CN216956325U - 磁传感器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及磁传感器。本公开的课题在于抑制制造工序的增加并且抑制检测对象的位置的检测精度的下降。在本公开的磁传感器中，多个磁阻图案部(131～134)分别包括相互串联连接的第1电阻部(1311、1321、1331、1341)和第2电阻部(1312、1322、1332、1342)。多个第1电阻部和多个第2电阻部中的在第1方向(D1)上位于两端的两个电阻部(1311、1341)中的一个将第1布线图案部(135)的第1布线部(1351)和第2布线部(1352)连接。两个电阻部(1311、1341)中的剩余的一个将第2布线图案部(136)的第1布线部(1361)和第2布线部(1362)连接。

Description

磁传感器
技术领域
本公开一般而言涉及磁传感器，更详细而言，涉及具有多个磁阻图案部的磁传感器。
背景技术
在专利文献1中记载了一种磁传感器，其具备在挠性基材形成有磁检测部、薄膜导体(布线图案部)以及电极端子(电源端子、接地端子)而成的挠性组装体。
磁检测部具有沿着磁介质(检测对象)的移动方向(第1方向)排列的四个图案(磁阻图案部)。作为薄膜导体的一部分的延伸设置部沿着与上述移动方向交叉的方向(第2方向)向四个图案中的位于上述移动方向的两端的两个图案的外侧延伸。
在专利文献2(日本特开2001-141514号公报)中记载了一种具有多个双重曲折感磁图案单元(磁阻图案部)的磁阻元件(磁传感器)。
多个双重曲折感磁图案单元分别包括多个主感磁部和多个副感磁部。在多个双重曲折感磁图案单元的每一个中，多个主感磁部分别沿着磁体(检测对象)相对于磁阻元件的移动方向即第1方向形成。多个主感磁部沿着与第1方向正交的第2方向排列。多个副感磁部分别沿着第2方向形成。多个副感磁部将多个主感磁部中的相邻的两个主感磁部的第1方向上的第1端部彼此或第2端部彼此交替地连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-227134号公报
专利文献2：日本特开2001-141514号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在磁传感器中，例如在由与四个图案相同的材料形成薄膜导体的情况下，在磁介质沿着上述移动方向移动时，薄膜导体的延伸设置部的电阻值也发生变化，因此存在磁介质的位置的检测精度下降这样的问题。
另外，在为了抑制磁介质的位置的检测精度的下降而由与四个图案不同的没有磁阻效应的材料形成薄膜导体的情况下，需要形成四个图案的工序和形成薄膜导体的工序，存在制造工序增加这样的问题。
本公开的目的在于提供一种能够抑制制造工序的增加并且能够抑制检测对象的位置的检测精度的下降的磁传感器。
用于解决问题的方案
本公开的一方式的磁传感器为基于检测对象沿着第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化来对所述检测对象的位置进行检测的磁传感器。所述磁传感器具有多个磁阻图案部、第1布线图案部以及第2布线图案部。所述多个磁阻图案部构成电桥电路。所述第1布线图案部与电源端子连接。所述第2布线图案部与接地端子连接。所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别由与所述多个磁阻图案部相同的材料形成。所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向配置。所述多个磁阻图案部分别包括相互串联连接的第1电阻部和第2电阻部。所述多个磁阻图案部的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成。所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别包括在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的两侧的第1布线部和第2布线部。所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部中的在所述第1方向上位于两端的两个电阻部中的一个将所述第1布线图案部的所述第1布线部和所述第2布线部连接。所述两个电阻部中的剩余的一个将所述第2布线图案部的所述第1布线部和所述第2布线部连接。
更优选的是，所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部分别沿着所述第1方向排列，在所述多个磁阻图案部的每一个中，所述第1电阻部的所述第1方向上的外缘形成为沿着以所述第1电阻部的所述第2方向上的中心线上的点为中心的圆弧的形状，所述第2电阻部的所述第1方向上的外缘形成为沿着以所述第2电阻部的所述第2方向上的中心线上的点为中心的圆弧的形状。
更优选的是，所述检测对象在所述第1方向上以预定的磁化周期被磁化，所述多个磁阻图案部的每一个的所述第1电阻部的所述圆弧的半径和所述第2电阻部的所述圆弧的半径为所述磁化周期的70％以下。
更优选的是，所述半径为所述磁化周期的30％以上。
更优选的是，在所述多个磁阻图案部的每一个中，所述第1电阻部和所述第2电阻部在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/2的距离地配置。
更优选的是，在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部分别形成为曲折形状。
更优选的是，在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部中的至少内侧的电阻部形成为同一形状。
更优选的是，在所述磁传感器中，作为所述多个磁阻图案部，具有四个磁阻图案部，所述电桥电路为由所述四个磁阻图案部构成的全桥电路。
更优选的是，所述磁传感器还具有：与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及与第2输出端子连接的第4布线图案部，所述第3布线图案部与所述四个磁阻图案部中的相互串联连接的两个磁阻图案部的连接点连接，所述第4布线图案部与所述四个磁阻图案部中的与所述两个磁阻图案部不同的剩余的两个磁阻图案部的连接点连接。
更优选的是，所述磁传感器还具有：与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及与第2输出端子连接的第4布线图案部，所述四个磁阻图案部包括：相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，所述第1布线图案部与所述第1磁阻图案部的和所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第3磁阻图案部的和所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，所述第2布线图案部与所述第2磁阻图案部的和所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第4磁阻图案部的和所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
实用新型的效果
根据本公开的一方式的磁传感器，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象的位置的检测精度的下降。
附图说明
图1是实施方式1的磁传感器的外观立体图。
图2涉及同上的磁传感器，是图1的X-X线剖视图。
图3是同上的磁传感器的概略电路图。
图4是表示同上的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的图。
图5是同上的磁传感器的检测对象的概略结构图。
图6是表示实施方式2的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的图。
图7是表示实施方式2的变形例1的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的图。
图8是表示实施方式2的变形例2的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的图。
附图标记说明
1、磁传感器；2、检测对象；21、电源端子；22、接地端子；23、第1输出端子；24、第2输出端子；101～106、第1电阻部的外缘；201～206、第2电阻部的外缘；131、第1磁阻图案部(磁阻图案部)；132、第2磁阻图案部(磁阻图案部)；133、第3磁阻图案部(磁阻图案部)；134、第4磁阻图案部(磁阻图案部)；135、第1布线图案部；136、第2布线图案部；137、第3布线图案部；138、第4布线图案部；1311、1321、1331、1341、第1电阻部；1312、1322、1332、1342、第2电阻部；1351、1361、第1布线部；1352、1362、第2布线部；a1、a11～a16、圆弧；a2、a21～a26、圆弧；Ax2、中心线；D1、第1方向；D2、第2方向；D3、第3方向；P1、P2、连接点；L1、距离；P5、P51～P56、点；P6、P61～P66、点；r1、r11～r16、半径；r2、r21～r26、半径；λ、磁化周期。
具体实施方式
以下，参照图1～图8说明实施方式1、2的磁传感器1。在以下的实施方式1、2等中参照的图1、图2、图4以及图5～图8均是示意性的图，图中的各结构要素的大小、厚度各自的比值未必反映实际的尺寸比。
(实施方式1)
(1)概要
首先，参照图1～图4说明实施方式1的磁传感器1的概要。
磁传感器1利用磁来对检测对象2(参照图5)的位置进行检测。磁传感器1例如用作线性编码器或旋转编码器等位置传感器。具体而言，磁传感器1用作例如用于对由马达(线性马达或旋转马达)驱动的照相机的镜头等的位置进行检测的位置传感器(编码器)。另外，磁传感器1也用作例如用于对汽车的制动踏板、制动杆或变速杆的位置进行检测的位置传感器。但是，磁传感器1的用途并不限于上述的用途。另外，由磁传感器1检测的“位置”是包括检测对象2的坐标和以穿过检测对象2的旋转轴线(假想轴线)为中心的检测对象2的旋转角(检测对象2的朝向)这两者的概念。即，磁传感器1对检测对象2的坐标和检测对象2的旋转角中的至少一者进行检测。
以下，以将磁传感器1用作线性编码器的情况为例进行说明。线性编码器既可以是增量型，也可以是绝对型。在本实施方式中，磁传感器1对检测对象2的坐标进行检测。
简而言之，实施方式1的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135以及第2布线图案部136。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。
第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1配置。多个磁阻图案部131～134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。
第1布线图案部135和第2布线图案部136分别包括在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的两侧的第1布线部1351、1361和第2布线部1352、1362。多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的在第1方向D1上位于两端的两个电阻部1311、1341中的一个将第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352连接。两个电阻部1311、1341中的剩余的一个将第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362连接。在本公开中，“沿着第1方向或第2方向”不仅包括与第1方向或第2方向平行的情况，还包括相对于第1方向或第2方向以预定角度(例如5度)倾斜的情况。
在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在第1方向D1上位于两端的两个电阻部1311、1341中的一个将第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352连接，剩余的一个将第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362连接。由此，能够使检测对象2沿着第1方向D1移动时所产生的第1布线图案部135和第2布线图案部136的电阻值的变动较小，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。由此，能够由相同的制造工序形成第1布线图案部135和第2布线图案部136以及多个磁阻图案部131～134，其结果是，能够抑制制造工序的增加。这样，根据实施方式1的磁传感器1，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(2)详细说明
接下来，参照图1～图5对实施方式1的磁传感器1进行详细说明。
(2.1)磁传感器的构造
首先，参照图1和图2来说明实施方式1的磁传感器1的构造。
如图1和图2所示，实施方式1的磁传感器1形成为在第1方向D1上较长的长方体状。以下，将磁传感器1的长度方向设为第1方向D1，将磁传感器1的宽度方向(短边方向)设为第2方向D2，将磁传感器1的厚度方向设为第3方向D3，以此进行说明，但这些方向并不是对使用磁传感器1时的方向进行限定的意思。另外，附图中的表示“D1”、“D2”“D3”的箭头只是为了用于进行说明而标记的，均没有实体。在实施方式1中，第1方向D1为磁传感器1相对于检测对象2移动的方向。在实施方式1中，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3彼此正交。
如图1和图2所示，实施方式1的磁传感器1具有支承基板11、玻璃釉层12、磁阻层13以及保护膜14。另外，实施方式1的磁传感器1还具有多个(例如四个)上表面电极15、多个(例如四个)端面电极16、多个(例如四个)下表面电极(背面电极)17以及多个(例如四个)镀层18。多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17一对一地对应。
支承基板11例如是陶瓷基板。陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。在从磁传感器1的厚度方向即第3方向D3观察时，支承基板11形成为在磁传感器1的长度方向即第1方向D1上较长的矩形形状。如图2所示，支承基板11具有第1主面111、第2主面112以及外周面113。第1主面111和第2主面112分别为沿着第1方向D1和第2方向D2这两者的平面。第1主面111和第2主面112在第3方向D3上彼此相对。外周面113是沿着第3方向D3的平面。
玻璃釉层12例如以二氧化硅为主要成分。玻璃釉层12形成于支承基板11的第1主面111上。玻璃釉层12遍及支承基板11的第1主面111的整体而形成。在从第3方向D3观察时，玻璃釉层12形成为在第1方向D1上较长的矩形形状。在实施方式1的磁传感器1中，利用玻璃釉层12能够得到供磁阻层13形成的平面的平面平滑性。此外，玻璃釉层12只要至少处于配置有多个磁阻图案部131～134的区域即可。另外，玻璃釉层12也可以含有铅氧化物。
如图2所示，磁阻层13形成于玻璃釉层12上。磁阻层13包括多个第1层和多个第2层。多个第1层分别为磁性层，例如含有NiFeCo合金。多个第2层分别为非磁性层，例如含有Cu合金。多个第1层和多个第2层在玻璃釉层12上交替地层叠。在实施方式1的磁传感器1中，由磁阻层13构成GMR(Giant Magnetic Resistance：巨磁阻)膜。此外，多个第1层的层数和多个第2层的层数既可以相同，也可以不同。在实施方式1的磁传感器1中，在从第3方向D3俯视时，磁阻层13的外缘130位于比支承基板11的外缘110靠内侧的位置。
保护膜14是用于保护磁阻层13的膜。保护膜14的材料例如是环氧树脂。保护膜14在玻璃釉层12上以覆盖磁阻层13的局部的方式形成。在实施方式1的磁传感器1中，后述的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24(参照图3和图4)分别与多个上表面电极15中的某一上表面电极15连接，因此，保护膜14形成为覆盖磁阻层13中的至少除了电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域。
如图1所示，多个上表面电极15形成于支承基板11的第1主面111(参照图2)上。多个上表面电极15的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个上表面电极15包括第1上表面电极151、第2上表面电极152、第3上表面电极153以及第4上表面电极154。多个上表面电极15分别与磁阻层13中的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24中的某一端子连接。更详细而言，多个上表面电极15中的第1上表面电极151与电源端子21连接，第2上表面电极152与接地端子22连接。另外，多个上表面电极15中的第3上表面电极153与第1输出端子23连接，第4上表面电极154与第2输出端子24连接。多个上表面电极15例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个端面电极16形成为，沿着第1方向D1覆盖支承基板11的长度方向的外周面113(参照图2)。多个端面电极16的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个端面电极16包括第1端面电极161、第2端面电极162、第3端面电极163以及第4端面电极164。多个端面电极16如上所述与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，第1端面电极161与第1上表面电极151对应，且与第1上表面电极151连接。第2端面电极162与第2上表面电极152对应，且与第2上表面电极152连接。第3端面电极163与第3上表面电极153对应，且与第3上表面电极153连接。第4端面电极164与第4上表面电极154对应，且与第4上表面电极154连接。多个端面电极16例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个下表面电极17形成于支承基板11的第2主面112(参照图2)上。多个下表面电极17的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个下表面电极17包括第1下表面电极171、第2下表面电极172、第3下表面电极173以及第4下表面电极174。多个下表面电极17如上所述与多个上表面电极15及多个端面电极16一对一地对应。更详细而言，第1下表面电极171与第1上表面电极151及第1端面电极161对应，且与第1端面电极161连接。第2下表面电极172与第2上表面电极152及第2端面电极162对应，且与第2端面电极162连接。第3下表面电极173与第3上表面电极153及第3端面电极163对应，且与第3端面电极163连接。第4下表面电极174与第4上表面电极154及第4端面电极164对应，且与第4端面电极164连接。多个下表面电极17例如是通过溅射形成的溅射膜。
在实施方式1的磁传感器1中，在从第1方向D1观察时，第1上表面电极151、第1端面电极161以及第1下表面电极171形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第2上表面电极152、第2端面电极162以及第2下表面电极172形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第3上表面电极153、第3端面电极163以及第3下表面电极173形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第4上表面电极154、第4端面电极164以及第4下表面电极174形成为字母U字形。
根据实施方式1的磁传感器1，能够利用多个下表面电极17与供磁传感器1安装的安装基板连接。
如图1所示，多个镀层18分别形成为覆盖多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17中的所对应的上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17。即，在从第1方向D1观察时，多个镀层18分别形成为字母U字形。多个镀层18分别包括电解铜镀层和电解锡镀层。如图2所示，多个镀层18分别与保护膜14接触。
(2.2)磁传感器的电路结构
接下来，参照图3说明实施方式1的磁传感器1的电路结构。
如图3所示，实施方式1的磁传感器1具有多个(在图示例中为四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。另外，实施方式1的磁传感器1还具有电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。实施方式1的磁传感器1具有四个磁阻图案部131～134，来作为多个磁阻图案部131～134。四个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134构成全桥电路。即，磁传感器1所具有的电桥电路为由四个磁阻图案部131～134构成的全桥电路。具体而言，第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的串联电路与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的串联电路相互并联连接。即，四个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131与第2磁阻图案部132的连接点P1经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。即，连接于第1输出端子23的第3布线图案部137与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的连接点P1连接。第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部(图3的左端部)经由第1布线图案部135与电源端子21连接。即，第1布线图案部135与电源端子21连接。第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部(图3的右端部)经由第2布线图案部136与接地端子22连接。即，第2布线图案部136与接地端子22连接。
第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的连接点P2经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。即，连接于第2输出端子24的第4布线图案部138与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的连接点P2连接。第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部(图3的左端部)经由第1布线图案部135与电源端子21连接。第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部(图3的右端部)经由第2布线图案部136与接地端子22连接。
即，在实施方式1的磁传感器1中，第1磁阻图案部131和第3磁阻图案部133的连接点P3经由第1布线图案部135与电源端子21连接。简而言之，第1布线图案部135与第1磁阻图案部131的和第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部以及第3磁阻图案部133的和第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部连接。另外，在实施方式1的磁传感器1中，第2磁阻图案部132与第4磁阻图案部134的连接点P4经由第2布线图案部136与接地端子22连接。简而言之，第2布线图案部136与第2磁阻图案部132的和第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部以及第4磁阻图案部134的和第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部连接。
电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，电源端子21与多个上表面电极15中的第1上表面电极151一对一地对应，且与第1上表面电极151连接。另外，接地端子22与多个上表面电极15中的第2上表面电极152一对一地对应，且与第2上表面电极152连接。另外，第1输出端子23与多个上表面电极15中的第3上表面电极153一对一地对应，且与第3上表面电极153连接。另外，第2输出端子24与多个上表面电极15中的第4上表面电极154一对一地对应，且与第4上表面电极154连接。
在实施方式1的磁传感器1中，上述的磁阻层13构成多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24。即，在实施方式1的磁传感器1中，将多个磁阻图案部131～134与四个端子21～24连接的第1布线图案部135～第4布线图案部138由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。简而言之，第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。
(2.3)磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例
接下来，参照图4说明实施方式1的磁传感器1的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置例。在图4中，为了易于识别多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24，对它们实施点阴影。
如图4所示，多个磁阻图案部131～134沿着磁传感器1的长度方向即第1方向D1配置。
如图4所示，第1磁阻图案部131包括第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图4的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1311和第2电阻部1312分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1311和第2电阻部图案部1312各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1311和第2电阻部1312相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1311和第2电阻部1312经由后述的第1布线图案部135的第2布线部1352相互串联连接。
如图4所示，第2磁阻图案部132包括第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1321和第2电阻部1322分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1321和第2电阻部图案部1322各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1321和第2电阻部1322相互串联连接。
如图4所示，第3磁阻图案部133包括第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1331和第2电阻部1332分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1331和第2电阻部图案部1332各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1331和第2电阻部1332相互串联连接。
如图4所示，第4磁阻图案部134包括第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。即，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为沿着第1方向D1和第2方向D2蜿蜒的河流那样的形状。第1电阻部1341和第2电阻部1342分别沿着第2方向D2形成。即，第1电阻部1341和第2电阻部图案部1342各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。第1电阻部1341和第2电阻部1342相互串联连接。更详细而言，第1电阻部1341和第2电阻部1342经由后述的第2布线图案部136的第2布线部1362相互串联连接。
如图4所示，在实施方式1的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。即，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342沿着第1方向D1排列。
在此，在图4所示的例子中，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的内侧的电阻部1321、1331、1312、1322、1332、1342形成为同一形状。在本公开中，“内侧的电阻部”是指在第1方向D1上的两侧配置有其他电阻部的电阻部。即，在图4所示的例子中，第1电阻部1321、1331和第2电阻部1312、1322、1332、1342为内侧的电阻部。另外，在本公开中，“外侧的电阻部”是指在第1方向D1上仅在单侧配置有其他电阻部的电阻部。即，在图4所示的例子中，第1电阻部1311、1341为外侧的电阻部。并且，在本公开中，“同一形状”不仅包括完全相同的形状的情况，还包括形状在与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度上不同的情况。因而，内侧的电阻部1321、1331、1312、1322、1332、1342只要是与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度，则彼此的形状也可以不同。
如图4所示，第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。第1布线部1351和第2布线部1352在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的两侧。在图4所示的例子中，第1布线部1351位于多个磁阻图案部131～134的下侧，第2布线部1352位于多个磁阻图案部131～134的上侧。另外，第1布线部1351与电源端子21连接。第1布线部1351和第2布线部1352经由第1磁阻图案部131的第1电阻部1311彼此连接。
如图4所示，第2布线图案部136包括第1布线部1361和第2布线部1362。第1布线部1361和第2布线部1362在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的两侧。在图4所示的例子中，第1布线部1361位于多个磁阻图案部131～134的上侧，第2布线部1362位于多个磁阻图案部131～134的下侧。另外，第1布线部1361与接地端子22连接。第1布线部1361和第2布线部1362经由第4磁阻图案部134的第1电阻部1341彼此连接。
如图4所示，第3布线图案部137与第1输出端子23连接。如图4所示，第4布线图案部138与第2输出端子24连接。第3布线图案部137和第4布线图案部138在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131～134的两侧。在图4所示的例子中，第3布线图案部137位于多个磁阻图案部131～134的上侧，第4布线图案部138位于多个磁阻图案部131～134的下侧。
在实施方式1的磁传感器1中，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的在第1方向D1上位于两端的两个电阻部1311、1341中的一个即第1电阻部1311将第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352连接。另外，两个电阻部1311、1341中的剩余的一个即第1电阻部1341将第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362连接。
在此，检测对象2例如是磁尺。如图5所示，检测对象2沿着第1方向D1形成为长条的板状。检测对象2在第3方向D3(与图5的纸面垂直的方向)上与磁传感器1相对。检测对象2包括多个磁极。多个磁极沿着第1方向D1配置。多个磁极包括一个以上的N极和一个以上的S极。多个磁极配置为一个以上的S极和一个以上的N极在第1方向D1上交替地排列。各磁极例如是铁氧体磁体或钕磁体。在检测对象2中，多个铁氧体磁体或多个钕磁体沿着第1方向D1配置。如图5所示，检测对象2在第1方向D1上以磁化周期λ被磁化。
在实施方式1中，例如磁传感器1相对于检测对象2沿着第1方向D1移动，由此磁传感器1与检测对象2之间的磁场强度发生变化，通过该磁场强度的变化，使多个磁阻图案部131～134的电阻值发生变动。然后，通过检测第1输出端子23和第2输出端子24的电位，能够检测到检测对象2的位置。此外，磁传感器1和检测对象2只要构成为相对地移动即可，也可以构成为检测对象2相对于磁传感器1移动。
(3)磁传感器的制造方法
接下来，对实施方式1的磁传感器1的制造方法进行说明。
磁传感器1的制造方法具有第1工序～第9工序。
在第1工序中，准备支承基板11。更详细而言，在第1工序中，准备作为多个磁传感器1各自的支承基板11的基础的基板主体。基板主体例如是陶瓷基板。作为基板主体的陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。
在第2工序中，在基板主体的第1主面上形成玻璃釉层12。基板主体的第1主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第1主面111的面。更详细而言，在第2工序中，例如在支承基板11的第1主面111上涂布玻璃浆料之后，进行焙烧，由此形成玻璃釉层12。
在第3工序中，形成多个磁传感器1各自的磁阻层13。更详细而言，在第3工序中，例如通过溅射在玻璃釉层12上形成磁阻层13。在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，由磁阻层13构成GMR膜，交替地形成NiFeCo合金层(第1层)和Cu合金层(第2层)。
在第4工序中，形成保护膜14。更详细而言，在第4工序中，例如以覆盖磁阻层13的局部的方式利用网板印刷在玻璃釉层12上涂布环氧树脂，然后，对环氧树脂加热使之固化，由此形成保护膜14。在此，以至少覆盖除电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域的方式来形成保护膜14。
在第5工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15形成于基板主体的第1主面上。更详细而言，在第5工序中，例如通过溅射在基板主体的第1主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15。
在第6工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17形成于基板主体的第2主面上。更详细而言，在第6工序中，例如通过溅射在基板主体的第2主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17。基板主体的第2主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第2主面112的面。
在第7工序中，将通过第1工序～第6工序而一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。更详细而言，在第7工序中，例如使用激光或切割，将一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。
在第8工序中，相对于被切断为一个一个的磁传感器1来形成多个端面电极16。更详细而言，在第8工序中，例如通过溅射在支承基板11的外周面113上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个端面电极16。由此，多个上表面电极15和多个下表面电极17经由多个端面电极16连接。
在第9工序中，在多个磁传感器1的每一个中形成镀层18。更详细而言，在第9工序中，例如相对于多个磁传感器1的每一个，依次形成用于构成镀层18的Cu镀层和Sn镀层。
通过以上说明的第1工序～第9工序，能够制造实施方式1的磁传感器1。
(4)效果
在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，位于第1方向D1的两端的两个电阻部1311、1341中的一个将第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352连接，剩余的一个将第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362连接。由此，在检测对象2沿着第1方向D1移动时，将上下的布线图案连接的外侧的电阻部1311、1341成为与内侧的电阻部1321、1331、1312、1322、1332、1342同样的电阻值变动量，其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。由此，能够由相同的制造工序形成第1布线图案部135和第2布线图案部136以及多个磁阻图案部131～134，其结果是，能够抑制制造工序的增加。这样，根据实施方式1的磁传感器1，能够抑制制造工序的增加，并且抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
并且，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，多个(四个)磁阻图案部131～134构成全桥电路。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在从第3方向D3观察时，内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342形成为同一形状。由此，能够使内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342的电阻值的变动成为相同的行为，其结果是，能够减小因失真波形导致的误差。
(5)变形例
实施方式1只是本公开的各种实施方式之一。实施方式1只要能够实现本公开的目的，则能够根据设计等进行各种变更。以下列举实施方式1的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合来应用。
在实施方式1中，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342形成为同一形状。与此相对，也可以是，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342全部形成为同一形状。简而言之，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的至少内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342形成为同一形状即可。
多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的形状并不限于曲折形状，也可以是其他形状。
在实施方式1中，各磁阻图案部131～134由两个电阻部构成，但各磁阻图案部131～134例如既可以由一个电阻部构成，也可以由三个以上的电阻部构成。
(实施方式2)
参照图6～图8说明实施方式2的磁传感器。在以下的说明中，对于与实施方式1的磁传感器1相同的结构，标注相同的附图标记并省略说明。
在实施方式2的磁传感器中，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341各自的外缘101、102为圆弧状，且多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的外缘201、202为圆弧状，在这一点上，与实施方式1的磁传感器1不同。
(1)概要
在专利文献2中记载了一种具有多个双重曲折感磁图案单元(磁阻图案部)的磁阻元件(磁传感器)。
多个双重曲折感磁图案单元分别包括多个主感磁部和多个副感磁部。在多个双重曲折感磁图案单元的每一个中，多个主感磁部分别沿着磁体(检测对象)相对于磁阻元件的移动方向即第1方向形成。多个主感磁部沿着与第1方向正交的第2方向排列。多个副感磁部的分别沿着第2方向形成。多个副感磁部将多个主感磁部中的相邻的两个主感磁部的第1方向上的第1端部彼此或第2端部彼此交替地连接。
在专利文献2所记载的磁传感器中，例如在磁阻元件相对于磁体的移动方向变得倾斜的情况下，存在磁体的位置的检测精度下降这样的问题。实施方式2的磁传感器为了解决上述的问题，采用以下的结构。
即，实施方式2的磁传感器是基于检测对象2(参照图3)沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器。如图6所示，磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。
如图6所示，多个磁阻图案部131～134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着第2方向D2形成。第2方向D2为与第1方向D1正交的方向。多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342沿着第1方向D1排列。
在多个磁阻图案部131～134的每一个中，如图6所示，第1电阻部1311～1341的第1方向D1上的外缘101、102形成为沿着圆弧a1的形状，该圆弧a1以第1电阻部1311～1341的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P5为中心。另外，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，如图6所示，第2电阻部1312～1342的第1方向D1上的外缘201、202形成为沿着圆弧a2的形状，该圆弧a2以第2电阻部1312～1342的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P6为中心。
在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311～1341的第1方向D1上的外缘101、102形成为沿着圆弧a1的形状，该圆弧a1以第1电阻部1311～1341的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P5为中心。另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第2电阻部1312～1342的第1方向D1上的外缘201、202形成为沿着圆弧a2的形状，该圆弧a2以第2电阻部1312～1342的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P6为中心。由此，能够消除会对检测对象2的位置变动产生最大影响的角部，例如即使在磁传感器相对于检测对象2变得倾斜的情况下，也能够使位置变动的误差处于最小限度。其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(2)详细说明
以下，参照图6对实施方式2的磁传感器进行详细说明。
(2.1)磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例
首先，参照图6说明实施方式2的磁传感器的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置例。在图6中，为了易于识别多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24，对它们实施点阴影。另外，在图6中，对后述的第1连接图案部139～第4连接图案部142也实施点阴影。
此外，在实施方式2的磁传感器中，与实施方式1的磁传感器1相比，只是多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的外缘形状不同，多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置是相同的，因此，在此省略说明。
在实施方式2的磁传感器中，如图6所示，在第1磁阻图案部131中，第1电阻部1311和第2电阻部1312在第1方向D1上隔开检测对象2的磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。距离L1为第1电阻部1311的第1方向D1上的中心线Ax11与第2电阻部1312的第1方向D1上的中心线Ax12之间的距离。即，距离L1为连接第1电阻部1311的中心点和第2电阻部1312的中心点的线段的长度。在此，第1电阻部1311的中心点为第1电阻部1311的第1方向D1上的中心线Ax11与第1电阻部1311的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。另外，第2电阻部1312的中心点为第2电阻部1312的第1方向D1上的中心线Ax12与第2电阻部1312的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。
同样地，在第2磁阻图案部132中，第1电阻部1321和第2电阻部1322在第1方向D1上隔开检测对象2的磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。距离L1为第1电阻部1321的第1方向D1上的中心线Ax21与第2电阻部1322的第1方向D1上的中心线Ax22之间的距离。即，距离L1为连接第1电阻部1321的中心点和第2电阻部1322的中心点的线段的长度。在此，第1电阻部1321的中心点为第1电阻部1321的第1方向D1上的中心线Ax21与第1电阻部1321的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。另外，第2电阻部1322的中心点为第2电阻部1322的第1方向D1上的中心线Ax22与第2电阻部1322的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。
并且，在第3磁阻图案部133中，第1电阻部1331和第2电阻部1332在第1方向D1上隔开检测对象2的磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。距离L1为第1电阻部1331的第1方向D1上的中心线Ax31与第2电阻部1332的第1方向D1上的中心线Ax32之间的距离。即，距离L1为连接第1电阻部1331的中心点和第2电阻部1332的中心点的线段的长度。在此，第1电阻部1331的中心点为第1电阻部1331的第1方向D1上的中心线Ax31与第1电阻部1331的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。另外，第2电阻部1332的中心点为第2电阻部1332的第1方向D1上的中心线Ax32与第2电阻部1332的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。
另外，在第4磁阻图案部134中，第1电阻部1341和第2电阻部1342在第1方向D1上隔开检测对象2的磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。距离L1为第1电阻部1341的第1方向D1上的中心线Ax41与第2电阻部1342的第1方向D1上的中心线Ax42之间的距离。即，距离L1为连接第1电阻部1341的中心点和第2电阻部1342的中心点的线段的长度。在此，第1电阻部1341的中心点为第1电阻部1341的第1方向D1上的中心线Ax41与第1电阻部1341的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。另外，第2电阻部1342的中心点为第2电阻部1342的第1方向D1上的中心线Ax42与第2电阻部1342的第2方向D2上的中心线Ax2的交点。
如图6所示，第1布线图案部135连接第1磁阻图案部131与电源端子21之间、以及第3磁阻图案部133与电源端子21之间。第1布线图案部135在从第3方向D3俯视时形成为矩形形状，且在第1端部与电源端子21连接。第1布线图案部135的第2端部与第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1端部和第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的第1端部连接。第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第2端部经由第1连接图案部139与第2电阻部1312的第2端部连接。第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1端部与第3布线图案部137连接。第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的第2端部经由第3连接图案部141与第2电阻部1332的第2端部连接。第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的第1端部与第4布线图案部138连接。
如图6所示，第2布线图案部136连接第2磁阻图案部132与接地端子22之间、以及第4磁阻图案部134与接地端子22之间。第2布线图案部136在从第3方向D3俯视时形成为矩形形状，且在第1端部与接地端子22连接。第2布线图案部136的第2端部与第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的第1端部和第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1端部连接。第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的第2端部经由第2连接图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的第1端部与第3布线图案部137连接。第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第2端部经由第4连接图案部142与第2电阻部1342的第2端部连接。第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1端部与第4布线图案部138连接。
如图6所示，第3布线图案部137连接第1磁阻图案部131与第1输出端子23之间、以及第2磁阻图案部132与第1输出端子23之间。第3布线图案部137在从第3方向D3俯视时形成为字母L字形，且在第1端部与第1输出端子23连接。如上所述，第3布线图案部137的第2端部与第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1端部和第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的第1端部连接。
如图6所示，第4布线图案部138连接第3磁阻图案部133与第2输出端子24之间、以及第4磁阻图案部134与第2输出端子24之间。第4布线图案部138在从第3方向D3俯视时形成为字母L字形，且在第1端部与第2输出端子24连接。如上所述，第4布线图案部138的第2端部与第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的第1端部和第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1端部连接。
(2.2)磁阻图案部的形状
接下来，参照图6说明多个磁阻图案部131～134的形状。
如上所述，第1磁阻图案部131包括第1电阻部1311和第2电阻部1312。另外，如上所述，第2磁阻图案部132包括第1电阻部1321和第2电阻部1322。另外，如上所述，第3磁阻图案部133包括第1电阻部1331和第2电阻部1332。另外，如上所述，第4磁阻图案部134包括第1电阻部1341和第2电阻部1342。以下，对多个磁阻图案部131～134中的第1磁阻图案部131和第4磁阻图案部134进行说明，对于第2磁阻图案部132和第3磁阻图案部133也是同样的，在此省略说明。
第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的外缘(图6的左侧的外缘)101形成为沿着圆弧a11的形状。圆弧a11为以中心线Ax2上的点P51为中心的半径r11的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1311的第2方向D2上的中心线。在此，圆弧a11的半径r11优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。
第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1方向D1上的外缘(图6的右侧的外缘)201形成为沿着圆弧a21的形状。圆弧a21为以中心线Ax2上的点P61为中心的半径r21的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1312的第2方向D2上的中心线。圆弧a21的半径r21与圆弧a11的半径r11同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a21的半径r21既可以与圆弧a11的半径r11相同，也可以不同。
另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的外缘(图6的右侧的外缘)102形成为沿着圆弧a12的形状。圆弧a12为以中心线Ax2上的点P52为中心的半径r12的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1341的第2方向D2上的中心线。圆弧a12的半径r12与圆弧a11的半径r11同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a12的半径r12既可以与圆弧a11的半径r11相同，也可以不同。另外，圆弧a12的半径r12既可以与圆弧a21的半径r21相同，也可以不同。
第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的外缘(图6的左侧的外缘)202形成为沿着圆弧a22的形状。圆弧a22为以中心线Ax2上的点P62为中心的半径r22的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1342的第2方向D2上的中心线。圆弧a22的半径r22与圆弧a11的半径r11同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a22的半径r22既可以与圆弧a11的半径r11相同，也可以不同。另外，圆弧a22的半径r22既可以与圆弧a21的半径r21相同，也可以不同。另外，圆弧a22的半径r22既可以与圆弧a12的半径r12相同，也可以不同。
并且，对于第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的相反侧的外缘(图6的右侧的外缘)，也优选为沿着半径为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下的圆弧的形状。另外，对于第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1方向D1上的相反侧的外缘(图6的左侧的外缘)、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的相反侧的外缘(图6的左侧的外缘)以及第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的相反侧的外缘(图6的右侧的端缘)也同样。
另外，如图6所示，在实施方式2的磁传感器中，使第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部沿着第2方向D2排列，由多个突出部的外缘构成上述的外缘101。另外，在实施方式2的磁传感器中，多个突出部中的两个突出部位于第2方向D2的一端侧(图6的上侧)，剩余的突出部位于第2方向D2的另一端侧(图6的下侧)。
另外，如图6所示，在实施方式2的磁传感器中，使第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部沿着第2方向D2排列，由多个突出部的外缘构成上述的外缘201。另外，在实施方式2的磁传感器中，多个突出部中的两个突出部位于第2方向D2的一端侧(图6的下侧)，剩余的突出部位于第2方向D2的另一端侧(图6的上侧)。
另外，如图6所示，在实施方式2的磁传感器中，使第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部沿着第2方向D2排列，由多个突出部的外缘构成上述的外缘102。另外，在实施方式2的磁传感器中，多个突出部中的两个突出部位于第2方向D2的一端侧(图6的下侧)，剩余的突出部位于第2方向D2的另一端侧(图6的上侧)。
另外，如图6所示，在实施方式2的磁传感器中，使第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部沿着第2方向D2排列，由多个突出部的外缘构成上述的外缘202。另外，在实施方式2的磁传感器中，多个突出部中的两个突出部位于第2方向D2的一端侧(图6的上侧)，剩余的突出部位于第2方向D2的另一端侧(图6的下侧)。
(3)效果
在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311～1341的第1方向D1上的外缘101、102形成为沿着圆弧a1的形状，该圆弧a1以第1电阻部1311～1341的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P5为中心。另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第2电阻部1312～1342的第1方向D1上的外缘201、202形成为沿着圆弧a2的形状，该圆弧a2以第2电阻部1312～1342的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P6为中心。由此，能够消除会对检测对象2的位置变动产生最大影响的角部，例如即使在磁传感器相对于检测对象2变得倾斜的情况下，也能够使位置变动的误差为最小限度。其结果是，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。由此，能够使施加于第1电阻部1311、1321、1331、1341的磁力的朝向和施加于第2电阻部1312、1322、1332、1342的磁力的朝向相反。
另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在从第3方向D3俯视时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别形成为曲折形状。由此，能够使多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的长度相等。
另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，在从第3方向D3俯视时，内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342形成为同一形状。由此，能够使内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342的电阻值的变动成为相同的行为。
(4)变形例
实施方式2只是本公开的各种实施方式之一。实施方式2只要能够实现本公开的目的，则能够根据设计等进行各种变更。以下列举实施方式2的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合来应用。
(4.1)变形例1
参照图7说明实施方式2的变形例1的磁传感器。
在变形例1的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的形状不同，在这一点上与实施方式2的磁传感器不同。多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的连接关系与实施方式2的磁传感器同样，在此省略详细的说明。
如图7所示，在变形例1的磁传感器中，在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。
第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的外缘(图7的左侧的外缘)103形成为沿着圆弧a13的形状。圆弧a13为以中心线Ax2上的点P53为中心的半径r13的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1311的第2方向D2上的中心线。在此，圆弧a13的半径r13优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。
第1磁阻图案部131的第2电阻部1312在第1方向D1上的外缘(图7的右侧的外缘)203形成为沿着圆弧a23的形状。圆弧a23为以中心线Ax2上的点P63为中心的半径r23的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1312的第2方向D2上的中心线。圆弧a23的半径r23与圆弧a13的半径r13同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a23的半径r23既可以与圆弧a13的半径r13相同，也可以不同。
另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的外缘(图7的右侧的外缘)104形成为沿着圆弧a14的形状。圆弧a14为以中心线Ax2上的点P54为中心的半径r14的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1341的第2方向D2上的中心线。圆弧a14的半径r14与圆弧a13的半径r13同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a14的半径r14既可以与圆弧a13的半径r13相同，也可以不同。另外，圆弧a14的半径r14既可以与圆弧a23的半径r23相同，也可以不同。
第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的外缘(图7的左侧的外缘)204形成为沿着圆弧a24的形状。圆弧a24为以中心线Ax2上的点P64为中心的半径r24的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1342的第2方向D2上的中心线。圆弧a24的半径r24与圆弧a13的半径r13同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a24的半径r24既可以与圆弧a13的半径r13相同，也可以不同。另外，圆弧a24的半径r24既可以与圆弧a23的半径r23相同，也可以不同。另外，圆弧a24的半径r24既可以与圆弧a14的半径r14相同，也可以不同。
并且，对于第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的相反侧的外缘(图7的右侧的外缘)，也优选为沿着半径为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下的圆弧的形状。另外，对于第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1方向D1上的相反侧的外缘(图7的左侧的外缘)、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的相反侧的外缘(图7的左侧的外缘)以及第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的相反侧的外缘(图7的右侧的端缘)也同样。
另外，如图7所示，在变形例1的磁传感器中，由使第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的局部沿着第1方向D1突出而成的一个突出部的外缘构成上述的外缘103。另外，对于第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341以及第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的每一个，也由使其局部沿着第1方向D1突出而成的一个突出部的外缘分别构成上述的外缘203、104、204。
在变形例1的磁传感器中，与实施方式2的磁传感器同样地，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(4.2)变形例2
参照图8说明实施方式2的变形例2的磁传感器。
在变形例2的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的形状不同，在这一点上与实施方式2的磁传感器不同。多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342各自的连接关系与实施方式2的磁传感器同样，在此省略详细的说明。
如图8所示，在变形例2的磁传感器中，在第1方向D1上从左侧起按照第1磁阻图案部131的第1电阻部1311、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331、第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第3磁阻图案部133的第2电阻部1332、第2磁阻图案部132的第2电阻部1322、第4磁阻图案部134的第2电阻部1342、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的顺序排列。
第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的外缘(图8的左侧的外缘)105形成为沿着圆弧a15的形状。圆弧a15为以中心线Ax2上的点P55为中心的半径r15的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1311的第2方向D2上的中心线。在此，圆弧a15的半径r15优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。
第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1方向D1上的外缘(图8的右侧的外缘)205形成为沿着圆弧a25的形状。圆弧a25为以中心线Ax2上的点P65为中心的半径r25的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1312的第2方向D2上的中心线。圆弧a25的半径r25与圆弧a15的半径r15同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a25的半径r25既可以与圆弧a15的半径r15相同，也可以不同。
另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的外缘(图8的右侧的外缘)106形成为沿着圆弧a16的形状。圆弧a16为以中心线Ax2上的点P56为中心的半径r16的圆弧。中心线Ax2为第1电阻部1341的第2方向D2上的中心线。圆弧a16的半径r16与圆弧a15的半径r15同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a16的半径r16既可以与圆弧a15的半径r15相同，也可以不同。另外，圆弧a16的半径r16既可以与圆弧a25的半径r25相同，也可以不同。
第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的外缘(图8的左侧的外缘)206形成为沿着圆弧a26的形状。圆弧a26为以中心线Ax2上的点P66为中心的半径r26的圆弧。中心线Ax2为第2电阻部1342的第2方向D2上的中心线。圆弧a26的半径r26与圆弧a15的半径r15同样地，优选为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下。另外，圆弧a26的半径r26既可以与圆弧a15的半径r15相同，也可以不同。另外，圆弧a26的半径r26既可以与圆弧a25的半径r25相同，也可以不同。另外，圆弧a26的半径r26既可以与圆弧a16的半径r16相同，也可以不同。
并且，对于第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的第1方向D1上的相反侧的外缘(图8的右侧的外缘)，也优选为沿着半径为检测对象2的磁化周期λ的30％以上且70％以下的圆弧的形状。另外，对于第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的第1方向D1上的相反侧的外缘(图8的左侧的外缘)、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的第1方向D1上的相反侧的外缘(图8的左侧的外缘)以及第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的第1方向D1上的相反侧的外缘(图8的右侧的端缘)也同样。
另外，如图8所示，在变形例2的磁传感器中，使第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部沿着第2方向D2排列，由多个突出部的外缘构成上述的外缘105。另外，对于第1磁阻图案部131的第2电阻部1312、第4磁阻图案部134的第1电阻部1341以及第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的每一个，使其局部沿着第1方向D1突出而成的多个(例如三个)突出部也沿着第2方向D2排列，也由多个突出部的外缘分别构成上述的外缘205、106、206。
在变形例2的磁传感器中，与实施方式2的磁传感器同样地，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第1方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。磁传感器1具有多个磁阻图案部131、132、133、134、第1布线图案部135以及第2布线图案部136。多个磁阻图案部131、132、133、134构成电桥电路。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。第1布线图案部135和第2布线图案部136分别由与多个磁阻图案部131、132、133、134相同的材料形成。多个磁阻图案部131、132、133、134沿着第1方向D1配置。多个磁阻图案部131、132、133、134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。多个磁阻图案部131、132、133、134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。第1布线图案部135和第2布线图案部136分别包括在第2方向D2上位于多个磁阻图案部131、132、133、134的两侧的第1布线部1351、1361和第2布线部1352、1362。两个电阻部1311、1341中的一个将第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352连接。两个电阻部1311、1341中的剩余的一个将第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362连接。两个电阻部1311、1341在多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中在第1方向D1上位于两端。
根据该方式，能够抑制制造工序的增加，并且能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
根据第1方式，在第2方式的磁传感器1中，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着第1方向D1排列。在多个磁阻图案部131、132、133、134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341的第1方向D1上的外缘101～106形成为沿着圆弧a1的形状，该圆弧a1以第1电阻部1311、1321、1331、1341的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P5为中心。第2电阻部1312、1322、1332、1342的第1方向D1上的外缘201～206形成为沿着圆弧a2的形状，该圆弧a2以第2电阻部1312、1322、1332、1342的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P6为中心。
根据该方式，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
根据第2方式，在第3方式的磁传感器1中，检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。多个磁阻图案部131、132、133、134的各自的第1电阻部1311、1321、1331、1341的圆弧a1的半径r1和第2电阻部1312、1322、1332、1342的圆弧a2的半径r2为磁化周期λ的70％以下。
根据该方式，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
根据第3方式，在第4方式的磁传感器1中，半径r1、r2为磁化周期λ的30％以上。
根据第3方式或第4方式，在第5方式的磁传感器1中，在多个磁阻图案部131、132、133、134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342在第1方向D1上隔开磁化周期λ的1/2的距离L1地配置。
根据该方式，能够将施加于第1电阻部1311、1321、1331、1341的磁力的朝向与施加于第2电阻部1312、1322、1332、1342的磁力的朝向设为相反。
根据第1方式～第5方式中的任一方式，在第6方式的磁传感器1中，在从第3方向(D3)观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342分别形成为曲折形状。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。
根据该方式，能够使各电阻部1311、1312、1321、1322、1331、1332、1341、1342的长度相等。
根据第1方式～第6方式中的任一方式，在第7方式的磁传感器1中，在从第3方向D3观察时，多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342中的至少内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342形成为同一形状。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。
根据该方式，能够使内侧的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342的电阻值的变动成为相同的行为，其结果是，能够减小由失真波形导致的误差。
根据第1方式～第7方式中的任一方式，在第8方式的磁传感器1中，作为多个磁阻图案部131、132、133、134，具有四个磁阻图案部131、132、133、134。电桥电路为由四个磁阻图案部131、132、133、134构成的全桥电路。
根据第8方式，第9方式的磁传感器1还具有第3布线图案部137和第4布线图案部138。第3布线图案部137与第1输出端子23连接。第4布线图案部138与第2输出端子24连接。第3布线图案部137与四个磁阻图案部131、132、133、134中的相互串联连接两个磁阻图案部131、132的连接点P1连接。第4布线图案部138与四个磁阻图案部131、132、133、134中的与两个磁阻图案部131、132不同的剩余的两个磁阻图案部133、134的连接点P2连接。
根据第8方式，第10方式的磁传感器1还具有第3布线图案部137和第4布线图案部138。第3布线图案部137与第1输出端子23连接。第4布线图案部138与第2输出端子24连接。四个磁阻图案部131、132、133、134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。第1布线图案部135与第1磁阻图案部131的和第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部以及第3磁阻图案部133的和第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部连接。第2布线图案部136与第2磁阻图案部132的和第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部以及第4磁阻图案部134的和第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部连接。第3布线图案部137与第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第4布线图案部138与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。
第11方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。磁传感器1具有多个磁阻图案部131、132、133、134。多个磁阻图案部131、132、133、134分别包括相互串联连接的第1电阻部1311、1321、1331、1341和第2电阻部1312、1322、1332、1342。多个磁阻图案部131、132、133、134的多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。多个第1电阻部1311、1321、1331、1341和多个第2电阻部1312、1322、1332、1342沿着第1方向D1排列。在多个磁阻图案部131、132、133、134的每一个中，第1电阻部1311、1321、1331、1341的第1方向D1上的外缘101～106形成为沿着圆弧a1的形状，该圆弧a1以第1电阻部1311、1321、1331、1341的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P5为中心。另外，在多个磁阻图案部131、132、133、134的每一个中，第2电阻部1312、1322、1332、1342的第1方向D1上的外缘201～206形成为沿着圆弧a2的形状，该圆弧a2以第2电阻部1312、1322、1332、1342的第2方向D2上的中心线Ax2上的点P6为中心。
根据该方式，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
第2方式～第10方式的结构不是磁传感器1所必须的结构，能够适当地省略。

Claims (10)

1.一种磁传感器，其基于检测对象沿着第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对所述检测对象的位置进行检测，其特征在于，
该磁传感器具有：
构成电桥电路的多个磁阻图案部；
与电源端子连接的第1布线图案部；以及
与接地端子连接的第2布线图案部，
所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别由与所述多个磁阻图案部相同的材料形成，
所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向配置，
所述多个磁阻图案部分别包括相互串联连接的第1电阻部和第2电阻部，
所述多个磁阻图案部的多个所述第1电阻部和多个所述第2电阻部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成，
所述第1布线图案部和所述第2布线图案部分别包括在所述第2方向上位于所述多个磁阻图案部的两侧的第1布线部和第2布线部，
所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部中的在所述第1方向上位于两端的两个电阻部中的一个将所述第1布线图案部的所述第1布线部和所述第2布线部连接，
所述两个电阻部中的剩余的一个将所述第2布线图案部的所述第1布线部和所述第2布线部连接。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部分别沿着所述第1方向排列，
在所述多个磁阻图案部的每一个中，
所述第1电阻部的所述第1方向上的外缘形成为沿着以所述第1电阻部的所述第2方向上的中心线上的点为中心的圆弧的形状，
所述第2电阻部的所述第1方向上的外缘形成为沿着以所述第2电阻部的所述第2方向上的中心线上的点为中心的圆弧的形状。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述检测对象在所述第1方向上以预定的磁化周期被磁化，
所述多个磁阻图案部的每一个的所述第1电阻部的所述圆弧的半径和所述第2电阻部的所述圆弧的半径为所述磁化周期的70％以下。
4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，
所述半径为所述磁化周期的30％以上。
5.根据权利要求3或4所述的磁传感器，其特征在于，
在所述多个磁阻图案部的每一个中，
所述第1电阻部和所述第2电阻部在所述第1方向上隔开所述磁化周期的1/2的距离地配置。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部分别形成为曲折形状。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个第1电阻部和所述多个第2电阻部中的至少内侧的电阻部形成为同一形状。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
作为所述多个磁阻图案部，具有四个磁阻图案部，
所述电桥电路为由所述四个磁阻图案部构成的全桥电路。
9.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，
该磁传感器还具有：
与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及
与第2输出端子连接的第4布线图案部，
所述第3布线图案部与所述四个磁阻图案部中的相互串联连接的两个磁阻图案部的连接点连接，
所述第4布线图案部与所述四个磁阻图案部中的与所述两个磁阻图案部不同的剩余的两个磁阻图案部的连接点连接。
10.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，
该磁传感器还具有：
与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及
与第2输出端子连接的第4布线图案部，
所述四个磁阻图案部包括：
相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及
相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，
所述第1布线图案部与所述第1磁阻图案部的和所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第3磁阻图案部的和所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，
所述第2布线图案部与所述第2磁阻图案部的和所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第4磁阻图案部的和所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，
所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，
所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
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