JP2001244521A - 移動物体検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノイズの影響を受けにくく、またコストアッ
プを招かずに磁気検出部を小型化することが可能な移動
物体検出装置を提供する。 【解決手段】 一端に引き出された一対の素子電極（電
極部）３２を有する第１，第２，第３，第４の半導体磁
気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂを永久磁石
８上に一列に順次配設する。第１の磁気検出素子２８
は、第１の半導体磁気抵抗素子２８ａの素子電極（電極
部）３２と、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａを隔てて
配設される第３の半導体磁気変換素子２８ｂの素子電極
３２との配設方向を同一し、第１の半導体磁気抵抗素子
２８ａと第３の半導体磁気抵抗素子２８ｂとで対をな
す。第２の磁気検出素子２９は、第２の半導体磁気抵抗
素子２９ａの素子電極３２と、第３の半導体磁気抵抗素
子２８ｂを隔てて配設される第４の半導体磁気変換素子
２９ｂの素子電極３２との配設方向を、第１の磁気検出
素子２８における素子電極３２の配設方向と異なる方向
で同一し、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａと第４の半
導体磁気抵抗素子２９ｂとで対をなす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体磁気抵抗素
子を用いて被検出体の移動を検出する移動物体検出装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】物体の回転や位置の変位を検出する移動
物体検出装置として、磁気変換作用を用いる半導体磁気
抵抗素子が使用されている。前記半導体磁気抵抗素子
は、検出出力の大きいインジユウムアンチモン（InSb）
を半導体磁気抵抗膜としたものが多く用いられ、磁性体
材料からなる被検出体、例えば歯車の正点及び逆転を検
出する移動物体検出装置としての回転検出装置に採用さ
れている。

【０００３】この回転検出装置Ａは、図７に示すよう
に、シリコン等の高抵抗材料からなる長方形形状の半導
体基板１に半導体磁気抵抗膜２を形成し、半導体基板１
の長手方向に対する両端にそれぞれ引き出し形成された
一対の素子電極（電極部）３を有する第１〜第４の半導
体磁気抵抗素子４，５，６，７を、永久磁石８上におい
て直線的に順次配設し、それぞれ隣り合う各半導体磁気
抵抗素子同士、即ち第１，第２の半導体磁気抵抗素子
４，５と、第３，第４の半導体磁気抵抗素子６，７とを
直列接続して第１，第２の磁気検出素子９，１０を構成
し、前記各磁気検出素子９，１０に駆動電圧Ｖinを印加
するとともに、前記各磁気検出素子９，１０の中点をそ
れぞれ取り出し、この各中点電位Ｖout１，Ｖout２を検
出することによって、被検出体の回転（正点及び逆転）
を検出するものである。尚、各半導体磁気抵抗素子４，
５，６，７間の接続や、各磁気検出素子９，１０の電源
供給及び信号出力における結線は、各半導体磁気抵抗素
子４，５，６，７の磁気検出面１１側から配設される回
路基板によってなされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】かかる回転検出装置Ａ
は、第１〜第４の半導体磁気抵抗素子４，５，６，７に
おける素子電極３が半導体基板１における両端部に引き
出し形成され、各半導体磁気抵抗素子４，５，６，７の
配列方向において、それぞれ隣り合う第１，第２の半導
体磁気抵抗素子４，５と、第３，第４の半導体磁気抵抗
素子６，７とが対をなすように第１，第２の磁気検出素
子９，１０を構成するため、第１の半導体磁気抵抗素子
４及び第２の半導体磁気抵抗素子５と、第３の半導体磁
気抵抗素子６及び第４の半導体磁気抵抗素子７との間に
各素子間の直列接続のための配線パターン１２による引
き回しが必要となり、各半導体磁気抵抗素子４，５，
６，７間を狭くすることができず、回転検出装置Ａにお
ける磁気検出部１３の小型化を図ることが困難となり、
小型の被検出体（例えば、ギア）の回転検出に不利とな
るといった問題点を有している。

【０００５】配線パターン１２を各半導体磁気抵抗素子
４，５，６，７の磁気検出面１２を通るように形成した
り、あるいは配線パターン１２を回路基板上において立
体的に配設をすることも考えられるが、前者は、配線パ
ターン１１から発せられる電磁波の影響、即ちノイズの
影響を受けやすくなり、また後者は、各素子間の接続，
電源供給及び信号出力を行う回路基板の構造が繁雑にな
り、回転検出装置Ａのコストを高くしてしまうため、前
者，後者ともに得策ではない。

【０００６】そこで、本願発明は前述した問題点に着目
し、ノイズの影響を受けにくく、また大きなコストアッ
プを招かずに磁気検出部を小型化することが可能な移動
物体検出装置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、永久磁石と、前記永久磁石上に配設される
一対の半導体磁気抵抗素子からなる第１，第２の磁気検
出素子とを備え、磁性体材料からなる被検出体に前記第
１，第２の磁気検出素子を対向配置することで前記被検
出体の移動状態を検出する移動物体検出装置であって、
一端に引き出された一対の電極部を有する第１，第２，
第３，第４の半導体磁気抵抗素子を、前記永久磁石上に
おいて一列に並ぶように順次配設するとともに、前記第
１の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、前記第２の半
導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記第３の半導体
磁気変換素子の前記電極部との配設方向を同一とし、前
記第１の半導体磁気抵抗素子と前記第３の半導体磁気抵
抗素子とで対をなす前記第１の磁気検出素子と、前記第
２の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、前記第３の半
導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記第４の半導体
磁気変換素子の前記電極部との配設方向を、前記第１の
磁気検出素子における前記電極部の配設方向と異なる方
向で同一とし、前記第２の半導体磁気抵抗素子と前記第
４の半導体磁気抵抗素子とで対をなす前記第２の磁気検
出素子と、を備えてなるものである。

【０００８】また、前記第１の磁気検出素子における前
記電極部の配設方向と、前記第２の磁気検出素子におけ
る前記電極部の配設方向とが反対向きの関係をなすもの
である。

【０００９】また、前記各半導体磁気抵抗素子における
磁気検出面の配設位置を、前記各半導体磁気抵抗素子の
配列方向において揃えてなるものである。

【００１０】また、前記各半導体磁気抵抗素子の前記電
極部と電気的に接続するフレキシブル回路基板を設け、
前記フレキシブル回路基板に備えられる配線パターンに
よって前記第１の磁気検出素子と前記第２の磁気検出素
子とを構成してなるものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明するが、従来例と同一もしくは相当箇
所には同一符号を付してその詳細な説明は省く。尚、本
発明の実施の形態における移動物体検出装置として、車
両等に搭載される回転検出装置を挙げ説明する。

【００１２】回転検出装置Ａは、例えば図１に示すよう
に、ケース体２０と、磁気ヘッド２１と、硬質回路基板
２２と、電気コード２３とから構成されている。

【００１３】ケース体２０は、ＰＢＴ（ポリブチレンテ
レフタレート）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）等の樹脂材料からなり、車両における被検出体とな
るミッションギア等の歯車２４の凹凸を検出するための
検出面（底部）２０ａを有する筒状形状から構成され、
回転検出装置Ａを構成する各部を収納する。

【００１４】磁気ヘッド２１は、永久磁石８と、磁石ホ
ルダー２５と、後述する磁気検出素子と、フレキシブル
回路基板２６とから構成されている。

【００１５】磁気ヘッド２１は、樹脂材料から構成され
る磁石ホルダー２５が有する凹部２５ａに、円柱状の永
久磁石８の一部分が突出する状態にて永久磁石８を配設
し、突出した永久磁石８上の平坦部となる載置面８ａ
に、磁気検出素子（後述する）を配置し、この磁気検出
素子の磁気検出面に形成される素子電極とフレキシブル
回路基板２６とを電気的に接合することによって構成さ
れる。

【００１６】硬質回路基板２２は、ガラス繊維入り樹脂
等の硬質材料から構成される。硬質回路基板２２は、表
裏面に所定の配線パターンを有し、この配線パターンの
所定位置に設けられる各ランドに、磁気検出素子からの
出力を増幅したり、あるいは外来ノイズを吸収するため
の複数の電子部品２７が実装されるとともに、フレキシ
ブル回路基板２６が接続固定される。また、硬質回路基
板２２の歯車２４側には、磁石ホルダー２５が配設され
るものであるが、磁石ホルダー２５は、磁気検出素子の
磁気検出面がケース体２０の検出面２０ａに沿うように
硬質回路基板２２に配設される。

【００１７】電気コード２３は、磁気検出素子に硬質回
路基板２２及びフレキシブル回路基板２６を介し電源を
供給したり、硬質回路基板２２及びフレキシブル回路基
板２６を介して伝達される前記磁気検出素子からの出力
信号を外部に出力するためのものである。

【００１８】次に、図２〜図５を用いて、磁気ヘッド２
１における磁気検出素子について詳述する。

【００１９】磁気ヘッド２１の磁気検出素子としては、
永久磁石８上に第１，第２の磁気検出素子２８，２９を
備える構成である。第１，第２の磁気検出素子２８，２
９は、高抵抗材料であるシリコン（Si）からなる半導体
基板３０の表面側に、インジウム（In）とアンチモン
（Sb）とを含む半導体磁気抵抗膜３１を所定形状にて形
成し、半導体磁気抵抗膜３１上に、例えばクロム（Cr）
と銅（Cu）との２層構造の金属薄膜からなる電気信号の
取り出し用の素子電極（外部に引き出すための電極部）
３２及び抵抗値調整用の短絡電極３３を形成し、素子電
極３２の一部分が外部に露出するように半導体基板３０
上をポリイミド等の絶縁材料からなる保護膜３４によっ
て覆ってなる第１，第２，第３，第４の半導体磁気抵抗
素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂによって構成さ
れ、永久磁石８上において直線的に一列に並ぶよう順次
配設される。尚、前述した各半導体磁気抵抗素子２８
ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂは、大きさ及び形状は全て
同等である。また、各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９
ａ，２８ｂ，２９ｂは、素子電極１３が半導体基板１１
の長手方向に対して一端側にそれぞれ引き出し形成され
た２端子構造をなし、各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２
９ａ，２８ｂ，２９ｂの半導体磁気抵抗膜２１の形成面
側が磁気検出面３５となる。

【００２０】各磁気検出素子２８，２９を構成する各半
導体磁気抵抗素子２８ａ，２８ｂ，２９ａ，２９ｂは、
半導体基板１１の長手方向が互いに対向する状態で、か
つ各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９
ｂの配設位置が、配列方向（横方向）において揃えられ
る状態にて永久磁石８の載置面８ａ上に配設される。

【００２１】第１の磁気検出素子２８は、第１の半導体
磁気抵抗素子２８ａの素子極部３２と、第２の半導体磁
気抵抗素子２９ａを隔てて配設される第３の半導体磁気
変換素子２８ｂの素子電極３２との配設方向を同一とす
るとともに、第１の半導体磁気抵抗素子２８ａと第３の
半導体磁気抵抗素子２８ｂとで対をなすように各半導体
磁気抵抗素子２８ａ，２８ｂが直列接続される。

【００２２】第２の磁気検出素子２９は、第２の半導体
磁気抵抗素子２９ａの素子極部３２と、第３の半導体磁
気抵抗素子２８ｂを隔てて配設される第４の半導体磁気
変換素子２９ｂの素子電極３２との配設方向を同一とす
るとともに、第１の磁気検出素子２８における素子電極
３２の配設方向と異なる方向、即ち第１の磁気検出素子
２８における素子電極３２の配設方向に対し逆向きと
し、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａと第４の半導体磁
気抵抗素子２９ｂとで対をなすように各半導体磁気抵抗
素子２９ａ，２９ｂが直列接続される。

【００２３】従って、第１，第２の磁気検出素子２８，
２９を構成する各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２８ｂ，
２９ａ，２９ｂは、各磁気検出素子２８，２９の各素子
電極３２の向きを、各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２８
ｂ，２９ａ，２９ｂの配列方向に対して略直交する方向
で、かつ互いが反対向きの関係をなすように永久磁石８
上に配設される。

【００２４】第１，第２の磁気検出素子２８，２９にお
ける電気的な接続（直列接続）は、図１に示すフレキシ
ブル回路基板２６によってなされるものである。フレキ
シブル回路基板２６には、第１，第２の磁気検出素子２
８，２９を電気的に構成するための配線パターン３６が
設けられ、フレキシブル回路基板２６による電気的な接
続によって、対をなす半導体半導体磁気抵抗素子（２８
ａ，２８ｂ），（２９ａ，２９ｂ）における各磁気検出
面３５から構成される磁気検出部３７が得られる。

【００２５】配線パターン３６は、第１の半導体磁気抵
抗素子２８ａの一方側の素子電極３２に駆動電圧Ｖinを
接続し、第１の半導体磁気抵抗素子２８ａの他方側の素
子電極３２と第２の半導体磁気抵抗素子２８ｂの一方側
の素子電極３２とを接続するとともに、その中点をＶou
t１として取り出し、第３の半導体磁気抵抗素子２８ｂ
の他方側の素子電極３２にグランドレベルを接続して第
１の磁気検出素子２８を構成する。

【００２６】また、配線パターン３６は、第２の半導体
磁気抵抗素子２９ａの一方側の素子電極３２に駆動電圧
Ｖinを接続し、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａの他方
側の素子電極３２と第４の半導体磁気抵抗素子２９ｂの
一方側の素子電極３２とを接続するとともに、その中点
をＶout２として取り出し、第４の半導体磁気抵抗素子
２９ｂの他方側の素子電極３２にグランドレベルを接続
して第２の磁気検出素子２８を構成する。

【００２７】また、フレキシブル回路基板２６は、各半
導体磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂの周
囲を囲む状態にて配線パターン３６がレイアウトされさ
れるとともに、各端子Ｖin，GND，Ｖout１，Ｖout２
は、フレキシブル回路基板２６の一端側に引き出し形成
されている。

【００２８】図５は、配線パターン３６によって構成さ
れる第１，第２の磁気検出素子２８，２９の回路構成を
示している。

【００２９】かかる回転検出装置Ａは、半導体基板１１
の一端に引き出された一対の素子電極３２を有する第１
半導体磁気抵抗素子２８ａ〜第４の半導体磁気抵抗素子
２９ｂの４つの半導体磁気抵抗素子を永久磁石８の載置
面８ａに一列に配設するとともに、第１の半導体磁気抵
抗素子２８ａの素子電極３２と、第２の半導体磁気抵抗
素子２９ａを隔てて配設される第３の半導体磁気変換素
子２８ｂの素子電極３２との配設方向を同一とし、第１
の半導体磁気抵抗素子２８ａと第３の半導体磁気抵抗素
子２８ｂとで対をなす第１の磁気検出素子２８を構成
し、また、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａの素子電極
３２と、第３の半導体磁気抵抗素子２８ｂを隔てて配設
される第４の半導体磁気変換素子２９ｂの素子電極３２
との配設方向を同一とするとともに、第１の磁気検出素
子２８における素子電極３２の配設方向に対し反対向き
とし、第２の半導体磁気抵抗素子２９ａと第４の半導体
磁気抵抗素子２９ｂとで対をなす第２の磁気検出素子２
９を構成するものである。

【００３０】従って、各磁気検出素子２８，２９を構成
するための配線パターン３６を、従来のように各半導体
磁気抵抗素子間に設けず、各半導体磁気抵抗素子２８
ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂの周囲に設けることで第
１，第２の磁気検出素子２８，２９を構成することがで
きるため、各半導体磁気抵抗素子間を狭めることが可能
となり、磁気ヘッド２１における磁気検出部３７の小型
化を図ることが可能となる。

【００３１】また、配線パターン３６を、各半導体磁気
抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂの磁気検出面
３５側に位置するように設けたり、またフレキシブル回
路基板２６において立体的に配設しなくとも良いことか
ら、ノイズの影響を受けにくく、かつ大きなコストアッ
プを招かずに回転検出装置Ａを得ることが可能となる。

【００３２】また、回転検出装置Ａは、各半導体磁気抵
抗素子２８ａ，２８ｂ，２９ａ，２９ｂの素子電極３２
と電気的に接続するフレキシブル回路基板２６を設け、
このフレキシブル回路基板２６に備えられる配線パター
ン３６によって第１の磁気検出素子２８と第２の磁気検
出素子２９とを構成することから、磁気検出部３７にお
ける結線を簡素化し、かつ硬質回路基板２２と各磁気検
出素子２８，２９との電気的接続を容易に行うことがで
きる。

【００３３】次に図６を用いて、本発明の他の実施の形
態について説明する。尚、従来例及び前述した実施の形
態と同一もしくは相当箇所には同一符号を付してその詳
細な説明は省く。

【００３４】以下に説明する他の実施の形態において前
述した実施の形態と異なる点は、永久磁石８上に配設さ
れる各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２
９ｂの配置関係にある。

【００３５】即ち、前述した実施の形態では、各半導体
磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂの配置関
係が、各素子の配設位置が配列方向において揃えられる
状態であるのに対し、本発明の他の実施の形態では、各
半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂに
おける磁気検出面３５の配設位置が配列方向において揃
えられる状態にて、各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９
ａ，２８ｂ，２９ｂを永久磁石８上に配設するものであ
る。

【００３６】このような配置関係にある各半導体磁気抵
抗素子２８ａ，２９ａ，２８ｂ，２９ｂを備えた磁気ヘ
ッド２１は、各半導体磁気抵抗素子２８ａ，２９ａ，２
８ｂ，２９ｂ自体の配設位置を配列方向に単に揃えた場
合の磁気検出部３７の幅Ｗ１に比べ、磁気検出部３７の
幅Ｗ２を広く確保することが可能となることから（Ｗ１
＜Ｗ２）、被検出体の移動に伴う磁束の変化を良好に検
出することが可能となる。また、回転検出装置Ａを被検
出体となる歯車２４に対向配置する際に、磁気検出部３
７の幅Ｗ２を広く確保することにより、回転検出装置Ａ
における磁気ヘッド２１の配設位置を厳密に設定しなく
歯車２４の移動に伴う磁束の変化を検出することが可能
となり、回転検出装置Ａにおける取り付け作業性を向上
させることが可能となる。

【００３７】尚、前述した実施の形態では、回転検出装
置Ａを例に挙げて説明した、例えば、２個一対の半導体
磁気抵抗素子を２組備え、左右に移動する被検出体の移
動状態を検出する移動物体検出装置であっても良く、本
発明は、前述した回転検出装置に限定されなるものでは
ない。

【００３８】

【発明の効果】本発明は、永久磁石と、前記永久磁石上
に配設される一対の半導体磁気抵抗素子からなる第１，
第２の磁気検出素子とを備え、磁性体材料からなる被検
出体に前記第１，第２の磁気検出素子を対向配置するこ
とで前記被検出体の移動状態を検出する移動物体検出装
置であって、一端に引き出された一対の電極部を有する
第１，第２，第３，第４の半導体磁気抵抗素子を、前記
永久磁石上において一列に並ぶように順次配設するとと
もに、前記第１の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、
前記第２の半導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記
第３の半導体磁気変換素子の前記電極部との配設方向を
同一とし、前記第１の半導体磁気抵抗素子と前記第３の
半導体磁気抵抗素子とで対をなす前記第１の磁気検出素
子と、前記第２の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、
前記第３の半導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記
第４の半導体磁気変換素子の前記電極部との配設方向
を、前記第１の磁気検出素子における前記電極部の配設
方向と異なる方向で同一とし、前記第２の半導体磁気抵
抗素子と前記第４の半導体磁気抵抗素子とで対をなす前
記第２の磁気検出素子と、を備えたものであり、前記各
磁気検出素子を構成するための配線パターンを、前記各
半導体磁気抵抗素子の周囲に設けることができるため、
前記各半導体磁気抵抗素子間を狭めることが可能とな
り、移動物体検出装置の磁気ヘッドにおける磁気検出部
の小型化を図ることが可能となる。

【００３９】また、前記配線パターンを周囲に設けるこ
とで、ノイズの影響を受けにくく、かつ大きなコストア
ップを招かずに移動物体検出装置を得ることが可能とな
る。

【００４０】また、前記第１の磁気検出素子における前
記電極部の配設方向と、前記第２の磁気検出素子におけ
る前記電極部の配設方向とが反対向きの関係をなすもの
であることから、前記各半導体磁気抵抗素子の周囲に前
記配線パターンに配設することが可能となることから、
前記磁気検出部の小型化を図ることが可能であるととも
に、前記配線パターンのレイアウト構成を簡素化するこ
とができる。

【００４１】また、前記各半導体磁気抵抗素子における
磁気検出面の配設位置を、前記各半導体磁気抵抗素子の
配列方向において揃えることから、前記磁気検出面によ
り構成される磁気検出部の幅を広く確保することが可能
となり、被検出体の移動に伴う磁束の変化を良好に検出
することが可能となる。

【００４２】また、前記各半導体磁気抵抗素子の前記電
極部と電気的に接続するフレキシブル回路基板を設け、
前記フレキシブル回路基板に備えられる配線パターンに
よって前記第１の磁気検出素子と前記第２の磁気検出素
子とを構成することから、前記磁気検出部における結線
を容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の回転検出装置を示す要部
断面図。

【図２】同上実施の形態の磁気検出部を示す図。

【図３】同上実施の形態の半導体磁気抵抗素子を示す斜
視図。

【図４】同上実施の形態の半導体磁気抵抗素子を示す要
部断面図。

【図５】同上実施の形態の磁気検出部の回路構成を示す
図。

【図６】本発明における他の実施の形態の磁気検出部を
示す図。

【図７】従来の回転検出器の磁気検出部を示す図。

【符号の説明】

Ａ 回転検出装置（移動物体検出装置） ２０ ケース体 ２１ 磁気ヘッド ２２ 硬質回路基板 ２３ 電気コード ２４ 歯車（被検出体） ２５ 磁石ホルダー ２６ フレキシブル回路基板 ２７ 電子部品 ２８ 第１の磁気検出素子 ２８ａ 第１の半導体磁気抵抗素子 ２８ｂ 第３の半導体磁気抵抗素子 ２９ 第２の磁気検出素子 ２９ａ 第２の半導体磁気抵抗素子 ２９ｂ 第４の半導体磁気抵抗素子 ３０ 半導体基板 ３１ 半導体磁気抵抗素膜 ３２ 素子電極（電極部） ３３ 短絡電極 ３４ 保護膜 ３５ 磁気検出面 ３６ 配線パターン ３７ 磁気検出部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｄ 5/245 Ｇ０１Ｄ 5/245 Ｙ Ｈ０２Ｋ 29/08 Ｈ０２Ｋ 29/08

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 永久磁石と、前記永久磁石上に配設され
   る一対の半導体磁気抵抗素子からなる第１，第２の磁気
   検出素子とを備え、磁性体材料からなる被検出体に前記
   第１，第２の磁気検出素子を対向配置することで前記被
   検出体の移動状態を検出する移動物体検出装置であっ
   て、 一端に引き出された一対の電極部を有する第１，第２，
   第３，第４の半導体磁気抵抗素子を、前記永久磁石上に
   おいて一列に並ぶように順次配設するとともに、 前記第１の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、前記第
   ２の半導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記第３の
   半導体磁気変換素子の前記電極部との配設方向を同一と
   し、前記第１の半導体磁気抵抗素子と前記第３の半導体
   磁気抵抗素子とで対をなす前記第１の磁気検出素子と、 前記第２の半導体磁気抵抗素子の前記電極部と、前記第
   ３の半導体磁気抵抗素子を隔てて配設される前記第４の
   半導体磁気変換素子の前記電極部との配設方向を、前記
   第１の磁気検出素子における前記電極部の配設方向と異
   なる方向で同一とし、前記第２の半導体磁気抵抗素子と
   前記第４の半導体磁気抵抗素子とで対をなす前記第２の
   磁気検出素子と、 を備えてなることを特徴とする移動物体検出装置。
2. 【請求項２】 前記第１の磁気検出素子における前記電
   極部の配設方向と、前記第２の磁気検出素子における前
   記電極部の配設方向とが反対向きの関係をなすことを特
   徴とする請求項１に記載の移動物体検出装置。
3. 【請求項３】 前記各半導体磁気抵抗素子における磁気
   検出面の配設位置を、前記各半導体磁気抵抗素子の配列
   方向において揃えてなることを特徴とする請求項１もし
   くは請求項２に記載の移動物体検出装置。
4. 【請求項４】 前記各半導体磁気抵抗素子の前記電極部
   と電気的に接続するフレキシブル回路基板を設け、前記
   フレキシブル回路基板に備えられる配線パターンによっ
   て前記第１の磁気検出素子と前記第２の磁気検出素子と
   を構成してなることを特徴とする請求項１から請求項３
   の何れかに記載の移動物体検出装置。