WO2019167598A1 - 磁気センサ - Google Patents

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WO2019167598A1
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magnetic
magnetosensitive
planar conductor
conductor
conductor pattern
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進 原谷
山口　仁
剛男 五木田
Original Assignee
Tdk株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic sensor, and more particularly, to a magnetic sensor capable of applying a magnetic bias from two directions to a magnetosensitive element.
  • a magnetic bias may be applied to a magnetosensitive element used in a magnetic sensor separately from an external magnetic field to be detected.
  • the magnetic sensors described in Patent Documents 1 and 2 suppress the hysteresis of the magnetosensitive element by applying a magnetic bias in the longitudinal direction perpendicular to the magnetosensitive direction (fixed magnetization direction) of the magnetosensitive element. ing.
  • the detection sensitivity can be enhanced and the hysteresis characteristic of the magnetosensitive element can be suppressed.
  • an object of the present invention is to provide a magnetic sensor capable of applying a magnetic bias from two directions to a magnetosensitive element with a relatively simple configuration.
  • a magnetic sensor has a first direction as a longitudinal direction and a magnetic sensitive element having a second direction orthogonal to the first direction as a magnetic sensitive direction, and is wound around the magnetic sensitive element, and the first direction And a first magnetic layer having an edge extending in the first direction along the magnetosensitive element, and the magnetosensitive element includes a conductor pattern.
  • the magnetic bias is applied in the first direction by the first magnetic layer, and the magnetic bias is applied in the second direction by the first magnetic layer.
  • an external magnetic field to be detected is efficiently applied to the magnetosensitive element by the first magnetic body layer, and magnetized from the first and second directions by the conductor pattern and the first magnetic body layer. Since a bias can be applied, a magnetic bias can be applied to the magnetosensitive element from two directions with a relatively simple configuration.
  • the magnetic sensor according to the present invention further includes a second magnetic layer having an edge extending in the first direction along the magnetosensitive element, and the magnetosensitive element includes the edge of the first magnetic layer and the second magnetic layer. It may be arranged on a magnetic path formed by a gap formed by the edges of the magnetic layer. According to this, it becomes possible to efficiently apply the external magnetic field to be detected to the magnetosensitive element by the first and second magnetic layers.
  • the conductor pattern may further include a lead portion connected to the coil-like portion and overlapping at least one of the first and second magnetic layers in plan view. According to this, the direction and strength of the magnetic bias in the second direction can be adjusted based on the direction and length of the lead-out portion.
  • the coil-shaped portion of the conductor pattern has a plurality of first portions that overlap one end of the first magnetic layer and the other end overlap the second magnetic layer and intersect the magnetosensitive element on one side in the stacking direction.
  • a plurality of second planar conductor portions one end overlapping with the first magnetic layer, the other end overlapping with the second magnetic layer, and intersecting the magnetosensitive element on the other side in the stacking direction;
  • a plurality of first through-hole conductors connecting one end of the first planar conductor and one end of the second planar conductor, and a plurality of connecting the other end of the first planar conductor and the other end of the second planar conductor.
  • the second through-hole conductor portion may be included. According to this, it becomes possible to comprise a coil-shaped part with the multilayer wiring formed on the board
  • the difference in position between the one end and the other end of the first planar conductor in the first direction is different from the difference in position between the one end and the other end of the second planar conductor in the first direction. It doesn't matter. According to this, since not only the first direction component but also the second direction component is superimposed on the magnetic flux generated by the current flowing in the coiled portion, a magnetic bias can be applied in the second direction by the coiled portion. It becomes possible.
  • the second planar conductor portion may be located between the magnetosensitive element and the first and second magnetic layers in the stacking direction. According to this, it becomes possible to prevent interference between the conductor pattern and the first and second magnetic layers.
  • the conductor thickness of the second planar conductor portion may be smaller than that of the first planar conductor portion. According to this, the magnetic flux flowing through the gap can be efficiently applied to the magnetosensitive element.
  • the magnetosensitive element is provided with a first and a second sensor in which a magnetic field is applied in the opposite direction by an external magnetic field to be detected and a magnetic bias is applied in the same direction by a current flowing in the conductor pattern.
  • the first and second magnetosensitive elements including the magnetic element may be half-bridge connected. According to this, a high signal level can be obtained.
  • the magnetosensitive element further includes third and fourth magnetosensitive elements to which a magnetic field is applied in the opposite direction by an external magnetic field and a magnetic bias is applied in the same direction by an electric current flowing through the conductor pattern.
  • the first to fourth magnetosensitive elements may be full-bridge connected. This makes it possible to obtain a higher signal level.
  • the magnetic sensor according to the present invention can apply a magnetic bias to the magnetosensitive element from two directions with a relatively simple configuration.
  • FIG. 1 is a plan view for explaining the structure of the magnetic sensor 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view along the line A1-A1 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining how the magnetic flux ⁇ is evenly distributed.
  • FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the connection relationship between the magnetosensitive elements R1 to R4 and the terminal electrodes 51 to 54.
  • FIG. 5 is an enlarged perspective plan view showing a region B1 shown in FIG.
  • FIG. 6 is a perspective plan view showing the region B2 shown in FIG. 5 in a further enlarged manner.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view along the line A2-A2 shown in FIG. FIG.
  • FIG. 8 is a perspective plan view further enlarging the region B3 shown in FIG.
  • FIG. 9 is a simulation result of a magnetic field generated when a current is passed through the conductor pattern 60.
  • FIG. 10 is a simulation result of a magnetic field generated when a current is passed through the conductor pattern 60.
  • FIG. 11 is a plan view for explaining the structure of the magnetic sensor 10A according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective plan view showing the area E1 shown in FIG. 11 in an enlarged manner.
  • FIG. 13 is a perspective plan view further enlarging the region E2 shown in FIG. 14 is a schematic cross-sectional view along the line A3-A3 shown in FIG.
  • FIG. 15 is a perspective plan view further enlarging the region E3 shown in FIG.
  • FIG. 1 is a plan view for explaining the structure of the magnetic sensor 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • 2 is a schematic cross-sectional view along the line A1-A1 shown in FIG.
  • the magnetic sensor 10 includes a sensor substrate 20 and external magnetic bodies 31 to 33.
  • the sensor substrate 20 is a chip component having a substantially rectangular parallelepiped shape, and four magnetosensitive elements R1 to R4 and three magnetic layers 41 to 43 are formed on the element forming surface 21 thereof.
  • six terminal electrodes 51 to 56 are provided on the element forming surface 21 and are connected to a circuit board (not shown) via bonding wires or the like.
  • External magnetic bodies 31 to 33 are blocks made of a soft magnetic material having high permeability such as ferrite.
  • the external magnetic body 31 is disposed substantially at the center of the element forming surface 21 and has a shape protruding in the z direction.
  • the external magnetic bodies 32 and 33 are respectively arranged on both sides in the x direction of the sensor substrate 20, and their tips are bent in an L shape to cover the element forming surface 21.
  • Magnetic material layers 41 to 43 are formed on the element formation surface 21 of the sensor substrate 20.
  • the magnetic layer 41 is located substantially at the center of the element formation surface 21, and the magnetic layers 42 and 43 are disposed on both sides in the x direction.
  • the magnetic layers 41 to 43 may be a film made of a composite magnetic material in which a magnetic filler is dispersed in a resin material, or made of a soft magnetic material such as nickel or permalloy. It may be a thin film or foil, or may be a thin film or bulk sheet made of ferrite or the like.
  • the magnetic layer 41 is located at the center and includes a main region M1 covered with the external magnetic body 31, and convergence regions S1 to S4 whose width in the y direction becomes narrower as they move away from the main region M1 in the x direction.
  • the convergence regions S1 and S3 are located on the minus side (left side) in the x direction with respect to the main region M1
  • the convergence regions S2 and S4 are located on the plus side (right side) in the x direction with respect to the main region M1.
  • the magnetic layer 42 includes a main region M2 covered with the external magnetic body 32 and convergence regions S5 and S7 whose width in the y direction becomes narrower as they move away from the main region M2 in the x direction (plus side).
  • the magnetic layer 43 includes a main region M3 covered with the external magnetic body 33, and convergence regions S6 and S8 whose widths in the y direction become narrower as they move away from the main region M3 in the x direction (minus side).
  • the external magnetic body 31 plays a role of taking in the magnetic flux ⁇ in the z direction.
  • the magnetic flux ⁇ taken in via the external magnetic body 31 enters the main region M1, and is distributed substantially evenly to the convergence regions S1 to S4 as shown in FIG.
  • the magnetic flux ⁇ reaching the convergence regions S1 to S4 is supplied to the convergence regions S5 to S8 via gaps G1 to G4 extending in the y direction, respectively.
  • the magnetic flux that has reached the convergence regions S5 and S7 is recovered by the external magnetic body 32 via the main region M2.
  • the magnetic flux that has reached the convergence regions S6 and S8 is recovered by the external magnetic body 33 via the main region M3.
  • magnetic sensitive elements R1 to R4 each having a longitudinal direction in the y direction are arranged.
  • the magnetic sensitive elements R1 to R4 may be arranged in the gaps G1 to G4, but may be arranged on the magnetic path formed by the gaps even outside the gaps G1 to G4.
  • the width direction of the gaps G1 to G4 may be the x direction, and the width direction of the gaps G1 to G4 is the z direction as long as the magnetic flux ⁇ having the x direction component can be applied to the magnetosensitive elements R1 to R4. You may have a component.
  • the magnetosensitive elements R1 to R4 are not particularly limited as long as their physical characteristics change depending on the magnetic flux density, but are preferably magnetoresistive elements whose electrical resistance changes according to the direction of the magnetic field, and are spin valve GMR elements. Or it is especially preferable that it is a spin valve type
  • the magnetic sensing directions (fixed magnetization directions) of the magnetic sensing elements R1 to R4 are all aligned in the direction indicated by the arrow P in FIG. 1 (plus side in the x direction).
  • the magnetic flux ⁇ collected in the main region M1 via the external magnetic body 31 is distributed almost evenly via the magnetic sensing elements R1 to R4. For this reason, magnetic fluxes in opposite directions are applied to the magnetic sensitive elements R1, R3 and the magnetic sensitive elements R2, R4.
  • the magnetization fixed directions of the magnetosensitive elements R1 to R4 are directed in the x plus direction indicated by the arrow P, they have sensitivity to the component in the x direction of the magnetic flux.
  • FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the connection relationship between the magnetosensitive elements R1 to R4 and the terminal electrodes 51 to 54.
  • the ground potential Gnd and the power supply potential Vdd are supplied to the terminal electrodes 51 and 54, respectively.
  • the magnetosensitive elements R1 and R2 are connected in series between the terminal electrodes 51 and 54, and the magnetosensitive elements R4 and R3 are connected in series.
  • the connection points of the magnetic sensitive elements R3 and R4 are connected to the terminal electrode 52, and the connection points of the magnetic sensitive elements R1 and R2 are connected to the terminal electrode 53.
  • This difference is doubled by the full bridge circuit shown in FIG. 4 and appears at the terminal electrodes 52 and 53. Therefore, the magnetic flux density can be measured by detecting the difference between the potentials Va and Vb appearing at the terminal electrodes 52 and 53.
  • FIG. 5 is an enlarged perspective plan view showing the region B1 shown in FIG. 1
  • FIG. 6 is an enlarged perspective plan view showing the region B2 shown in FIG.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view along the line A2-A2 shown in FIG. 6, and
  • FIG. 8 is a perspective plan view showing the region B3 shown in FIG.
  • a conductor pattern 60 is further formed on the element formation surface 21 of the sensor substrate 20 below the magnetic layers 41 to 43.
  • the conductor pattern 60 is wound around the magnetosensitive elements R1 to R4, and has a coiled portion C whose axial direction is the y direction, and a lead portion D connected to both ends of the coiled portion C.
  • the surroundings of the other magnetic sensing elements R1, R3, and R4 are also surrounded by the coiled portion C.
  • the description will be made by paying attention to the conductor pattern 60 in the vicinity of the magnetosensitive element R2, but the same conductor pattern 60 is also formed in the vicinity of the other magnetosensitive elements R1, R3, and R4.
  • the conductor pattern 60 is connected to the terminal electrodes 55 and 56 shown in FIG. 1 and can flow an arbitrary current from the outside.
  • the respective conductor patterns 60 corresponding to the magnetic sensitive elements R1 to R4 may be connected in series, may be connected in parallel, or may be assigned individual terminal electrodes independently of each other. .
  • the coil-shaped portion C of the conductor pattern 60 includes a plurality of first planar conductor portions 61 positioned below the magnetosensitive element R2, a plurality of second planar conductor portions 62 positioned above the magnetosensitive element R2, and A plurality of first through-hole conductor parts 63 connecting one end of the first planar conductor part 61 and one end of the second planar conductor part 62, the other end of the first planar conductor part 61, and the other end of the second planar conductor part 62 And a plurality of second through-hole conductor portions 64 connecting the two.
  • the first planar conductor portion 61 extends substantially linearly in the x direction, whereas the second planar conductor portion 62 has both ends shifted in the y direction by one pitch.
  • the coiled portion C constitutes a solenoid coil whose axial direction is the y direction.
  • a magnetic bias in the y direction is applied to the magnetosensitive element R2.
  • the y direction is not the magnetic sensitive direction of the magnetic sensitive element R2, it is possible to suppress the hysteresis of the magnetic sensitive element R2 by applying a predetermined magnetic bias in the y direction.
  • the strength of the magnetic bias in the y direction can be arbitrarily adjusted by the current flowing through the conductor pattern 60.
  • the lead-out portion D of the conductor pattern 60 overlaps the magnetic layers 41 and 43 in plan view, when a direct current is passed through the conductor pattern 60, magnetic flux is generated in the magnetic layers 41 and 43.
  • a portion D1 that overlaps the magnetic layer 41 has a portion extending in the y direction, and a portion D3 that overlaps the magnetic layer 43 extends in the y direction. Therefore, when a current is passed through the conductor pattern 60 in the direction indicated by the arrow I, a magnetic flux is generated in the magnetic layer 41 in the direction indicated by the arrow ⁇ 1, and the magnetic layer 43 is indicated by the arrow ⁇ 3. Magnetic flux is generated in the direction shown.
  • the gap G2 includes an edge 41a of the magnetic metal plate 41 extending in the y direction along the magnetic sensing element R2, and a magnetic metal plate 43 extending in the y direction along the magnetic sensing element R2. The edge 43a.
  • the strength of the magnetic bias in the x direction can be adjusted by the current flowing through the conductor pattern 60, and can be adjusted by the length of the portions D1 and D3 that extend in the y direction. Since the amount of current flowing through the conductor pattern 60 is determined by the strength of the magnetic bias in the y direction to be generated by the coiled portion C, the strength of the magnetic bias in the x direction depends on the shape of the lead portion D. It is preferable to adjust.
  • the magnetic sensor 10 can apply a magnetic bias to the magnetosensitive elements R1 to R4 from two directions by passing a current through the conductor pattern 60. That is, since it is not necessary to separately provide means for applying a magnetic bias in the x direction to the magnetic sensitive elements R1 to R4 and means for applying a magnetic bias in the y direction to the magnetic sensitive elements R1 to R4, it is relatively simple. Depending on the configuration, it is possible to apply a magnetic bias to the magnetosensitive elements R1 to R4 from two directions.
  • the magnetic bias amount in the x direction can be adjusted not only by the lead portion D of the conductor pattern 60 but also by the shapes of the first planar conductor portion 61 and the second planar conductor portion 62 constituting the coiled portion C. Is possible.
  • one end of the first planar conductor portion 61 and the second planar conductor portion 62 overlaps the magnetic layer 41, and the other end of the first planar conductor portion 61 and the second planar conductor portion 62 is a magnetic body. Since it overlaps with the layer 43, the magnetic bias in the x direction changes depending on the planar shape in this portion.
  • the second planar conductor portion 62 has a planar shape in which the positions of both ends are shifted in the y direction by one pitch, when a current is passed in the direction indicated by the arrow I, the generated magnetic flux includes y Not only the direction component but also the x-direction component is included, and as a result, a magnetic field is generated from the magnetic layer 41 toward the magnetic layer 43.
  • the second planar conductor portion 62 is located between the magnetosensitive element R2 and the magnetic layers 41 and 43 as viewed in the stacking direction (z direction), and the second planar conductor portion.
  • the conductor thickness T2 of 62 is set to be thinner than the conductor thickness T1 of the first planar conductor portion 61. As a result, the distance between the gap G2 and the magnetic sensing element R2 in the z direction is shortened, so that the magnetic flux flowing through the gap G2 can be efficiently applied to the magnetic sensing element R2.
  • FIGS. 9 and 10 are simulation results of a magnetic field generated when a current is passed through the conductor pattern 60.
  • FIG. 9 As shown in FIG. 9, when a current is passed through the conductor pattern 60, a magnetic flux in the x direction is generated mainly from a portion extending in the y direction in the lead portion D. As a result, as shown in FIG. It can be seen that the x-direction component is superimposed on the magnetic field generated in FIG.
  • FIG. 11 is a plan view for explaining the structure of the magnetic sensor 10A according to the second embodiment of the present invention.
  • 12 is an enlarged perspective plan view showing the region E1 shown in FIG. 11, and
  • FIG. 13 is an enlarged perspective plan view showing the region E2 shown in FIG.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along the line A3-A3 shown in FIG. 13, and
  • FIG. 15 is a perspective plan view showing the region E3 shown in FIG.
  • the magnetic sensor 10A according to the present embodiment is different from the magnetic sensor 10 according to the first embodiment in that the external magnetic bodies 32 and 33 and the magnetic layers 42 and 43 are deleted. It is different. Since other configurations are the same as those of the magnetic sensor 10 according to the first embodiment, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • the magnetic sensing elements R1 to R4 are not arranged on the magnetic path formed by the gaps G1 to G4, but are magnetic elements extending in the y direction. It is arranged along the edge 41 a of the body layer 41. Even in such a configuration, since the magnetic flux ⁇ taken in via the external magnetic body 31 is applied to the magnetosensitive elements R1 to R4 via the magnetic layer 41, as in the first embodiment, The magnetic flux density can be measured by detecting the difference between the potentials Va and Vb appearing at the terminal electrodes 52 and 53. Then, as in the first embodiment, an x-direction magnetic bias and a y-direction magnetic bias are applied to the magnetosensitive elements R1 to R4 by passing a current through the conductor pattern 60 via the terminal electrodes 55 and 56. Can do.
  • the four magnetosensitive elements R1 to R4 are used and are connected in a full bridge, but the number of magnetosensitive elements used in the magnetic sensor according to the present invention is not limited to this. For this reason, it is possible to omit the magnetosensitive elements R1 and R4 and to connect the two magnetosensitive elements R2 and R3 in a half-bridge connection.

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Abstract

【課題】構成によって感磁素子に２方向から磁気バイアスを印加する。 【解決手段】ｘ方向を感磁方向とし、ｙ方向を長手方向とする感磁素子Ｒ２と、感磁素子Ｒ２に巻回され、ｙ方向を軸方向とするコイル状部分Ｃを有する導体パターン６０と、ｙ方向に延在するギャップＧ２を介して対向する磁性体層４１，４３とを備える。感磁素子Ｒ２はギャップＧ２によって形成される磁路上に配置され、これにより、導体パターン６０によってｙ方向に磁気バイアスが印加されるとともに、磁性体層４１，４３によってｘ方向に磁気バイアスが印加される。このように、導体パターン６０と磁性体層４１，４３によってｘ方向及びｙ方向から磁気バイアスを与えることができるため、比較的簡単な構成によって感磁素子Ｒ２に２方向から磁気バイアスを印加することが可能となる。

Description

磁気センサ
　本発明は磁気センサに関し、特に、感磁素子に２方向から磁気バイアスを印加することが可能な磁気センサに関する。
　磁気センサに用いられる感磁素子には、検出対象となる外部磁界とは別に磁気バイアスが印加されることがある。例えば、特許文献１，２に記載された磁気センサは、感磁素子の感磁方向（固定磁化方向）と直交する長手方向に磁気バイアスを印加することによって、感磁素子のヒステリシス性を抑制している。
　一方、感磁素子の感磁方向である短手方向に磁気バイアスを印加すれば、動作点がシフトすることから、より高い検出感度を得ることが可能である。
　したがって、感磁素子に対し、短手方向と長手方向の２方向から磁気バイアスを印加すれば、検出感度が高められると同時に、感磁素子のヒステリシス性を抑制することが可能となる。
特開平５－５４３４２号公報 特開２００８－２４９５５６号公報
　しかしながら、感磁素子に対して２方向から磁気バイアスを印加するためには、長手方向に磁気バイアスを与える手段と、短手方向に磁気バイアスを与える手段の両方を設ける必要があるため、センサの装置構成が複雑化するという問題があった。
　したがって、本発明は、比較的簡単な構成によって感磁素子に２方向から磁気バイアスを印加することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
　本発明による磁気センサは、第１の方向を長手方向とし、第１の方向と直交する第２の方向を感磁方向とする感磁素子と、感磁素子に巻回され、第１の方向を軸方向とするコイル状部分を有する導体パターンと、感磁素子に沿って第１の方向に延在するエッジを有する第１の磁性体層と、を備え、感磁素子には、導体パターンによって第１の方向に磁気バイアスが印加されるとともに、第１の磁性体層によって第２の方向に磁気バイアスが印加されることを特徴とする。
　本発明によれば、検出対象となる外部磁界が第１の磁性体層によって効率よく感磁素子に印加されるとともに、導体パターンと第１の磁性体層によって第１及び第２の方向から磁気バイアスを与えることができるため、比較的簡単な構成によって感磁素子に２方向から磁気バイアスを印加することが可能となる。
　本発明による磁気センサは、感磁素子に沿って第１の方向に延在するエッジを有する第２の磁性体層をさらに備え、感磁素子は、第１の磁性体層のエッジと第２の磁性体層のエッジからなるギャップによって形成される磁路上に配置されるものであっても構わない。これによれば、検出対象となる外部磁界を第１及び第２の磁性体層によって効率よく感磁素子に印加することが可能となる。
　本発明において、導体パターンは、コイル状部分に接続され、平面視で第１及び第２の磁性体層の少なくとも一方と重なる引き出し部分をさらに含むものであっても構わない。これによれば、引き出し部分の向きや長さなどに基づいて、第２の方向の磁気バイアスの向きや強さを調整することが可能となる。
　本発明において、導体パターンのコイル状部分は、一端が第１の磁性体層と重なり、他端が第２の磁性体層と重なり、積層方向における一方側で感磁素子と交差する複数の第１平面導体部と、一端が第１の磁性体層と重なり、他端が第２の磁性体層と重なり、積層方向における他方側で感磁素子と交差する複数の第２平面導体部と、第１平面導体部の一端と第２平面導体部の一端を接続する複数の第１スルーホール導体部と、第１平面導体部の他端と第２平面導体部の他端を接続する複数の第２スルーホール導体部とを含むものであっても構わない。これによれば、基板上に形成された多層配線によってコイル状部分を構成することが可能となる。
　本発明において、第１平面導体部の一端と他端の第１の方向における位置の差は、第２平面導体部の一端と他端の第１の方向における位置の差と異なるものであっても構わない。これによれば、コイル状部分に流れる電流によって生じる磁束に第１の方向成分だけでなく、第２の方向成分も重畳することから、コイル状部分によって第２の方向に磁気バイアスを与えることが可能となる。
　本発明において、第２平面導体部は、積層方向において感磁素子と第１及び第２の磁性体層との間に位置するものであっても構わない。これによれば、導体パターンと第１及び第２の磁性体層の干渉を防止することが可能となる。この場合、第２平面導体部は、第１平面導体部よりも導体厚が薄くても構わない。これによれば、ギャップを介して流れる磁束を効率よく感磁素子に印加することが可能となる。
　本発明において、感磁素子は、検出対象となる外部磁界によって互いに逆方向に磁界が印加され、且つ、導体パターンに流れる電流によって互いに同方向に磁気バイアスが印加される第１及び第２の感磁素子を含み、第１及び第２の感磁素子がハーフブリッジ接続されていても構わない。これによれば、高い信号レベルを得ることが可能となる。
　本発明において、感磁素子は、外部磁界によって互いに逆方向に磁界が印加され、且つ、導体パターンに流れる電流によって互いに同方向に磁気バイアスが印加される第３及び第４の感磁素子をさらに含み、第１乃至第４の感磁素子がフルブリッジ接続されていても構わない。これによれば、より高い信号レベルを得ることが可能となる。
　このように、本発明による磁気センサは、比較的簡単な構成によって感磁素子に２方向から磁気バイアスを印加することが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０の構造を説明するための平面図である。 図２は、図１に示すＡ１－Ａ１線に沿った略断面図である。 図３は、磁束φが均等に分配される様子を説明するための模式図である。 図４は、感磁素子Ｒ１～Ｒ４と端子電極５１～５４の接続関係を説明するための回路図である。 図５は、図１に示す領域Ｂ１を拡大して示す透視平面図である。 図６は、図５に示す領域Ｂ２をさらに拡大して示す透視平面図である。 図７は、図６に示すＡ２－Ａ２線に沿った略断面図である。 図８は、図７に示す領域Ｂ３をさらに拡大して示す透視平面図である。 図９は、導体パターン６０に電流を流した場合に生じる磁界のシミュレーション結果である。 図１０は、導体パターン６０に電流を流した場合に生じる磁界のシミュレーション結果である。 図１１は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ａの構造を説明するための平面図である。 図１２は、図１１に示す領域Ｅ１を拡大して示す透視平面図である。 図１３は、図１２に示す領域Ｅ２をさらに拡大して示す透視平面図である。 図１４は、図１３に示すＡ３－Ａ３線に沿った略断面図である。 図１５は、図１４に示す領域Ｅ３をさらに拡大して示す透視平面図である。
　以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
　図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０の構造を説明するための平面図である。また、図２は、図１に示すＡ１－Ａ１線に沿った略断面図である。
　図１及び図２に示すように、本実施形態による磁気センサ１０は、センサ基板２０と外部磁性体３１～３３を備えている。センサ基板２０は、略直方体形状を有するチップ部品であり、その素子形成面２１には４つの感磁素子Ｒ１～Ｒ４及び３つの磁性体層４１～４３が形成されている。また、素子形成面２１には６つの端子電極５１～５６が設けられており、ボンディングワイヤなどを介して図示しない回路基板に接続される。
　外部磁性体３１～３３は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなるブロックである。外部磁性体３１は素子形成面２１の略中央部に配置され、ｚ方向に突出する形状を有している。これに対し、外部磁性体３２，３３は、センサ基板２０のｘ方向における両側にそれぞれ配置され、その先端はＬ字状に折れ曲がって素子形成面２１を覆っている。
　センサ基板２０の素子形成面２１には、磁性体層４１～４３が形成されている。磁性体層４１は、素子形成面２１の略中央に位置し、そのｘ方向における両側に磁性体層４２，４３が配置される。特に限定されるものではないが、磁性体層４１～４３としては、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。
　磁性体層４１は、中央に位置し、外部磁性体３１によって覆われる主領域Ｍ１と、主領域Ｍ１からｘ方向に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ１～Ｓ４を含む。図１に示すように、収束領域Ｓ１，Ｓ３は主領域Ｍ１に対してｘ方向マイナス側（左側）に位置し、収束領域Ｓ２，Ｓ４は主領域Ｍ１に対してｘ方向プラス側（右側）に位置する。
　一方、磁性体層４２は、外部磁性体３２によって覆われる主領域Ｍ２と、主領域Ｍ２からｘ方向（プラス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ５，Ｓ７を含む。同様に、磁性体層４３は、外部磁性体３３によって覆われる主領域Ｍ３と、主領域Ｍ３からｘ方向（マイナス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ６，Ｓ８を含む。
　外部磁性体３１は、ｚ方向の磁束φを取り込む役割を果たす。外部磁性体３１を介して取り込まれた磁束φは、主領域Ｍ１に入射され、図３に示すように収束領域Ｓ１～Ｓ４に対してほぼ均等に分配される。収束領域Ｓ１～Ｓ４に達した磁束φは、それぞれｙ方向に延在するギャップＧ１～Ｇ４を介して、収束領域Ｓ５～Ｓ８に供給される。収束領域Ｓ５，Ｓ７に到達した磁束は、主領域Ｍ２を介して外部磁性体３２に回収される。同様に、収束領域Ｓ６，Ｓ８に到達した磁束は、主領域Ｍ３を介して外部磁性体３３に回収される。
　図１に示すように、ギャップＧ１～Ｇ４によって形成される磁路上には、それぞれｙ方向を長手方向とする感磁素子Ｒ１～Ｒ４が配置されている。感磁素子Ｒ１～Ｒ４は、ギャップＧ１～Ｇ４内に配置されていても構わないが、ギャップＧ１～Ｇ４外であっても、当該ギャップによって形成される磁路上に配置されていれば足りる。また、ギャップＧ１～Ｇ４の幅方向はｘ方向であっても構わないし、感磁素子Ｒ１～Ｒ４にｘ方向成分を有する磁束φを印加可能である限り、ギャップＧ１～Ｇ４の幅方向がｚ方向成分を有していても構わない。
　感磁素子Ｒ１～Ｒ４は、磁束密度によって物理特性の変化する素子であれば特に限定されないが、磁界の向きに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子であることが好ましく、スピンバルブ型ＧＭＲ素子又はスピンバルブ型ＴＭＲ素子であることが特に好ましい。本実施形態においては、感磁素子Ｒ１～Ｒ４の感磁方向（固定磁化方向）は、図１の矢印Ｐが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）に全て揃えられている。
　かかる構成により、外部磁性体３１を介して主領域Ｍ１に集められた磁束φは、感磁素子Ｒ１～Ｒ４を介してほぼ均等に分配される。このため、感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４には、互いに逆方向の磁束が与えられることになる。上述の通り、感磁素子Ｒ１～Ｒ４の磁化固定方向は、矢印Ｐが示すｘプラス方向に向けられていることから、磁束のｘ方向における成分に対して感度を持つ。
　図４は、感磁素子Ｒ１～Ｒ４と端子電極５１～５４の接続関係を説明するための回路図である。
　図４に示すように、端子電極５１，５４には、それぞれグランド電位Ｇｎｄ及び電源電位Ｖｄｄが供給される。また、端子電極５１，５４間には、感磁素子Ｒ１，Ｒ２が直列に接続されるとともに、感磁素子Ｒ４，Ｒ３が直列に接続される。そして、感磁素子Ｒ３，Ｒ４の接続点は端子電極５２に接続され、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の接続点は端子電極５３に接続される。このようなフルブリッジ接続により、端子電極５３に現れる電位Ｖａと端子電極５２に現れる電位Ｖｂを参照することにより、磁束密度に応じた感磁素子Ｒ１～Ｒ４の電気抵抗の変化を高感度に検出することが可能となる。
　具体的には、感磁素子Ｒ１～Ｒ４が全て同一の磁化固定方向を有していることから、外部磁性体３１からみて一方側に位置する感磁素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗変化量と、外部磁性体３１からみて他方側に位置する感磁素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗変化量との間には差が生じる。この差は、図４に示したフルブリッジ回路によって２倍に増幅され、端子電極５２，５３に現れる。したがって、端子電極５２，５３に現れる電位Ｖａ，Ｖｂの差を検出することによって、磁束密度を測定することが可能となる。
　図５は、図１に示す領域Ｂ１を拡大して示す透視平面図であり、図６は、図５に示す領域Ｂ２をさらに拡大して示す透視平面図である。また、図７は、図６に示すＡ２－Ａ２線に沿った略断面図であり、図８は、図７に示す領域Ｂ３をさらに拡大して示す透視平面図である。
　図５～図８に示すように、センサ基板２０の素子形成面２１には、磁性体層４１～４３の下層に導体パターン６０がさらに形成されている。導体パターン６０は、感磁素子Ｒ１～Ｒ４の周囲に巻回され、ｙ方向を軸方向とするコイル状部分Ｃと、コイル状部分Ｃの両端に接続された引き出し部分Ｄを有している。図５～図８には感磁素子Ｒ２の近傍のみが示されているが、他の感磁素子Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４の周囲もコイル状部分Ｃで囲まれている。以下、感磁素子Ｒ２近傍の導体パターン６０に着目して説明するが、他の感磁素子Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４の近傍にも同様の導体パターン６０が形成されている。
　導体パターン６０は、図１に示す端子電極５５，５６に接続され、外部から任意の電流を流すことが可能である。感磁素子Ｒ１～Ｒ４に対応するそれぞれの導体パターン６０は、直列接続されていても構わないし、並列接続されていても構わないし、互いに独立して個別の端子電極が割り当てられていても構わない。
　導体パターン６０のコイル状部分Ｃは、感磁素子Ｒ２よりも下層に位置する複数の第１平面導体部６１と、感磁素子Ｒ２よりも上層に位置する複数の第２平面導体部６２と、第１平面導体部６１の一端と第２平面導体部６２の一端を接続する複数の第１スルーホール導体部６３と、第１平面導体部６１の他端と第２平面導体部６２の他端を接続する複数の第２スルーホール導体部６４とを含んでいる。そして、第１平面導体部６１についてはｘ方向にほぼ直線的に延在するのに対し、第２平面導体部６２については、両端の位置が１ピッチ分だけｙ方向にシフトしていることから、コイル状部分Ｃはｙ方向を軸方向とするソレノイドコイルを構成する。
　このため、導体パターン６０に直流電流を流すと、感磁素子Ｒ２にはｙ方向の磁気バイアスが印加されることになる。ｙ方向は、感磁素子Ｒ２の感磁方向ではないが、ｙ方向に所定の磁気バイアスを印加することにより、感磁素子Ｒ２のヒステリシス性を抑制することが可能となる。ｙ方向の磁気バイアスの強さは、導体パターン６０に流す電流によって任意に調整することが可能である。
　さらに、導体パターン６０の引き出し部分Ｄは、平面視で磁性体層４１，４３と重なっているため、導体パターン６０に直流電流を流すと、磁性体層４１，４３に磁束が発生する。例えば、図５に示すように、引き出し部分Ｄのうち、磁性体層４１と重なる部分Ｄ１はｙ方向に延在する部分を有し、磁性体層４３と重なる部分Ｄ３はｙ方向に延在する部分を有していることから、導体パターン６０に矢印Ｉで示す方向に電流を流すと、磁性体層４１には矢印φ１で示す方向に磁束が発生し、磁性体層４３には矢印φ３で示す方向に磁束が発生する。その結果、ギャップＧ２を介し、磁性体層４１から磁性体層４３に向かって磁界が発生することから、感磁素子Ｒ２にはｘ方向の磁気バイアスが印加されることになる。ｘ方向は、感磁素子Ｒ２の感磁方向であり、ｘ方向に所定の磁気バイアスを印加することにより感磁素子Ｒ２の動作点がシフトすることから、より高い検出感度を得ることが可能となる。図８に示すように、ギャップＧ２は、感磁素子Ｒ２に沿ってｙ方向に延在する磁性金属板４１のエッジ４１ａと、感磁素子Ｒ２に沿ってｙ方向に延在する磁性金属板４３のエッジ４３ａによって構成される。
　ｘ方向の磁気バイアスの強さは、導体パターン６０に流す電流によって調整できるとともに、部分Ｄ１，Ｄ３のうちｙ方向に延在する部分に長さによって調整することができる。導体パターン６０に流す電流の電流量は、コイル状部分Ｃが発生すべきｙ方向の磁気バイアスの強さによって決定されることから、ｘ方向の磁気バイアスの強さは、引き出し部分Ｄの形状によって調整することが好ましい。
　このように、本実施形態による磁気センサ１０は、導体パターン６０に電流を流すことによって、感磁素子Ｒ１～Ｒ４に２方向から磁気バイアスを印加することができる。つまり、感磁素子Ｒ１～Ｒ４にｘ方向の磁気バイアスを印加する手段と、感磁素子Ｒ１～Ｒ４にｙ方向の磁気バイアスを印加する手段を別個に設ける必要がないことから、比較的簡単な構成によって感磁素子Ｒ１～Ｒ４に２方向から磁気バイアスを印加することが可能となる。
　ここで、ｘ方向の磁気バイアス量は、導体パターン６０の引き出し部分Ｄだけでなく、コイル状部分Ｃを構成する第１平面導体部６１及び第２平面導体部６２の形状によっても調整することが可能である。本実施形態においては、第１平面導体部６１及び第２平面導体部６２の一端が磁性体層４１と重なっており、第１平面導体部６１及び第２平面導体部６２の他端が磁性体層４３と重なっているため、この部分における平面形状によってｘ方向の磁気バイアスが変化する。例えば、第２平面導体部６２は、両端の位置が１ピッチ分だけｙ方向にシフトした平面形状を有しているため、矢印Ｉで示す方向に電流を流すと、発生する磁束には、ｙ方向成分のみならずｘ方向成分も含まれ、その結果、磁性体層４１から磁性体層４３に向かって磁界が発生する。
　また、本実施形態においては、積層方向（ｚ方向）に見て、第２平面導体部６２が感磁素子Ｒ２と磁性体層４１，４３の間に位置しているとともに、第２平面導体部６２の導体厚Ｔ２が第１平面導体部６１の導体厚Ｔ１よりも薄く設定されている。これにより、ギャップＧ２と感磁素子Ｒ２のｚ方向における距離が短縮されることから、ギャップＧ２を介して流れる磁束を効率よく感磁素子Ｒ２に印加することが可能となる。
　図９及び図１０は、導体パターン６０に電流を流した場合に生じる磁界のシミュレーション結果である。図９に示すように、導体パターン６０に電流を流すと、主に引き出し部分Ｄのうちｙ方向に延在する部分からｘ方向の磁束が発生し、その結果、図１０に示すようにギャップＧ２に生じる磁界にｘ方向成分が重畳していることが分かる。
＜第２の実施形態＞
　図１１は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ａの構造を説明するための平面図である。また、図１２は、図１１に示す領域Ｅ１を拡大して示す透視平面図であり、図１３は、図１２に示す領域Ｅ２をさらに拡大して示す透視平面図である。また、図１４は、図１３に示すＡ３－Ａ３線に沿った略断面図であり、図１５は、図１４に示す領域Ｅ３をさらに拡大して示す透視平面図である。
　図１１～図１５に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、外部磁性体３２，３３と磁性体層４２，４３が削除されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１０と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施形態においては、磁性体層４２，４３が存在しないことから、感磁素子Ｒ１～Ｒ４はギャップＧ１～Ｇ４によって形成される磁路上に配置されるのではなく、ｙ方向に延在する磁性体層４１のエッジ４１ａに沿って配置されることになる。このような構成であっても、外部磁性体３１を介して取り込まれた磁束φが磁性体層４１を介して感磁素子Ｒ１～Ｒ４に印加されることから、第１の実施形態と同様、端子電極５２，５３に現れる電位Ｖａ，Ｖｂの差を検出することによって磁束密度を測定することが可能となる。そして、第１の実施形態と同様、端子電極５５，５６を介して導体パターン６０に電流を流すことにより、感磁素子Ｒ１～Ｒ４にｘ方向の磁気バイアス及びｙ方向の磁気バイアスを印加することができる。
　以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
　例えば、上記実施形態では４つの感磁素子Ｒ１～Ｒ４を用い、これらをフルブリッジ接続しているが、本発明による磁気センサに使用する感磁素子の数がこれに限定されるものではない。このため、感磁素子Ｒ１，Ｒ４を省略し、２つの感磁素子Ｒ２，Ｒ３をハーフブリッジ接続することも可能である。
１０，１０Ａ　　磁気センサ
２０　　センサ基板
２１　　素子形成面
３１～３３　　外部磁性体
４１～４３　　磁性体層
４１ａ，４３ａ　　エッジ
５１～５６　　端子電極
６０　　導体パターン
Ｂ１～Ｂ３，Ｅ１～Ｅ３　　領域
Ｃ　　コイル状部分
Ｄ　　引き出し部分
Ｄ１，Ｄ３　　部分
Ｇ１～Ｇ４　　ギャップ
Ｍ１～Ｍ３　　主領域
Ｒ１～Ｒ４　　感磁素子
Ｓ１～Ｓ８　　収束領域
φ　　磁束

Claims (9)

  1. 　第１の方向を長手方向とし、前記第１の方向と直交する第２の方向を感磁方向とする感磁素子と、
    　前記感磁素子に巻回され、前記第１の方向を軸方向とするコイル状部分を有する導体パターンと、
    　前記感磁素子に沿って前記第１の方向に延在するエッジを有する第１の磁性体層と、を備え、
    　前記感磁素子には、前記導体パターンによって前記第１の方向に磁気バイアスが印加されるとともに、第１の磁性体層によって前記第２の方向に磁気バイアスが印加されることを特徴とする磁気センサ。
  2. 　前記感磁素子に沿って前記第１の方向に延在するエッジを有する第２の磁性体層をさらに備え、
    　前記感磁素子は、前記第１の磁性体層の前記エッジと前記第２の磁性体層の前記エッジからなるギャップによって形成される磁路上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
  3. 　前記導体パターンは、前記コイル状部分に接続され、平面視で前記第１及び第２の磁性体層の少なくとも一方と重なる引き出し部分をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
  4. 　前記導体パターンの前記コイル状部分は、一端が前記第１の磁性体層と重なり、他端が前記第２の磁性体層と重なり、積層方向における一方側で前記感磁素子と交差する複数の第１平面導体部と、一端が前記第１の磁性体層と重なり、他端が前記第２の磁性体層と重なり、前記積層方向における他方側で前記感磁素子と交差する複数の第２平面導体部と、前記第１平面導体部の前記一端と前記第２平面導体部の前記一端を接続する複数の第１スルーホール導体部と、前記第１平面導体部の前記他端と前記第２平面導体部の前記他端を接続する複数の第２スルーホール導体部とを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気センサ。
  5. 　前記第１平面導体部の前記一端と前記他端の前記第１の方向における位置の差は、前記第２平面導体部の前記一端と前記他端の前記第１の方向における位置の差と異なることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサ。
  6. 　前記第２平面導体部は、前記積層方向において前記感磁素子と前記第１及び第２の磁性体層との間に位置することを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気センサ。
  7. 　前記第２平面導体部は、前記第１平面導体部よりも導体厚が薄いことを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ。
  8. 　前記感磁素子は、検出対象となる外部磁界によって互いに逆方向に磁界が印加され、且つ、前記導体パターンに流れる電流によって互いに同方向に磁気バイアスが印加される第１及び第２の感磁素子を含み、
    　前記第１及び第２の感磁素子がハーフブリッジ接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気センサ。
  9. 　前記感磁素子は、前記外部磁界によって互いに逆方向に磁界が印加され、且つ、前記導体パターンに流れる電流によって互いに同方向に磁気バイアスが印加される第３及び第４の感磁素子をさらに含み、
    　前記第１乃至第４の感磁素子がフルブリッジ接続されていることを特徴とする請求項８に記載の磁気センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117572303A (zh) * 2022-08-08 2024-02-20 苏州纳芯微电子股份有限公司 一种磁传感器、电流检测装置及电流检测方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10589371B2 (en) * 2013-05-23 2020-03-17 Crc-Evans Pipeline International, Inc. Rotating welding system and methods
JP7375419B2 (ja) * 2019-09-26 2023-11-08 Tdk株式会社 磁気センサ
JP7404964B2 (ja) * 2020-03-24 2023-12-26 Tdk株式会社 磁気センサ
JP2022138864A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 Tdk株式会社 磁気センサ

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005326373A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気検出素子及びこれを用いた磁気検出器
WO2006098372A1 (ja) * 2005-03-17 2006-09-21 Omron Corporation 高周波インターフェース素子
JP2009002911A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Tdk Corp 電流センサおよびその製造方法
WO2010143718A1 (ja) * 2009-06-12 2010-12-16 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
WO2013141124A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 日立金属株式会社 磁気センサデバイス
US20160313413A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensor with increased field range
WO2017126397A1 (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 コニカミノルタ株式会社 磁気センサー
WO2017204151A1 (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 Tdk株式会社 磁気センサ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005326373A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気検出素子及びこれを用いた磁気検出器
WO2006098372A1 (ja) * 2005-03-17 2006-09-21 Omron Corporation 高周波インターフェース素子
JP2009002911A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Tdk Corp 電流センサおよびその製造方法
WO2010143718A1 (ja) * 2009-06-12 2010-12-16 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
WO2013141124A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 日立金属株式会社 磁気センサデバイス
US20160313413A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensor with increased field range
WO2017126397A1 (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 コニカミノルタ株式会社 磁気センサー
WO2017204151A1 (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 Tdk株式会社 磁気センサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117572303A (zh) * 2022-08-08 2024-02-20 苏州纳芯微电子股份有限公司 一种磁传感器、电流检测装置及电流检测方法

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