CN216448795U - 磁传感器 - Google Patents

磁传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN216448795U
CN216448795U CN202122873296.6U CN202122873296U CN216448795U CN 216448795 U CN216448795 U CN 216448795U CN 202122873296 U CN202122873296 U CN 202122873296U CN 216448795 U CN216448795 U CN 216448795U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
magnetoresistive
magnetic sensor
resistor
magnetoresistive pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202122873296.6U
Other languages
English (en)
Inventor
大山裕树
神田一宏
大林正彦
谷川秀之
田川正孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN216448795U publication Critical patent/CN216448795U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/004—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring coordinates of points
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0094—Sensor arrays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种磁传感器。本公开的课题为谋求小型化。本公开的磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部(131～134)。多个磁阻图案部(131～134)沿着第1方向(D1)排列。多个磁阻图案部(131～134)分别沿着与第1方向(D1)正交的第2方向(D2)形成。在从与第1方向(D1)和第2方向(D2)这两者正交的第3方向观察时，多个磁阻图案部(131～134)分别形成为曲折形状。在从第3方向观察时，多个磁阻图案部(131～134)各自的形心(c11、c12、c13、c14)位于多个磁阻图案部(131～134)的第2方向(D2)上的中心线(L2)上。

Description

磁传感器
技术领域
本公开一般而言涉及磁传感器，更详细而言，涉及具有多个磁阻图案部的磁传感器。
背景技术
在专利文献1中记载了具有绝缘基板(支承基板)和设于绝缘基板上的磁阻膜的磁阻元件(磁传感器)。磁阻膜包括多个双重曲折感磁图案单元(磁阻图案部)。多个双重曲折感磁图案单元沿着磁体相对于磁阻元件的移动方向排列。
在专利文献1所述的磁阻元件中，存在大型化这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-141514号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开的目的在于提供一种能够谋求小型化的磁传感器。
用于解决问题的方案
本公开的一方式的磁传感器是基于检测对象沿着第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化来对所述检测对象的位置进行检测的磁传感器。所述检测对象在所述第1方向上以预定的磁化周期被磁化。所述磁传感器具有多个磁阻图案部。所述多个磁阻图案部构成电桥电路。所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向排列。所述多个磁阻图案部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成。在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个磁阻图案部分别形成为曲折形状。在从所述第3方向观察时，所述多个磁阻图案部各自的形心位于所述多个磁阻图案部的所述第2方向上的中心线上。
更优选的是，所述多个磁阻图案部各自的图案宽度为所述磁化周期的15％以上且25％以下。
更优选的是，所述多个磁阻图案部各自的局部以在所述第2方向上与在所述第1方向上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在所述第1方向上所述相邻的磁阻图案部侧突出。
更优选的是，所述磁传感器具有四个磁阻图案部，来作为所述多个磁阻图案部，所述四个磁阻图案部构成全桥电路，来作为所述电桥电路。
更优选的是，所述磁传感器还具有与电源端子连接的第1布线图案部、与接地端子连接的第2布线图案部、与第1输出端子连接的第3布线图案部以及与第2输出端子连接的第4布线图案部，所述多个磁阻图案部包括相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部、以及相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，所述第1布线图案部与所述第1磁阻图案部的和所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第3磁阻图案部的和所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，所述第2布线图案部与所述第2磁阻图案部的和所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第4磁阻图案部的和所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
实用新型的效果
根据本公开的一方式的磁传感器，能够谋求小型化。
附图说明
图1是实施方式1的磁传感器的外观立体图。
图2涉及同上的磁传感器，是图1的X-X线剖视图。
图3是同上的磁传感器的检测对象的概略结构图。
图4是同上的磁传感器的概略电路图。
图5是表示同上的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图6是表示比较例的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图7是表示磁阻图案部的图案宽度与检测对象的检测位置的误差之间的关系的图表。
图8是表示实施方式1的变形例1的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图9是表示实施方式1的变形例2的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图10是表示实施方式1的变形例3的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图11是图10的A1部放大图。
图12是图10的B1部放大图。
图13是表示实施方式1的变形例4的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图14是图13的A2部放大图。
图15是图13的B2部放大图。
图16是表示实施方式2的磁传感器的磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例的配置图。
图17是图16的A3部放大图。
附图标记说明
1、磁传感器；2、检测对象；21、电源端子；22、接地端子；23、第1输出端子；24、第2输出端子；131、第1磁阻图案部(磁阻图案部)；132、第2磁阻图案部(磁阻图案部)；133、第3磁阻图案部(磁阻图案部)；134、第4磁阻图案部(磁阻图案部)；135、第1布线图案部；136、第2布线图案部；137、第3布线图案部；138、第4布线图案部；c11、c12、c13、c14、形心；c21、c22、c23、c24、中心点；D1、第1方向；D2、第2方向；D3、第3方向；L2、中心线；W3、图案宽度；λ、磁化周期。
具体实施方式
以下，参照图1～图17说明实施方式1、2的磁传感器1。在以下的实施方式等中参照的图1～图3、图5、图6以及图8～图17均是示意性的图，图中的各结构要素的大小、厚度各自的比值未必反映实际的尺寸比。
(实施方式1)
(1)概要
首先，参照图1～图5说明实施方式1的磁传感器1的概要。
磁传感器1利用磁来对检测对象2的位置进行检测。磁传感器1例如用作线性编码器或旋转编码器等位置传感器。具体而言，磁传感器1用作例如用于对由马达(线性马达或旋转马达)驱动的照相机的镜头等的位置进行检测的位置传感器(编码器)。另外，磁传感器1也用作例如用于对汽车的制动踏板、制动杆或变速杆的位置进行检测的位置传感器。但是，磁传感器1的用途并不限于上述的用途。另外，由磁传感器1检测的“位置”是包括检测对象2的坐标和以穿过检测对象2的旋转轴线(假想轴线)为中心的检测对象2的旋转角(检测对象2的朝向)这两者的概念。即，磁传感器1对检测对象2的坐标和检测对象2的旋转角中的至少一者进行检测。
以下，以将磁传感器1用作线性编码器的情况为例进行说明。线性编码器既可以是增量型，也可以是绝对型。在实施方式1中，磁传感器1对检测对象2的坐标进行检测。
实施方式1的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。在从与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134分别形成为曲折形状。在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。在本公开中，“沿着第1方向或第2方向”不仅包括与第1方向或第2方向平行的情况，还包括相对于第1方向或第2方向以预定角度(例如5度)倾斜的情况。
在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14位于中心线L2上。由此，与多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸，其结果是，能够实现磁传感器1的小型化。另外，即使在检测对象2相对于磁传感器1在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因施加于多个磁阻图案部131～134的磁场强度分布的不均所导致的多个磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
(2)详细说明
接下来，参照图1～图7对实施方式1的磁传感器1进行详细说明。
(2.1)磁传感器的构造
首先，参照图1和图2来说明实施方式1的磁传感器1的构造。
如图1和图2所示，实施方式1的磁传感器1形成为在第1方向D1上较长的长方体状。以下，将磁传感器1的长度方向设为第1方向D1，将磁传感器1的宽度方向(短边方向)设为第2方向D2，将磁传感器1的厚度方向设为第3方向D3，以此进行说明，但这些方向并不是对使用磁传感器1时的方向进行限定的意思。另外，附图中的表示“D1”、“D2”“D3”的箭头只是为了用于进行说明而标记的，均没有实体。在实施方式1中，第1方向D1为磁传感器1相对于检测对象2移动的方向。在实施方式1中，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3彼此正交。
如图1和图2所示，实施方式1的磁传感器1具有支承基板11、玻璃釉层12、磁阻层13以及保护膜14。另外，实施方式1的磁传感器1还具有多个(例如四个)上表面电极15、多个(例如四个)端面电极16、多个(例如四个)下表面电极(背面电极)17以及多个(例如四个)镀层18。多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17一对一地对应。
支承基板11例如是陶瓷基板。陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。在从磁传感器1的厚度方向即第3方向D3观察时，支承基板11形成为在磁传感器1的长度方向即第1方向D1上较长的矩形形状。如图2所示，支承基板11具有第1主面111、第2主面112以及外周面113。第1主面111和第2主面112分别为沿着第1方向D1和第2方向D2这两者的平面。第1主面111和第2主面112在第3方向D3上彼此相对。外周面113包括沿着第3方向D3的四个平面。
玻璃釉层12例如以二氧化硅为主要成分。玻璃釉层12形成于支承基板11的第1主面111(参照图2)上。玻璃釉层12遍及支承基板11的第1主面111的整体而形成。在从第3方向D3观察时，玻璃釉层12形成为在第1方向D1上较长的矩形形状。在实施方式1的磁传感器1中，利用玻璃釉层12能够得到供磁阻层13形成的平面的平滑性。此外，玻璃釉层12只要至少处于配置有多个磁阻图案部131～134的区域即可。另外，玻璃釉层12也可以含有铅氧化物。
如图2所示，磁阻层13形成于玻璃釉层12上。磁阻层13包括多个第1层和多个第2层。多个第1层分别为磁性层，例如含有NiFeCo合金。多个第2层分别为非磁性层，例如含有Cu合金。多个第1层和多个第2层在玻璃釉层12上交替地层叠。在实施方式1的磁传感器1中，由磁阻层13构成GMR(Giant Magnetic Resistance：巨磁阻)膜。此外，多个第1层的层数和多个第2层的层数既可以相同，也可以不同。
保护膜14是用于保护磁阻层13的膜。保护膜14的材料例如是环氧树脂。保护膜14在玻璃釉层12上以覆盖磁阻层13的局部的方式形成。在实施方式1的磁传感器1中，后述的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24(参照图4和图5)分别与多个上表面电极15中的某一上表面电极15连接，因此，保护膜14形成为覆盖磁阻层13中的至少除了电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域。
如图1所示，多个上表面电极15形成于支承基板11的第1主面111(参照图2)上。多个上表面电极15的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个上表面电极15包括第1上表面电极151、第2上表面电极152、第3上表面电极153以及第4上表面电极154。多个上表面电极15分别与磁阻层13中的电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24中的某一端子连接。更详细而言，多个上表面电极15中的第1上表面电极151与电源端子21连接，第2上表面电极152与接地端子22连接。另外，多个上表面电极15中的第3上表面电极153与第1输出端子23连接，第4上表面电极154与第2输出端子24连接。多个上表面电极15例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个端面电极16形成为，沿着支承基板11的长度方向(第1方向D1)覆盖支承基板11的长度方向的外周面113(参照图2)。多个端面电极16的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个端面电极16包括第1端面电极161、第2端面电极162、第3端面电极163以及第4端面电极164。多个端面电极16如上所述与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，第1端面电极161与第1上表面电极151对应，且与第1上表面电极151连接。第2端面电极162与第2上表面电极152对应，且与第2上表面电极152连接。第3端面电极163与第3上表面电极153对应，且与第3上表面电极153连接。第4端面电极164与第4上表面电极154对应，且与第4上表面电极154连接。多个端面电极16例如是通过溅射形成的溅射膜。
如图1所示，多个下表面电极17形成于支承基板11的第2主面112(参照图2)上。多个下表面电极17的材料例如是CuNi(铜镍)系合金。多个下表面电极17包括第1下表面电极171、第2下表面电极172、第3下表面电极173以及第4下表面电极174。多个下表面电极17如上所述与多个上表面电极15及多个端面电极16一对一地对应。更详细而言，第1下表面电极171与第1上表面电极151及第1端面电极161对应，且与第1端面电极161连接。第2下表面电极172与第2上表面电极152及第2端面电极162对应，且与第2端面电极162连接。第3下表面电极173与第3上表面电极153及第3端面电极163对应，且与第3端面电极163连接。第4下表面电极174与第4上表面电极154及第4端面电极164对应，且与第4端面电极164连接。多个下表面电极17例如是通过溅射形成的溅射膜。
在实施方式1的磁传感器1中，在从第1方向D1观察时，第1上表面电极151、第1端面电极161以及第1下表面电极171形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第2上表面电极152、第2端面电极162以及第2下表面电极172形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第3上表面电极153、第3端面电极163以及第3下表面电极173形成为字母U字形。另外，在从第1方向D1观察时，第4上表面电极154、第4端面电极164以及第4下表面电极174形成为字母U字形。
根据实施方式1的磁传感器1，能够利用多个下表面电极17与供磁传感器1安装的安装基板连接。
如图1所示，多个镀层18分别形成为覆盖多个上表面电极15、多个端面电极16以及多个下表面电极17中的所对应的上表面电极15、端面电极16以及下表面电极17。即，在从第1方向D1观察时，多个镀层18分别形成为字母U字形。多个镀层18分别包括电解铜镀层和电解锡镀层。如图2所示，多个镀层18分别与保护膜14接触。
(2.2)检测对象的构造
接下来，参照图3说明检测对象2的构造。
检测对象2例如是磁尺。如图3所示，检测对象2沿着第1方向D1形成为长条的板状。检测对象2在第3方向D3(与图3的纸面垂直的方向)上与磁传感器1相对。
检测对象2包括多个磁极。多个磁极沿着第1方向D1配置。多个磁极包括一个以上的N极和一个以上的S极。多个磁极配置为，一个以上的S极和一个以上的N极在第1方向D1上交替地排列。各磁极例如是铁氧体磁体或钕磁体。在检测对象2中，多个铁氧体磁体或多个钕磁体沿着第1方向D1配置。如图3所示，检测对象2在第1方向D1上以磁化周期λ被磁化。
(2.3)磁传感器的电路结构
接下来，参照图4说明实施方式1的磁传感器1的电路结构。
如图4所示，实施方式1的磁传感器1具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。另外，实施方式1的磁传感器1还具有电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。实施方式1的磁传感器1具有四个磁阻图案部131～134，来作为多个磁阻图案部131～134。四个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134构成全桥电路。具体而言，第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的串联电路与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的串联电路相互并联连接。即，多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132、以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131与第2磁阻图案部132的连接点P1经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。即，连接于第1输出端子23的第3布线图案部137与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部(图4的左端部)经由第1布线图案部135与电源端子21连接。即，第1布线图案部135与电源端子21连接。第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部(图4的右端部)经由第2布线图案部136与接地端子22连接。即，第2布线图案部136与接地端子22连接。
第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的连接点P2经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。即，连接于第2输出端子24的第4布线图案部138与四个磁阻图案部131～134中的相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部(图4的左端部)经由第1布线图案部135与电源端子21连接。第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部(图4的右端部)经由第2布线图案部136与接地端子22连接。
即，在实施方式1的磁传感器1中，第1磁阻图案部131和第3磁阻图案部133的连接点P3经由第1布线图案部135与电源端子21连接。换言之，第1布线图案部135与第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部和第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部连接。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，第2磁阻图案部132和第4磁阻图案部134的连接点P4经由第2布线图案部136与接地端子22连接。换言之，第2布线图案部136与第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部和第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部连接。
电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24与多个上表面电极15一对一地对应。更详细而言，电源端子21与多个上表面电极15中的第1上表面电极151一对一地对应，且与第1上表面电极151连接。另外，接地端子22与多个上表面电极15中的第2上表面电极152一对一地对应，且与第2上表面电极152连接。另外，第1输出端子23与多个上表面电极15中的第3上表面电极153一对一地对应，且与第3上表面电极153连接。另外，第2输出端子24与多个上表面电极15中的第4上表面电极154一对一地对应，且与第4上表面电极154连接。
(2.4)磁阻图案部、布线图案部以及端子的配置例
接下来，参照图5说明实施方式1的磁传感器1的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置例。在图5中，为了易于识别多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24，对它们实施点阴影。
如图5所示，多个磁阻图案部131～134沿着磁传感器1的长度方向即第1方向D1排列。如上所述，多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
在从第3方向D3(与图5的纸面垂直的方向)观察时，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134分别形成为曲折形状。“第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134分别形成为曲折形状”是指，在从第3方向D3观察时，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134各自不是沿着第2方向D2形成为直线状，而是形成为至少在第1方向D1上蜿蜒这样的图案。如图5所示，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134分别沿着第2方向D2形成。即，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134各自的长度方向为沿着第2方向D2的方向。另外，如图5所示，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134由包含在区域R1内的部分构成。
在实施方式1的磁传感器1中，如图5所示，多个磁阻图案部131～134在第1方向D1上从左侧按照第1磁阻图案部131、第3磁阻图案部133、第2磁阻图案部132、第4磁阻图案部134的顺序排列。另外，在实施方式1的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134在从第3方向D3观察时形成为同一形状。在本公开中，“同一形状”是指，不仅包括完全相同的形状的情况，还包括形状在与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度上不同的情况。因而，多个磁阻图案部131～134只要是与磁场强度分布的变化相伴随的电阻值的变动被视为相同的行为的程度，则彼此的形状也可以不同。
如图5所示，第1布线图案部135连接第1磁阻图案部131与电源端子21之间、以及第3磁阻图案部133与电源端子21之间。第1布线图案部135包括第1布线部1351和第2布线部1352。第1布线部1351在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与电源端子21连接。第2布线部1352在从第3方向D3观察时形成为字母U字形，且与第1布线部1351的第2端部连接。第2布线部1352的第1端部与第1磁阻图案部131的第1端部连接。第2布线部1352的第2端部与第3磁阻图案部133的第1端部连接。
如图5所示，第2布线图案部136连接第2磁阻图案部132与接地端子22之间、以及第4磁阻图案部134与接地端子22之间。第2布线图案部136包括第1布线部1361和第2布线部1362。第1布线部1361在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与接地端子22连接。第2布线部1362在从第3方向D3观察时形成为字母U字形，且与第1布线部1361的第2端部连接。第2布线部1362的第1端部与第2磁阻图案部132的第1端部连接。第2布线部1362的第2端部与第4磁阻图案部134的第1端部连接。
如图5所示，第3布线图案部137连接第1磁阻图案部131与第1输出端子23之间、以及第2磁阻图案部132与第1输出端子23之间。第3布线图案部137包括第1布线部1371和第2布线部1372。第1布线部1371在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与第1输出端子23连接。第2布线部1372在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条，且与第1布线部1371的第2端部连接。第2布线部1372的第1端部与第1磁阻图案部131的第2端部连接。第2布线部1372的第2端部与第2磁阻图案部132的第2端部连接。
如图5所示，第4布线图案部138连接第3磁阻图案部133与第2输出端子24之间、以及第4磁阻图案部134与第2输出端子24之间。第4布线图案部138包括第1布线部1381和第2布线部1382。第1布线部1381在从第3方向D3观察时形成为字母L字形，且在第1端部与第2输出端子24连接。第2布线部1382在从第3方向D3观察时沿着第1方向D1形成为长条，且与第1布线部1381的第2端部连接。第2布线部1382的第1端部与第3磁阻图案部133的第2端部连接。第2布线部1382的第2端部与第4磁阻图案部134的第2端部连接。
在实施方式1的磁传感器1中，如图5所示，多个磁阻图案部131～134落在由第1布线图案部135的第2布线部1352、第2布线图案部136的第2布线部1362、第3布线图案部137的第2布线部1372以及第4布线图案部138的第2布线部1382包围的区域内。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，上述的磁阻层13构成多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24。即，在实施方式1的磁传感器1中，第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24由与多个磁阻图案部131～134相同的材料形成。
在实施方式1中，例如，磁传感器1相对于检测对象2沿着第1方向D1移动，由此磁传感器1与检测对象2之间的磁场强度发生变化，通过该磁场强度的变化，使多个磁阻图案部131～133的电阻值发生变动。然后，通过检测第1输出端子23和第2输出端子24的电位，能够检测到检测对象2的位置。此外，磁传感器1和检测对象2只要构成为相对地移动即可，也可以构成为检测对象2相对于磁传感器1移动。
(2.5)磁阻图案部的结构
接下来，参照图5和图6说明多个磁阻图案部131～134各自的结构。图6是表示比较例的磁传感器的多个磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第4布线图案部138以及四个端子21～24的配置例的配置图。
在比较例的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134分别具有直线部和曲折部。直线部沿着第2方向D2形成为直线状。曲折部沿着第2方向D2形成为曲折状。在多个磁阻图案部131～134的每一个中，直线部和曲折部沿着第2方向D2排列。更详细而言，在第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132的每一个中，直线部在第2方向D2上处于一端侧(图6的上侧)，曲折部在第2方向D2上处于另一端侧(图6的下侧)。另外，在第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134的每一个中，曲折部在第2方向D2上处于一端侧(图6的上侧)，直线部在第2方向D2上处于另一端侧(图6的下侧)。
在此，图5中的“c21”和图6中的“c21”为从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的中心点，图5中的“c22”和图6中的“c22”为从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的中心点。另外，图5中的“c23”和图6中的“c23”为从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的中心点，图5中的“c24”和图6中的“c24”为从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的中心点。在本公开中所说的多个磁阻图案部的每一个中，“磁阻图案部的中心点”是指，在从第3方向D3观察时，由穿过磁阻图案部的第1方向D1上的两端且沿着第2方向D2延伸的两条直线和穿过磁阻图案部的第2方向D2上的两端且沿着第1方向D1延伸的两条直线包围的矩形区域的中心。在此，磁阻图案部的第1方向D1上的两端是指，在图5和图6中，磁阻图案部中的位于最左侧的部分和磁阻图案部中的位于最右侧的部分。另外，磁阻图案部的第2方向D2上的两端是指，在图5和图6中，磁阻图案部中的位于最上侧的部分和磁阻图案部中的位于最下侧的部分。因而，第1磁阻图案部131的中心点c21为第1方向D1的中心线L11与第2方向D2的中心线L2的交点。另外，第2磁阻图案部132的中心点c22为第1方向D1的中心线L12与第2方向D2的中心线L2的交点。另外，第3磁阻图案部133的中心点c23为第1方向D1的中心线L13与第2方向D2的中心线L2的交点。另外，第4磁阻图案部134的中心点c24为第1方向D1的中心线L14与第2方向D2的中心线L2的交点。
另一方面，图5中的“c11”和图6中的“c11”为第1磁阻图案部131的形心，图5中的“c12”和图6中的“c12”为第2磁阻图案部132的形心。另外，图5中的“c13”和图6中的“c13”为第3磁阻图案部133的形心，图5中的“c14”和图6中的“c14”为第4磁阻图案部134的形心。在本公开所说的多个磁阻图案部的每一个中，“磁阻图案部的形心”是指，电阻值变动的部分的图形中心且是满足式(1)和式(2)的点(x0，y0)。
[数式1]
Figure BDA0003368632830000141
[数式2]
Figure BDA0003368632830000142
x0为形心在第1方向D1上的坐标，y0为形心在第2方向D2上的坐标。另外，x1为磁阻图案部的任意的点在第1方向D1上的坐标，y1为磁阻图案部的任意的点在第2方向D2上的坐标。另外，A为磁阻图案部的面积，dA为点(x1，y1)的微小面积。
在比较例的磁传感器中，第1磁阻图案部131的形心c11在第2方向D2上位于比第1磁阻图案部131的中心点c21靠上述曲折部侧(图6的下侧)的位置。另外，第2磁阻图案部132的形心c12在第2方向D2上位于比第2磁阻图案部132的中心点c22靠上述曲折部侧(图6的下侧)的位置。另外，第3磁阻图案部133的形心c13在第2方向D2上位于比第3磁阻图案部133的中心点c23靠上述曲折部侧(图6的上侧)的位置。另外，第4磁阻图案部134的形心c14在第2方向D2上位于比第4磁阻图案部134的中心点c24靠上述曲折部侧(图6的上侧)的位置。即，在比较例的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134的形心c11～c14在从第3方向D3(与图6的纸面垂直的方向)观察时，不位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。
在比较例的磁传感器中，如上所述，各磁阻图案部131～134的形心c11～c14不位于中心线L2上，而是在第2方向D2上偏移。由此，例如在检测对象2相对于磁传感器在第2方向D2上倾斜的情况下，多个磁阻图案部131～134的磁场强度分布不均，多个磁阻图案部131～134的电阻值的变动量也不均。其结果是，检测对象2的位置的检测误差变大。
另一方面，在实施方式1的磁传感器1中，如图5所示，第1磁阻图案部131的中心点c21与形心c11一致，第2磁阻图案部132的中心点c22与形心c12一致。另外，在实施方式1的磁传感器1中，第3磁阻图案部133的中心点c23与形心c13一致，第4磁阻图案部134的中心点c24与形心c14一致。即，在实施方式1的磁传感器1中，如图5所示，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线(中心轴线)L2上。中心线L2为沿着第1方向D1的中心线。由此，即使在检测对象2相对于磁传感器1在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因施加于多个磁阻图案部131～134的磁场强度分布的不均导致的多个磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。另外，与如比较例的磁传感器那样多个磁阻图案部131～134的形心c11～c14相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸。其结果是，能够谋求磁传感器1在第2方向D2上的小型化。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134分别形成为曲折形状。更详细而言，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。第1磁阻图案部131的局部向在第1方向D1上相邻的第3磁阻图案部133侧突出。第2磁阻图案部132的局部向在第1方向D1上相邻的第3磁阻图案部133侧和第4磁阻图案部134侧分别突出。第3磁阻图案部133的局部向在第1方向D1上相邻的第1磁阻图案部131侧和第2磁阻图案部132侧分别突出。第4磁阻图案部134的局部向在第1方向D1上相邻的第2磁阻图案部132侧突出。这样，通过使多个磁阻图案部131～134分别向第1方向D1侧突出，能够使各磁阻图案部131～134的图案宽度W3较宽。在本公开中，“图案宽度”是指，在从第3方向D3观察时穿过磁阻图案部的第1方向D1上的两端且沿着第2方向D2延伸的两条直线之间的长度。
在此，例如在多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3小于检测对象2的磁化周期λ的15％的情况下，当检测对象2沿着第1方向D1相对地移动时，对磁场强度的变化急剧地进行反应，其结果是，有可能因失真波形导致误差变大。另一方面，在多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3超过检测对象2的磁化周期λ的25％的情况下，相邻的两个磁阻图案部对检测对象2的同一磁极发生反应，其结果是，检测对象2的位置的检测精度有可能下降。因而，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3优选为检测对象2的磁化周期λ的15％以上且25％以下。在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，通过使多个磁阻图案部131～134各自的局部向第1方向D1侧突出，能够将各磁阻图案部131～134的图案宽度W3设为检测对象2的磁化周期λ的15％以上且25％以下。
图7是表示各磁阻图案部131～134的图案宽度W3与检测对象2的位置的检测误差之间的关系的图表。图7的横轴表示图案宽度W3相对于检测对象2的磁化周期λ的比率(％)。图7的左侧的纵轴表示检测对象2的位置的检测误差(μm)。图7的右侧的纵轴表示检测对象2的位置的检测误差相对于检测对象2的磁化周期λ的比率(％)。在图7的例子中，检测对象2的磁化周期λ例如是800μm。
在图7的点a1处，各磁阻图案部131～134的图案宽度W3为30μm，图案宽度W3相对于磁化周期λ的比率为4％。在该情况下，检测对象2的位置的检测误差为8.35μm，检测误差相对于磁化周期λ的比率为1.04％。
在图7的点a2处，各磁阻图案部131～134的图案宽度W3为70μm，图案宽度W3相对于磁化周期λ的比率为9％。在该情况下，检测对象2的位置的检测误差为6.91μm，检测误差相对于磁化周期λ的比率为0.86％。
在图7的点a3处，各磁阻图案部131～134的图案宽度W3为90μm，图案宽度W3相对于磁化周期λ的比率为11％。在该情况下，检测对象2的位置的检测误差为4.89μm，检测误差相对于磁化周期λ的比率为0.61％。
在图7的点a4处，各磁阻图案部131～134的图案宽度W3为132μm，图案宽度W3相对于磁化周期λ的比率为17％。在该情况下，检测对象2的位置的检测误差为3.80μm，检测误差相对于磁化周期λ的比率为0.48％。
如上述那样，通过将图案宽度W3相对于磁化周期λ的比率设为15％以上，能够将检测误差相对于磁化周期λ的比率设为0.5％以下。
(3)磁传感器的制造方法
接下来，对实施方式1的磁传感器1的制造方法进行说明。
磁传感器1的制造方法具有第1工序～第9工序。
在第1工序中，准备支承基板11。更详细而言，在第1工序中，准备作为多个磁传感器1各自的支承基板11的基础的基板主体。基板主体例如是陶瓷基板。作为基板主体的陶瓷基板的材料例如是氧化铝含有率为96％以上的氧化铝烧结体。
在第2工序中，在基板主体的第1主面上形成玻璃釉层12。基板主体的第1主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第1主面111的面。更详细而言，在第2工序中，例如在支承基板11的第1主面111上涂布玻璃浆料之后，进行焙烧，由此形成玻璃釉层12。
在第3工序中，形成多个磁传感器1各自的磁阻层13。更详细而言，在第3工序中，例如通过溅射在玻璃釉层12上形成磁阻层13。在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，由磁阻层13构成GMR膜，交替地形成NiFeCo合金层(第1层)和Cu合金层(第2层)。
在第4工序中，形成保护膜14。更详细而言，在第4工序中，例如以覆盖磁阻层13的局部的方式利用网板印刷在玻璃釉层12上涂布环氧树脂，然后，对环氧树脂加热使之固化，由此形成保护膜14。在此，以至少覆盖除电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24以外的区域的方式来形成保护膜14。
在第5工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15形成于基板主体的第1主面上。更详细而言，在第5工序中，例如通过溅射在基板主体的第1主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个上表面电极15。
在第6工序中，使多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17形成于基板主体的第2主面上。更详细而言，在第6工序中，例如通过溅射在基板主体的第2主面上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个下表面电极17。基板主体的第2主面是成为多个磁传感器1各自的支承基板11的第2主面112的面。
在第7工序中，将通过第1工序～第6工序而一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。更详细而言，在第7工序中，例如使用激光或切割，将一体地形成的多个磁传感器1切断为一个一个的磁传感器1。
在第8工序中，相对于被切断为一个一个的磁传感器1来形成多个端面电极16。更详细而言，在第8工序中，例如通过溅射在支承基板11的外周面113上形成CuNi系合金膜，由此形成多个磁传感器1的每一个中的多个端面电极16。由此，多个上表面电极15和多个下表面电极17经由多个端面电极16连接。
在第9工序中，在多个磁传感器1的每一个中形成镀层18。更详细而言，在第9工序中，相对于多个磁传感器1的每一个，依次形成用于构成镀层18的电解铜镀层和电解锡镀层。
通过以上说明的第1工序～第9工序，能够制造实施方式的磁传感器1。
(4)效果
在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。由此，与多个磁阻图案部131～134的形心c11～c14相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够实现磁传感器1在第2方向D2上的小型化。另外，能够使因各磁阻图案部131～134的形心c11～c14相对于中心线L2的偏移导致的误差最小化，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3(参照图5)为检测对象2的磁化周期λ(参照图3)的15％以上。由此，与多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3小于检测对象2的磁化周期λ的15％的情况相比，相对于由检测对象2的相对移动引起的磁通密度的变化而言的反应不急剧，其结果是，能够减小因失真波形导致的误差。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。由此，能够使相邻的磁阻图案部131～134之间的距离较短，其结果是，能够实现磁传感器1的进一步的小型化。
并且，在多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3超过检测对象2的磁化周期λ的25％的情况下，相邻的两个磁阻图案部相对于检测对象2的相同的磁极同时发生反应，检测对象2的位置的检测精度有可能下降。与此相对，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为检测对象2的磁化周期λ的25％以下。因此，相邻的两个磁阻图案部相对于检测对象2的相同的磁极同时发生反应的可能性较低，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，在多个磁阻图案部131～134的每一个中，从第3方向D3观察时的中心点c21～c24与形心c11～c14分别一致。由此，能够使因多个磁阻图案部131～134的中心点c21～c24与形心c11～c14之间的偏离导致的误差最小化。
另外，在实施方式1的磁传感器1中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。由此，能够将多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3设为检测对象2的磁化周期λ的15％以上。
(5)变形例
实施方式1只是本公开的各种实施方式之一。实施方式1只要能够实现本公开的目的，则能够根据设计等进行各种变更。以下列举实施方式1的变形例。以下说明的变形例能够适当地组合来应用。
(5.1)变形例1
在变形例1的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134分别由多个电阻部构成，在这一点上与实施方式1的磁传感器1不同。此外，在变形例1的磁传感器中，除此以外的结构与上述的实施方式的磁传感器1同样，对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略说明。以下，参照图8说明变形例1的磁传感器。
如图8所示，变形例1的磁传感器具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第8布线图案部142、电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。
第1磁阻图案部131具有第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图8的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。第1电阻部1311的第1端部经由第1布线图案部135与电源端子21连接。第1电阻部1311的第2端部经由第5布线图案部139与第2电阻部1312的第2端部连接。第2电阻部1312的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第2磁阻图案部132具有第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。第1电阻部1321的第1端部经由第2布线图案部136与接地端子22连接。第1电阻部1321的第2端部经由第6布线图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2电阻部1322的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第3磁阻图案部133具有第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。第1电阻部1331的第1端部经由第1布线图案部135与电源端子21连接。第1电阻部1331的第2端部经由第7布线图案部141与第2电阻部1332的第2端部连接。第2电阻部1332的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
第4磁阻图案部134具有第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。第1电阻部1341的第1端部经由第2布线图案部136与接地端子22连接。第1电阻部1341的第2端部经由第8布线图案部142与第2电阻部1342的第2端部连接。第2电阻部1342的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。在变形例1的磁传感器中，如图8所示，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134由包含在区域R2内的部分构成。
在变形例1的磁传感器中也是，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的中心点c211与形心c111一致，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的中心点c212与形心c112一致。另外，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的中心点c221与形心c121一致，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的中心点c222与形心c122一致。另外，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的中心点c231与形心c131一致，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的中心点c232与形心c132一致。另外，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的中心点c241与形心c141一致，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的中心点c242与形心c142一致。
即，在变形例1的磁传感器中也是，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。更详细而言，第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的形心c111和第2电阻部1312的形心c112位于中心线L2上。另外，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的形心c121和第2电阻部1322的形心c122位于中心线L2上。另外，第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的形心c131和第2电阻部1332的形心c132位于中心线L2上。另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的形心c141和第2电阻部1342的形心c142位于中心线L2上。
由此，与多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸。其结果是，能够谋求磁传感器1在第2方向D2上的小型化。另外，例如即使在检测对象2(参照图3)相对于磁传感器在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因磁场强度分布的不均导致的磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
并且，在变形例1的磁传感器中，也能够将各磁阻图案部131～134的图案宽度W3设为15％以上且25％以下，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
(5.2)变形例2
在变形例2的磁传感器中，构成多个磁阻图案部131～134的多个电阻部中的在第1方向D1上位于外侧的电阻部兼用作将第1磁阻图案部131与电源端子21之间连接的布线图案部和将第4磁阻图案部134与接地端子22之间连接的布线图案部，在这一点上与上述的变形例1的磁传感器不同。此外，在变形例2的磁传感器中，关于除此以外的结构与上述的变形例1的磁传感器同样，对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略说明。以下，参照图9说明变形例2的磁传感器。
如图9所示，变形例2的磁传感器具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个(例如四个)端子21～24。如上所述，多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。另外如上所述，多个端子21～24包括电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。
第1磁阻图案部131具有第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图9的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。第1电阻部1311的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1311的第2端部经由第1布线图案部135的第2布线部1352与第2电阻部1312的第2端部连接。第2电阻部1312的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第2磁阻图案部132具有第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。第1电阻部1321的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1321的第2端部经由第6布线图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2电阻部1322的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第3磁阻图案部133具有第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。第1电阻部1331的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1331的第2端部经由第5布线图案部139与第2电阻部1332的第2端部连接。第2电阻部1332的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
第4磁阻图案部134具有第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。第1电阻部1341的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1341的第2端部经由第2布线图案部136的第2布线部1362与第2电阻部1342的第2端部连接。第2电阻部1342的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
在变形例2的磁传感器中，与电源端子21连接的第1布线图案部135的第1布线部1351和第2布线部1352经由外侧的第1电阻部1311连接。另外，在变形例2的磁传感器中，与接地端子22连接的第2布线图案部136的第1布线部1361和第2布线部1362经由外侧的第1电阻部1341连接。在本公开中，“外侧的电阻部”是指，沿着第1方向D1排列的多个电阻部中的在第1方向D1上的仅一侧设有其他电阻部的电阻部。在变形例2的磁传感器中，多个电阻部1311、1312、1321、1322、1331、1332、1341、1342中的位于第1方向D1上的两侧的电阻部1311、1341为外侧的电阻部。而且，除此以外的电阻部为内侧的电阻部。在本公开中，“内侧的电阻部”是指，沿着第1方向D1排列的多个电阻部中的在第1方向D1上的两侧设有其他电阻部的电阻部。在变形例2的磁传感器中，多个电阻部1311、1312、1321、1322、1331、1332、1341、1342中的除了位于第1方向D1上的两侧的电阻部1311、1341以外的电阻部1312、1321、1322、1331、1332、1342为内侧的电阻部。另外，在变形例2的磁传感器中，如图9所示，第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134由包含在区域R3内的部分构成。
在变形例2的磁传感器中也是，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的中心点c211与形心c111一致，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的中心点c212与形心c112一致。另外，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的中心点c221与形心c121一致，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的中心点c222与形心c122一致。另外，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的中心点c231与形心c131一致，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的中心点c232与形心c132一致。另外，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的中心点c241与形心c141一致，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的中心点c242与形心c142一致。
即，在变形例2的磁传感器中也是，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。更详细而言，第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的形心c111和第2电阻部1312的形心c112位于中心线L2上。另外，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的形心c121和第2电阻部1322的形心c122位于中心线L2上。另外，第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的形心c131和第2电阻部1332的形心c132位于中心线L2上。另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的形心c141和第2电阻部1342的形心c142位于中心线L2上。
由此，与多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸。其结果是，能够谋求磁传感器1在第2方向D2上的小型化。另外，例如在检测对象2(参照图3)相对于磁传感器在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因磁场强度分布的不均导致的磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
另外，在变形例1的磁传感器中，也能够将各磁阻图案部131～134的图案宽度W3设为15％以上且25％以下，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
(5.3)变形例3
在变形例3的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽较细，在这一点上与变形例2的磁传感器不同。此外，在变形例3的磁传感器中，除此以外的结构与上述的变形例2的磁传感器同样，对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略说明。以下，参照图10～图12说明变形例3的磁传感器。
如图10所示，变形例3的磁传感器具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个(例如四个)端子21～24。多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。另外，多个端子21～24包括电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。
第1磁阻图案部131具有第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图10的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧(图10的上侧)朝向另一端侧(图10的下侧)延伸。另外，在从第3方向D3观察时，第2电阻部1312沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧(图10的上侧)朝向另一端侧(图10的下侧)延伸，进一步沿着第1方向D1蜿蜒，并且从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧延伸。由此，第2电阻部1312的两端位于第2方向D2的一端侧(图10的上侧)。另外，在第2电阻部1312中，从第2方向D2的一端侧朝向另一端侧的第1图案部和从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧的第2图案部形成为在第1方向D1上交替地进入的梳齿状。由此，能够使第2电阻部1312的第1方向D1上的图案宽度较窄。第1电阻部1311的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1311的第2端部经由第1布线图案部135的第2布线部1352与第2电阻部1312的第2端部连接。第2电阻部1312的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第2磁阻图案部132具有第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3(与图10的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧(图10的上侧)朝向另一端侧(图10的下侧)延伸，进一步沿着第1方向D1蜿蜒，并且从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧延伸(参照图11和图12)。由此，第1电阻部1321和第2电阻部1322各自的两端位于第2方向D2的一端侧(图10的上侧)。另外，在第1电阻部1321和第2电阻部1322的每一个中，从第2方向D2的一端侧朝向另一端侧的第1图案部1323(参照图11)和从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧的第2图案部1324(参照图11)形成为在第1方向D1上交替地进入的梳齿状。由此，能够使第1电阻部1321和第2电阻部1322各自的第1方向D1上的图案宽度较窄。第1电阻部1321的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1321的第2端部经由第6布线图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2电阻部1322的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第3磁阻图案部133具有第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3(与图10的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧(图10的下侧)朝向另一端侧(图10的上侧)延伸，进一步沿着第1方向D1蜿蜒，并且从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧延伸。由此，第1电阻部1331和第2电阻部1332各自的两端位于第2方向D2的一端侧(图10的下侧)。另外，在第1电阻部1331和第2电阻部1332的每一个中，从第2方向D2的一端侧朝向另一端侧的第1图案部和从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧的第2图案部形成为在第1方向D1上交替地进入的梳齿状。由此，能够使第1电阻部1331和第2电阻部1332各自的第1方向D1上的图案宽度较窄。第1电阻部1331的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1331的第2端部经由第5布线图案部139与第2电阻部1332的第2端部连接。第2电阻部1332的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
第4磁阻图案部134具有第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3(与图10的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧(图10的上侧)朝向另一端侧(图10的下侧)延伸(参照图11)。另外，在从第3方向D3观察时，第2电阻部1342沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，并且从第2方向D2的另一端侧(图10的下侧)朝向一端侧(图10的上侧)延伸，进一步沿着第1方向D1蜿蜒，并且从第2方向D2的一端侧朝向另一端侧延伸(参照图12)。由此，第2电阻部1342的两端位于第2方向D2的另一端侧(图10的下侧)。另外，在第2电阻部1342中，从第2方向D2的另一端侧朝向一端侧的第1图案部1344(参照图12)和从第2方向D2的一端侧朝向另一端侧的第2图案部1345(参照图12)形成为在第1方向D1上交替地进入的梳齿状。由此，能够使第2电阻部1342的第1方向D1上的图案宽度较窄。第1电阻部1341的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1341的第2端部经由第2布线图案部136的第2布线部1362与第2电阻部1342的第2端部连接。第2电阻部1342的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
在变形例3的磁传感器中也是，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的中心点c211与形心c111一致，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的中心点c212与形心c112一致。另外，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的中心点c221与形心c121一致，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的中心点c222与形心c122一致。另外，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的中心点c231与形心c131一致，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的中心点c232与形心c132一致。另外，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的中心点c241与形心c141一致，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的中心点c242与形心c142一致。
即，在变形例3的磁传感器中也是，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。更详细而言，第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的形心c111和第2电阻部1312的形心c112位于中心线L2上。另外，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的形心c121和第2电阻部1322的形心c122位于中心线L2上。另外，第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的形心c131和第2电阻部1332的形心c132位于中心线L2上。另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的形心c141和第2电阻部1342的形心c142位于中心线L2上。
由此，与多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸。其结果是，能够谋求磁传感器1在第2方向D2上的小型化。另外，例如即使在检测对象2(参照图3)相对于磁传感器在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因磁场强度分布的不均导致的磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
在此，在图9所示的变形例2的磁传感器和变形例3的磁传感器中，与上述的实施方式1的磁传感器1和变形例1的磁传感器同样地，各磁阻图案部131～134例如由含有NiFeCo合金的磁性层和含有Cu合金的非磁性层交替地层叠而成的人工晶格膜构成。
另外，在图9所示的变形例2的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽例如是10μm以上且30μm以下。在变形例2的磁传感器中，由各磁阻图案部131～134构成的电桥电路的电阻值例如是1kΩ以上且5kΩ以下。
与此相对，在变形例3的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽例如是5μm以上且15μm以下。另外，变形例3的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽为变形例2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽的1/2。因而，例如若变形例2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽为10μm，则变形例3的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽为5μm。在变形例3的磁传感器中，由各磁阻图案部131～134构成的电桥电路的电阻值例如是5kΩ以上且10kΩ以下。
如变形例3的磁传感器那样，通过使各磁阻图案部131～134的线宽变细，能够增大多个磁阻图案部131～134的电阻值。由此，能够减小为了得到所期望的信号输出而所需的功耗。即，根据变形例3的磁传感器，能够提高单位功耗的信号输出。
(5.4)变形例4
在变形例4的磁传感器中，各磁阻图案部131～134沿着第2方向D2形成，在这一点上与变形例3的磁传感器不同。此外，在变形例4的磁传感器中，除此以外的结构与上述的变形例3的磁传感器同样，对于相同的结构要素标注相同的附图标记并省略说明。以下，参照图13～图15说明变形例4的磁传感器。
如图13所示，变形例4的磁传感器具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个(例如四个)端子21～24。多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。另外，多个端子21～24包括电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。
第1磁阻图案部131具有第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图13的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒，并且从第1方向D1的一端侧(图13的左侧)朝向另一端侧(图13的右侧)延伸。另外，如图13所示，第1电阻部1311具有一对鼓出部1313、1313。一对鼓出部1313、1313在第1电阻部1311的第1方向D1上的中央部分，向彼此靠近的方向以矩形形状鼓出。另外，第1电阻部1311是以中心点c211为对称点(对称中心)的点对称的形状。另一方面，第2电阻部1312是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L112成轴对称的形状。第1电阻部1311的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1311的第2端部经由第1布线图案部135的第2布线部1352与第2电阻部1312的第2端部连接。第2电阻部1312的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第2磁阻图案部132具有第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3(与图13的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒，并且从第1方向D1的一端侧(图13的左侧)朝向另一端侧(图13的右侧)延伸。如图14所示，第1电阻部1321是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L121成轴对称的形状。另外，如图15所示，第2电阻部1322是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L122成轴对称的形状。第1电阻部1321的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1321的第2端部经由第6布线图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2电阻部1322的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第3磁阻图案部133具有第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3(与图13的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒，并且从第1方向D1的一端侧(图13的左侧)朝向另一端侧(图13的右侧)延伸。第1电阻部1331是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L111成轴对称的形状。另外，第2电阻部1332是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L132成轴对称的形状。第1电阻部1331的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1331的第2端部经由第5布线图案部139与第2电阻部1332的第2端部连接。第2电阻部1332的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
第4磁阻图案部134具有第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3(与图13的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。更详细而言，在从第3方向D3观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒，并且从第1方向D1的一端侧(图13的右侧)朝向另一端侧(图13的左侧)延伸。另外，如图14所示，第1电阻部1341具有一对鼓出部1343、1343。一对鼓出部1343、1343在第1电阻部1341的第1方向D1上的中央部分，向彼此靠近的方向以矩形形状鼓出。另外，第1电阻部1341是以中心点c241为对称点(对称中心)的点对称的形状。另一方面，如图15所示，第2电阻部1342是相对于沿着第2方向D2的中心线(对称轴)L142成轴对称的形状。第1电阻部1341的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1341的第2端部经由第2布线图案部136的第2布线部1362与第2电阻部1342的第2端部连接。第2电阻部1342的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
在变形例4的磁传感器中也是，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的中心点c211与形心c111一致，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的中心点c212与形心c112一致。另外，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的中心点c221与形心c121一致，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的中心点c222与形心c122一致。另外，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的中心点c231与形心c131一致，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的中心点c232与形心c132一致。另外，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的中心点c241与形心c141一致，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的中心点c242与形心c142一致。
即，在变形例4的磁传感器中也是，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。更详细而言，第1磁阻图案部131的第1电阻部1311的形心c111和第2电阻部1312的形心c112位于中心线L2上。另外，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的形心c121和第2电阻部1322的形心c122位于中心线L2上。另外，第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的形心c131和第2电阻部1332的形心c132位于中心线L2上。另外，第4磁阻图案部134的第1电阻部1341的形心c141和第2电阻部1342的形心c142位于中心线L2上。
由此，与多个磁阻图案部131～134的形心c111、c112、c121、c122、c131、c132、c141、c142相对于中心线L2在第2方向D2上偏移的情况相比，能够减小多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的尺寸。其结果是，能够谋求磁传感器1在第2方向D2上的小型化。另外，例如即使在检测对象2(参照图3)相对于磁传感器在第2方向D2上倾斜的情况下，也能够抑制因磁场强度分布的不均导致的磁阻图案部131～134的电阻值的变动量，其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。
另外，在变形例4的磁传感器中也是，各磁阻图案部131～134的线宽小于变形例2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽。由此，能够增大由各磁阻图案部131～134构成的电桥电路的电阻值，其结果是，能够减少为了得到所期望的信号输出而所需的功耗。
(5.5)其他变形例
以下，列举实施方式1的其他变形例。
多个磁阻图案部131～134各自的形状并不限于曲折形状，也可以是其他形状。
在实施方式1、变形例1、变形例2、变形例3以变形例4中，各磁阻图案部131～134由一个或两个电阻部构成，但各磁阻图案部131～134例如也可以由三个以上的电阻部构成。
(实施方式2)
参照图16和图17说明实施方式2的磁传感器。在以下的说明中，对于与实施方式1的磁传感器1相同的结构，标注相同的附图标记并省略说明。
在实施方式2的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134分别由多个电阻部构成，在这一点上与实施方式1的磁传感器1不同。另外，在实施方式2的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽较细，在这一点上与实施方式1的磁传感器1不同。
(1)概要
在上述的专利文献1中记载了具有绝缘基板(支承基板)和设于绝缘基板上的磁阻膜的磁阻元件(磁传感器)。磁阻膜包括多个双重曲折感磁图案单元(磁阻图案部)。多个双重曲折感磁图案单元沿着磁体相对于磁阻元件的移动方向排列。
在上述的专利文献1所记载的磁阻元件中，虽然能够减小因失真波形导致的误差，但存在整体大型化这样的问题。为了解决上述的问题，实施方式2的磁传感器采用以下的结构。
即，实施方式2的磁传感器是基于检测对象2(参照图3)沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ(参照图3)被磁化。磁传感器具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3(参照图5)为磁化周期λ的15％以上且25％以下。在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134分别形成为曲折形状。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。
在实施方式2的磁传感器中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为检测对象2的磁化周期λ的15％以上。由此，与多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3小于检测对象2的磁化周期λ的15％的情况相比，相对于由检测对象2的相对移动引起的磁通密度的变化而言的反应不急剧，其结果是，能够减小因失真波形导致的误差。另外，在实施方式2的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。由此，能够使相邻的磁阻图案部131～134之间的距离较短，其结果是，能够谋求磁传感器1的小型化。即，根据实施方式2的磁传感器，能够减小因失真波形导致的误差，并且能够谋求小型化。
另外，在多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3超过检测对象2的磁化周期λ的25％的情况下，相邻的两个磁阻图案部相对于检测对象2的相同的磁极同时发生反应，检测对象2的位置的检测精度有可能下降。与此相对，在实施方式2的磁传感器中，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为检测对象2的磁化周期λ的25％以下。因此，相邻的两个磁阻图案部相对于检测对象2的相同的磁极同时发生反应的可能性较低，能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(2)详细说明
如图16所示，实施方式2的磁传感器具有多个(例如四个)磁阻图案部131～134、第1布线图案部135～第6布线图案部140以及多个(例如四个)端子21～24。多个磁阻图案部131～134包括第1磁阻图案部131、第2磁阻图案部132、第3磁阻图案部133以及第4磁阻图案部134。另外，多个端子21～24包括电源端子21、接地端子22、第1输出端子23以及第2输出端子24。
第1磁阻图案部131具有第1电阻部1311和第2电阻部1312。在从第3方向D3(与图16的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1311和第2电阻部1312分别形成为曲折形状。第1电阻部1311包括第1部分1314和第2部分1315。第1部分1314在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1315在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2电阻部1312包括第1部分1316和第2部分1317。第1部分1316在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1317在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第2电阻部1312中，第1部分1316和第2部分1317是以第2电阻部1312的中心点c212为对称点(对称中心)的点对称的形状。第1电阻部1311的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1311的第2端部经由第1布线图案部135的第2布线部1352与第2电阻部1312的第2端部连接。第2电阻部1312的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第2磁阻图案部132具有第1电阻部1321和第2电阻部1322。在从第3方向D3(与图16的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1321和第2电阻部1322分别形成为曲折形状。第1电阻部1321包括第1部分1325和第2部分1326。第1部分1325在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1326在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第1电阻部1321中，第1部分1325和第2部分1326是以第1电阻部1321的中心点c221为对称点(对称中心)的点对称的形状。第2电阻部1322包括第1部分1327和第2部分1328。第1部分1327在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1328在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第2电阻部1322中，第1部分1327和第2部分1328是以第2电阻部1322的中心点c222为对称点(对称中心)的点对称的形状。第1电阻部1321的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1321的第2端部经由第6布线图案部140与第2电阻部1322的第2端部连接。第2电阻部1322的第1端部经由第3布线图案部137与第1输出端子23连接。
第3磁阻图案部133具有第1电阻部1331和第2电阻部1332。在从第3方向D3(与图16的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1331和第2电阻部1332分别形成为曲折形状。第1电阻部1331包括第1部分1334和第2部分1335。第1部分1334在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1335在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第1电阻部1331中，第1部分1334和第2部分1335是以第1电阻部1331的中心点c231为对称点(对称中心)的点对称的形状。第2电阻部1332包括第1部分1336和第2部分1337。第1部分1336在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1337在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第2电阻部1332中，第1部分1336和第2部分1337是以第2电阻部1332的中心点c232为对称点(对称中心)的点对称的形状。第1电阻部1331的第1端部经由第1布线图案部135的第1布线部1351与电源端子21连接。第1电阻部1331的第2端部经由第5布线图案部139与第2电阻部1332的第2端部连接。第2电阻部1332的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
第4磁阻图案部134具有第1电阻部1341和第2电阻部1342。在从第3方向D3(与图16的纸面垂直的方向)观察时，第1电阻部1341和第2电阻部1342分别形成为曲折形状。第1电阻部1341包括第1部分1346和第2部分1347。第1部分1346在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1347在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2电阻部1342包括第1部分1348和第2部分1349。第1部分1348在比中心线L2靠下侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠上侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。第2部分1349在比中心线L2靠上侧的区域沿着第1方向D1以字母U字形蜿蜒，且在比中心线L2靠下侧的区域沿着第2方向D2以字母U字形蜿蜒。另外，在第2电阻部1342中，第1部分1348和第2部分1349是以第2电阻部1342的中心点c242为对称点(对称中心)的点对称的形状。第1电阻部1341的第1端部经由第2布线图案部136的第1布线部1361与接地端子22连接。第1电阻部1341的第2端部经由第2布线图案部136的第2布线部1362与第2电阻部1342的第2端部连接。第2电阻部1342的第1端部经由第4布线图案部138与第2输出端子24连接。
在实施方式2的磁传感器中也是，从第3方向D3观察时的第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的中心点c212与形心c112一致。另外，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的中心点c221与形心c121一致，从第3方向D3观察时的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322的中心点c222与形心c122一致。另外，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的中心点c231与形心c131一致，从第3方向D3观察时的第3磁阻图案部133的第2电阻部1332的中心点c232与形心c132一致。另外，从第3方向D3观察时的第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的中心点c242与形心c142一致。
即，在实施方式2的磁传感器中也是，在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134的形心c112、c121、c122、c131、c132、c142位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。更详细而言，第1磁阻图案部131的第2电阻部1312的形心c112位于中心线L2上。另外，第2磁阻图案部132的第1电阻部1321的形心c121和第2电阻部1322的形心c122位于中心线L2上。另外，第3磁阻图案部133的第1电阻部1331的形心c131和第2电阻部1332的形心c132位于中心线L2上。另外，第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的形心c142位于中心线L2上。
在此，在图9所示的实施方式1的变形例2的磁传感器和实施方式2的磁传感器中，与上述的实施方式1的磁传感器1和变形例1的磁传感器同样地，各磁阻图案部131～134例如由含有NiFeCo合金的磁性层和含有Cu合金的非磁性层交替地层叠而成的人工晶格膜构成。
另外，在图9所示的实施方式1的变形例2的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽例如是10μm以上且30μm以下。在实施方式1的变形例2的磁传感器中，由各磁阻图案部131～134构成的电桥电路的电阻值例如是1kΩ以上且5kΩ以下。
与此相对，在实施方式2的磁传感器中，各磁阻图案部131～134的线宽W1(参照图17)例如是4μm以上且15μm以下。优选的是，各磁阻图案部131～134的线宽W1为5μm。另外，实施方式2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽W1为实施方式1的变形例2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽的1/2。因而，例如若实施方式1的变形例2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽为10μm，则实施方式2的磁传感器的各磁阻图案部131～134的线宽W1为5μm。另外，在实施方式2的磁传感器中，各磁阻图案部131～134中相邻的图案的间隔W2例如是5μm。在实施方式2的磁传感器中，由各磁阻图案部131～134构成的电桥电路的电阻值例如是5kΩ以上且10kΩ以下。
如实施方式2的磁传感器那样，通过使各磁阻图案部131～134的线宽W1较细，能够增大多个磁阻图案部131～134的电阻值。由此，能够减少为了得到所期望的信号输出而所需的功耗。即，根据实施方式2的磁传感器，能够提高单位功耗的信号输出。
另外，在实施方式2的磁传感器中，例如，如图17所示，第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的第2磁阻图案部132的第2电阻部1322重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的第2电阻部1322侧突出。由此，能够将第4磁阻图案部134的第2电阻部1342的图案宽度W3设为检测对象2的磁化周期λ(参照图3)的15％以上且25％以下。其结果是，能够减小检测对象2的位置的检测误差。此外，对于第1磁阻图案部131的第1电阻部1311和第2电阻部1312、第2磁阻图案部132的第1电阻部1321和第2电阻部1322、第3磁阻图案部133的第1电阻部1331和第2电阻部1332、以及第4磁阻图案部134的第1电阻部1341，也同样地能够将图案宽度设为检测对象2的磁化周期λ的15％以上且25％以下。
(3)效果
在实施方式2的磁传感器中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3(参照图5)为检测对象2的磁化周期λ(参照图3)的15％以上。由此，与多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3小于检测对象2的磁化周期λ的15％的情况相比，相对于由检测对象2的相对移动引起的磁通密度的变化而言的反应不急剧，其结果是，能够减小因失真波形导致的误差。另外，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。由此，能够使相邻的磁阻图案部131～134之间的距离较短，其结果是，能够谋求磁传感器1的小型化。即，根据实施方式2的磁传感器，能够减小失真波形的误差，并且能够谋求小型化。
另外，在多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3超过检测对象2的磁化周期λ的25％的情况下，相邻的两个磁阻图案部相对于检测对象2的相同的磁极发生反应，检测对象2的位置的检测精度有可能下降。与此相对，在实施方式2的磁传感器中，如上所述，由于多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为检测对象2的磁化周期λ的25％以下，因此能够抑制检测对象2的位置的检测精度的下降。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第1方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134分别形成为曲折形状。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134各自的形心c11～c14位于多个磁阻图案部131～134的第2方向D2上的中心线L2上。
根据该方式，能够谋求磁传感器1的小型化。
根据第1方式，在第2方式的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为磁化周期λ的15％以上且25％以下。
根据该方式，能够减小因失真波形导致的误差。
根据第2方式，在第3方式的磁传感器1中，多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。
根据该方式，能够实现磁传感器1的进一步的小型化。
根据第1方式～第3方式中的任一方式，在第4方式的磁传感器1中，作为多个磁阻图案部131、132、133、134，具有四个磁阻图案部131、132、133、134。四个磁阻图案部131、132、133、134构成全桥电路，来作为上述电桥电路。
根据第4方式，第5方式的磁传感器1还具有第1布线图案部135、第2布线图案部136、第3布线图案部137以及第4布线图案部138。第1布线图案部135与电源端子21连接。第2布线图案部136与接地端子22连接。第3布线图案部137与第1输出端子23连接。第4布线图案部138与第2输出端子24连接。多个磁阻图案部131～134包括相互串联连接的第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132以及相互串联连接的第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134。第1布线图案部135与第1磁阻图案部131的与第2磁阻图案部132侧相反的一侧的端部和第3磁阻图案部133的与第4磁阻图案部134侧相反的一侧的端部连接。第2布线图案部136与第2磁阻图案部132的与第1磁阻图案部131侧相反的一侧的端部和第4磁阻图案部134的与第3磁阻图案部133侧相反的一侧的端部连接。第3布线图案部137与第1磁阻图案部131和第2磁阻图案部132连接。第4布线图案部138与第3磁阻图案部133和第4磁阻图案部134连接。
第2方式～第5方式的结构不是磁传感器1所必须的结构，能够适当地省略。
第6方式的磁传感器1是基于检测对象2沿着第1方向D1相对地移动而产生的磁场强度的变化来对检测对象2的位置进行检测的磁传感器1。检测对象2在第1方向D1上以预定的磁化周期λ被磁化。磁传感器1具有多个磁阻图案部131～134。多个磁阻图案部131～134构成电桥电路。多个磁阻图案部131～134沿着第1方向D1排列。多个磁阻图案部131～134分别沿着与第1方向D1正交的第2方向D2形成。多个磁阻图案部131～134各自的图案宽度W3为磁化周期λ的15％以上且25％以下。在从第3方向D3观察时，多个磁阻图案部131～134分别形成为曲折形状。第3方向D3为与第1方向D1和第2方向D2这两者正交的方向。多个磁阻图案部131～134各自的局部以在第2方向D2上与在第1方向D1上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在第1方向D1上相邻的磁阻图案部侧突出。
根据该方式，能够减小因失真波形导致的误差，并且能够谋求磁传感器1的小型化。

Claims (5)

1.一种磁传感器，其基于在第1方向上以预定的磁化周期被磁化的检测对象沿着所述第1方向相对地移动而产生的磁场强度的变化，来对所述检测对象的位置进行检测，其特征在于，
该磁传感器具有构成电桥电路的多个磁阻图案部，
所述多个磁阻图案部沿着所述第1方向排列，
所述多个磁阻图案部分别沿着与所述第1方向正交的第2方向形成，
在从与所述第1方向和所述第2方向这两者正交的第3方向观察时，所述多个磁阻图案部分别形成为曲折形状，
在从所述第3方向观察时，所述多个磁阻图案部各自的形心位于所述多个磁阻图案部的所述第2方向上的中心线上。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述多个磁阻图案部各自的图案宽度为所述磁化周期的15％以上且25％以下。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述多个磁阻图案部各自的局部以在所述第2方向上与在所述第1方向上相邻的磁阻图案部的局部重叠的方式，向在所述第1方向上所述相邻的磁阻图案部侧突出。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
作为所述多个磁阻图案部，具有四个磁阻图案部，
所述四个磁阻图案部构成全桥电路，来作为所述电桥电路。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
该磁传感器还具有：
与电源端子连接的第1布线图案部；
与接地端子连接的第2布线图案部；
与第1输出端子连接的第3布线图案部；以及
与第2输出端子连接的第4布线图案部，
所述多个磁阻图案部包括：
相互串联连接的第1磁阻图案部和第2磁阻图案部；以及
相互串联连接的第3磁阻图案部和第4磁阻图案部，
所述第1布线图案部与所述第1磁阻图案部的和所述第2磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第3磁阻图案部的和所述第4磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，
所述第2布线图案部与所述第2磁阻图案部的和所述第1磁阻图案部侧相反的一侧的端部以及所述第4磁阻图案部的和所述第3磁阻图案部侧相反的一侧的端部连接，
所述第3布线图案部与所述第1磁阻图案部和所述第2磁阻图案部连接，
所述第4布线图案部与所述第3磁阻图案部和所述第4磁阻图案部连接。
CN202122873296.6U 2020-11-23 2021-11-23 磁传感器 Active CN216448795U (zh)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063117154P 2020-11-23 2020-11-23
US63/117,154 2020-11-23
JP2021022906 2021-02-16
JP2021-022906 2021-02-16
JP2021-091929 2021-05-31
JP2021091929 2021-05-31
JP2021118285 2021-07-16
JP2021-118285 2021-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN216448795U true CN216448795U (zh) 2022-05-06

Family

ID=81353503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202122873296.6U Active CN216448795U (zh) 2020-11-23 2021-11-23 磁传感器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230413686A1 (zh)
JP (1) JPWO2022107766A1 (zh)
CN (1) CN216448795U (zh)
WO (1) WO2022107766A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3555412B2 (ja) * 1997-11-14 2004-08-18 松下電器産業株式会社 磁気抵抗センサ
JP2001244521A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Nippon Seiki Co Ltd 移動物体検出装置
JP6127271B2 (ja) * 2013-09-19 2017-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 巨大磁気抵抗素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022107766A1 (ja) 2022-05-27
JPWO2022107766A1 (zh) 2022-05-27
US20230413686A1 (en) 2023-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6189426B2 (ja) 磁気抵抗歯車センサ
US7378839B2 (en) Magnetic encoder
KR100860648B1 (ko) 자기 센서, 자기 센서의 제조 방법, 회전 검출 장치 및위치 검출 장치
WO2014148437A1 (ja) 磁気センサ
JP5494591B2 (ja) 長尺型磁気センサ
TWI638140B (zh) 磁場感測裝置
CN216448795U (zh) 磁传感器
JP4285695B2 (ja) 薄膜磁気センサ及び回転センサ
CN111198341A (zh) 磁传感器及位置检测装置
CN111722163A (zh) 磁场感测装置
CN216645213U (zh) 磁传感器
CN216956325U (zh) 磁传感器
JP2001141514A (ja) 磁気抵抗素子
CN216900887U (zh) 磁传感器
US7339369B2 (en) Magnetic encoder
JP4984962B2 (ja) 磁気式角度センサ
CN109974569B (zh) 磁传感器
JPH11287669A (ja) 磁界センサ
JP3555412B2 (ja) 磁気抵抗センサ
JP4773066B2 (ja) 歯車センサ
CN116609712A (zh) 磁传感器
JPH09113590A (ja) 磁気センサー
CN116420103A (zh) 位置检测装置
JP2021019028A (ja) 磁気抵抗素子
JPH10318706A (ja) リニアストロークセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant