WO2017126397A1 - 磁気センサー - Google Patents

磁気センサー Download PDF

Info

Publication number
WO2017126397A1
WO2017126397A1 PCT/JP2017/000733 JP2017000733W WO2017126397A1 WO 2017126397 A1 WO2017126397 A1 WO 2017126397A1 JP 2017000733 W JP2017000733 W JP 2017000733W WO 2017126397 A1 WO2017126397 A1 WO 2017126397A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
magnetic
detection element
sensor
tunnel magnetoresistive
secondary coil
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/000733
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
純一 城野
寺内　孝
Original Assignee
コニカミノルタ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタ株式会社 filed Critical コニカミノルタ株式会社
Priority to JP2017562531A priority Critical patent/JPWO2017126397A1/ja
Publication of WO2017126397A1 publication Critical patent/WO2017126397A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic sensor using a tunnel magnetoresistive element.
  • the tunnel magnetoresistive effect is a phenomenon in which a tunnel current flows through application of a magnetic field in a tunnel magnetoresistive element (TMR element) to change electric resistance.
  • the tunnel magnetoresistive element is arranged between a pinned magnetic layer in which the magnetization direction is fixed, a free magnetic layer whose magnetization direction changes under the influence of an external magnetic field, and between the pinned magnetic layer and the free magnetic layer A magnetic tunnel junction (MTJ (Magnetic Tunnel Junction)) is formed.
  • MTJ Magnetic Tunnel Junction
  • TMR sensor using the tunnel magnetoresistive effect is described in Patent Documents 1 and 2, for example.
  • the TMR sensor has a characteristic of causing a resistance value change of several hundred percent in response to external magnetism, and is expected as a magnetic sensor with high sensitivity and high dynamic range.
  • the magneto-impedance (MI) effect refers to a phenomenon in which impedance changes sensitively by an external magnetic field due to the skin effect of a high permeability alloy magnetic material such as an amorphous alloy wire.
  • a magnetic sensor (MI sensor) using the magneto-impedance effect is described in Patent Document 3, for example.
  • the MI sensor can output only a few percent of the resistance value against the magnetism from the outside, but because of its circuit configuration, it can output a signal with a very high S / N ratio, so it is also expected as a highly sensitive magnetic sensor. Has been.
  • JP 2011-102730 A International Publication 2012/161037 Japanese Patent No. 3639727
  • the present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and an object thereof is to constitute a magnetic sensor that realizes a high S / N ratio that surpasses both of the conventional TMR sensor and MI sensor.
  • the invention according to claim 1 for solving the above-described problems includes a magnetic detection element, A signal amplifying unit composed of a primary coil and a secondary coil; An oscillation circuit for applying a high-frequency sine wave current to the magnetic detection element and the signal amplification unit; The amount of change in the external magnetic field is detected by detecting, through the signal amplification unit, the amount of change in the high-frequency sine wave current of the magnetic detection element that changes according to the external magnetic field applied to the magnetic detection element.
  • a detection circuit for The magnetic detection element is a magnetic sensor configured by a tunnel magnetoresistive element array including a plurality of tunnel magnetoresistive elements including a series connection of tunnel magnetoresistive elements, a parallel connection, or a connection of both.
  • the invention according to claim 2 is the magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetic detection element and the signal amplifying unit are configured to be close to each other on the same substrate.
  • the invention according to claim 3 is the magnetic sensor according to claim 1 or 2, wherein a resistance value of the magnetic detection element is 0.1 to 50 ⁇ .
  • the entire configuration excluding the internal configuration of the magnetic detection element is the MI sensor, so that the signal change amount in the conventional MI sensor is low while inheriting the remarkably high SN ratio of the MI sensor.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array and a primary coil are configured according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array and a primary coil are configured and a secondary coil is wound according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view A and a sectional view B of a substrate on which a tunnel magnetoresistive element array, a primary coil, and a secondary coil are configured according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a configuration in which a trigger coil is connected to a magnetic detection element according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a configuration in which a step-up coil is connected to a magnetic detection element according to another embodiment of the present invention.
  • the magnetic sensor of the present embodiment is basically the same as the conventional MI sensor as shown in FIG. 1A except for the internal structure of the magnetic detection element 10, and includes the magnetic detection element 10 and the signal amplification unit 20 (1 A secondary coil 21 and a secondary coil 22), an oscillation circuit 30, and a detection circuit 40.
  • a magnetic impedance element is formed by integrating a magnetic detection element and a primary coil.
  • the tunnel magnetoresistive element array 12 (the primary coil 21 is replaced with a magnetic impedance element). To ensure a high S / N ratio.
  • the pulse voltage output from the pulse generator 50 is shaped by a differentiating circuit of R and C, converted into a current through a C-MOS inverter, and a pulse train current Ip having a pulse width ⁇ and a pulse interval T (FIG. 1B).
  • the pulse voltage Vc induced in the coil of the signal amplifying unit 20 is converted into a DC output voltage Edc by a synchronous rectifier circuit using an analog switch S.
  • the resistance value In order to replace the magneto-impedance element with the tunnel magneto-resistive element, it is necessary to reduce the resistance value to a range of 0.1 to 50 ⁇ . Preferably, it is reduced to 10 ⁇ or less, more preferably 1 ⁇ or less.
  • the magnetic detection element 10 is configured by the tunnel magnetoresistive element array 12 according to the above. As the number of tunnel magnetoresistive elements (hereinafter referred to as “TMR elements”) 11 increases, the resistance value of the TMR element array 12 decreases.
  • the free magnetic layer in the TMR element 11 reacts to an external magnetic field, and the change in the intensity of the external magnetic field can be detected as a change rate of the tunnel resistance as a result.
  • the primary coil 21 is constituted by a conducting wire including the wiring between the TMR elements 11 and 11. An external magnetic field detection signal current corresponding to the change rate of the tunnel resistance is passed through the primary coil 21.
  • a signal amplifying unit 20 is configured by the secondary coil 22.
  • the conducting wire of the secondary coil 22 may be provided on the same substrate 13 as shown in FIG. In this case, in order to prevent interference between the wiring of the TMR element array 12 including the primary coil 21 and the conductive wire of the secondary coil 22, the substrate surface wiring, the interlayer wiring, and the upper and lower layer connection wiring (via) are three-dimensional. Build the wiring structure.
  • Form 3 A configuration in which the current flowing in the TMR element array 12 is converted into a current flowing in the secondary coil 22 via a magnetic field generated may be used.
  • the configuration in which the coils are adjacent to each other along the wiring of the TMR element array 12 is efficient as magnetic coupling. Therefore, the TMR element array 12 is formed on the substrate 13 as shown in FIG.
  • the secondary coil 22 is arranged in a sandwiching configuration. Further, the secondary coil 22 adjacent to the TMR element array 12 has a larger induced electromotive force as the number of turns increases, and therefore, it is desirable to arrange the secondary coils 22 in multiple turns.
  • the shape of the secondary coil 22 adjacent to the TMR element array 12 is not limited to a circle, and may be a rectangle as shown in FIG. In this case, coils having different opening widths (W1, W2) are arranged in a repeated shape so that currents do not cancel each other in the rectangular coils.
  • the primary coil is removed from the substrate 13 and the primary coil 21 and the secondary coil 22 are a general-purpose trigger coil (FIG. 9A) or step-up. You may comprise using a coil (FIG. 9B). Since there are a wide range of coil turn ratio options, it is easy to achieve high conversion efficiency according to the application and specifications. Further, since there is a margin around the TMR element array 12, a configuration in which a large number of TMR elements 11 are arranged at a high density to increase the spatial resolution, or a concentrator is disposed in the vicinity of the TMR element array 12, A higher signal output can be obtained by increasing the magnetic field strength applied to the.
  • the present invention can be used for a magnetic sensor using a tunnel magnetoresistive element.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

従来のＴＭＲセンサー及びＭＩセンサーの両者を凌駕する高いＳＮ比を実現する磁気センサーを構成する。磁気検出素子の内部構成を除く全体構成をＭＩセンサーとしつつ、磁気検出素子１０が、トンネル磁気抵抗素子１１，１１同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイ１２で構成される。トンネル磁気抵抗素子アレイの抵抗値を０．１から５０Ωとする。１次コイル２１と２次コイル２２とで構成された信号増幅部２０と磁気検出素子とが、同一の基板１３上において互いが近接して構成される。

Description

磁気センサー
　本発明は、トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサーに関する。
　トンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象をいう。
　トンネル磁気抵抗素子は、磁化の向きが固定された固定磁性層、外部からの磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する自由磁性層、及び、固定磁性層と自由磁性層との間に配置された絶縁層を有し、磁気トンネル接合（ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction））を形成する。固定磁性層の磁化の向きと自由磁性層の磁化の向きとの角度差に従ってトンネル磁気抵抗効果により絶縁層の抵抗を変化させる。
　トンネル磁気抵抗効果を利用した磁気センサー（ＴＭＲセンサー）は、例えば、特許文献１，２に記載される。ＴＭＲセンサーは、外部からの磁気に反応して数百パーセントの抵抗値変化を生じる特性があり、高感度且つダイナミックレンジの高い磁気センサーとして期待されている。
　一方、磁気インピーダンス（Magneto-Impedance；ＭＩ）効果とは、アモルファス合金ワイヤなどの高透磁率合金磁性体の表皮効果により、外部磁界によってインピーダンスが敏感に変化する現象をいう。
　磁気インピーダンス効果を利用した磁気センサー（ＭＩセンサー）は、例えば、特許文献３に記載される。ＭＩセンサーは、外部からの磁気に対して数パーセント程度の抵抗値変化しか生じないものの、回路構成の性質上、非常にＳＮ比の高い信号を出力できるため、こちらも高感度な磁気センサーとして期待されている。
特開２０１１－１０２７３０号公報 国際公開２０１２/１６１０３７号公報 特許第３６３９７２７号公報
　従来、ＴＭＲセンサーは、内部に数ｎｍ程度の厚さの絶縁層が必須であるため、抵抗値が必ず存在する。そのため、抵抗値が持つ熱ノイズに起因するノイズがＳＮ比改善の大きな阻害因子となっている。
　ＭＩセンサーは、ノイズは非常に小さく抑えられる構成ではあるものの、外部からの磁場に対する信号変化量が数％程度であることがＳＮ比改善の阻害因子となっている。
　本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、従来のＴＭＲセンサー及びＭＩセンサーの両者を凌駕する高いＳＮ比を実現する磁気センサーを構成することを課題とする。
　以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、磁気検出素子と、
１次コイルと２次コイルとで構成された信号増幅部と、
前記磁気検出素子と前記信号増幅部に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、
前記磁気検出素子に印加された外部磁場に応じて変化する前記磁気検出素子の前記高周波の正弦波電流の変化量を、前記信号増幅部を介して検出することで前記外部磁場の変化量を検出する検波回路と、を備え、
前記磁気検出素子が、トンネル磁気抵抗素子同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイで構成されている磁気センサーである。
　請求項２記載の発明は、前記磁気検出素子と前記信号増幅部とが、同一の基板上において互いが近接して構成されている請求項１に記載の磁気センサーである。
　請求項３記載の発明は、前記磁気検出素子の抵抗値が０．１から５０Ωである請求項１又は請求項２に記載の磁気センサーである。
　本発明の磁気センサーによれば、磁気検出素子の内部構成を除く全体構成をＭＩセンサーとすることでＭＩセンサーの顕著に高いＳＮ比を継承しつつ、従来のＭＩセンサーにおける信号変化量の低さを、顕著な高感度特性を有するトンネル磁気抵抗素子アレイによって補完し、従来のＴＭＲセンサー及びＭＩセンサーの両者を凌駕する高いＳＮ比を実現することができる。
本発明の一実施形態に係る磁気センサーの回路図である。 本発明の一実施形態に係る磁気センサーの磁気検出素子に印加されるパルス列電流波形図である。 本発明の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ及び１次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ及び１次コイルが構成され、２次コイルが巻き付けられた基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ、１次コイル及び２次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の他の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ、１次コイル及び２次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の他の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ、１次コイル及び２次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の他の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ、１次コイル及び２次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の他の一実施形態に係り、トンネル磁気抵抗素子アレイ、１次コイル及び２次コイルが構成された基板の平面図Ａ及び断面図Ｂである。 本発明の他の一実施形態に係り、磁気検出素子にトリガーコイルを接続した構成の模式図である。 本発明の他の一実施形態に係り、磁気検出素子にステップアップコイルを接続した構成の模式図である。
　以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
〔基本構成〕
　本実施形態の磁気センサーは、磁気検出素子１０の内部構成を除いた全体構成は基本的に図１Ａに示すように従来のＭＩセンサーと同じで、磁気検出素子１０と、信号増幅部２０(１次コイル２１と２次コイル２２とで構成)と、発振回路３０と、検波回路４０とを備えて構成される。
　従来のＭＩセンサーの場合、磁気検出素子と１次コイルとが一体となったものが磁気インピーダンス素子であり、本発明では、磁気インピーダンス素子の置き換えにトンネル磁気抵抗素子アレイ１２（１次コイル２１を含む）を利用して、高いＳＮ比を確保する。
　図１Ａにおいて、パルスジェネレーター５０が出力するパルス電圧が、ＲとＣによる微分回路により整形され、Ｃ－ＭＯＳインバーターを介して電流に変換され、パルス幅τ及びパルス間隔Ｔのパルス列電流Ｉｐ（図１Ｂ）として磁気検出素子１０へ通電される。信号増幅部２０のコイルに誘導されるパルス電圧ＶｃはアナログスイッチＳによる同期整流回路により直流的な出力電圧Ｅｄｃに変換される。
　磁気インピーダンス素子をトンネル磁気抵抗素子と置き換えるためには、抵抗値が０．１から５０Ωの範囲まで小さくする必要がある。好ましくは１０Ω以下、より好ましくは１Ω以下まで小さくする。これには基板１３上において、例えば図２に示すようにトンネル磁気抵抗素子１１同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子１１，１１、・・・によるトンネル磁気抵抗素子アレイ１２で磁気検出素子１０を構成する。
　トンネル磁気抵抗素子（以下「ＴＭＲ素子」）１１の並列数が多いほど、ＴＭＲ素子アレイ１２の抵抗値は小さくなる。ＴＭＲ素子１１内の自由磁性層が外部磁場に対して反応し、外部磁場の強度変化は結果としてトンネル抵抗の変化率となって検出することができる。
　また、基板１３上において、ＴＭＲ素子１１，１１間の配線を含めた導線により１次コイル２１を構成する。１次コイル２１にトンネル抵抗の変化率に応じた外部磁場検出信号電流が通電する。
〔２次コイルの様々な形態〕
　２次コイルの形態、設け方については、以下に複数の形態を開示する。
（形態１）
　各ＴＭＲ素子１１の自由磁性層での磁化の向きが外部磁場の影響を受けて変化することで外部磁場を検出する。従来のＭＩセンサーと同様に磁気検出素子と１次コイル２１を含んだ構成となる。そのため、図３に示すようにＴＭＲ素子アレイ１２及び１次コイル２１を包囲するように２次コイル２２を基板１３に巻き付けることで、ＴＭＲ素子アレイ１２に流れる電流量は、１次コイル２１と２次コイル２２との磁気的な結合を介して、２次コイル２２に流れるパルス電圧Ｖｃへと変換される。
　この時、２次コイル２２の巻き数と巻きピッチに応じて、昇圧コイルの要領で１次コイル２１に流れる電流の何倍も大きな電流が２次コイル２２側に流れるため、１次コイル２１と２次コイル２２とにより信号増幅部２０が構成されている。
（形態２）
　１次コイル２１と２次コイル２２との間隔が小さいほど、磁気的な結合効率が向上するため、図４に示すように同一基板１３上に２次コイル２２の導線を設けても良い。この場合、１次コイル２１を含むＴＭＲ素子アレイ１２の配線と２次コイル２２の導線とが干渉しないように基板表面上配線、層間配線及び上下層接続配線（ビア）を利用して立体的な配線構造を構築する。
（形態３）
　ＴＭＲ素子アレイ１２に流れる電流から発生する磁場を介して２次コイル２２に流れる電流へ変換する構成でも構わない。この場合、アンペールの法則に従い、ＴＭＲ素子アレイ１２の配線に沿った位置でコイルを隣接させる構成が磁気的な結合として効率が良いため、図５に示すように基板１３上でＴＭＲ素子アレイ１２を挟み込む構成で２次コイル２２が配置される。
　また、ＴＭＲ素子アレイ１２に隣接させる２次コイル２２は巻き数が多いほど誘導起電 力が大きくなるため、多重巻きで配置することが望ましい。
（形態４）
　２次コイル２２を立体的に多重巻きするのではなく、図６に示すように基板１３の面方向に沿ってうず巻き状に展開された形態で設けることで多重巻きと似た高い起電力を得ることができる。
（形態５）
　２次コイル２２を多重巻きではなく、図７に示すように基板１３の面方向に沿って多数のコイルを配置した構成でも同様の効果が得られる。この場合も、ＴＭＲ素子アレイ１２に可能な限り隣接させて多数の小さい径のコイルを配置するほど、誘導起電力を大きくすることができる。
（形態６）
　ＴＭＲ素子アレイ１２に隣接させる２次コイル２２の形状は円形に限らず、図８に示すように矩形であっても構わない。この場合、矩形状の各コイルで電流が打ち消し合う構成にならないように、開口幅（Ｗ１、Ｗ２）が異なるコイルを繰り返す形状で配置する。
（形態７）
　基板１３に構成されるデバイスの小型化が重要でなければ、基板１３上から１次コイルを排除して、１次コイル２１と２次コイル２２は汎用品のトリガーコイル（図９Ａ）やステップアップコイル（図９Ｂ）を利用して構成しても構わない。コイルの巻き数比の選択肢が広がるため、用途や仕様に合わせた高い変換効率を達成することが容易である。
　また、ＴＭＲ素子アレイ１２の周辺に余裕ができる為、ＴＭＲ素子１１を高密度に多数配置して空間分解能を高める構成や、ＴＭＲ素子アレイ１２の近傍にコンセントレーターを配置して、ＴＭＲ素子アレイ１２に加わる磁場強度を増強させて、さらに高い信号出力を得ることができる。
　本発明は、トンネル磁気抵抗素子を利用した磁気センサーに利用することができる。
１０ 磁気検出素子
１１ トンネル磁気抵抗素子
１２ トンネル磁気抵抗素子アレイ
１３ 基板
２０ 信号増幅部
２１ １次コイル
２２ ２次コイル
３０ 発振回路
４０ 検波回路
５０ パルスジェネレーター

Claims (3)

  1. 磁気検出素子と、
    １次コイルと２次コイルとで構成された信号増幅部と、
    前記磁気検出素子と前記信号増幅部に高周波の正弦波電流を印加する発振回路と、
    前記磁気検出素子に印加された外部磁場に応じて変化する前記磁気検出素子の前記高周波の正弦波電流の変化量を、前記信号増幅部を介して検出することで前記外部磁場の変化量を検出する検波回路と、を備え、
    前記磁気検出素子が、トンネル磁気抵抗素子同士の直列接続、若しくは、並列接続、又はその両方の接続を含んだ複数のトンネル磁気抵抗素子によるトンネル磁気抵抗素子アレイで構成されている磁気センサー。
  2. 前記磁気検出素子と前記信号増幅部とが、同一の基板上において互いが近接して構成されている請求項１に記載の磁気センサー。
  3. 前記磁気検出素子の抵抗値が０．１から５０Ωである請求項１又は請求項２に記載の磁気センサー。
PCT/JP2017/000733 2016-01-22 2017-01-12 磁気センサー WO2017126397A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017562531A JPWO2017126397A1 (ja) 2016-01-22 2017-01-12 磁気センサー

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016010352 2016-01-22
JP2016-010352 2016-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017126397A1 true WO2017126397A1 (ja) 2017-07-27

Family

ID=59361567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/000733 WO2017126397A1 (ja) 2016-01-22 2017-01-12 磁気センサー

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2017126397A1 (ja)
WO (1) WO2017126397A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019148475A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 Tdk株式会社 磁気センサ

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131780A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Tdk Corp 磁気検知装置
JPH10513549A (ja) * 1994-12-28 1998-12-22 フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー 副ループ動作された電流変圧器を有する直流及び交流電流センサ
JP2001281313A (ja) * 2000-01-27 2001-10-10 Hitachi Metals Ltd 磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド
JP2009536345A (ja) * 2006-05-10 2009-10-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善した出力信号特性を有する磁気抵抗検出器
JP2010266247A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Nagoya Univ 磁気センサ及び磁界測定装置
WO2011141969A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 株式会社日立製作所 磁界角計測装置およびこれを用いた回転角計測装置
JP2013229444A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp 磁気抵抗効果素子、磁界検出器、電流検出器、磁気抵抗効果素子の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131780A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Tdk Corp 磁気検知装置
JPH10513549A (ja) * 1994-12-28 1998-12-22 フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー 副ループ動作された電流変圧器を有する直流及び交流電流センサ
JP2001281313A (ja) * 2000-01-27 2001-10-10 Hitachi Metals Ltd 磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド
JP2009536345A (ja) * 2006-05-10 2009-10-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善した出力信号特性を有する磁気抵抗検出器
JP2010266247A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Nagoya Univ 磁気センサ及び磁界測定装置
WO2011141969A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 株式会社日立製作所 磁界角計測装置およびこれを用いた回転角計測装置
JP2013229444A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp 磁気抵抗効果素子、磁界検出器、電流検出器、磁気抵抗効果素子の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019148475A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 Tdk株式会社 磁気センサ
WO2019167598A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 Tdk株式会社 磁気センサ
JP7020176B2 (ja) 2018-02-27 2022-02-16 Tdk株式会社 磁気センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017126397A1 (ja) 2018-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9632150B2 (en) Magnetic field sensor with increased field range
US8519704B2 (en) Magnetic-balance-system current sensor
US10295578B2 (en) Current sensor and smart meter
JP5645228B2 (ja) 電流測定装置
JP6107942B2 (ja) 磁気電流センサおよび電流測定方法
US20230003768A1 (en) Contactless wideband magneto-resistive current sensor with low electromagnetic interference
JP6658676B2 (ja) 電流センサ
JP2018146314A (ja) 磁気センサ、磁気センサ装置
JP6418268B2 (ja) 磁場検出装置
CN205861754U (zh) 一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器
US9207264B2 (en) Current sensor
JP2010101871A (ja) 電流センサ
WO2015190155A1 (ja) 電流センサ
US20130057266A1 (en) Magnetic balance type current sensor
JP7262885B2 (ja) 超高感度マイクロ磁気センサ
JP6484940B2 (ja) 磁気抵抗素子、磁気センサ及び電流センサ
WO2017126397A1 (ja) 磁気センサー
JP2014089088A (ja) 磁気抵抗効果素子
US11009569B2 (en) Magnetic field sensing device
JP2015197388A (ja) フラックスゲート型磁気センサ
JP2008209224A (ja) 磁気センサ
JP5540326B2 (ja) 電流センサ
US8270127B2 (en) Magnetic coupling-type isolator
EP3851864B1 (en) Magnetic sensor and current sensor
JP2016114408A (ja) 磁界検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17741277

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017562531

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17741277

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1