JP7262885B2 - 超高感度マイクロ磁気センサ - Google Patents
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Description
ここで、GSRセンサとは超高速スピン回転効果(英語表記;GHz Spin Rotation effect)を基礎にした超高感度マイクロ磁気センサという。
モーションデバイスに搭載するためには、センササイズは小さければ小さいほど望ましいが、それに反比例して検出感度が低下する。さらに供給電源の制約もあって測定中の消費電力の低減が求められている。
本発明の課題は、立上がりパルス検波の直線性を0.5%以下にして立上がりパルス検波の長所を引き出すことである。
つまり、a電圧が磁界の影響を受けないのであれば、H=0Gでa電圧を測定し、それをキャンセルすれば正味のb電圧を検出することができる。
さらに、磁界を変化させてb電圧を測定したところ、磁界の正負に対して対称的に電圧が直線的に出力して、0.3%以下の優れた直線性が得られることを見出した。
磁界Hがゼロから変化した場合においても、a電圧が消失する理由は、2本ワイヤのインピーダンスの変化は電流の向きにかかわらず、磁界Hに対称的に変化するため両者のインピーダンスは常に同じで、両者に流れるパルス電流は同じとなり両者のコイルへの影響は磁場が変化してもキャンセルされることになるからであると考えられる(図9)。
Vs=Vo・2L・πD・p・Nc・f・sin(πH/2Hm) (1)
V’=arcsin(Vs/Vo・2L・πD・p・Nc・f)=(π・1/2Hm)・H (2)
H=2Hm/π×V’ (3)
として、式(3)からHを求めることができる。
V’は、磁界Hに対して-Hmから+Hmまで直線的に変化する。測定レンジはHmとなり、逆正弦変換しない場合に比べると4倍程度拡大する。なお直線性Pは、Vx=a(1-Δ)Hxとして、P=100×Δ(%)と定義する(図11)。
すなわち、Δ=0の時の関係式Vx=aHxからのずれ量Δで直線性を定義する。
GSRセンサは、磁性ワイヤとコイル内径との間隔を3μm以下として磁性ワイヤとコイルとの電磁結合を強化している。本発明においても磁性ワイヤ2本の間を除いて同様の関係を保つものとする。
パルス通電時に発生するコイル電圧は、パルス対応型バッファー回路を介してサンプルホールド回路に送られる。コイルの巻き数Ncが小さい場合には、直接サンプルホールド回路に送ることも可能である。
サンプルホールド回路のコンデンサ容量は4pF~100pFとする。望ましく電子スイッチのon-offはできる限り細かくしてコンデンサ容量も4pF~8pFと小さくすることである。これによりピークタイミングの電圧を瞬時の電圧値としてコンデンサにホールドする。このホールドされたコンデンサ電圧はプログラミングアンプを介して出力される。
なお、本発明の構成に、本明細書中から任意に選択した一つ又は二つ以上の構成を付加し得る。いずれの実施形態が最良であるか否かは、対象、要求諸特性によって異なる。
基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤ2本を近接配置し、磁性ワイヤ2本を一緒に巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極2個とコイル電圧検出用の電極2個を設置した磁界検出素子および磁性ワイヤにパルス電流を流す手段と2本の磁性ワイヤに逆向きにパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とコイル電圧を外部磁界Hに変換する手段とからなり、
磁性ワイヤは、20G(20×10 ―4 テスラ(T))以下の異方性磁界を有し、かつ円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の2相の磁区構造を有してなり、
磁性ワイヤに通電するパルス電流は、該周波数は0.2GHz~4.0GHzで、該ワイヤ表面に異方性磁界の1.5倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上とし、
コイルはコイルピッチ10μm以下である。コイル平均内径を35μm以下が望ましい。また、複数の対のワイヤを配置する場合は、コイルと磁性ワイヤとの間隔は1μm~5μmとすることが望ましい。
磁性ワイヤにパルス電流を通電することによって、表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式(1)を使って磁界Hに変換するものである。
Vs=Vo・2L・πD・p・Nc・f・sin(πH/2Hm) (1)
ここで、Vsはコイル出力電圧、Voは比例定数、制御因子定数としては、Lはワイヤの長さ、Dはワイヤの直径、pはパルス電流の表皮深さ、Ncはコイルの巻き数、fはパルス周波数、Hmはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。
パルス電流を発信するパルス発信回路、コイル電圧を入力する入力回路、パルス対応型バッファー回路およびコイル電圧の出力波形のピーク電圧を検波する電子スイッチとピーク電圧を保存する容量4~100pFのコンデンサとからなるサンプルホールド回路から構成され、プログラミングアンプにて増幅し、AD(アナログデジタル)変換する電子回路に接続するものである。
GSRセンサ素子(以下、素子という。)1は、基板10の上に磁性ワイヤ2本(21および22)とその磁性ワイヤ2本を周回する1個のコイル3およびワイヤ通電用の2個の電極(24およびと25)とコイル電圧検出用の2個の電極(33および34)ならびに磁性ワイヤとワイヤ通電用電極との接続部、コイルとコイル電圧検出用電極との接続部からなる。また、素子1には磁性ワイヤ2本(21および22)に逆向きのパルス電流を流す手段23からなる。そして、パルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路5とコイル電圧を外部磁界に変換する手段から構成されている。外部磁界Hとコイル電圧Vsは、上記の式(1)のような数学的関係で表される。
素子1の構造は、図1~図2に示す通りである。
素子1のサイズは、基板10のサイズである幅0.07mm~0.4mm、長さ0.25mm~1mmからなる。素子1の中央部は、磁性ワイヤ2本(21および22)が平行に整列配置できるように幅20~60μm、深さ2~20μmの溝が基板10に形成されている。2本の磁性ワイヤ(21および22)は近接しており磁性ワイヤの間隔は1~5μmであり、磁性ワイヤ(21および22)同士は絶縁材料で隔離されていること、例えば絶縁性分離壁が好ましい。
磁性ワイヤ2は、CoFeSiBアモルファス合金の直径5~20μmである。磁性ワイヤ2の周囲は絶縁性材料、例えば絶縁性ガラスで被覆されていることが好ましい。長さは0.07~1.0mmである。
磁性ワイヤ2の異方性磁界は20G(20×10 ―4 T)以下で、円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の2相の磁区構造を有する。
コイル3は、コイル巻き数は6~180回、コイルピッチは5μmが好ましい。コイル3と磁性ワイヤ2との間隔は3μm以下が好ましい。コイル平均内径は10~35μmが好ましい。
素子の製造方法は、図2を用いて説明する。
基板10に形成されている溝11に沿って下コイル31と基板面上に電極配線を行なう。その後、溝11の中央部に絶縁性分離壁41を形成して2つの溝形状として、そこに2本のガラス被覆した磁性ワイヤ21および22をそれぞれ整列配置する。次いで、基板全面に絶縁性レジストを塗布する。こうして磁性ワイヤ21および22は溝11内に固定される。この塗布の際に磁性ワイヤ21および22の上部は薄く塗布する。そこに上コイル32をフォトリソ技術で形成する。
なお、ガラス被覆していない磁性ワイヤ2を用いる場合には、下コイル31と磁性ワイヤ21および22とが電気的な接触が生じないように予め絶縁性材料4を塗布しておくことである。
磁性ワイヤ2の配線構造は、図1に示すように、ワイヤ入力電極(+)24は磁性ワイヤ21の上部と接続され、磁性ワイヤ21の下部はワイヤ連結部23を介して磁性ワイヤ22の下部と接続されている。磁性ワイヤ22の上部はワイヤ出力電極(-)25と接続されている。このワイヤ連結部23により、磁性ワイヤ21では上部から下部への下向きのパルス電流が流れ、磁性ワイヤ22では下部から上部への上向き(磁性ワイヤ21とは逆向きになる。)のパルス電流を流すことができる。
電子回路5は、パルス電流を発信するパルス発信回路51、コイル電圧を入力する入力回路53、パルス対応型バッファー回路54、コイル電圧の出力波形のピーク電圧を検波する電子スイッチ56とピーク電圧を保持する容量4~100pFのコンデンサとからなるサンプルホールド回路、および増幅器58のプログラミングアンプにて増幅してAD変換を行なう。
また、電子回路5のコイル電圧を出力するGSRセンサ素子が接続されている。
図5には、上記のパルス電流を通電した際のコイル電圧の波形図を示す。
本発明では、ピーク電圧のタイミングを検波する。電子スイッチはon-offからなりその開閉時間は0.1~1.5nsecで繰り返す。
コイル出力は、図6に示すように正弦波出力にて測定レンジ3~100G(3×10 ―4 ~100×10 ―4 T)で、その感度は50mV/G~3V/G(50×10 4 mV/T~3×10 4 V/T)である。直線性は0.3%以下である。
異方性磁界は15G(15×10 ―4 T)である。
コイル3の両端部は、それぞれコイル電極との間は導電性金属蒸着膜で電気的接続部を設けた。
磁性ワイヤ2と電極は、磁性ワイヤの端部の上面部のガラス被覆材料を除去した後、被覆除去されたワイヤ面と電極との間を導電性金属蒸着膜で電気的接合部を設けた。
また、2本の磁性ワイヤ21と磁性ワイヤ22との連結部23も同様の処理により電気的接続を行なった。
2:磁性ワイヤ、21:磁性ワイヤ2本のうちの1本、22:磁性ワイヤ2本のうちの他の1本、23:ワイヤ連結部、24:ワイヤ入力電極(+)、25:ワイヤ出力電極(-)、
3:コイル、31:下コイル、32:上コイル、33:ジョイント部、34:コイル出力電極(+)、35:コイルグランド電極(-)、
4:絶縁性樹脂、41:絶縁性分離壁、
5:電子回路、51:パルス発信回路、52:GSRセンサ素子、53:入力側回路、54:バッファー回路、55:サンプルホールド回路、56:電子スイッチ、57:コンデンサ、58:増幅器
Claims (3)
- 基板上に並行に配置され導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤ2本と、前記磁性ワイヤ2本の一方である第1磁性ワイヤの第1端部と第2端部と、前記磁性ワイヤ2本の他方である第2磁性ワイヤの第3端部と第4端部と、前記並行に配置された前記磁性ワイヤ2本の間に配置された絶縁性分離壁と、前記並行に配置された前記磁性ワイヤ2本及び前記絶縁性分離壁の外周を巻回して配置される周回コイルと、前記第1磁性ワイヤの前記第2端部と前記第2磁性ワイヤの前記第3端部とは接続され、前記第1端部と前記第4端部との夫々に接続される前記磁性ワイヤ通電用の第1電極と第2電極と、前記周回コイルの端部に接続されるコイル電圧検出用の第3電極と第4電極と、を設置した磁界検出素子、及び前記第1電極と前記第2電極とに接続され前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段と、前記第3電極と前記第4電極とに接続され前記2本の磁性ワイヤに逆向きに前記パルス電流を流した時に前記周回コイルに生じるコイル電圧を検知する回路と、前記コイル電圧を外部磁界Hに変換する手段とからなる磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤは、20G(20×10―4テスラ(T))以下の異方性磁界を有し、かつ円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の2相の磁区構造を有してなり、
前記磁性ワイヤに通電される前記パルス電流は、換算周波数は0.2GHz~4.0GHzで、該ワイヤ表面に異方性磁界の1.5倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上とし、
前記周回コイルはコイルピッチ10μm以下とすることを特徴とするマイクロ磁気センサ。 - 請求項1に記載のマイクロ磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式(1)を使って磁界Hに変換することを特徴とするマイクロ磁気センサ。
Vs=Vo・2L・πD・p・Nc・f・sin(πH/2Hm) (1)
ここで、Vsはコイル出力電圧、Voは比例定数、制御因子定数としては、Lはワイヤの長さ、Dはワイヤの直径、pはパルス電流の表皮深さ、Ncはコイルの巻き数、fはパルス周波数、Hmはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。 - 請求項1に記載のマイクロ磁気センサにおいて、
前記パルス電流を流す手段はパルス発信回路で構成され、
前記コイル電圧を検出する回路は、前記第3電極と前記第4電極に接続される入力側回路、前記入力側回路に接続され前記コイル電圧を入力される第1アンプ回路、前記コイル電圧の出力波形のピーク電圧を検波する電子スイッチ、前記ピーク電圧を保存する容量4~100pFのコンデンサとからなるサンプルホールド回路、前記サンプルホールド回路の保持電圧を増幅する第2アンプ回路、及び前記第2アンプ回路の出力電圧をデジタル値に変換するAD変換回路で構成されることを特徴とするマイクロ磁気センサ。
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---|---|---|---|---|
JP7262886B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2023-04-24 | 朝日インテック株式会社 | 超小型高感度磁気センサ |
JP6830585B1 (ja) * | 2019-08-15 | 2021-02-17 | ナノコイル株式会社 | 応力インピーダンスセンサ素子および応力インピーダンスセンサ |
JP6784985B1 (ja) * | 2019-10-01 | 2020-11-18 | ナノコイル株式会社 | ひねり応力センサ素子およびひねり応力センサ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194897B1 (en) | 1997-10-06 | 2001-02-27 | Tdk Corporation | Magnetic sensor apparatus |
WO2015060344A1 (ja) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 国立大学法人九州大学 | 勾配磁界センサ |
JP5839527B1 (ja) | 2015-02-16 | 2016-01-06 | マグネデザイン株式会社 | 超高感度マイクロ磁気センサ |
WO2017061513A1 (ja) | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 愛知製鋼株式会社 | 微小磁性体検知センサおよび異物検知装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3911389A (en) * | 1974-03-21 | 1975-10-07 | Us Transport | Magnetic gradient vehicle detector |
JPS5839527B2 (ja) | 1977-04-20 | 1983-08-30 | 東京光学機械株式会社 | 離隔式検眼装置 |
DE3240478A1 (de) * | 1982-11-02 | 1984-05-03 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Sensor zum erfassen von magnetfeldverzerrungen bzw. aus diesen ableitbaren messgroessen |
US5442283A (en) * | 1993-09-03 | 1995-08-15 | Allegro Microsystems, Inc. | Hall-voltage slope-activated sensor |
EP0892276A3 (en) * | 1997-07-14 | 2001-05-30 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor |
JP2001296127A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Aichi Steel Works Ltd | 磁場検出装置 |
JP2003004831A (ja) * | 2001-04-17 | 2003-01-08 | Hitachi Metals Ltd | 直交フラックスゲート型磁気センサ |
KR20040019018A (ko) * | 2001-07-19 | 2004-03-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자기센서 및 그 제조방법 |
JP4529783B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-08-25 | 愛知製鋼株式会社 | マグネト・インピーダンス・センサ素子 |
US8027714B2 (en) * | 2005-05-27 | 2011-09-27 | Magnetecs, Inc. | Apparatus and method for shaped magnetic field control for catheter, guidance, control, and imaging |
EP1746430A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Orthogonal fluxgate magnetic field sensor |
US7755360B1 (en) * | 2005-10-24 | 2010-07-13 | Seektech, Inc. | Portable locator system with jamming reduction |
US7535221B2 (en) * | 2006-03-17 | 2009-05-19 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Magnetic sensor element and electronic directional measuring device |
US7818890B2 (en) * | 2006-11-27 | 2010-10-26 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor circuit |
US8378670B1 (en) | 2007-10-02 | 2013-02-19 | Aichi Steel Corporation | Magneto-impedance element and magneto-impedance sensor including detection coil |
WO2009119081A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 愛知製鋼株式会社 | 感磁ワイヤ、マグネトインピーダンス素子およびマグネトインピーダンスセンサ |
JP4725600B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2011-07-13 | 愛知製鋼株式会社 | マグネトインピーダンスセンサ素子 |
CN101320081B (zh) * | 2008-07-09 | 2010-08-11 | 东南大学 | 一种微机电系统磁场传感器及测量方法 |
US9222992B2 (en) * | 2008-12-18 | 2015-12-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
US8237438B2 (en) * | 2009-03-13 | 2012-08-07 | Quantec Geoscience | Very low noise magnetometer |
JP4655247B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2011-03-23 | 愛知製鋼株式会社 | 超高感度マグネトインピーダンスセンサ |
WO2011156500A2 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electrochemical methods for wire bonding |
WO2012094624A2 (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | University Of Utah Research Foundation | Organic magnetic field sensor |
CN102426344B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
WO2013040446A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | High-precision ghz clock generation using spin states in diamond |
CN103959084B (zh) * | 2011-12-02 | 2017-03-22 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于mpi的线圈布置 |
JP2013205308A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Hioki Ee Corp | 磁界センサ |
WO2014115765A1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | マグネデザイン株式会社 | 磁気検出装置 |
CN103730569A (zh) * | 2014-01-20 | 2014-04-16 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种纵向驱动式磁阻抗元件 |
JP2016003866A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | マグネデザイン株式会社 | Z軸用gmi素子および超薄型3次元gmiセンサ |
CN104049224B (zh) * | 2014-06-25 | 2016-08-24 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种磁力矩器标定线圈及方法 |
CN204241670U (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-01 | 王国安 | 基于非晶态合金材料的高灵敏度磁场传感器 |
RU2582488C1 (ru) * | 2015-03-05 | 2016-04-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Двухпроводной дифференциальный магнитоимпедансный датчик |
JP6021238B1 (ja) * | 2015-10-11 | 2016-11-09 | マグネデザイン株式会社 | グラジオセンサ素子およびグラジオセンサ |
CN105911487B (zh) * | 2016-04-14 | 2018-12-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种超导磁传感器探测线圈及探测器 |
JP2017219457A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 愛知製鋼株式会社 | マグネトインピーダンスセンサ |
CN106154187B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-01-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种三阶梯度线圈及探测器 |
JP6864413B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2021-04-28 | 朝日インテック株式会社 | Gsrセンサ素子 |
-
2017
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194897B1 (en) | 1997-10-06 | 2001-02-27 | Tdk Corporation | Magnetic sensor apparatus |
WO2015060344A1 (ja) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 国立大学法人九州大学 | 勾配磁界センサ |
JP5839527B1 (ja) | 2015-02-16 | 2016-01-06 | マグネデザイン株式会社 | 超高感度マイクロ磁気センサ |
WO2017061513A1 (ja) | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 愛知製鋼株式会社 | 微小磁性体検知センサおよび異物検知装置 |
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