JP2013205308A - 磁界センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】製造コストを抑えつつ、磁束密度を正確に測定する。
【解決手段】絶縁ベース片21、およびその上に並列された複数の導体パターン22を有して、絶縁べース片21を円環状に曲げて連結させた際に複数の導体パターン22によって1本の周回導電路の形成が自在にそれぞれ構成された3つの磁気検出コイル素子2,3,4と、円環状に曲げられた状態で、互いの中心点P1,P2,P3が一致し、かつ互いの中心軸L1,L2,L3が直交するように立体的に組み合わされた各磁気検出コイル素子2,3,4における交差部位を2枚重ね状態で保持する交差連結部5,6,7,8,9,10とを備え、絶縁ベース片21は、0.1mm以上1.0mm以下の範囲内の厚みに形成されたガラスエポキシ基板で形成されると共に5mm以上50mm以下の範囲内の幅に形成され、かつ各導体パターン22は10μm以上50μm以下の範囲内の厚みに形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、帯状の3つの磁気検出コイル素子がそれぞれ円環状に曲げられた状態で、互いの中心点が一致し、かつ互いの中心軸が直交する状態で組み合わされた磁界センサに関するものである。
この種の磁界センサとして、本願出願人は下記特許文献1に開示された磁界センサを既に提案している。この磁界センサは、略帯状を呈して円環状に曲げられる3つの磁気検出コイル素子と、円環状(同一半径であって、規格に規定された面積の円環状)に曲げられた各磁気検出コイル素子を直交配置した際にそれぞれの交差部分を連結する複数個の可撓連結片とを備えている。
この場合、磁気検出コイル素子は、可撓性を有して略帯状に形成された絶縁ベース片と、絶縁ベース片における一側面にその長さ方向に沿って互いに平行で、かつ等間隔に形成された複数列の導体パターン層とを備えて形成されている。なお、各導体パターン層は、絶縁ベース片の一側面に形成された絶縁層で覆われている。
また、絶縁ベース片は、絶縁樹脂フィルム薄片を用いて形成されている。また、各導体パターン層は、例えばサブトラクティブ法のような周知のプリント配線板製造法により絶縁ベース片上に残置された微細幅の銅箔層により各別に形成されている。また、1つの絶縁ベース片に形成された各導体パターン層は、絶縁ベース片を円環状に曲げてその一端側と他端側とを一体的に連結した際には、互いに電気的に接続されて、全体として複数巻きした巻線と同等の構造を有する1本の周回導電路に形成される。
これにより、各磁気検出コイル素子において形成される複数巻きした巻線が互いに直交配置されて構成された磁界センサ、つまり、3軸構造の磁界センサが製造される。
特開2006−343196号公報(第4−5頁、第1−4図)
ところが、上記の磁界センサには、以下の改善すべき課題が存在している。すなわち、この磁界センサでは、各磁気検出コイル素子を円環状に曲げる際や、円環状に曲げられた状態の各磁気検出コイル素子を互いに直交配置する状態に組み合わせる際に、円環状の磁気検出コイル素子単体に対して、この磁気検出コイル素子を長円形状に歪ませる方向の外力が一時的に印加された場合において、外力の印加が停止したときには、磁気検出コイル素子は絶縁ベース片の弾性力によって、円環状に復帰する構成となっている。
しかしながら、上記の磁界センサでは、絶縁ベース片を形成する樹脂材料の種類およびその厚み、並びに絶縁ベース片に形成される導体パターン層の厚みについて何ら規定していないため、外力の停止に伴って磁気検出コイル素子が長円形状から円環状に戻った際に、真円に近い状態(規格に規定された面積の円環状)には戻らずに、歪みが残った状態(規格に規定された面積とは異なる面積の円環状)のままになる。この状態において各磁気検出コイル素子を直交配置した場合には、各磁気検出コイル素子において各軸方向の磁束密度を正確に測定することができないことになる。このため、製造段階において、各磁気検出コイル素子を手作業で真円に近い状態に整えつつ直交配置する必要があるため、製造に手間がかかる結果、製造コストが上昇するという改善すべき課題が存在している。
本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、製造コストを抑えつつ、磁束密度を正確に測定し得る磁界センサを提供することを主目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載の磁界センサは、可撓性を有する帯状の絶縁ベース片、および当該絶縁ベース片上に当該絶縁ベース片の長さ方向に沿ってそれぞれ延設されると共に当該絶縁べース片の幅方向に間隔を空けて並列された複数の導体パターンを有して、当該絶縁べース片を円環状に曲げてその一端部側と他端部側とを連結させた際に前記複数の導体パターンにおける前記一端部側の端部が隣接する他の導体パターンにおける前記他端部側の端部に接続されることで当該複数の導体パターンによって1本の周回導電路の形成が自在にそれぞれ構成された3つの磁気検出コイル素子と、前記円環状に曲げられた状態で、互いの中心点が一致し、かつ互いの中心軸が直交するように立体的に組み合わされた前記各磁気検出コイル素子における交差部位を2枚重ね状態で保持する交差連結部とを備えている磁界センサであって、前記絶縁ベース片は、0.1mm以上1.0mm以下の範囲内の厚みに形成されたガラスエポキシ基板で形成されると共に前記連結される一端部側および他端部側を除く部位が5mm以上50mm以下の範囲内の幅に形成され、かつ前記各導体パターンは、10μm以上50μm以下の範囲内の厚みに形成されている。
請求項1記載の磁界センサでは、各磁気検出コイル素子は円環状に形成したときには絶縁ベース片の良好な可撓性と弾性復元力とが相まって自動的にほぼ真円に近い形状になり、またこの状態から一旦歪ませられたとしても絶縁ベース片の弾性力(弾性復元力)により、ほぼ真円に近い円環状に自動的に復帰する。したがって、この磁界センサによれば、従来の構成の磁界センサとは異なり、各磁気検出コイル素子を直交配置する際に、各磁気検出コイル素子を真円に近い状態に手作業で整えるという手間を省くことができる結果、製造コストを大幅に低減することができる。また、この磁界センサによれば、各磁気検出コイル素子がそれぞれ自動的に真円に近い状態になって各中心軸方向の磁束密度を正確に検出できるため、互いに直交する3軸方向の磁束密度を正確に測定することができる。
磁界センサ1の斜視図である。なお、各導体パターン22および接続ランド23については、一例として磁気検出コイル素子2についてのみ表記している。 図1の各磁気検出コイル素子2,3,4の斜視図である。 図2のW−W線断面図である。 図2の磁気検出コイル素子2,3,4に形成されている各導体パターン22(22a〜22e)、および一対の接続ランド23の構成を説明するための平面図である。 図1の交差連結部5,6,7,8,9,10の斜視図である。 図1の磁界センサ1の組み立て手順を説明するための説明図である。なお、孔32については、一例として交差連結部5の孔32のみを表記している。 磁気検出コイル素子の面積復元率を測定する方法を説明するための説明図である。
以下、磁界センサの実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
最初に、磁界センサ1の構成について、図面を参照して説明する。
磁界センサ1は、図1に示すように、円環状に形成された3つの磁気検出コイル素子2,3,4と、各磁気検出コイル素子2,3,4の交差部分に配設された6つの交差連結部5,6,7,8,9,10とを備え、3軸構造の磁界センサとして構成されている。
各磁気検出コイル素子2,3,4は、同一の構成を有し(同じ材料で、同一形状および同一構造に形成され)、それぞれ個別に曲げられて円環状に形成されると共に、互いの中心点P1,P2,P3が一致し、かつ互いの中心軸L1,L2,L3が直交するように組み合わされている。
磁気検出コイル素子2を例に挙げて、具体的な構成について説明する。磁気検出コイル素子2は、図2,3,4に示すように、絶縁ベース片21、複数の導体パターン22、一対の接続ランド23、絶縁層24およびコネクタ25を備えている。絶縁ベース片21は、0.1mm以上1.0mm以下の範囲内の一定の厚み(本例では一例として、0.2mm)に形成された可撓性および弾性を有するガラスエポキシ基板で形成されると共に、連結される一端部21a側および他端部21b側を除く中間部位が5mm以上50mm以下の範囲内の一定の幅(本例では一例として、10mm)に形成され、かつ全長が約36cmの帯状に形成されている。本例では一例として、絶縁ベース片21は、一端部21aが中間部位よりも幅広に形成されて、この一端部21aに一対の接続ランド23およびコネクタ25が配設されている。また、本例では、絶縁ベース片21の他端部21bについては、一例として中間部位と同じ幅に形成されている。
複数の導体パターン22は、図2,4に示すように、絶縁ベース片21の一方の面(図2の上面)上に絶縁ベース片21の長さ方向に沿って、絶縁ベース片21の一端部21aから他端部21bに至る長さでそれぞれ延設されると共に、絶縁ベース片21の幅方向に互いに等間隔(予め決められた一定長の間隔))で並設されている。本例では一例として、5本の導体パターン22a,22b,22c,22d,22e(特に区別しないときには「導体パターン22」ともいう)が、この順に並設されている。また、各導体パターン22は、10μm以上50μm以下の範囲内の一定の厚み(本例では一例として、18μm)に形成されている。
この場合、導体パターン22aは、図4に示すように、その絶縁ベース片21の一端部21a側の端部(一端部)A1が、一対の接続ランド23のうちの近接する一方の接続ランド23に接続されている。また、導体パターン22bは、その絶縁ベース片21の一端部21a側の端部(一端部)B1が、コネクタ25の例えば不図示の1番ピンに接続されている。導体パターン22cは、その絶縁ベース片21の一端部21a側の端部(一端部)C1が、コネクタ25の不図示の2番ピンに接続されている。また、導体パターン22dは、その絶縁ベース片21の一端部21a側の端部(一端部)D1が、コネクタ25の不図示の3番ピンに接続されている。さらに、導体パターン22eは、その絶縁ベース片21の一端部21a側の端部(一端部)E1が、コネクタ25の不図示の4番ピンに接続されている。また、コネクタ25の5番ピンは、一対の接続ランド23のうちの他方の接続ランド23に接続されている。
一対の接続ランド23は、円環状の磁気検出コイル素子2において形成される後述の周回導電路内を磁束が通過した際に、この周回導電路に誘起される電圧を出力するための端子として機能する。この一対の接続ランド23および上記の各導体パターン22は、サブトラクティブ法のような周知のプリント配線板製造法により絶縁ベース片21上に残置された銅箔によって形成されている。
絶縁層24は、絶縁ベース片21における各導体パターン22が形成された表面であって、一対の接続ランド23が形成されている絶縁ベース片21の一端部21aの表面と、後述するように、コネクタ25に挿入される絶縁ベース片21の他端部21bの表面を除く表面とに、各導体パターン22を覆って形成されている。
コネクタ25は、導体パターン22a,22b,22c,22d,22eの各端部(他端部)A2,B2,C2,D2,E2が並設された絶縁ベース片21の他端部21b(カードエッジ)を挿入可能なカードエッジコネクタとして構成されている。このコネクタ25では、その1番ピン、2番ピン、3番ピン、4番ピンおよび5番ピンが、挿入された絶縁ベース片21の他端部21bに形成されている導体パターン22a,22b,22c,22d,22eの各端部(他端部)A2,B2,C2,D2,E2にそれぞれ接続される。
この構成により、絶縁ベース片21を円環状に曲げて、絶縁ベース片21の一端部21aと他端部21bとをコネクタ25を介して接続した状態では、導体パターン22aの端部A2(一対の接続ランド23のうちの一方の接続ランド23に接続されている端部)が、隣接する導体パターン22bの端部B1にコネクタ25の1番ピンを介して接続され、導体パターン22bの端部B2が、隣接する導体パターン22cの端部C1にコネクタ25の2番ピンを介して接続され、導体パターン22cの端部C2が、隣接する導体パターン22dの端部D1にコネクタ25の3番ピンを介して接続され、導体パターン22dの端部D2が、隣接する導体パターン22eの端部E1にコネクタ25の4番ピンを介して接続され、導体パターン22eの端部E2がコネクタ25の5番ピンを介して一対の接続ランド23のうちの他方の接続ランド23に接続される。したがって、一対の接続ランド23間に、各導体パターン22a,22b,22c,22d,22eによって1本の周回導電路(複数ターンのコイル)が形成される。
各交差連結部5,6,7,8,9,10は、同一の構成を有している(同じ材料で、同一形状および同一構造に形成されている)。以下、交差連結部5を例に挙げて、具体的な構成について説明する。
交差連結部5は、図5に示すように、可撓性を有する薄い樹脂フィルム(例えば、0.2mm程度の厚みのポリエステルフィルムなど)を用いて、一例として短寸の十字形状に形成されている。また、交差連結部5の4つの先端部31には、絶縁ベース片21が挿入可能な平面視長方形の孔32が形成されている。各孔32は、交差連結部5の中心を基準として対向する一対が互いに平行となるように形成されている。また、隣接する一対の各孔32は、その仮想延長線同士が直交するように形成されている。この交差連結部5には、図6に示すように、対向する一対の孔32に1つの磁気検出コイル素子(例えば、磁気検出コイル素子2)が挿通されて取り付けられ、他の対向する一対の孔32に他の1つの磁気検出コイル素子(例えば、磁気検出コイル素子3(または4))が挿通されて取り付けられる。この構成により、交差連結部5は、この交差連結部5に直交する状態で挿通された2つの磁気検出コイル素子2,3(または4)における交差部位を2枚重ね状態で保持する。
図1に示す磁界センサ1は、上記の3つの磁気検出コイル素子2,3,4と、6つの交差連結部5,6,7,8,9,10とを使用して、一例として、次のようにして組み立てられる。
まず、図6に示すように、1つの磁気検出コイル素子4を4つの交差連結部10,9,6,8にこの順で挿通すると共に、各交差連結部10,9,6,8を等間隔で配置する。次いで、磁気検出コイル素子2を交差連結部5に挿通し、この交差連結部5が挿通されたこの磁気検出コイル素子2を交差連結部6に磁気検出コイル素子4と直交する状態で挿通する。また、磁気検出コイル素子2を交差連結部7に挿通し、磁気検出コイル素子2を挿通した3つの交差連結部5,6,7を等間隔で配置する。続いて、残りの磁気検出コイル素子3を交差連結部8に磁気検出コイル素子4と直交する状態で挿通する。これにより、3つの磁気検出コイル素子2,3,4が交差連結部6,8を介して、図6に示すように連結される。
次いで、図示はしないが、磁気検出コイル素子4を曲げて、磁気検出コイル素子4を構成する絶縁ベース片21の他端部21bをその一端部21aに配設されているコネクタ25に挿入することにより、磁気検出コイル素子4を円環状にする。続いて、磁気検出コイル素子2を曲げて、磁気検出コイル素子2を構成する絶縁ベース片21の他端部21bを交差連結部10に挿通し、さらに、この絶縁ベース片21の一端部21aに配設されているコネクタ25に挿入することにより、磁気検出コイル素子2を円環状にする。最後に、磁気検出コイル素子3を曲げて、磁気検出コイル素子3を構成する絶縁ベース片21の他端部21bを、交差連結部7、交差連結部9および交差連結部5に順次挿通し、さらに、この絶縁ベース片21の一端部21aに配設されているコネクタ25に挿入することにより、磁気検出コイル素子3を円環状にする。これにより、図1に示すように、円環状に形成された各磁気検出コイル素子2,3,4が互いに直交配置されてなる磁界センサ1が完成する。
この磁界センサ1では、各磁気検出コイル素子2,3,4が、0.1mm以上1.0mm以下の範囲内の一定の厚み(本例では一例として、0.2mm)に形成されたガラスエポキシ基板で形成されると共に、連結される一端部21a側および他端部21b側を除く中間部位が5mm以上50mm以下の範囲内の一定の幅(本例では一例として、10mm)に形成され、かつ一端部21a側および他端部21b側を連結して円環状(平面視真円)に形成した際の面積が100平方cmとなる長さ(約36cm)の帯状に形成されることで、良好な可撓性と弾性復元力とを備えた絶縁ベース片21と、絶縁ベース片21の可撓性および弾性復元力に殆ど影響を与えない10μm以上50μm以下の範囲内の一定の厚み(本例では一例として、18μm)で絶縁ベース片21の表面に形成された複数の導体パターン22とで構成されている。
この構成により、各磁気検出コイル素子2,3,4は、磁界センサ1の組み立て工程において、円環状に形成されたときには、絶縁ベース片21の良好な可撓性と弾性復元力とが相まってほぼ真円に近い形状になり、またこの状態において外力の印加によって長円形状に歪ませられたとしても(扁平な状態(長円形状)に変形させられたとしても)、この外力の印加が解除されたときには、非弾性材である銅箔で構成された導体パターン22の影響を殆ど受けることなく、絶縁ベース片21の弾性力(弾性復元力)により、高い面積復元率で元のほぼ真円に近い円環状に復帰することができる。
したがって、この磁界センサ1によれば、従来の構成の磁界センサとは異なり、各磁気検出コイル素子を直交配置する際に、各磁気検出コイル素子を真円に近い状態に手作業で整えるという手間を省くことができる結果、製造コストを大幅に低減することができる。また、この磁界センサ1によれば、各磁気検出コイル素子2,3,4がそれぞれ自動的に真円に近い状態になって各軸方向(中心軸L1,L2,L3方向)の磁束密度を正確に検出できるため、互いに直交する3軸方向の磁束密度を正確に測定することができる。
以下、上記の磁気検出コイル素子2,3,4、および比較例としての従来の構成の磁気検出コイル素子の各面積復元率を実験で確認した結果を示す。
なお、この実験では、これらの磁気検出コイル素子を真円に近い状態で円環状に形成したときの面積(円環状に形成された磁気検出コイル素子の内側領域の面積)が100平方cmとなるように、各磁気検出コイル素子の長さを規定した。また、磁気検出コイル素子2,3,4については、上記の構成、つまり、ガラスエポキシ基板を使用して、その厚みを0.2mmに規定する構成を絶縁ベース片21において採用し、かつ銅箔の厚みを18μmに規定する構成を各導体パターン22において採用した。
一方、従来の磁気検出コイル素子については、ポリイミド基板を使用して、その厚みを0.3mmに規定する構成を絶縁ベース片において採用し、かつ銅箔の厚みを54μmに規定する構成を各導体パターンにおいて採用した。
また、実験方法は、まず、円環状に形成した各磁気検出コイル素子を真円になるように形を整え、次いで、図7において実線で示すように、円の直径を結ぶ2点S,Tに円の中心に向かう外力を加えて、各磁気検出コイル素子の直径が真円のときの1/2になるように(長円形状に)変形させ、この状態を30秒間維持する。続いて、各磁気検出コイル素子への外力の印加を解除する。この際に、各磁気検出コイル素子は、自らの弾性復元力(絶縁ベース片21の弾性復元力)によって元の形状に近づく(復帰する)ように変形するため、この変形が止まる(形状が安定する)まで放置する。最後に、数秒後に変形が止まった(形状が安定した)ときの各磁気検出コイル素子の直径(上記2点S,T間の距離)を測定し、真円時の直径に対する比率(測定した2点S,T間の距離/(真円時の直径)×100)を面積復元率として算出する。
この実験の結果、比較例としての従来の磁気検出コイル素子では、面積復元率が95.7%に止まるのに対して、磁気検出コイル素子2,3,4では、面積復元率が99.8%になり、ほぼ元の真円に極めて近い円環状(ほぼ真円。面積復元率が99%以上の状態をいう)にまで復帰することが確認された。
また、ガラスエポキシ基板を用いた絶縁ベース片21の幅および長さを上記の値としつつ、絶縁ベース片21の厚みと、各導体パターン22の厚みとを変化させたときの面積復元率をシミュレーションにて算出した。この結果、絶縁ベース片21の厚みが0.1mm以上1.0mm以下の範囲内であり、かつ各導体パターン22の厚みが10μm以上50μm以下の範囲内であるときには、面積復元率が99%以上になるものの、絶縁ベース片21の厚みおよび各導体パターン22の厚みの少なくとも一方が上記の対応する範囲外となるときには、面積復元率が99%未満となることが確認された。
なお、上記の磁界センサ1では、絶縁ベース片21におけるコネクタ25の部位である一端部21a側の幅を中間部位および他端部21bよりも幅広に形成する構成を採用しているが、この一端部21aを含めて全体を一定の幅に規定する構成を採用することもできる。また、各交差連結部5,6,7,8,9,10の外形を短寸の十字形状に形成する構成を採用しているが、上記した孔31が4つ形成されている限り、その外形は任意の形状(四角形や円形や楕円形など)に構成することができる。
1 磁気センサ
2,3,4 磁気検出コイル素子
5,6,7,8,9,10 交差連結部
21 絶縁ベース片
22 導体パターン
23 接続ランド
25 コネクタ
L1,L2,L3 中心軸
P1,P2,P3 中心点

Claims (1)

  1. 可撓性を有する帯状の絶縁ベース片、および当該絶縁ベース片上に当該絶縁ベース片の長さ方向に沿ってそれぞれ延設されると共に当該絶縁べース片の幅方向に間隔を空けて並列された複数の導体パターンを有して、当該絶縁べース片を円環状に曲げてその一端部側と他端部側とを連結させた際に前記複数の導体パターンにおける前記一端部側の端部が隣接する他の導体パターンにおける前記他端部側の端部に接続されることで当該複数の導体パターンによって1本の周回導電路の形成が自在にそれぞれ構成された3つの磁気検出コイル素子と、
    前記円環状に曲げられた状態で、互いの中心点が一致し、かつ互いの中心軸が直交するように立体的に組み合わされた前記各磁気検出コイル素子における交差部位を2枚重ね状態で保持する交差連結部とを備えている磁界センサであって、
    前記絶縁ベース片は、0.1mm以上1.0mm以下の範囲内の厚みに形成されたガラスエポキシ基板で形成されると共に前記連結される一端部側および他端部側を除く部位が5mm以上50mm以下の範囲内の幅に形成され、かつ前記各導体パターンは、10μm以上50μm以下の範囲内の厚みに形成されている磁界センサ。
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