層217とバイアス層218との間に1つの隔離層を堆積しても良い。隔離層の厚さを変えることによって、バイアス磁界Hcrossの大きさを調整することができる。通常では、隔離層には例えばTa、Ru又はCuの非磁性材料を採用する。通常では、トップ電極層219とボトム電極層213に非磁性導電材料を採用する。基板211の材質としては、通常ではシリコン、石英、耐熱ガラス、GaAs又はAlTiCが用いられている。絶縁層212の面積はボトム電極層213の面積よりも大きい。トップ電極層219及びボトム電極層213はその他の素子と電気的に接続するために用いられる。
応用上において、複数の第2MTJ素子21を直列及び/又は並列に接続して1つの第2MTJ素子グループ23とすることができる。本実施例では、第2MTJ素子グループ23は例えば4個の第2MTJ素子23を並列に接続することにより形成され、且つ第2MTJ素子グループ23に係る4個の第2MTJ素子21の検知方向が同じである。第2MTJ素子グループ23は他の素子、例えばオーム計12と電気的に接続されている。1つの第2MTJ素子グループ23をブリッジの1つのアームとすることができ、直列及び/又は並列に接続される複数の第2MTJ素子グループ23をブリッジの1つのアームとしても良い。説明すべきことは、ブリッジに第2MTJ素子グループ23を採用する場合に、第2MTJ素子グループ23の両側に傾斜した永久磁石14を設ける必要がない。本実施例では、ハーフブリッジ15、フルブリッジ16及びダブルフルブリッジ17の各アームには、例えば1つの第2MTJ素子グループ23を採用する。
磁気抵抗歯車センサ18に第2MTJ素子グループ23を採用する状況は、実施例1と同様である。
センサはMTJ素子を検知素子としており、ホール素子、AMR素子又はGMR素子を検知素子とするセンサと比べて、センサの温度安定性が良く、感度が高く、消費電力が低く、線形性が良く、線形動作範囲が広く、構造が簡単になる。センサに凹形状の軟磁性体が設けられており、永久磁石により生じた外部磁場におけるMTJ素子の検知方向に沿う分量を低減させることで、磁気センサチップ中のMTJ素子をその線形動作範囲内に動作させることを保証し、センサの性能を大きく改善することができる。センサの磁気センサチップにフルブリッジを採用することにより、センサは永久磁石により生じた外部磁場以外の干渉磁場による干渉を受け難くなる。1つの好適的な実施例では、MTJ素子の両側に一対の傾斜した永久磁石を配置し、該傾斜した永久磁石により生じる磁場におけるMTJ素子の検知方向と直交する分量が、MTJ素子にバイアス磁場を提供しており、該バイアス磁場を変えることによってMTJ素子の飽和磁場を調整することができ、これによって高感度のセンサを得ることができ、或いは要求に応じて異なる感度のセンサを実現することができる。1つの好適的な実施例では、MTJ素子の両側に一対の傾斜した永久磁石を配置し、該傾斜した永久磁石により生じる磁場におけるMTJ素子の検知方向に沿う分量が、MTJ素子のネールカップリング磁場を取り消すことができ、これによってMTJ素子の動作ポイントをその線形動作範囲に位置させることを保証し、センサの線形性を改善することができる。他の好適的な実施例では、MTJ素子の磁性自由層上にバイアス層を配置し、該バイアス層は磁性自由層にMTJ素子の検知方向と直交するバイアス磁場を提供することができ、該バイアス磁場を変えることでMTJ素子の飽和磁場を調整することができ、これによって高感度のセンサを得ることができ、或いは要求に応じて異なる感度のセンサを実現することができる。センサは歯車の歯の位置を確定することができ、歯車の歯が欠けた場合であっても、その欠けた歯の位置を確定することができる。センサは歯車の運動速度のみならず、歯車の運動方向も確定することができる。センサは直線歯車だけではなく、円形歯車にも適用される。センサは低コストで大規模の生産の実現に有利である。
理解すべきことは、以上の好適な実施例を用いて本発明の技術思想に対して行った詳細な説明が、例に過ぎず、本発明を限定するものではない。当業者は本発明の明細書を基に各実施例に記載の技術思想に修正し、又はその中の部分的な技術特徴に対して均等に置換することができるが、これらの修正又は置換は対応する技術思想の本質を本発明の各実施例の技術思想の要旨及び範囲を離脱させるものではない。

Claims (7)

  1. 磁気センサチップ(181)及び第1永久磁石(182)を含み、
    前記磁気センサチップ(181)は、複数のブリッジアームを含む少なくとも1つのセンサブリッジを含み、
    該ブリッジの各アームは少なくとも1つのMTJ素子グループ(13,23)を含み、 前記少なくとも1つのMTJ素子グループは複数のMTJ素子グループであり、該複数のMTJ素子グループは直列及び/又は並列に接続されており、
    前記MTJ素子グループは、同じ検知方向を有し、前記検出方向は自由層に平行であり、
    前記各MTJ素子(11)は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層(114)、ピンド層(115)、トンネルバリア層(116)及び磁性自由層(117)を含み、
    前記磁気抵抗ギア歯車センサは、前記磁気センサチップ(181)と前記第1永久磁石(182)との間に配置される凹形状の軟磁性体(184)を更に含み、且つ、前記軟磁性体(184)の開口は前記磁気センサチップ(181)に向けており、
    前記センサチップは、フルブリッジ(16)、ハーフブリッジ(15)又はダブルフルブリッジ(17)を有し
    前記磁気抵抗ギア歯車センサは、さらに、第1の永久磁石とセンサチップとの間に配置され、
    前記磁気抵抗ギア歯車センサは、さらに、外部ハウジング構造を有し
    前記各MTJ素子グループ(13)の両側には一対の第2永久磁石(14)が設けられ、前記MTJ素子グループ(13)のネールカップリング磁場を取り消すため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して傾斜して配置されており、
    前記第2永久磁石(14)の縁部の磁荷によって生じる磁界H mag における第1MTJ素子グループ(13)の検知方向(1171)に沿う分量H off は、以下の式で表される磁気抵抗歯車センサ。
    Figure 0006189426
    ここで、磁界H mag は、2つの永久磁石(14)の隙間位置の磁界であり、θ mag は、永久磁石14の残留磁気M r 141の傾斜角である。
  2. さらに、前記MTJ素子グループ(13)にバイアス磁界を提供するため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して垂直に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗歯車センサ。
  3. 前記MTJ素子グループ(13)のネールカップリング磁場を更に取り消すため、各対の第2永久磁石(14)は対応するMTJ素子グループ(13)の検知方向に対して傾斜して配置されていることを特徴とする請求項に記載の磁気抵抗歯車センサ。
  4. 各MTJ素子(21)は多層膜の構造であり、順次に堆積されるピンニング層(214)、ピンド層(215)、トンネルバリア層(216)、磁性自由層(217)及びバイアス層(218)を含むことを特徴とする請求項に記載の磁気抵抗歯車センサ。
  5. 各MTJ素子(21)は、前記磁性自由層(217)と前記バイアス層(218)との間に設けられる隔離層を更に含むことを特徴とする請求項に記載の磁気抵抗歯車センサ。
  6. 前記磁気抵抗歯車センサは、磁気センサブリッジと電気的に接続される制御回路(183)を更に含み、
    前記制御回路(183)は、前記磁気センサチップ(181)から出力される電圧信号と歯車の歯の位置との対応関係に基づいて、歯の位置を確定することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗歯車センサ。
  7. 前記磁気センサチップ(181)はダブルフルブリッジを含み、前記ダブルフルブリッジの各アームはMTJ素子グループを含み、前記制御回路は前記磁気センサチップから出力される電圧信号に基づいて歯車の運動方向を確定することを特徴とする請求項に記載の磁気抵抗歯車センサ。
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