JP2019082429A - 磁気センサ - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、感度軸方向の磁場のシールド効果を維持しつつ、感度軸方向以外の方向の磁場のシールド効果を高くすることができる磁気センサの提供を目的とする。【解決手段】本発明の磁気センサは、磁気抵抗効果を有し、定められた方向を感度軸方向とする素子部と、前記素子部の近傍に配置され、前記感度軸方向から見た両端側領域以外の領域で前記素子部と向き合う軟磁性体と、を備え、前記両端側領域には、それぞれ前記素子部側に突き出している突起面が形成されている。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、磁気センサに関する。

移動体の位置を検出するためのセンサとして、磁気抵抗効果を有する素子を備えた磁気センサが知られている（特許文献１参照）。磁気センサは、磁石に対して相対移動することで磁石が発生する外部磁場の変化を検出し、更に検出した外部磁場の変化に基づいて移動体の移動量を算出する。

特許文献１には、その図１に示されるように、磁気抵抗効果を発揮する長尺な素子部と、高さ方向から見て素子部の両側かつ素子部の長手方向から見て素子部の上側に配置されている軟磁性体とを備え、前記長手方向を感度軸方向とする磁気センサが開示されている。また、軟磁性体における素子部側の面が平面であることも開示されている。この磁気センサは、軟磁性体における感度軸方向と直交する直交方向の両端部を素子部の両端部よりも延出させ、かつ、両端部の幅寸法を当該両端部を除く軟磁性体の幅寸法よりも大きくしている。

特開２００９−３００１５０号公報

特許文献１によれば、軟磁性体の両端部の幅寸法を前述の構成とすることにより、磁気センサにおける感度軸方向と直交する直交方向への磁気シールド効果を向上させている。
しかしながら、磁気センサには、軟磁性体の形状等を工夫することにより、更に感度軸方向以外の方向への磁気のシールド効果を高くすること（磁場のシールド率を高くすること）が望まれている。

本発明は、感度軸方向の磁場のシールド効果を維持しつつ、感度軸方向以外の方向の磁場のシールド効果を高くすることができる磁気センサの提供を目的とする。

本発明の磁気センサは、磁気抵抗効果を有し、定められた方向を感度軸方向とする素子部と、前記素子部の近傍に配置され、前記感度軸方向から見た両端側領域以外の領域で前記素子部と向き合う軟磁性体と、を備え、前記両端側領域には、それぞれ前記素子部側に突き出している突起面が形成されている。

本発明の磁気センサによれば、感度軸方向の磁場のシールド率を維持しつつ、感度軸方向以外の方向の磁場のシールド率を高くすることができる。

本実施形態の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 図１Ａにおいて１Ｂ−１Ｂ切断線により切断された磁気センサの部分断面図である。 本実施形態の磁気センサの回路構成図である。 本実施形態の磁気センサの要部を構成する素子部の断面図である。 第１変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第２変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 比較形態の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 本実施形態（第１及び第２変形例を含む）の磁気センサと、比較形態の磁気センサとについて、Ｘ軸方向の磁気のシールド率及びＹ軸方向の磁気のシールド率の測定結果をまとめたグラフである。 第３変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第４変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第５変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第６変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第７変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第８変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第９変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。 第１０変形例の磁気センサの要部をＸ軸方向から見た図である。

以下、本実施形態及び変形例（第１〜第１１変形例）について説明する。まず本実施形態並びに第１及び第２変形例（以下、本実施形態等という。）について説明し、次いで他の変形例（第３〜第１１変形例）について説明する。

≪本実施形態等≫
＜構成及び作用＞
本実施形態の磁気センサ１０（図１Ａ〜図１Ｄ参照）は、一例として、磁石を有する移動体（図示省略）の位置を検出するためのセンサ、すなわち、位置センサとされている。磁気センサ１０は、上記磁石に対して相対移動することで磁石が発生する外部磁場の変化を検出し、更に検出した当該変化に基づいて移動体の移動量を算出するようになっている。この場合、本実施形態の磁気センサ１０は、後述するＸ軸（図１Ａ、図１Ｂ等参照）を感度軸として、Ｘ軸方向（定められた方向の一例）からの磁場の変化を検出するようになっている。なお、以下の説明では、後述する素子部２０の上下方向をＺ軸方向（図１Ａ、図１Ｂ等参照）、Ｚ軸方向と直交しかつＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（直交方向の一例、図１Ａ、図１Ｂ等参照）とする。
ここで、磁気センサ１０は、例えば、携帯情報端末向けカメラのオートフォーカス機構又は光学式手振れ補正機構を構成するレンズ位置検知機構その他の機構に用いられる。

磁気センサ１０は、素子部２０と、シールド３０（軟磁性体の一例）とで構成される磁気抵抗効果素子部１００を備えている（図１Ａ〜図１Ｃ参照）。
また、磁気センサ１０は、図１Ｃに示されるように、複数の磁気抵抗効果素子部１００がブリッジ接続されているセンサ部２００と、センサ部２００と電気接続された入力端子３１０、グランド端子３２０、外部出力端子３３０、３４０等を有する集積回路３００とを備えている。

〔素子部〕
本実施形態の素子部２０は、一例として、長尺とされ、後述する磁気抵抗効果を有する構成とされている。素子部２０は、その長手方向がＸ軸方向に沿った状態で配置されている（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。

素子部２０は、図１Ｄに示されるように、一例として、一般的なスピンバルブ型の膜構成を有している。具体的には、素子部２０は、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層１５１と、外部磁場に対して磁化方向が固定されたピンド層１５３と、フリー層１５１とピンド層１５３との間に位置し、フリー層１５１及びピンド層１５３に接するスペーサ層１５２と、スペーサ層１５２の反対側でピンド層１５３に隣接する反強磁性層１５４と、を有している。フリー層１５１、スペーサ層１５２、ピンド層１５３及び反強磁性層１５４は、基板（図示省略）上に積層されている。反強磁性層１５４は、ピンド層１５３との交換結合によってピンド層１５３の磁化方向を固定している。ピンド層１５３は、非磁性中間層を挟んで２つの強磁性層が設けられたシンセティック構造を有していてもよい。スペーサ層１５２は、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性絶縁体からなるトンネルバリア層とされている。以上より、本実施形態の素子部２０は、トンネル磁気抵抗効果を有するトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）とされている。なお、ＴＭＲ素子は、例えば、ＧＭＲ素子に比べて、ＭＲ変化率が大きく、ブリッジ回路の出力電圧を大きくすることができる。

〔シールド〕
本実施形態のシールド３０は、一例としてＹ軸方向から作用する磁場を吸収する機能を有する。その結果、シールド３０は、素子部２０が検知するＹ軸方向からの磁場の感度を低減させる機能を有する。シールド３０は、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉＢ、ＣｏＺｒＮｂ等で形成されている。

シールド３０は、図１Ａに示されるように、本体部３２と、一対の突起３４とを有している。本体部３２は、一例として、直方体とされ、Ｙ軸方向に沿った状態で、素子部２０の近傍かつ素子部２０の上側に配置されている（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。
本体部３２は、図１Ａに示されるように（すなわち、Ｘ軸方向から見ると）、Ｙ軸方向の両端側領域以外の領域（中央側領域）で素子部２０と向き合っている。また、本体部３２は、図１Ｂに示されるように（すなわち、Ｙ軸方向から見ると）、Ｘ軸方向の中央側領域で素子部２０と向き合っている。

各突起３４は、一例として、直方体とされ、Ｘ軸方向に沿って配置されている。具体的には、各突起３４は、図１Ａに示されるように、本体部３２の長手方向（Ｙ軸方向）の両端部で本体部３２から下側に突き出しているように配置されている。別の見方をすると、各突起３４は、Ｘ軸方向から見ると、本体部３２の両端側領域における下面３２Ａ（シールド３０における素子部２０側を向く面の一例）に配置されている。以上より、シールド３０の両端側領域には、素子部２０側に突き出している一対の突起面３２Ｂが形成されている。別の見方をすると、シールド３０の両端側領域における素子部２０側の各面（各突起面３２Ｂ）は、素子部２０とシールド３０とが向き合う方向（Ｚ軸方向）において、それぞれ両端側領域以外の領域における素子部２０側の面（下面３２Ａにおける素子部２０に向く合う部分）よりも素子部２０側に位置している。また、一対の突起３４は、図１Ａに示されるように、Ｙ軸方向において、素子部２０を挟むように配置されている（それぞれ素子部２０の幅方向外側に配置されている）。ここで、本明細書では、各突起３４をシールド３０における突起面３２Ｂが形成されている部分という。なお、本実施形態の各突起３４は、素子部２０よりも上側に配置されている。すなわち、各突起３４の下面３２Ａからの出っ張り量（高さ）は、下面３２Ａから素子部２０までの離間距離よりも小さい（短い）。

＜第１及び第２変形例＞
次いで、第１及び第２変形例の構成及び作用について、それぞれ図１Ｅ及び図１Ｆを参照しつつ説明する。以下の説明では、各変形例で本実施形態と同じ要素を用いる場合、本実施形態と同じ名称及び符号を用いて行う。

第１変形例の磁気センサ１０Ａ（図１Ｅ）における下面３２Ａからの各突起３４Ａの出っ張り量（突出量）は、本実施形態の磁気センサ１０（図１Ａ参照）における下面３２Ａからの各突起３４の出っ張り量よりも大きい。別の見方をすると、第１変形例における下面３２Ａと各突起面３２Ｂとの離間距離（Ｚ軸方向の距離）は、本実施形態における下面３２Ａと各突起面３２Ｂとの離間距離よりも大きい。ただし、本変形例の場合、本実施形態の場合と同様に、各突起３４Ａは素子部２０よりも上側に配置されている。本変形例の磁気センサ１０Ａは、上記の点以外、本実施形態の磁気センサ１０と同様とされている。

第２変形例の磁気センサ１０Ｂ（図１Ｆ）は、本実施形態の磁気センサ１０（図１Ａ参照）に比べて、各突起３４Ｂの下面３２Ａからの出っ張り量が大きい。そして、本変形例の場合、本実施形態の場合と異なり、各突起３４Ｂの先端（Ｚ軸方向において下面３２Ａ側と反対側の端部）は素子部２０よりも下側に位置している。すなわち、本変形例の磁気センサ１０Ｂは、Ｙ軸方向から見て、素子部２０とオーバーラップする位置まで突き出している。本変形例の磁気センサ１０Ｂは、上記の点以外、本実施形態の磁気センサ１０と同様とされている。

以上が、本実施形態並びに第１及び第２変形例の構成及び作用についての説明である。

＜効果＞
次に、本実施形態等の効果（第１及び第２の効果）について図面を参照しながら説明する。以下、必要に応じて本実施形態等（図１Ａ〜図１Ｆ参照）を比較形態（図２参照）と比較して行う。なお、比較形態で本実施形態と同じ要素を用いる場合、本実施形態と同じ名称及び符号を用いて行う。

〔第１の効果〕
第１の効果は、両端側領域以外の領域（中央領域）で素子部２０と向き合うシールド３０の両端側領域にそれぞれ素子部２０側に突起する突起３４が形成されていることの効果である。別言すれば、第１の効果は、シールド３０の両端側領域にそれぞれ素子部２０側に突起する突起面３２Ｂが形成されていることの効果である。本効果については、本実施形態等を比較形態と比較して説明する。

比較形態の磁気センサ１０Ｃ（図２参照）は、シールド３０Ｃが突起３４を有していない点（別言すれば、シールド３０Ｃが本実施形態の本体部３２のみで構成されている点）で、本実施形態の磁気センサ１０と異なる。比較形態の磁気センサ１０Ｃは、上記の点以外は本実施形態の磁気センサ１０と同様の構成とされている。

ここで、図３のグラフは、本実施形態等の磁気センサ１０、１０Ａ、１０Ｂ及び比較形態の磁気センサ１０Ｃに対し任意の方向に磁場を印加した場合に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の磁場のシールド率（磁場の減衰率）の測定結果をまとめたグラフである。図３のグラフの横軸（Shielding factor Y(％)）はＹ軸方向の磁場のシールド率（以下、Ｙ磁場シールド率という。）を意味し、縦軸（Shielding factor X(％)）はＸ軸方向の磁場のシールド率（以下、Ｘ磁場シールド率という。）を意味する。

また、シールド率（％）は、以下のように定義される。
シールド率＝(素子部２０に印加される磁場（ｍＴ）/外部磁場（ｍＴ）)×１００

ここで、Ｘ磁場シールド率は、感度軸方向における磁場のシールド率の一例である。また、Ｙ磁場シールド率は、本体部３２（シールド３０）の両端側領域の各領域が並ぶ方向（Ｙ軸方向）における磁場のシールド率の一例である。

なお、何れの磁気センサ１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの場合もＸ軸方向の磁場を（正確に）検出しつつＹ軸方向の磁場を（できる限り）検出しないことが望ましいことから、図３のグラフではＹ磁場シールド率がより高くかつＸ磁場シールド率がより低いことが望ましいといえる。

比較形態の場合、Ｘ磁場シールド率が約２０％、Ｙ磁場シールド率が約５７％であった。これに対して、本実施形態の場合、Ｘ磁場シールド率が約２０％、Ｙ磁場シールド率が約６２％であった。第１変形例の場合、Ｘ磁場シールド率が約２１％、Ｙ磁場シールド率が約６７％であった。第２変形例の場合、Ｘ磁場シールド率が約２１％、Ｙ磁場シールド率が約７３％であった。
以上の結果より、本実施形態等は、比較形態に対して、Ｘ磁場シールド率をほぼ同等のまま、Ｙ磁場シールド率を高くすることができていた。すなわち、本実施形態等は、比較形態に比べて、Ｘ磁場シールド率を維持しつつ、Ｙ磁場シールド率を高くすることができていた。そして、本実施形態と、第１変形例と、第２変形例とを比較すると、Ｘ磁場シールド率はほぼ同等であったが、突起３４、３４Ａ、３４Ｂの出っ張り量が大きいほどＹ磁場シールド率が高くなっていた。

このように、本実施形態等のＹ磁場シールド率が比較形態のＹ磁場シールド率よりも高くなっていた理由は、以下のとおりと考えられる。すなわち、本実施形態等のシールド３０、３０Ａ、３０Ｂ（それぞれ、図１Ａ、図１Ｅ及び図１Ｆ参照）は、（本実施形態等の本体部３２のみで構成されている）比較形態のシールド３０Ｃ（図２参照）と異なり、素子部２０側に突き出している突起３４、３４Ａ、３４Ｂを有している。別言すると、シールド３０、３０Ａ、３０Ｂには、素子部２０側に突き出している突起面３２Ｂが形成されている（図１Ａ、図１Ｅ及び図１Ｆ参照）。そして、本実施形態等の場合、Ｙ軸方向から作用する磁場は、本体部３２のみならず、一対の突起３４、３４Ａ、３４Ｂによっても吸収される。そのため、図３のような測定結果になったと考えられる。

したがって、本実施形態等の磁気センサ１０、１０Ａ、１０Ｂによれば、比較形態の磁気センサ１０Ｃに比べて、Ｘ磁場シールド効果を維持しつつ、Ｙ磁場シールド効果を高くすることができる。

なお、図３の測定結果から以下のことが分かった。
（１つ目）
比較形態の場合のＹ磁場シールド率は６０％未満であったが、本実施形態、第１実施例及び第２実施例の場合のＹ磁場シールド率は６０％よりも大きかった。すなわち、本実施形態、第１実施例及び第２実施例の場合、シールド３０における両端側にそれぞれ素子部２０側に突き出している突起面３２Ｂを形成することで（シールド３０の両端側に突起３４、３４Ａ、３４Ｂを設けることで）、Ｙ磁場シールド率を６０％未満から６０％よりも大きくすることができると考えられる。
（２つ目）
比較形態の場合、Ｘ磁場シールド率に対するＹ磁場シールド率は３倍未満であったが、本実施形態、第１実施例及び第２実施例の場合のＸ磁場シールド率に対するＹ磁場シールド率は３倍よりも大きかった。すなわち、本実施形態、第１実施例及び第２実施例の場合、シールド３０における両端側にそれぞれ素子部２０側に突き出している突起面３２Ｂを形成することで（シールド３０の両端側に突起３４、３４Ａ、３４Ｂを設けることで）、Ｘ磁場シールド率に対するＹ磁場シールド率を３倍よりも大きくすることができると考えられる。

〔第２の効果〕
第２の効果は、第２変形例の磁気センサ１０Ｂのように、一対の突起３４ＢがＹ軸方向から見て素子部２０とオーバーラップする位置まで突き出していることの効果である。本効果については、図３のグラフを参照しつつ第２変形例を本実施形態及び第１変形例と比較して説明する。

前述のとおり（図３のグラフのとおり）、本実施形態と、第１変形例と、第２変形例とは、Ｘ磁場シールド率はほぼ同等であったが、突起３４、３４Ａ、３４Ｂの出っ張り量が大きいほどＹ磁場シールド率が高くなっていた。
このように、突起３４、３４Ａ、３４Ｂの出っ張り量が大きいほどＹ磁場シールド率が高くなっていた理由は、以下のとおりと考えられる。すなわち、Ｙ軸方向から作用する磁場は、本体部３２と一対の突起３４、３４Ａ、３４Ｂとによって吸収されることは前述のとおりであるが、各突起３４、３４Ａ、３４Ｂは、その出っ張り量が大きいほどＹ軸方向の磁束に当たり易くなることに伴い、Ｙ軸方向の磁場のシールド率が高くなる。そのため、図３のような測定結果になったと考えられる。

以上より、第２変形例の磁気センサ１０Ｂによれば、一対の突起３４ＢがＹ軸方向から見て素子部２０とオーバーラップする位置まで突き出していない形態に比べて、Ｘ磁場シールド効果を維持しつつ、Ｙ磁場シールド効果を高くすることができる。

以上が本実施形態等の磁気センサ１０、１０Ａ、１０Ｂの効果についての説明である。また、以上が本実施形態等についての説明である。

≪変形例（第３〜第１０変形例等）≫
以上のとおり、本発明について本実施形態等を例として説明したが、本発明は前述した実施形態等に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような変形例も含まれる。

例えば、本実施形態の説明では、素子部２０は、その長手方向がＸ軸方向に沿った状態で配置されている（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。しかしながら、感度軸方向がＸ軸方向であれば、素子部２０はその長手方向がＸ軸方向以外の方向に沿った状態で配置されていてもよい。例えば、素子部２０は、その長手方向がＹ軸方向に沿った状態で配置されていてもよい。

本実施形態の説明では、シールド３０を構成する本体部３２は一例として直方体とされているとした（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。しかしながら、Ｙ軸方向で素子部２０を挟むようにシールド３０の両端側に一対の突起（又は突起面）が形成されていれば、本体部３２の形状は直方体でなくてもよい。例えば、図４Ａの第３変形例の磁気センサ１０Ｄのように、本体部３２の上面の両端側にそれぞれ凹み３６が形成されていてもよい。

本実施形態の説明では、各突起３４は一例として直方体とされ、Ｙ軸方向に沿った状態で素子部２０の上側に配置されているとした（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。しかしながら、Ｙ軸方向で素子部２０を挟むようにシールド３０の両端側に一対の突起（又は突起面）が形成されていれば、各突起３４の形状は直方体でなくてもよい。例えば、図４Ｂの第４変形例の磁気センサ１０Ｅのように、各突起３４Ｅは、Ｘ軸方向から見て三角形状であってもよい。また、図４Ｃの第５変形例の磁気センサ１０Ｆのように、各突起３４Ｆは、Ｘ軸方向から見て図４Ｂの場合と異なる三角形状であってもよい。

本実施形態の説明では、各突起３４は一例として直方体とされている、すなわち、各突起３４は同じ形状であるとした（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。しかしながら、Ｙ軸方向で素子部２０を挟むようにシールド３０の両端側にそれぞれ突起（又は突起面）が形成されていれば、各突起３４は同じ形状でなくてもよい。例えば、図４Ｄの第６変形例の磁気センサ１０Ｇのように、各突起３４Ｇは、異なる形状であってもよい。

本実施形態及び前述の各変形例（第１〜第６変形例）の説明では、Ｘ軸方向から見たシールド３０の両端側に一対の突起（突起３４、３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｅ、３４Ｆ、３４Ｇ参照）が形成されているとした（図１Ａ、図１Ｅ、図１Ｆ、図４Ａ〜図４Ｄ参照）。そして、Ｘ軸方向から見た各突起は、三角形状、四角形状等の角を有する形状とした。しかしながら、Ｙ軸方向で素子部２０を挟むようにシールド３０の両端側に一対の突起が形成されていれば、Ｘ軸方向から見た突起は、半円形状、半楕円形状、Ｕ字形状その他の角のない形状であってもよい（図示省略）。

本実施形態では、シールド３０は、素子部２０の近傍かつ素子部２０の上側に配置されているとし（図１Ａ及び図１Ｂ参照）、素子部２０の下側の構成については特に説明していなかった。しかしながら、例えば、図４Ｅの第７変形例の磁気センサ１０Ｈのように、素子部２０の近傍かつ素子部２０の下側（素子部２０を挟んでシールド３０の反対側）にシールド４０（他の軟磁性体の一例）を配置してもよい。本変形例の場合、シールド４０を備えている分、Ｙ磁場シールド率が高くなるといえる。
さらに、図４Ｆの第８変形例の磁気センサ１０Ｉのように、第７変形例の磁気センサ１０Ｈのシールド４０を更に変形させて、シールド４０における素子部２０側に向く面（の両端側の部分）に一対の突起４２（他の突起の一例）を設けてもよい。本変形例の場合、一対の突起４２の分、（第７変形例の磁気センサ１０Ｈよりも）Ｙ磁場シールド率が高くなるといえる。なお、この場合、各突起４２（各突起面４２Ｂ）は、Ｚ軸方向においてシールド３０の各突起面３２Ｂが形成されている位置に位置するようにしてもよい。

本実施形態の説明では、各突起３４が本体部３２の下面３２Ａ上に配置されていることで、シールド３０には素子部２０側に突起する各突起面３２Ｂが形成されているとした（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。しかしながら、シールド３０における素子部２０側を向く面（の両端側の部分）に素子部２０側に突き出している突起面３２Ｂが形成されていれば、シールド３０に一対の突起３４がなくてもよい。例えば、図４Ｇの第９変形例の磁気センサ１０Ｊのように、Ｘ軸方向から見たシールド３０Ｊ（軟磁性体の他の一例）が素子部２０側に向く面が凹んでいる湾曲部材とされることで、Ｘ軸方向から見たシールド３０Ｊの両端側にそれぞれ突起面３２Ｂが形成されていてもよい。

図４Ｈの第１０変形例の磁気センサ１０Ｋのように、素子部２０を挟んでシールド３０Ｊの反対側にシールド３０Ｊと同じような湾曲部材とされ、素子部２０側に向かって凹んでいるシールド４０Ｊ（その一対の突起面を突起面４２Ｊという。）を配置してもよい。本変形例の場合、第１の効果に加え、第７変形例（図４Ｅ参照）及び第９変形例（図４Ｇ参照）の各効果を奏するといえる。

本実施形態等では、素子部２０を構成するスペーサ層をトンネルバリア層とし、素子部２０をＴＭＲ素子であるとして説明した。しかしながら、素子部２０を構成するスペーサ層をＣｕなどの非磁性金属からなる非磁性導電層とし、素子部２０を巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）としてもよい。また、素子部２０を異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ素子）としてもよい。

なお、本実施形態及び第１〜第１０変形例のうちの一形態に他の形態の要素（又は思想）を組み合せた形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、第９変形例（図４Ｇ参照）に第２変形例（図１Ｆ参照）思想を組み合せてもよい。具体的には、第９変形例の磁気センサ１０Ｊのシールド３０Ｊの突起面３２ＢがＹ軸方向から見て素子部２０とオーバーラップするように変形させてもよい。この組み合せの場合、第１の効果に加え、第２の効果及び前述の第９変形例の効果を奏するといえる。
また、例えば、第８変形例（図４Ｆ参照）の磁気センサ１０Ｉのシールド３０及びシールド４０の何れか一方又は両方を、図４Ｄの第６変形例の磁気センサ１０Ｇのシールド３０に換えてもよい。

また、本実施形態の磁気センサ１０は、一例として、位置センサであるとして説明した。しかしながら、Ｘ軸方向に印加される磁場を検出する構成であれば、本実施形態の磁気センサ１０は位置センサでなくてもよい。例えば、磁気センサ１０は、地磁気センサ、角度センサ、エンコーダその他のセンサであってもよい。

１０ 磁気センサ
１０Ａ 磁気センサ
１０Ｂ 磁気センサ
１０Ｄ 磁気センサ
１０Ｅ 磁気センサ
１０Ｆ 磁気センサ
１０Ｇ 磁気センサ
１０Ｈ 磁気センサ
１０Ｉ 磁気センサ
１０Ｊ 磁気センサ
１０Ｋ 磁気センサ
２０ 素子部
３０ シールド（軟磁性体の一例）
３０Ｃ シールド（軟磁性体の一例）
３０Ｊ シールド（軟磁性体の一例）
３２ 本体部
３２Ａ 下面
３２Ｂ 突起面
３４ 突起
３４Ａ 突起
３４Ｂ 突起
３４Ｅ 突起
３４Ｆ 突起
３４Ｇ 突起
４０ シールド（他の軟磁性体の一例）
４０Ｊ シールド（他の軟磁性体の一例）
４２ 突起
４２Ｂ 突起面
４２Ｊ 突起面
１００ 磁気抵抗効果素子部
１５１ フリー層
１５２ スペーサ層
１５３ ピンド層
１５４ 反強磁性層
２００ センサ部
３１０ 入力端子
３００ 集積回路
３２０ グランド端子
３３０ 外部出力端子
３４０ 外部出力端子

Claims (11)

1. 磁気抵抗効果を有し、定められた方向を感度軸方向とする素子部と、
   前記素子部の近傍に配置され、前記感度軸方向から見た両端側領域以外の領域で前記素子部と向き合う軟磁性体と、
   を備え、
   前記両端側領域には、それぞれ前記素子部側に突き出している突起面が形成されている、
   磁気センサ。
2. 磁気抵抗効果を有し、定められた方向を感度軸方向とする素子部と、
   前記素子部の近傍に配置され、前記感度軸方向から見た両端側領域以外の領域で前記素子部と向き合う軟磁性体と、
   を備え、
   前記両端側領域における前記素子部側の各面は、前記素子部と前記軟磁性体とが向き合う方向において、それぞれ前記両端側領域以外の領域における前記素子部側の面よりも前記素子部側に位置している、
   磁気センサ。
3. 前記軟磁性体における前記突起面が形成されている部分は、前記素子部と前記軟磁性体とが向き合う方向と直交しかつ前記感度軸方向と直交する直交方向から見て、前記素子部とオーバーラップする位置まで突き出している、
   請求項１又は２に記載の磁気センサ。
4. 前記軟磁性体は、前記感度軸方向から見て前記素子部側に向く面が凹んでいる湾曲部材とされ、
   前記感度軸方向から見た前記湾曲部材の両端側には、それぞれ前記突起面が形成されている、
   請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気センサ。
5. 前記素子部の近傍であって、前記素子部を挟んで前記軟磁性体の反対側に配置されている他の軟磁性体をさらに備えた、
   請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気センサ。
6. 前記他の軟磁性体は、前記感度軸方向から見た両端側領域以外の領域で前記素子部と向き合っており、
   前記他の軟磁性体における前記両端側領域には、それぞれ前記素子部側に突き出している他の突起面が形成されている、
   請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気センサ。
7. 前記他の突起面は、前記直交方向における、前記突起面が形成されている位置に位置している、
   請求項６に記載の磁気センサ。
8. 前記両端側領域にそれぞれ前記突起面が形成されていることにより、前記両端側領域の各領域が並ぶ方向における磁場のシールド率を６０％よりも大きくする、
   請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気センサ。
9. 前記両端側領域にそれぞれ前記突起面が形成されていることにより、前記感度軸方向における磁場のシールド率に対する前記両端側領域の各領域が並ぶ方向における磁場のシールド率を３倍よりも大きくする、
   請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気センサ。
10. 前記素子部は、トンネル磁気抵抗効果を有する、
    請求項１〜９の何れか１項に記載の磁気センサ。
11. 前記素子部は、巨大磁気抵抗効果を有する、
    請求項１〜９の何れか１項に記載の磁気センサ。

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